长鑫科技-688825-国内存储龙头公司，深度受益此轮存储超级周期.pdf

全球DRAM市场正经历由AI算力需求驱动的超级周期，供需紧张态势有望延续至2027年后。在此背景下，长鑫科技作为中国第一、全球第四的DRAM厂商，凭借"跳代研发"策略完成从DDR4到DDR5、LPDDR4X到LPDDR5/5X的产品迭代，核心工艺达到国际先进水平，深度受益行业景气上行。

核心技术与产能布局

公司采取"跳代研发"策略，已完成四代工艺平台量产，产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X全系列规格，并提供DRAM裸晶圆、芯片及模组等多种形态。截至2025年末，公司在合肥、北京运营3座12英寸晶圆厂，产能规模中国第一、全球第四。研发方面，2025年研发费用达95.93亿元，研发人员6259人，占比32.43%，持续高于行业可比公司均值。

业绩与盈利能力

2022-2025年公司营收由82.87亿元增长至617.99亿元，年复合增长率95.37%，2026Q1单季营收508亿元，同比增长719.13%；归母净利润由2022年亏损83.28亿元转为2025年盈利18.75亿元，2026Q1单季净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。毛利率从2024年低位修复至2025年40.99%，2026Q1净利率攀升至48.74%，盈利能力显著改善。

行业周期与竞争格局

AI推理需求爆发驱动DRAM需求结构性增长，服务器占比提升至50%以上，HBM成为核心增长引擎。2026-2028年全球DRAM供需缺口预计分别为-4.38%、-2.98%、-1.48%，价格上行周期有望贯穿2026年全年。全球DRAM市场高度集中，2026Q1三星、SK海力士、美光合计份额90%，长鑫科技以7.7%份额位列第四，且增速领先（环比+115.1%）。

技术演进与挑战

2D DRAM微缩遭遇10nm以下物理瓶颈，3D DRAM成为行业共识方向。海外三大原厂已确立差异化3D DRAM路径：三星采用4F2 VCT过渡方案，SK海力士循序渐进验证4F2原型机，美光跳过过渡直接进入3D DRAM研发。长鑫科技当前技术重心仍在主流DRAM和HBM追赶，HBM2刚实现量产，HBM3计划2026年量产，在3D DRAM前沿领域尚未形成明确公开布局。

风险因素

下游需求不及预期、行业竞争加剧、产品及技术研发不达预期、研发人员不足或流失等风险仍需关注。