天岳先进在AI数据中心供电架构及先进封装领域的碳化硅应用前景如何？

天岳先进在AI数据中心供电架构及先进封装领域的碳化硅应用，主要基于SiC材料在高频、高压、高热导率方面的物理优势，具体体现在以下两个核心场景： 首先，固态变压器（SST）是SiC进入中压配电和AI数据中心供电架构的关键载体。传统变压器功能单一且交付周期长，而SST通过高频功率电子变换，可将13.8-35kVAC中压输入直接转换为800VDC输出，并集成电压调节、隔离、功率质量控制和储能接口。SiC器件在中压场景下可实现更高开关频率和更低导通损耗，从而缩小磁性器件体积与重量。随着AI数据中心对电力接入周期和效率要求的提高，SST有望解决变压器供给缺口，带动SiC在中压模块、封装和高可靠衬底体系的需求增长。 其次，SiC Interposer有望成为AI芯片先进封装的增量市场。随着AI和HPC芯片功率耗散增加，传统硅中介层和有机基板在热梯度、机械可靠性和供电效率上逐渐接近极限。单晶SiC热导率高，具备高刚性、高稳定性和高电阻率，理论上可支持大面积中介层或散热结构。Coherent等厂商已推出金刚石-SiC复合散热材料，应用于direct-to-chip heat spreader等场景。天岳先进作为衬底厂商，其12英寸材料一致性、表面加工能力以及与先进封装工艺的兼容性，将成为进入该增量市场的关键指标。 综上，这些新兴应用不仅拓展了SiC的应用边界，也为天岳先进提供了超越传统功率器件赛道的第二增长曲线。