长鑫科技在4F² DRAM架构创新方面的布局进展及其对突破设备管制瓶颈的战略价值

长鑫科技在4F² DRAM架构创新方面布局领先全球。2023年底，公司发布采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²布局的18nm DRAM相关论文，公布其已研制成功六边形电容器结构的JL-GAA垂直沟道晶体管单元阵列，首次实现8Gb全阵列JL-GAA VCT架构，在性能上实现了开关比和线性噪声系数的双重突破，在当时最先进的硅基垂直栅极场效应晶体管中位列前列。

该成果展示了长鑫在出口管制与设备限制背景下，依靠架构创新实现"以结构补制程"的技术突破路径。半导体设备制造商东京电子估计，采用VCT和4F²技术的DRAM将在2027年至2028年间问世。长鑫的4F²方案逐步推动量产，进度与国际头部厂商接近。

CBA技术方面，产业趋势已凸显。该技术将存储晶圆与逻辑控制电路晶圆分开制作，利用混合键合方式进行堆叠，NAND领域已率先应用。分析指出，4F²需要垂直栅/竖沟道与更短节距，若制造完外围逻辑晶体管后再制造存储单元阵列，存储阵列制造中的高温处理会对下方外围逻辑电路产生伤害，因此存储单元阵列和外围逻辑电路拆开制作更为合理高效。Yole预测4F²单元微缩与CBA集成预计使位密度提升30%，同时支持使用高级逻辑节点提高性能与可靠性，该技术组合有望在2028年实现应用。

从战略价值看，4F²+CBA技术路线使国产DRAM厂商在EUV光刻机等关键设备受限的情况下，仍可通过架构创新持续提升存储密度与性能，降低对最先进制程设备的依赖程度，为国产DRAM产业争取技术迭代时间与自主可控空间。