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1）本征+磷扩。采用 LPCVD 制备多晶硅薄层并结合传统的全扩散工艺。 需要较 PERC 增加 LPCVD、扩散炉、刻蚀设备，工艺优点是成熟且耗时 短（从硅片进入炉管到降温之后出来），生产效率高，已实现规模化量产， 但存在绕镀和成膜速度慢的问题，目前 TOPCon 厂商布局的主流路线。
2） 离子注入（直接掺杂）。采用 LPCVD 制备多晶硅薄层并结合扩硼及离 子注入磷工艺。需要较 PERC 增加 LPCVD、离子注入机、退火炉、刻蚀 设备，技术优点是无绕镀风险，且良率更高，不足之处在于工艺难度大， 且需要更多的扩散炉和两倍的 LPCVD。
3） 原位掺杂。采用 PECVD 制备多晶硅薄层并结合原位掺杂工艺。需要 较 PERC 增加 PECVD、退火炉设备。该方法可以简化流程、降本提效， 不仅沉积速度快、沉积温度低，还能用 PECVD 制备多晶硅层。但目前因 气体爆膜现象而导致的良率较低问题还未能解决，技术稳定性有待改进。
