这个我知道，答案都来自报告《半导体设备行业之中微公司（688012）研究报告：刻蚀设备执牛耳者，MOCVD再创佳绩》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。
光刻工序是在匀胶工序（把光刻胶涂抹在薄膜上）后，将光罩上的图形转移到光刻胶的步骤；光刻后，经过显影工序， 光罩未覆盖部分的光刻胶被去除。
刻蚀是通过物理和/或化学方法对薄膜进行精密加工，去除未被光刻胶覆盖的部分，从而将光刻胶上的图形转移到薄膜 的工艺，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。
薄膜沉积即在晶圆上沉积一层待处理的薄膜。 半导体制造需要此三大工艺循环往复数十次，将光罩上的设计图形逐层转移到晶圆上。
