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上游衬底：最为核心的环节，价值量最高，约为 46%。根据电阻率的不同，可分为导电型和半绝 缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。高纯硅粉和高纯碳粉采用物理气相传输法（PVT） 生长 SiC 晶锭，之后经过滚磨、切割、研磨、抛光、清洗等环节最终形成衬底，其中晶体的 生长为核心工艺，核心难点在于提升良品率。晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难 度越大，长晶技术壁垒高，毛利率可达 50%左右。
中游外延：价值量占比约23%，是指在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。其中导电 型 SiC 衬底用于 SiC 外延，生产功率器件，应用于电动汽车和新能源领域；半绝缘型 SiC 衬 底用于氮化镓外延，生产射频器件，应用于 5G 通信等领域。
下游器件制造及模块封装：价值量占比约 20%，产品包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、全 SiC 模 块、SiC 混合模块。
