这个我知道，答案都来自报告《金博股份（688598）研究报告：碳碳热场龙头，新材料平台加速成型》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。
1）温 度场控制困难：长晶需要在 2500℃高温下进行，对材料和温度控制要求高。
2）生长速度缓 慢：晶棒厚度每小时生长速度视尺寸大小约为 0.2~1mm/小时。
3）良率难以控制：SiC 存在 200 多种晶体结构类型，其中仅六方结构的 4H 型（4H-SiC）等少数几种晶体结构的单晶型 碳化硅才是所需的半导体材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶 体生长速率以及气流气压等参数。
4）晶体扩径难度大：PVT 法随着晶体尺寸的扩大，难度 工艺呈几何级增长。目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，高成本一定程度限制了 其应用场景及市场渗透。
