以下内容是对CMP设备工作原理及分类的简单介绍。
CMP设备包括抛光、清洗、传送三大模块,其作业过程中,抛光 头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上,借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛光垫摩擦等耦 合实现全局平坦化。抛光盘带动抛光垫旋转,通过先进的终点检测系统对不同材质和厚度 的膜层实现 3~10nm 分辨率的实时厚度测量防止过抛,更为关键的技术在于可全局分区施压 的抛光头,其在限定的空间内对晶圆全局的多个环状区域实现超精密可控单向加压,从而 响应抛光盘测量的膜厚数据调节压力控制晶圆抛光形貌,使晶圆抛光后表面达到超高平整 度。此外,制程线宽不断缩减和抛光液配方愈加复杂均导致抛光后更难以清洗,因此需要 CMP 设备中清洗单元具备强大的清洁能力来实现更彻底的清洁效果。

主要分为 8 寸和 12 寸产品。目前行业内通常按所应用产线的晶圆尺寸 (也代表技术难度)分为 12 英寸 CMP 设备和 8 英寸 CMP 设备。作为集成电路生产中的环 节之一,CMP 设备主要根据应用芯片领域、客户工艺特色和使用耗材的不同对模块性能进 行差异化调整和定制化设计,不存在进一步细分产品类别。