碳化硅在高功率、高电压、高频率上更具优势。
与硅相比，碳化硅具有更优的电气性能，可满足高压、高温、高频、大功率条件下的应用需求。
①耐高压：碳化硅击穿电场强度是硅的 10 倍，因此用碳化硅制备器件可极大地提高耐压容量、工作频率和 电流密度，并大大降低器件的导通损耗。
②耐高温：禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高，碳化硅禁带接近硅的 3 倍，可保证碳化硅器件在高 温下工作的可靠性。此外，碳化硅相较于硅具有更高的热导率，有利于器件的散热，极限工作温度更高。硅器 件的极限工作温度一般不超过 300℃，而碳化硅器件极限工作温度可达到 600℃以上。耐高温特性可以带来功率密度的显著提升，同时降低对散热系统的要求，使终端可以更加轻量和小型化。
③实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的 2 倍，因此碳化硅器件可以实现更高的工作频率和 更高的功率密度。
