衬底和外延成本占比高达70%，远高于硅基衬底，导致碳化硅功率器件渗透率较低。
从最上游的碳粉、硅粉制备成碳化硅圆晶，再进行外延，最后制备成SBD、MOSFET、IGBT等器件，圆晶及外延是整个环节最关键的一环。 他决定着上游原材料制备的方式及相关参数，同时也决定着下游器件的性能。
碳化硅衬底约占碳化硅器件成本的47%，外延环节又占据23%，制造前的成本占据全部成本的70%。而对于Si基器件来说，晶圆制造占据 50%的成本，硅片衬底仅占据7%的成本，碳化硅器件上游衬底和外延价值量凸显。由于碳化硅衬底及外延价格相对硅片较为昂贵，碳化硅功率 器件现阶段渗透率较低。然而，由于碳化硅器件高效率、高功率密度等特性，新能源汽车、能源、工业等领域的强劲需求有望带动碳化硅渗透 率快速提升。
