技术突破，融资改善，多晶硅为远期增长点。
区熔级多晶硅是电子级多晶硅中的高端产品。电子级多晶硅为半导体原材料，按生产类型可分为电子 级直拉（简称 CZ）多晶硅和区熔（简称 FZ）多晶硅。直拉电子级多晶硅是制备集成电路的关键基础材料， 而全球 15%的硅片由区熔法制备，拉出的单晶硅尺寸主要为 8 英寸、6 英寸，是制作整流器、IGBT 等大功 率器件的主流技术。区熔法较直拉法而言，具有纯度高、含氧量低、污染度低、电阻率高（杂质分凝和蒸 发效应）、耐高压的特性，技术更复杂，是电子级多晶硅里的高端产品。
区熔级多晶硅商业化初露头角，国产化起步。据天瑞硅材料官网称，中外合资公司天瑞硅材料为国内唯一一家能够批量生产功率半导体基础原材料区熔多晶硅的企业，通过近一年的产品测试与用户验证，2021 年 10 月成功通过应用测试与国内半导体头部企业签订首份商业供货合同，实现了国产区熔多晶硅商业化零 的突破，2022 年一季度与另一家行业头部企业达成批量供货协议，开始稳定批量供货，形成“双龙头”供 货格局。区域级多晶硅国产化起步。
公司在高纯硅烷气的基础上积极布局区熔级多晶硅规模化生产。2020 年公司建成了以电子级硅烷气为 原材料的区熔级多晶硅试验装置，2021 年度，公司研发费用支出大幅增加，开展“高纯硅烷 CVD 法制备区 熔级多晶硅的关键技术研究”发生的相关费用支出 2,026.23 万元。目前公司区熔级多晶硅试验产品经检测各 项指标已基本达到国外指标，并已初步完成下游厂商验证工作。募投项目包括预计年产 500 吨高纯多晶硅 的项目，其中区熔级多晶硅 300 吨，电子级多晶硅 200 吨。项目建成后达产年均营业收入为 25,663.72 万元。 所得税后项目投资财务内部收益率为 20.31%，财务净现值（i=10%）为 28727 万元，投资回收期为 6.15 年， 借款偿还期 5.56 年，项目经济效益满足要求。
多晶硅需求稳定增长，2025 年预计全球存在 1000 吨缺口。国内尚未有权威机构、行业协会等出具相对 官方的半导体用多晶硅市场统计数据，中国恩菲出具的半导体硅可研报告包含的下游市场需求情况主要由 其实地调研半导体多晶硅下游使用客户后归纳总结得出。根据中国恩菲出具的可研报告，2019 年，国内电 子级多晶硅需求量为 5,000 吨，国外需求量为 30,000 吨，全球合计需求量 35,000 吨，随着全球硅片产能向 中国的转移，预计到 2025 年国内对电子级多晶硅的需求量将达到 10,000 吨左右，中国国内硅片生产占有率 提高，挤压了国外硅片生产的份额，全球对电子级多晶硅的总需求量仍将保持 35,000 吨。随着集成电路产 业的发展，2019 年，国内使用区熔级多晶硅的公司主要有天津环欧和北京有研国泰半导体，合计需求量约 为 240 吨/年，全球区熔级多晶硅棒的年使用量为 3,000 吨左右。预计到 2025 年国内及全球区熔级多晶硅棒 的年使用量将分别达到 400 吨和 4,000 吨，按照现有规模情况预计，到 2025 年全球存在 1,000 吨的缺口。
