美日欧主导SiC市场，国内产业开始由导入期向成长期过渡。
同第一代、第二代半导体产业链类似，衬底晶片/外延片制造、芯片设计、晶圆制造代工、 封测、芯片/器件构成了第三代半导体的产业链条。碳化硅厂商一般可以分为两种模式，一 是 IDM 模式，同时从事碳化硅衬底、外延、器件的制造，如 wolfspeed 等；二是参与产 业链部分环节，如天岳先进、II-VI 等。
SiC 衬底晶片经过外延生长、器件制造等环节，可制成应用于高功率电力电子、微波射频 等领域的 SiC 基功率器件和微波射频器件，下游主要应用于 5G 通讯、新能源汽车、轨道 交通、电力系统等领域。碳化硅衬底制备是产业链中技术难度最高的环节，所以 SiC 衬底 晶片是 SiC 产业的基础材料，也是 SiC 产业发展的核心。
目前碳化硅衬底市场由美日欧主导，美国全球独大。碳化硅是技术密集型行业，对研发人 员操作经验、资金投入有较高要求。国际巨头半导体公司研发早于国内公司数十年，提前 完成了技术积累工作，如美国拥有 CREE、II-VI、Dow Corning、Transphorm 等世界顶尖 企业，占有全球碳化硅 70%-80%产量。根据 Yole 数据，2021 年 Wolfspeed（CREE 全 资子公司）、 II-VI、Rohm（收购 SiCrystal）三家占据全球 89%市场份额。
天岳先进市占率迅速提升，发展迅速。受益于 5G、新能源等新兴产业技术水平、产业化 规模的提高，巨大应用空间推动上游第三代半导体快速发展。据 Yole 数据，2020 年上半 年，山东天岳占据全球导电型衬底 3%的市场份额，位于国内第二，相比前几年有所提升。
同时，公司在半绝缘型碳化硅衬底的市场占有率大幅提升，已进入行业第一梯队。由 2019 年的 18%上升至 2020 年的 30%，按销售额统计的市场份额均位列全球第三。
国内第三代半导体产业开始由“导入期”向“成长期”过渡。 1）产业链逐渐成型，产能不断增加。国内企业数量持续增加，产线加快建设，供应链开 始逐步成型，产业链自主可控能力增强。据 CASA Research 不完全统计，截至 2020 年 底，国内有超过 170 家从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业，而 2018 年尚不足 100 家，形成了从上游材料的制备（衬底、外延）中游器件设计、制造、封测到下游的应 用，基本形成完整的产业链结构。
2）产线陆续开通，大晶圆逐渐成为主流。国内商业化 SiC 衬底目前以 4 英寸为主，逐步 向 6 英寸过渡，烁科晶体、天科合达、同光晶体、南砂晶圆等几大衬底生产商均在扩张 6 英寸衬底产能。据感知芯视界不完全统计，截至 2021 年底，国内至少已有 12 条 6 英寸 SiC 晶圆制造产线（包括中试线），另有约 15 条 SiC 生产线正在建设。2020 年底，GaN 射 频产线方面，目前有 5 条 4 英寸 GaN-on-SiC 生产线，约有 5 条 GaN 射频产线正在建 设，2021 年又有包括晶湛半导体、灿科半导体等 8 家生产商扩建产线，产线数急速上升。
3）产业链各环节产能增长，但供给仍然不足。据 CASA Research 数据，2020 年 SiC 导 电型衬底折算 4 英寸产能约 40 万片/年，SiC 半绝缘衬底折算 4 英寸产能约 18 万片/年。 2021 年底，国内厂商在衬底环节投资超 240 亿元，规划产能超 420 万片/年（折合 6 英寸）， 但新能源汽车、PD 快充、5G 等下游应用市场增长超预期，国内现有厂商仅天岳先进、 天科合达、同光晶体、三安光电、中科钢研、中电科材料和世纪金光等产品可商业化量产， 供给无法满足市场需求，尤其是 SiC 电力电子和 GaN 射频存在较大缺口。这也导致我国 第三代半导体各环节国产化率较低，目前超过八成的产品依赖进口。
