普冉股份存储系列芯片包括NOR Flash和EEPROM。
NOR Flash和EEPROM是两大类 非易失性存储器芯片，公司在非易失性存储器芯片领域深耕多年，凭借低功耗、高可靠 性的产品优势，在下游客户处积累了良好的品牌认可度，是行业内为数不多的同时具备 NOR Flash和EEPROM产品线的芯片设计公司，也是国内NOR Flash和EEPROM产品 的主要供应商之一。
（1）Nor Flash：SONOS工艺行业领先，核心技术优势体现。公司NOR Flash产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了 512Kbit到256Mbit容量的系列产品，覆盖1.65V-3.6V的操作电压区间，具备低功耗、高 可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，公司NOR Flash产品应用领域集中在蓝牙、 IOT、TDDI、AMOLED、工业控制等相关市场。 目前NOR Flash行业主流工艺制程为55nm，公司40nm工艺制程下4Mbit到128Mbit 容 量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平。
存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面，目前NOR Flash 的主流基础工艺包括浮栅ETOX和电荷俘获的SONOS工艺结构。兆易创新、华邦、旺 宏等传统闪存芯片厂商均采用浮栅ETOX工艺结构。公司则率先将SONOS工艺结构应 用于NOR Flash的研发设计，现阶段已形成完整的核心技术体系和技术壁垒，并凭借 超低功耗和高可靠性等产品特点，形成了极具竞争力的NOR Flash产品矩阵。 SONOS工艺平台的主要优点是与ETOX相比，擦除和编程操作所需的电压显著降低。 ETOX技术由于编程电压高，集成复杂，一般需要在基本逻辑工艺基础上再额外增加9- 12层光罩来实现，而SONOS工艺平台的处理结构更简单。
公司创新性地将电荷俘获技术的SONOS工艺应用在NOR Flash的研发设计中，并与晶 圆厂联合开发和优化55nm及40nmNOR Flash工艺制程的NOR Flash芯片，使得公司 的NOR Flash芯片具备了宽电压、超低功耗、快速擦除和高性价比等特点以及领先的 成本优势；同时公司也基于ETOX工艺延伸产品进行布局，目前工艺制程为50nm节点， 以中大容量市场为主，衔接SONOS工艺下的中小容量市场。 在ETOX工艺与SONOS工艺的双重驱动下，公司形成了完整、先进的核心产品技术体 系。NOR Flash产品的功耗、稳定性和兼容性得到国内外客户的认可，出货量逐年增 长，带动公司NOR Flash产品营收及毛利润同比大幅增长。
（2）EEPROM：领先于业界主流工艺，技术优势明显.公司已形成覆盖2Kbit到4Mbit容量的EEPROM产品系列，操作电压覆盖1.2V-5.5V，主 要采用130nm工艺制程，具有高可靠性、面积小、性价比高等优势，同时实现了分区域 保护、地址编程等功能，可对芯片中存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改， 可擦写次数可达到400万次，数据保持时间可达200年。 EEPROM相较于NOR Flash的容量更小、擦写次数高，因此适用于各类电子设备的小容 量数据存储和反复擦写的需求。目前海外领先企业的EEPROM制程在110nm，大陆企 业主流制程在130nm，公司的EEPROM制程向95nm及以下更高制程继续迭代。
