DRAM和Flash分属不同的存储器层次，经常在下游应用中搭配使用。
处理器从内存中读取数据，而内存从闪存中加载数据。DRAM属于 易失性存储器，使用电容存储，必须隔一段时间刷新，一旦停止刷新存储的信息就会丢失。而Flash属于非易失性的存储，在断电后不会 丢失数据，是在ROM的基础上演进而来。DRAM读写速度比Flash快、成本高、功耗较大、寿命长、结构简单集成度高，Flash的优势在 于容量大、成本低。
存储占集成电路1/4以上销售额，具有与集成电路较同步但更剧烈的周期性。集成电路产业整体呈稳步上升的态势，但受到社会经济等因素的影响， 也呈现了较为明显的行业波动周期，波动周期约为4年左右。存储器在各下游应用中需求量大，是集成电路产业重要的组成部分，常年占集成电路四 分之一以上的份额。两者一般具有较为同步的波动周期，但被称为“半导体的大宗商品”的存储，其价格更容易在短期内基于供需关系而波动，且 波动幅度明显强于整体IC产业。2018年，半导体存储的市场规模达到创纪录的1580亿美元，2019年回调后，2020-2021年出货量再次增长至2021 年的1538亿美元，而2022年因俄乌冲突、通货膨胀、消费电子需求疲软及创新乏力等因素市场规模回落至1298亿美元，同比下滑15.65%。
回溯1991年至2021年DRAM市场发展，出货量大致可分为四个时期，受到价格影响，出货金额波动较大。1991-2003年：受到日本、美 国和欧洲等发达地区对PC和电器产品需求的推动，DRAM出货量稳步提升。2003-2011年：进入21世纪，以中国为首的发展中国家经济发 展迅速，人们购买了手机、电脑、各种电器产品，导致DRAM出货量激增。2011-2018年：DRAM市场几乎被三星电子、美光、SK海力士 垄断，为防止产品价格剧烈波动，各家公司协调产量，出货量趋于平稳。2018年后：DRAM主战场由PC转移至数据中心服务器，三大厂商 重新争夺市场优势地位，随着数据中心数量增长，DRAM出货量再次暴增。
在半导体存储市场中，DRAM和NAND Flash占据主导地位。根据IC Insights的数据，2021年全球半导体存储器市场中，DRAM占比 达56%，NAND Flash约占41%，NOR Flash约占2%，EPROM/EEPROM及其他存储器约占1%。DRAM和NAND Flash也存在明显的 周期性，过去一般在三年半左右。自2022年Q3以来，NAND Flash和DRAM季度销售额经历了同比和环比的下滑，且本轮下行周期同 比跌幅已经超过以往低谷，去年Q3、Q4及今年Q1分别同比下滑27.37%、44.34%和51.86%。
存储器中最大的两个市场DRAM和NAND Flash均呈现海外玩家寡头垄断的格局。根据IC Insights的数据，2021年全球半导体存储器市场中， DRAM占比达56%，NAND Flash约占41%。DRAM市场由三星电子、SK海力士和美光主导，CR3常年占据95%左右的市场份额。2022年， 三星电子占DRAM营业收入市占率为43.12%，SK 海力士市占率为27.01%，美光市占率为25.20%，三者合计市占率为95.33%。NAND Flash 市 场 也 在 不 断 的 并 购 整 合 中 更 加 集 中 ， 2022 年 三 星 电 子 / 铠 侠 / 西 部 数 据 /SK 集 团 / 美 光 的 营 收 市 占 率 分 别 为 33.44%/18.34%/13.36%/18.54%/11.72%，CR5的市占率合计为95.41%。在未来西部数据与铠侠合并后，NAND市场集中度将进一步提高。
我国存储企业主要聚焦于利基型市场。目前我国已初步完成在存储芯片领域的战略布局，但由于起步较晚，且不时受到技术封锁，在DRAM、 NAND Flash高端存储产品市场较韩系、美系龙头厂商仍有一定差距。在DRAM和NAND Flash领域，除长鑫存储和长江存储外，我国大部分厂 商还是与国际龙头进行错位竞争，聚焦利基型市场；我国NOR Flash芯片技术基本成熟，例如兆易创新的NOR Flash在全球已经取得前三市占率。
