专注中小容量存储芯片，产品线不断拓展升级。
聚焦中小容量通用型存储芯片，“专精特新”小巨人快速成长。东芯股份专注于中小 容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是国内少数可以同时提供 NAND、NOR、 DRAM 设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2014 年公司成立，目前总部 位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司。2019 年公司完成股 改，正式变更为东芯半导体股份有限公司。2021 年公司于科创板上市。2022 年公司 成为工信部第四批“专精特新”小巨人企业。
公司主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM 以及衍生产品 MCP： 1）NAND Flash：聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发，2015 年 1Gb SPI NAND 芯片 38nm 工艺成功流片，2020 年 8Gb PPI NAND Flash 芯片 24nm 工艺线 成功流片。主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb，包含 SPI 或 PPI 类型接口，搭配 3.3V/1.8V 两种电压，能够满足客户在不同应用领域及场景 的需求。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，在工业温控标准下单 颗芯片擦写次数已超 10 万次，同时可在-40℃~105℃的极端环境下保持数据有效性 长达 10 年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准升级。 2）NOR Flash：2017 年，50nm NOR Flash Wide Range 成功流片。自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于可穿 戴设备、移动终端等领域。 3）DRAM：2019 年，2Gb DDR3 25nm 工艺产线成功流片。DDR3（L）系列可以传 输双倍数据流，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广 泛。2022 年，1GB LPDDR4x 25nm 工艺产线成功流片。针对移动互联网和物联网的 低功耗需求，公司自主研发的 LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点， 适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。4）MCP：NAND MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8V SLC NAND Flash 闪存芯 片与低功耗设计的 DRAM，凭借设计优势，在紫光展锐、高通、联发科等平台认证 通过，广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。
加强供应链合作，保障产能稳定。公司采用 Fabless 模式，产品生产环节委托晶圆代 工厂、封测厂进行。公司的晶圆代工厂主要为中芯国际和力积电，封测厂主要为宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon 等公司。公司秉持“本土深度，全球广度” 的供应链布局，追求国产化供应链安全和自主可控的目标，不断推进国产化供应链 的同时，积极与国际大厂开展合作。
聚源聚芯、哈勃投资入股，优质产业资源助力公司持续发展。截至 2023 年一季度 末，东方恒信持有公司 32.38%股份，为公司控股股东。董事长蒋学明先生与董秘蒋 雨舟女士为公司实际控制人，蒋学明先生持有东方恒信 68.93%股权。东芯科创为员 工平台，其执行事务合伙人为东方海峡，蒋学明先生通过东方海峡实际控制东芯科 创。蒋雨舟女士持有东芯科创 1.11%股权。公司获得众多产业基金投资，其中国家 大基金投资的聚源聚芯持有公司 3.85%股份，哈勃投资持有公司 3.00%股份。多家 产业基金的投资布局彰显公司技术水平的优势，同时为公司带来优质产业资源，助 力稳定持续发展。
终端需求疲软，23Q1 经营业绩筑底。2017-2021 年，公司营业收入保持增长，主要 原因为全球网络基础设施不断完善，互联网技术快速发展，电子消费场景多元化为 公司提供良好的发展环境。2017-2019 年公司产品未实现盈利，原因包括产品导入 周期长、产品开拓初期成本尚不具备优势、持续研发及运营投入较大，同时半导体下行周期带动产品价格波动下行。2021 年实现归母净利润 2.62 亿元，同比增长 1240%，盈利大幅增长的主要原因系规模效应显现，高毛利率产品占比提升，同时 财务费用降低。2022 年归母净利润下滑较多，主要原因系研发费用及计提的存货跌 价准备增长较大。2023Q1 公司实现营收 1.24 亿元，同比下降 64%，归母净利润亏 损 0.34 亿元，同比减少 131%，全球半导体周期下行，终端需求疲软，售价及成本 双向承压下，产品毛利率下滑。
毛利率随半导体行业周期波动，盈利能力有望迎来回升。公司毛利率水平随半导体 行业周期波动明显：2019 年半导体行业景气度较差，公司毛利率到达低点；2021 全 球半导体景气度较好，毛利率达到 42%的最高水平；2021 年之后，行业景气度下行， 毛利率同步下行。2022 年公司 NAND/NOR/DRAM/MCP 产品线的毛利率分别为 47%/20%34%/22%。我们认为，当前存储芯片行业进入行业底部，随着行业景气度 回暖，公司盈利能力有望同步迎来回升。
NAND 产品营收占比过半，份额有所提升。公司产品线主要分为四部分，其中 NAND 产品线 占据主要营收， 2019 年以来其营收占比逐年提升。 2022 年 NAND/NOR/DRAM/MCP/技术服务的营收分别为 7.08/0.72/0.82/2.25/0.58 亿元，占 总营收的比重分别为 62%/6%/7%/20%/5%。
期间费用率有所增加，加大研发助力公司成长。2020-2022 年，公司销售、管理、财 务费用率均有所下降，规模效应优势逐步显现。2023Q1 销售/管理/研发/财务费用率 分别为 5.18%/13.18%/28.70%/-11.30%，同比+4.15/+9.14/+22.19/-7.32pcts，销售、管 理费用率上升的主要原因系 23Q1 营收下滑，研发费用率上升的主要原因系研发人 员、研发设备等有所增加。
研发人员数增幅较大，优秀研发团队夯实竞争力。2022 年末，公司研发人员达到 130 人，较 2021 年增加 43 人，其中硕士及以上学历人员增加 10 人，本科学历人员增加 30 人。公司研发人员数量增加，同时学历结构不断优化，有助于公司持续创新，提 升研发效率，夯实核心竞争力。
2019-2021 年盈利能力提升，2022 年人均创收暂时下滑。2019-2021 年，公司人均创 收及人均创利均保持增长，主要原因系公司产品逐步导入客户供应链体系，规模效 应下成本缩减，盈利能力提升。2022 年公司人均创收、人均创利分别为 490 万元、 79 万元，较 2021 年有所下滑，半导体行业周期性下行背景下，下游需求不振，公 司经营业绩受到影响。
2022 年 NAND/NOR 系列销量下降，NAND 系列产品结构实现优化。2019-2022 年， NAND 系列产品销售均价由 3.7 元/颗提升至 10.7 元/颗， NAND 中 4G/8G 产品的 均价相对 1G/2G 较高，利润较大，我们判断公司 NAND 产品结构实现优化，中大 容量高毛利产品占比提升。受半导体行业周期波动影响，2022 年 NAND 销量下滑。 NOR 系列产品的销售均价较为稳定，2022 年销量下降的主要原因系消费电子需求 下滑，穿戴式应用需求走弱。
细分品类变动致使 DRAM 均价波动，MCP 均价较为稳定。公司 DRAM 系列产品 品类较多，受下游终端应用需求变化、公司自身产品结构调整等原因，均价有所波 动，譬如 2019 年低容量 PSRAM 占比提升，拉低 DRAM 平均均价。MCP 产品的客 户群体集中于物联网 M2M 模块，包括 u-blox、移远、广和通等，由于要求长期供 应保障产品，比如 5-10 年甚至更久，因此产品均价波动较小。2022 年集成电路行 业景气度较为低迷，DRAM 和 MCP 销量有所下滑。
多年持续创新，打造自主知识产权。2022 年，公司申请申请发明专利 63 项；申请 集成电路布图设计权 13 项，获得集成电路布路设计权 20 项；申请软件著作权 1 项。 截至 2022 年底，公司拥有境内外有效专利 70 项、软件著作权 13 项、集成电路布图 设计权 68 项、注册商标 11 项。公司高度重视知识产权的自主性和完整性，经过多 年持续研发和创新，相关知识产权自主完整、权属清晰。
产品性能出色，通过主流平台厂商认证。东芯股份产品主要应用方向包括通讯、监 控安防和消费类、工业控制等。根据公司投资者关系活动记录，下游应用分类中， 通讯领域占比超过 50%；监控安防和工业控制占比 20%左右；消费类主要应用于穿 戴式设备，占比 20%左右。凭借工艺制程及性能等出色表现，公司产品不仅通过联 发科、瑞芯微、国科微、博通等行业主流平台厂商认证，同时进入三星电子、海康 威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户供应链体系。
积极开拓产品线，进入新应用领域。车规产品研发方面，公司基于中芯国际 38nm 工 艺平台的 SLC NAND Flash、基于力积电 48nm 工艺平台的 NOR Flash 均有产品通 过 AEC-Q100 测试，可适用于严苛的车规级应用。公司的 SLC NAND Flash、NOR Flash 持续开发新产品，同时 LPDDR4X 及 PSRAM 产品已完成工程样片并通过客户 验证，可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用，随着产 品线的不断丰富，高端应用领域的渗透率有望逐步提升。
募投项目持续推进，产品结构实现丰富。2021 年公司 IPO 募集资金，投资项目包括 1xnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建 设项目和补充流动资金项目。截至 2022 年底，1xnm 闪存研发项目已完成首次晶圆 制造；车规级闪存研发项目的部分产品已通过 AEC-Q100 验证，并已完成功能性验 证。根据 2022 年报，预计 2024 年 6 月，上述两个项目达到预定可使用状态。公司 通过募集资金对现有产品进行技术升级，提升产品性能，丰富产品结构，有望持续 增强公司核心竞争力，提升市场份额。
新品研发不断推进，已有产品向更先进制程升级。SLC NAND Flash 量产产品中， 公司以中芯国际 38nm、24nm，力积电 28nm 制程为主。公司不断扩充 SLC NAND Flash 产品线，在 28nm、24nm 制程上持续开发新产品，部分已达到量产标准。此 外，先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成流片和功能性验证。NOR Flash 产品 方面，公司在力积电 48nm 制程上持续开发高容量新品；中芯国际产品制程从 65nm 推进至 55nm，并已完成首次流片。LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并 通过客户验证，未来将继续在 DRAM 领域进行新品研发。车规产品研发方面，基于 中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash、基于力积电 48nm 工艺平台的 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试。 把握市场应用需求，实现业绩稳健增长。在客户需求导向下，公司建立了产品线短、 中、长期的多层次开发计划，完善研究开发的系统化平台，推动产品迅速迭代及工 艺平台升级。依托 5G、物联网、人工智能、机器视觉等下游市场需求，东芯股份推动提升产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等应用领域的渗透率，助力 公司业绩稳健增长。
