光刻胶产业链的三个环节都存在较高 壁垒。
光刻胶由树脂、光致产酸剂、溶剂和添加剂等混合而成。 树脂是光刻胶最核心的部分，是光刻胶的骨架。光刻胶树脂是一种惰性聚合物，可 以将光刻胶中的不同材料聚合在一起，同时在光照下会与光敏材料发生反应，使光 刻胶在显影液中的溶解度发生变化。光刻胶树脂决定曝光后光刻胶的基本性能，如 能达到的线宽、胶膜厚度、耐刻蚀性、附着力等。
光敏材料是光刻胶成分中的光敏感化合物，是光刻胶的重要组成部分。半导体光 刻胶用光敏材料主要分为 PAG（光致产酸剂，简称光酸，Photo-Acid Generator）和 PAC（感光化合物，Photo-Active Compound）。PAG 在吸收光之后产生酸，因此被 称为“光酸”；在曝光后烘烤(PEB)过程中，这些酸会作为催化剂使树脂上悬挂的酸 不稳定基团脱落，从而改变树脂的碱溶解性；PAG 主要运用于在化学放大型体光刻 胶中，包括 KrF、ArF、EUV 光刻胶。PAC 是重氮萘醌酯化合物，在光作用下从溶 解抑制剂转变为溶解促进剂，主要用于线性酚醛树脂体系光刻胶中，如 g 线/i 线光 刻胶。
溶剂主要用于将光刻胶的各组分分散其中，使光刻胶具备良好的流动性，目前半导 体光刻胶所用的溶剂主要是 PGEMA（丙二醇甲醚醋酸酯，即 PMA）。添加剂包括 活性剂、稳定剂等，用于控制和调节光刻胶的性能。
不同波长的半导体光刻胶组分存在较大差异。波长越短的光刻胶树脂含量越低，溶剂的 含量越高。G/I 线光刻胶中树脂的含量通常在 10-20%，KrF 光刻胶中为 7-10%，ArF、 EUV 光刻胶中树脂含量通常在 5%以下。
我国半导体光刻胶的上游核心原材料仍被国外厂商垄断。半导体光刻胶树脂通常为电子 级树脂，目前我国半导体光刻胶树脂特别是高端产品，基本依赖进口。如 KrF 光刻胶所 用的聚对羟基苯乙烯类树脂，国内厂商较少供应生产该类树脂的单体，同时树脂本身的 合成工艺也具有较大难度；ArF 树脂定制化程度较高，国际市场上仅能买到部分标准款 树脂，无法买到高端的 ArF 树脂。另外，由于高端光酸的合成和纯化难度较大，国内的 光酸厂商在质量稳定性等方面仍与国外存在差距，目前国内主要的光刻胶公司大多还是 使用进口的光酸。
除上游原材料壁垒外，半导体光刻胶国产化还具有配方、设备、客户验证等多重壁垒：
1）配方壁垒：配方是光刻胶的核心技术。各厂商的配方难以通过分析市场上的成品来 获得。为实现与已有供应商产品的性能和参数的完全匹配，光刻胶厂商首先需要对成百 上千个树脂、光酸和添加剂进行排列组合，其次还要不断对各成分的比例进行调整，以 实现和现有产品关键参数的完全匹配，这需要足够的研发资源、经验积累。
2）配套光刻机：光刻胶需要通过相应的光刻机进行测试和调整，目前国际光刻机龙头 厂商所在地区对我国实施技术封锁，国产光刻机产品较少，且技术水准与海外龙头有较 大差距，可供光刻胶厂商测试的资源较少。此外光刻机的购置和测试成本高昂，资金投 入要求极高。
3）量产稳定性：光刻胶的稳定性对下游晶圆厂极为重要。从实验室产品到量产，每批 次光刻胶产品间金属离子含量、分子量分布等都必须实现稳定一致。这其中的难点，一 是原材料的稳定供应，尤其是对于 KrF、ArF 等高端品种，其所需的单体、树脂种类较 多，并且在国际市场中仅能购买到基础款，因此能否稳定获取质量合格的光刻胶树脂具 有较大难度。二是在放大量产过程中金属离子的控制，由于存在环境控制效果不一样、 树脂后处理产品量不同、配胶时混合速度不一样且均匀度也不一样等问题，需要更高水 平的提纯技术和经验。
4）下游客户认证壁垒：由于光刻胶的品质会直接影响芯片性能、良率等，试错成本高， 客户验证需要经过 PRS（基础工艺考核）、STR（小批量试产）、MSTR（中批量试产）、 RELEASE（量产）四个阶段，验证周期在两年以上；此外光刻胶厂商的原材料供应商 也必须得到下游晶圆厂的认可，因此下游晶圆厂与光刻胶供应厂商的粘性较强，光刻胶 产品替代验证的时间成本极高。
