如何看待拓荆科技竞争优势及增长空间?

最佳答案 匿名用户编辑于2024/03/28 14:50

技术实力确立领先优势,产能扩充+布局拓展护航长期增长。

1.工艺覆盖面广泛技术先进,客户资源稳定竞争优势明显

公司设备型号丰富,广泛覆盖不同薄膜材料工艺需求。公司薄膜工艺应用覆盖面不断拓宽,产品已适配国内最先进的 28/14nm 逻辑芯片、19/17nmDRAM 芯片和64/128 层3DNANDFLASH 晶圆制造产线,及 2.5D、3D 先进封装和其他泛半导体领域。

PECVD 技术领先,高市占率确立龙头地位。公司核心产品PECVD已实现通用介质薄膜材料(包括 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等)、先进介质薄膜材料(包括 ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ、HTN、a-Si 等)和Thick TEOS 等介质薄膜材料设备的产业化应用。以国产化率 20%和 PECVD 在设备类型中份额占比28%估算,2022年国产PECVD 市场规模约为 3.5 亿美元。公司 2022 年 PECVD 设备实现收入15.63 亿元,市场份额在国内设备厂中占据绝对领先优势。

设备性能对标国际先进,客户涵盖国内领先半导体制造商。公司已形成了一系列具有自主知识产权的核心技术,在确保实现薄膜工艺性能同时,能够有效提升客户产线产能并减少客户产线生产成本。公司设备已成功应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微等行业领先集成电路制造企业产线,性能参数已达到国际同类设备水平。

2. 产能扩充利好份额提升,布局键合受益先进封装加速

募投扩产与研发项目,把握国内替代市场扩容机遇。为提高市场占有率并保持技术领先性,公司募资并投向高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进、ALD设备研发与产业化项目。包括面向 28nm-10nm 制程 PECVD 设备多种工艺型号开发,面向10nm以下制程PECVD 设备的平台架构研发及 UV Cure 系统设备研发,面向28nm-10nm制程ALD设备平台架构、工艺机型及不同腔室数量的机台型号的开发。

抢抓先进封装加速机遇布局混合键合领域,产业化及验证进展顺利。后摩尔时代芯片三维集成趋势和 AI 创新带来的高性能硬件需求共同拉动了混合键合设备需求增长。公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合(Wafer to Wafer Bonding)产品和芯片对晶圆键合表面预处理(Die to Wafer Bonding Preparation and Activation)产品。截至2023H1 末,公司研制的晶圆对晶圆键合产品 Dione 300 实现首台产业化应用,并获得重复订单;公司芯片对晶圆键合表面预处理产品 Pollux 已出货至客户端进行产业化验证,目前进展顺利。

3. 重注研发坚持创新驱动,股权激励彰显发展信心

研发投入持续增长,费用率高于可比公司水平。公司持续维持高研发投入,2018-2022年研发费用从 1.08 亿元提升至 3.79 亿元,CAGR 为 36.82%。2023 前三季度公司投入研发费用3.54 亿元,同比增长 60.33%。受营业收入高增影响,公司近年研发费用率略有下滑,2022年和 2023 年前三季度分别为 22.21%和 20.79%,高于同行业可比公司水平。

研发团队不断扩充,优质人才梯队奠定技术实力。截至2023H1,公司研发人员共计404人,较 2022 年底增加 70 人,研发人员占总人数比重为 43.72%。其中,硕士及以上学历人数占比达 61.39%。

股权激励覆盖范围广泛,目标设定彰显长期发展信心。公司上市以来实施两期限制性股票激励计划和一期股票增值权激励计划。2022 年限制性股票激励计划向513 名激励对象授予280万股限制性股票,约占 2022H1 末全部职工人数的 76.37%;2023 年限制性股票激励计划拟向激励对象授予不超过 375 万股限制性股票,首次授予的激励对象不超过701 人,约占2023H1末全部职工人数的 75.87%。2023 年限制性股票激励计划以 2022 年营业收入和净利润为业绩基数,首次和预留部分设定的目标值为 2024-2027 年收入增长不低于95%/160%/210%/250%,剔除各期股份支付费用影响的归母净利润增长不低于 106%/159%/211%/257%。