从引线键合到混合键合，键合工艺不断发展。
从上世纪70年代起，键合工艺的发展经历了引线键合、倒装、热压贴合、扇 出型封装和混合键合，连接方式从最初的引线键合到锡球再到铜-铜键合，单位面积 连接密度也提高了超过2000倍。在此背景下，不断迭代的封装工艺对键合设备提出 了更高的要求：键合机的精确度从20微米提升至0.1微米，单位能量从10 pJ/bit变动 至小于0.05pJ/bit，这就对键合机的运动精确度和能量控制精细度提出了更高的要求。
（1）引线键合（Wire Bonding）。引线键合是把金属引线连接到焊盘上的一种方法，即是把内外部的芯片连接起来的 一种技术。从结构上看，金属引线在芯片的焊盘（一次键合）和基板焊盘（二次键合）之间充当着桥梁的作用，电信号通过金属引线在芯片和基板之间进行传递，从 而实现信息的输入和输出。从原理来看，引线键合通过加热加压或超声波振动等方 式提供能量，破坏焊盘表面氧化层和污染层，从而让金属引线与焊点之间形成原子 扩散的致密层，以此来实现牢固的连接。在整个引线键合工艺完成后，会使用树脂 等材质对整个芯片产品进行包裹塑封，起到保护内部电路、增强散热表现的作用。 作为最早提出的芯片键合方式，引线键合被广泛应用于SIP、DIP、QFP等早期封装 技术中，在传统封装中应用较为广泛。
根据《集成电路键合工艺研究》（葛元超），按照将金属引线连接到焊盘的方法， 引线键合可以分为热压法，超声波法和热超声波法，分别对应中高、弱、高三种焊 合强度。 1. 热压法（Thermo-compression Method）：将焊盘和金属丝通过加热、加压方 式使原子间达到引力区间，从而进行连接的方法。工艺实现过程中，需要提前将芯 片焊盘的温度加热到200℃左右，再提高毛细管劈刀尖端的温度，使其变成球状，通 过毛细管劈刀向焊盘施加压力，从而将金属引线连接到焊盘上。热压法是最早的键 合技术，但目前此方式已很少使用。 2. 超声波法(Ultrasonic Method)：指在楔形劈刀（与毛细管劈刀类似）上施加超声 波使其发生水平振动，从而使金属引线在焊盘迅速摩擦发生形变，并实现紧密连接 的方法。这种方法的优点是工艺和材料成本低，可以在常温下进行；但由于超声波 法主要利用金属丝形变的物理变化代替了加热和加压的化学变化过程，因此键合拉 伸强度（连线后拽拉引线时的承受能力）相对较弱，容易出现脱落现象。 3. 热超声波法（Thermosonic）：是以超声波能量作用，外加热源进行键合的形式， 这种方式融合了热压和超声焊的优点，通过超声的作用将焊盘表面的一般氧化层去 除，然后在焊接界面加热，使原子间互相扩散形成致密层。在整个过程中，基板温度 一般控制在120-240摄氏度之间，由于是低温加热，这种方式可以有效抑制金属间化 合物的生产，使得键合可靠性大大提升。在半导体的后端工艺中，相比成本，键合的 强度更加重要，因此尽管这一方法的成本相对较高，但热超声波法是最广泛采用的键合方法。
以最常使用的“热超声波金丝球键合法”为例，热超声波法分为引线连接芯片和引线 连接基板两个键合阶段。一次键合（引线连接芯片）过程如下：金丝穿过毛细管劈 刀正中央的小孔，提高金丝末端的温度，金丝融化后形成金丝球（Gold Ball），打 开夹持金属丝的夹钳（用于收放金属引线），施加热、压力和超声波振动，当毛细管 劈刀接触焊盘时，形成的金丝球会粘合到加热的焊盘上。完成一次球键合后，将毛 细管劈刀提升到比预先测量的环路高度略高的位置，并移动到二次键合的焊盘上， 就会形成一个引线环（loop）。
二次键合（引线连接基板）过程如下：向毛细管劈刀施加热、压力和超声波振动，并 将第二次形成的金丝球碾压在PCB焊盘上，完成针脚式键合。针脚式键合后，当引 线连续断裂时，进行拉尾线（Tail Bonding），以形成一尾线。之后，收紧毛细管劈 刀的夹钳（即夹住引线）、断开金属引线，结束二次金丝球键合。
引线键合可按材料进行分类，常见材质包括金、银、铜和铝。目前来看，常用于引 线键合的材料有金、铜、铝。其中，金线早期渗透率较高，渗透率最高，因为其导电 性好，且化学性很稳定，耐腐蚀能力也很强。但金线价格较高，且容易造成塌丝、拖 尾和老化现象。随着经济性需求提升，如何在稳定，甚至提高键合性能的同时降低 成本，成为引线键合要选择攻克的难关之一。铜线因为成本低，机械强度高，焊接后 线弧具有良好稳定性，也被广泛应用于大电流设备中。但铜线容易氧化硫化，需要 气体保护且键合点容易开裂；铝线经济性较好，主要用于高温封装（如Hermetic）或 超声波法等无法使用金丝的地方，但由于铝线键合设备较贵，目前主要局限于功率 器件、微波器件和光电器件封装中。
（2）倒装键合（Flip Chip）。倒装键合是通过在芯片顶部形成的凸点来实现芯片与基板间的电气和机械连接。与 传统引线键合一样，倒片封装技术是一种实现芯片与基板电气连接的互连技术。然 而对比引线键合，倒装键合（1）拥有更多的连接密度：引线键合只能围绕芯片四周 进行引线连接，对于可进行电气连接的输入/输出（I/O）引脚的数量和位置有限制， 而倒装键合可以在整个芯片正面植球，可以显著提高连接密度；（2）信号传输路径 更短：倒装键合直接利用凸块（Bump）进行电信号传输，传输路径远短于引线键合， 可以带来更快的计算传输能力。因此，在先进封装领域，倒装键合技术凭借其优越 的电气性能和空间利用率，成为了主流键合技术，被广泛应用于CPU、GPU和高速 DRAM芯片的封装。
倒装键合主要工艺分为两种类型：间接键合和直接键合。间接键合指键合过程中芯 片与基板之间有中间材料，以批量回流焊工艺（Mass Reflow，MR）和热压键合工 艺（Thermo Compression，TC）为主，分别对应锡球和微铜柱凸点连接。批量回流 焊工艺通过在高温下熔化接合处的锡球，将芯片与基板连接在一起；而热压键合工 艺则通过向接合处施加热量和压力，利用更小的微铜柱凸点互联来实现芯片与基板 间的连接。直接键合又称混合键合，是指直接通过金属铜的扩散相互连接，无需中 间材料（混合键合会在下文进行详细介绍）。 倒装键合凸点制作工艺是关键。芯片凸点（Bump）是FC互连中的关键组成部分之 一，具有在芯片与基板间形成电连接、形成芯片与基板间的结构连接以及为芯片提 供散热途径三个主要功能。最早的凸块是由IBM公司于1970年代推出的可控塌陷芯 片连接技术 (Controlled-collapse Chip Connection，即C4技术)，C4 Bump可以满足 具有更细密焊盘的芯片的倒装焊要求。随着电子器件体积的不断减小以及I/O密度的 不断增加，传统球形C4 Bump在间距缩小时容易出现桥接问题，因此带焊帽铜柱（Cupillar with solder cap，C2 Bump）应运而生，C2技术中使用的Cu柱直径不受高度影 响，可以实现更细节距凸点的制备。与此同时，凸点焊料也逐渐向无铅化、铜化方向 发展，目前主流的焊料为铜柱和SnAg。
UBM层制作：在芯片表面金属层上制备芯片凸点时，并不是直接在芯片表面制作的。 为了防止封装中的金属及污染离子向芯片表面金属层扩散造成腐蚀或形成硬脆的金 属间化合物、降低互连系统的可靠性，需要在芯片表面金属层与芯片凸点之间添加 凸点下金属化层 (Under Bump Metallurgy，UBM) 结构作为过渡层。UBM结构包括 覆盖在芯片金属层上的粘接层、阻挡层、润湿层和抗氧化层。其中，粘接层能够增强 凸点和芯片金属化层、芯片钝化层之间的粘接力，提供牢固的键合界面，典型的粘 接层材料有Cr、Ti、Ni、W、TiW和锌酸盐等。阻挡层的作用是防止金属、污染离子 向芯片金属层和粘接层扩散，阻挡层材料常采用Cr、W、Ti、TiW、Ni或Cr-Cu。阻 挡层上面是润湿层，可以为其上的凸点提供润湿对象，与凸点发生反应生成IMC并形 成键合，典型的润湿层金属有Cu、Ni、Pd和Pt。UBM的最外层是可选择使用的抗氧 化层，目的是防止润湿层的氧化，主要材料为很薄的Au层。
C4 Bump制作流程：最早的FC晶圆C4凸点制造技术是IBM公司开发的蒸镀工艺，而 目前最常用的方法是电镀（电化学沉积）工艺，成本效益好、良率高、速度快且凸点 密度高。流程主要包括（1）采用溅射方法沉积UBM；（2）在UBM层上涂覆光刻胶， 使用掩模板进行紫外线曝光，定义凸点的位置和形状；（3）在凸点位置电镀一层Cu 作为润湿层，然后电镀焊料形成bump柱体；（4）剥离光刻胶并用过氧化氢或等离 子蚀刻去除其他位置多余的UBM；（5）对晶圆进行回流，在表面张力的作用下形成 光滑的球型C4焊料凸点。 C2 Bump制作流程：相比C4 Bump，C2 Bump使用平整侧面、高深宽比的铜柱凸点 和尺寸更小的微铜柱凸点，与圆形焊锡凸点相比，更能实现小间距，非常适合大型 的芯片和I/O个数多(800个以上)的芯片。C2 Bump的制作流程与C4相似，主要区别 在于电镀过程中C4是电镀焊料形成bump柱体，而C2则是电镀铜形成Cu柱体，然后 再在铜柱顶端电镀一层焊料帽。
1. 批量回流焊工艺。批量回流焊主要用于C4 Bump的键合加工。批量回流焊用于倒装芯片组装已有近50 年的历史，大多数焊料C4 Bump是在硅、陶瓷或有机衬底上批量回流的，装配过程 较为简单：（1） 将模具浸入助焊剂容器中，或根据产品在基底上分配助焊剂；（2） 通过视觉定位系统将芯片Bump与基板的焊盘对齐；（3）将C4 Bump芯片放置在基 板上，提高温度进行回流焊，在表面张力作用下芯片Bump和基板会发生自对准并形 成冶金结合；（4）键合完成之后清洗助焊剂，并在空隙中填入填充材料（各类聚合 物）并固化，用以平衡芯片和基板之间因热膨胀系数差异所产生的应力。
批量回流焊优缺点明显。根据合明科技，通常单个芯片回流焊的时间在5-10分钟， 虽然时间很长，但因一个回流焊炉同时可以容纳非常大量的加工产品，所以批量处 理下整体的吞吐量非常高，通常可以达到每小时几千颗芯片的产量。同时，由于，C4焊料凸点在熔融过程中的表面张力还可以帮助焊料与金属层进行自对准，在一定 程度上降低了对沉积精度及贴片精度的要求。但是，常见的回流焊过程中不对芯片 和基板做过多限制，这导致加热过程中芯片和基板的曲翘得不到有效的控制，使得 在芯片与基板之间的距离在芯片面下的变化非常大。过大的曲翘导致NCO （noncontacted opening 虚焊）和SBB（solder ball bridging 桥接）这两类最为常 见的缺陷。特别是基于回流焊的复杂多芯片，键合的良品率可能非常的低，使得在 先进封装中回流焊不再是最合适的键合方式。
2. 热压键合工艺（TCB）。在高密度和超细间距倒装芯片组装中运用热压键合C2的方式主要有低键合力和高 键合力两种。低键合力的C2凸点热压键合较为简单，过程如下: （1）在焊料盖、基 板或两者表面都涂覆助焊剂；（2）将FC拾取并对准放置在基板上，施加较小的压力 将芯片固定在离底部芯片或基板一定距离的位置，施加温度熔化焊帽形成键合；（3） 清洗后加入填充材料填补间隙。但随着堆叠密度的不断提升，填充材料的毛细流动 性越来越低，会带来可靠性问题。 高压应力C2 TCB则必须结合NCP（非导电胶）或NCF（非导电膜）底部填充技术。 根据《Status and Outlooks of Flip Chip Technology》（John H. Lau），NCP填充 技术在键合前就在基板上预涂低粘度的NCP，具有出色的助熔性，有助于形成完整 性出色的焊点；NCF则更适合厚度更低的晶圆级封装，直接在晶圆上覆盖一层非导 电膜，切片过后直接将带有非导电膜的芯片与基板键合。因为非导电胶膜采用超细 填胶配方，不仅适用于极细的毛细空间，而且还具有更好的流动性，有利于填角控 制，从而实现紧密的芯片贴装。
相比批量回流焊，TCB的优点在于对芯片和基板可以实现更好的控制，缺点在于产 量效率不高。根据《Fundamentals of Thermal Compression Bonding Technology and Process Materials for 2.5/3D Packages》（Sangil Lee），TCB键合设备在基 板和芯片都有各自的加热装置，基板和芯片同样被真空束缚在非常平整的Bond Head上，从而最大限度地减少硅芯片和基板的翘曲。同时，TCB的步骤较为简单， 工序少于回流焊。但与回流焊相比，C2凸点的热压键合只能进行单个芯片的封装， 且需要冷却和加热过程，因此封装效率较低。最快的回流焊芯片贴片机可在0.5s内完 成一个倒装芯片键合周期，产量效率为7200 UPH，而TCB工艺即使使用理想的设备 和材料，所需的时间也可能远远超过倒装芯片（例如英特尔和ASM报告的最快TCB 过程为5秒，产量效率为成720 UPH）；同时因为凸点直径的减少，整个键合过程对 设备的贴装精度提出了更高要求（往往需要精度达到5μm以上）。
微凸块是连接TSV的关键途径。TSV（硅通孔）技术通过在芯片与芯片之间、晶圆和 晶圆之间制作垂直导通，可以实现不同芯片之间的垂直电气互联，是目前主要的垂 直电互联技术，也是实现3D先进封装的关键技术之一。TSV堆叠键合的工艺流程主 要分为：（1）对晶圆刻蚀、电镀、抛光以制作TSV；（2）重布线后在晶圆正面制作 微凸块，并利用临时键合技术保护晶圆正面；（3）对晶圆背面进行减薄以显露TSV， 并对背面进行凸块制作；（4）解键合正面的保护层，随后将各层芯片通过倒装方式 键合连接。其中，目前各层TSV之间的主要连接方式依然是微凸块（Mircobump）。
MR-MUF和TC-NCF键合是目前主流的HBM堆叠键合工艺。在HBM2E之前，海力士 一直采用TC-NCF来完成HBM中各层DRAM的垂直键合，但由于TCB工艺需要对每 一层DRAM单独进行键合，整体生产效率不高，所以海力士在HBM2E中重新采用了一种批量回流焊中的MR-MUF技术。MR-MUF是海力士的高端封装工艺，能有效提 高导热率，并改善工艺速度和良率。MR-MUF具体步骤为：（1）芯片的微凸块粘上 焊剂，并完成轴向键合堆叠；（2）一次熔化所有的微凸点焊剂并施压，微凸点轴向 变短，冷却后即完成芯片和电路连接；（3）采用环氧树脂模塑料在芯片之间或基板 之间的间隙填充，同时进行绝缘和成型。
MR-MUF工艺的核心在于解决堆叠芯片过程中产生的热翘曲问题，以及芯片中间部 位的空隙填充。上文中讲到，批量回流焊技术不适用于高密度封装的主要原因是填 充材质在毛细空间的流动性问题，容易在填充时产生空洞影响可靠性。而海力士的MR-MUF工艺利用环氧树脂模塑料（EMC）作为填充剂，本身具备可中低温固化、 低翘曲、低吸水率以及高可靠性等优点，通过调试可以解决热收缩差异问题。另外， 通过改变EMC与芯片的初始对齐方式也能有效解决填充存在缝隙的问题。
MR-MUF相比TC-NCF能有效提升堆叠键合的良率和效率，主要体现在以下几个方 面：（1）MR-MUF无需借助高温和外力完成凸点进入非导电薄膜，而该过程可能导 致芯片翘曲；（2）MR-MUF工艺可以在空隙阶段完成，无需专门的工艺流程安排， 键合效率更高；（3）芯片翘率控制的关键在于非湿区域占比，MR-MUF工艺的填充 材料是最后加入的，在升温施压时不会因为填充材料空泡造成压力不均芯片翘曲。 且环氧树脂模塑料的导热率是非导电薄膜的4倍，散热效率也更高。
（3）混合键合（Hybrid Bonding）。随着摩尔定律逐渐进入其发展轨迹的后半段，芯片产业越来越依赖先进的封装技术 来推动性能的飞跃。在封装技术由平面走向更高维度的2.5D和3D时，互联技术成为 关键中关键。面对3D封装日益增长的复杂性和性能要求，传统互联技术如引线键合、倒装芯片键合等，正逐步显露其局限。尽管TSV通过热压键合等技术目前可以实现 高效的芯片堆叠互联，但由于每一层互连都要经历再布线，工艺复杂，界面数量过 多，分层失效发生的可能性较大，失效的概率会随着堆叠层数的增加而成倍增长， 在可靠性上限制了3D堆叠的层数。在这种背景下，混合键合技术以其革命性的互联 潜力，正成为行业的新宠。 混合键合（Hybrid Bonding，或称为直接键合），是通过铜-铜金属键合或二氧化硅 -二氧化硅介质层键合，来实现无凸点永久键合的芯片三维堆叠高密度互联技术。混 合键合可以实现极小间距的芯片焊盘互联，可以提供更高的互联密度、更小更简单 的电路、更大的带宽、更小的电容和更低的功耗。混合键合的具体加工步骤为：（1） 对晶圆接触面进行化学机械研磨及清洗，保证接触面的平整（平整度小于5nm）和表 面无污染（影响键合良率）；（2）将两片晶圆的铜微凸点面对面对齐，并通过键合 头施压将芯片间的氧化物贴到一起，这一步无需加热，属于室温键合；（3）升高温 度，使得连接点的金属铜融化膨胀形成接触结合。在高温和施压下铜凸点最终因为 范德华力结合在一起，形成电信号连通。
混合键合主要有两种应用方式，W2W应用较为成熟，D2W前景更广。第一种混合键 合方式是晶圆到晶圆（W2W，Wafer to Wafer），主要用于CIS和NAND产品。作为 异构集成的核心工艺，W2W混合键合已经在CMOS图像传感器和各种存储器、逻辑 技术方面获得良好的成功记录。铜-铜混合键合最早出现在2016年，当时索尼将这项 技术用于CMOS图像传感器，在堆叠的CMOS图像传感器的下部电路芯片和上部像 素芯片之间利用铜混合键合。
另一种是裸片到晶圆（D2W，Die to Wafer），可以实现不同芯片种类的相互连接。 由于封装过程中许多小芯片的尺寸不一定相同，因此D2W混合键合方法被认为是在 晶圆衬底上进行存储芯片、高性能计算芯片和光子等异构芯片互联的必要工艺。这 种键合技术由于结合的芯片结构各不相同，需要在流程中引入多次刻蚀、沉积、电 镀、CMP等步骤，因此技术难度远比W2W混合键合要高，目前还没有成熟的量产成 果，但这种工艺变化对于逻辑和高带宽内存 (HBM)的进一步迭代很有意义。
D2W目前分为两种解决方案：Co-D2W（集成式D2W）和DP-D2W（直接放置D2W）。 Co-D2W和DP-D2W都有各有优缺点，其中Co-D2W是研究较早的技术，已经经历了 多年的研究小批量生产验证，是目前看来较为成熟的技术路径；DP-D2W的方法和 倒装键合类似，可以直接使用倒装键合机，通用性较强，但面对DRAM等多层堆叠结 构时芯片处理有一定难度。
Co-D2W（集成式D2W）：Co-D2W键合是指在单个工艺步骤中将多个晶片一次转移 到最终晶圆上。Co-D2W键合工艺的制造流程包括四个主要部分：晶片载体制备、载 体填充（在载体上放置晶片）、晶圆键合和载体分离。先将Die临时键合在载体晶圆 上，然后将载体晶圆和目标晶圆进行W2W混合键合，键合完成后再将载体晶圆和Die 解键合，从而实现Die与目标晶圆的混合键合。在过去几年中，Co-D2W键合技术已 经在硅电子学等领域应用中得到了小批量生产验证。 DP-D2W（直接放置D2W）：用于异构集成的另一种混合D2W键合方法是DP-D2W 键合，主要使用拾放式倒装芯片键合机将晶片逐一单独键合到目标晶圆上。DP-D2W 键合工艺的制造流程包括三个主要部分：载体填充（在载体上放置晶片，为清洁做 准备）、晶片清洁和活化、直接贴装倒装芯片。切割好的Die会被先放置到一块载体 晶圆上进行清洗活化，随后由倒装键合机将对应的Die逐颗放置到目标晶圆上进行键 合。尽管DP-D2W比Co-D2W提供了更高的灵活性，特别是在高带宽内存的多模堆叠 方面，但在清洁度和激活方面的挑战与任何融合结合技术都是相同的。
混合键合的主要优势源自铜-铜键合的制程简洁性。相比倒装等依赖焊料的技术，混 合键合技术的主要优点有：（1）可以实现芯片之间无凸点互连，微凸点的取消将进 一步降低芯片之间通道的寄生电感和信号延时；（2）实现芯片之间超细间距的互连， 比微凸点提高10倍以上，超细间距的互连将增加布线有效使用面积，大幅增加通道 数量，实现数据处理串并转换，简化I/O端口电路，增大带宽；（3）实现超薄芯片制 备，通过芯片减薄可使芯片厚度和重量大幅降低，并且可进一步提升系统中芯片的 互连带宽；（4）实现键合可靠性的提高，铜—铜触点间以分子尺度融合，取消了焊 料连接，二氧化硅—二氧化硅以分子共价键键合取消了底填材料，极大提高了界面 键合强度，增强了芯片的环境适应性。
混合键合技术相比微凸点更具优势，有望成为下一代HBM键合工艺。与目前使用微 凸点连接TSV的技术相比，混合键合减少了层间物理连接的需求，使芯片设计更紧 凑，有利于实现更高性能和密度。其次，混合键合还可减少芯片内部的机械应力，减 少信号传输距离，提高产品的整体可靠性，同时支持更高的数据传输速度和更低的 能耗。根据韩媒BussinessKorea报道，全球HBM龙头公司SK海力士在2023年12月 于美国举行的全球半导体会议IEDM 2023上宣布，公司已验证了HBM制造中使用的 混合键合工艺的可靠性，虽然此次工艺验证仅用于HBM 2E，产品要求远低于HBM4 规格，但这在向外部展示混合键合的潜力方面具有重要意义。一般来说单颗HBM芯 片的标准厚度为720 μm，而第6代HBM（HBM 4）预计将于2026年左右量产，需要 垂直堆叠16个DRAM，这对于当前的封装技术来说具有挑战性，在未来HBM的I/O密 度不断提升以及层高数量需求不断增加的趋势下，混合键合工艺将更具应用前景。
台积电已经实现混合键合商业化，现已应用于AMD的3D V-Cache技术。台积电 TSMC发布名为SoIC的三维集成工艺，是业界第一款逻辑-逻辑、存储器-逻辑的3D 集成工艺。SoIC技术能够将不同工艺节点、材料、功能和尺寸的芯片进行堆叠，设 计和集成更加灵活，使系统能够以更低的成本和更好的性能进行扩展；且SoIC不再 使用凸点进行芯片间的连接，转为表面更为平整的混合键合进行连接，因此无须再 进行层间缝隙填充。根据《Hybrid Bonding Moves Into The Fast Lane》（Laura Peters），与传统采用μ-bump的3DIC集成方式相比，SoIC能够提供更高的I/O键合 密度，并且实现更低的功耗、更低的RC延迟、IR压降和更低的热阻。基于SoIC-WoW 混合键合工艺，AMD推出了3D V-Cache技术，运用于游戏处理器AMD锐龙7000X3D 系列以及HPC服务器级别处理器中，相比Micro Bump 3D，互联密度提高15倍，互 联能效提高3倍。
混合键合将逐步渗透逻辑、存储、移动端应用处理器（SoC）场景，有望迎来爆发 性的增量空间。根据Besi，混合键合技术在逻辑芯片领域已经实现量产，将在24年 迎来新一轮的需求高峰；随着越来越多的存储厂商参与HBM项目，转向使用混合键 合技术以及消费应用端对于高带宽的需求不断加强，中性预测下混合键合系统保有 量有望在2030年达到1400台。
（3）临时键合/解键合。临时键合/解键合主要是为了解决超薄晶圆易损问题。为满足TSV和三维堆叠型3D集 成制造需求，往往需要将晶圆厚度减薄到100μm以下。而超薄器件晶圆机械强度降 低，容易翘曲和起伏，易造成器件性能降低、产品均一性变差、生产过程中碎片率增 加等问题，为了解决超薄晶圆的取放问题，业界通常采用临时键合与解键合技术。 临时键合一般有临时热压键合和UV固化两种方式。临时键合首先要将临时键合胶通 过旋涂或喷涂方式在器件晶圆和载片表面均匀涂布，随后依靠热压临时键合或UV固 化临时键合方式，使载片和晶圆键合牢固。热压临时键合是在高温、真空的键合室 内对叠放在一起的器件晶圆和载片施加一定的力使之达到良好的键合效果；UV固化 临时键合是紫外光透过载片照射到键合胶表面发生反应，使载片和器件晶圆键合到 一起。
根据解键合方式的不同，解键合主要分为机械剥离、湿化学浸泡、热滑移和激光解 键合4种方法。机械解键合法是通过拉力作用分离载片和器件晶圆，碎片率较高；热 滑移解键合法是通过高温软化粘结剂，之后将器件晶圆与载片分离，粘结剂易在设 备平台残留，影响后续产品工艺；化学解键合法是通过溶剂溶解粘结剂，成本较低， 但效率很低，不适合量产。激光解键合法是激光透过玻璃对粘结剂层进行照射，产 生热量使粘结剂分解或产生能量使化学键断键，是目前主要使用的解键合方式。
激光解键合主要是利用激光穿过透明载板，光子能量沉积在光敏响应材料层，进而 诱发材料的快速分解、汽化甚至等离子化而失去粘性。同时，快速释放的分解气体 还会增大响应层界面的分离压力，从而进一步促进器件晶圆的自动分离。激光解键 合工艺的工作流程主要包括：（1）在透明刚性载板（如玻璃、蓝宝石等）和器件晶 圆表面分别涂上粘结材料和响应材料；（2）将透明刚性载板和器件晶圆通过光或热 等方式键合在一起；（3）利用激光透过刚性载板辐照在响应材料层引发烧蚀，从而 使器件晶圆分离；（4）清洗器件晶圆和透明刚性载板，其中的载板可以多次重复使 用。
激光解键合为高端超薄芯片制造过程中的易破损和吞吐量低等困境提供了可行的解 决方案。相比其他方式，激光解键合法具有可在室温下解键合、高通量、低机械应力 和环境友好等优点，在大尺寸超薄晶圆的制造方面逐渐得到了广泛的关注和应用， 此外，激光在能量、时间、空间方面的可选择范围很宽，可形成超快、超强、超短等 极端物理条件。鉴于激光解键合在高应力晶圆处理方面具有高度的灵活性，能够在 传统的后端设备上进行先进的封装流程，例如激光解键合的宽工艺窗口更适合应用 于扇出型晶圆级封装（FOWLP）。另外激光解键合工艺能够避免表面能、温度行为 和溶剂渗透的依赖性，并与后续半导体制程工艺相兼容。
