2023 年收入利润同比高增长，各品类机台快速放量。
公司 2023 年收入同比高增长，远超股权激励设定的考核目标值。拓荆科技 2023 年实现收入 27 亿元，同比+58.6%，2019 年至今收入 CAGR 为 81%。按照公司 2022 年股权激励目标，2023 年收入较 2021 年增长不低于 200%即不低于 22.7 亿元，公司 2023 年收入同比 2021 年实际增长 257%，远超股权激励方案设立 的目标值。 按照公司 2023 年股权激励方案，2024/2025/2026 年收入触发值同比 2022 年增 长 不 低 于 85%/145%/190% ， 对 应 收 入 不 低 于 31.6/41.8/49.5 亿 元 ； 2024/2025/2026 年收入目标值同比 2022 年增长不低于 95%/160%/210%，对应 收入不低于 33.3/44.4/52.9 亿元。 PECVD 设备持续放量，ALD 和 SACVD 设备收入快速增长，混合键合设备新品 开始贡献收入。①2023 年 PECVD 机台收入 23.2 亿元，同比+48.5%；②ALD 系列产品收入大幅增长，其中 Thermal ALD 设备通过客户端验证，实现首台产 业化应用；③SACVD 设备收入持续增长，HDPCVD 设备通过客户端验证，实现 首台产业化应用，并获得批量重复订单；④首台晶圆对晶圆键合设备通过客户端 验证，复购设备再次通过验证，芯片对晶圆键合表面预处理设备通过客户端验证。 2023 年两款设备均实现产业化应用并开始贡献收入，全年收入为 6430 万元，销 售量为 3 台。
公司 2023 年毛利率同比稳健增长，利润同比大幅提升。1）毛利率：公司 2019 年至今毛利率呈上升趋势，2023 年毛利率达 51%，同比+1.7pcts，其中薄膜沉 积设备毛利率 50.76%，同比+1.55pcts，混合键合设备毛利率 50.8%；2）净利 润：公司 2019 年至今盈利能力大幅提升，2023 年归母净利润为 6.6 亿元，同比 +79.8%，扣非净利润为 3.12 亿元，同比+75.3%，非经常损益主要为政府补助 3.3 亿元、公允价值损益 1 亿元、所得税影响为-0.7 亿元。剔除股份支付费用后 2023 年扣非净利润 5.36 亿元，同比+168%。按照公司 2022 年股权激励设定的 考核目标，2023 年归母净利润同比 2021 年增长不低于 490%，公司实际增长 867%，远超设立的目标值。 按照公司 2023 年股权激励方案，2024/2025/2026 年净利润触发值同比 2022 年 增长不低于 95%/143%/190%，对应净利润不低于 7.2/8.96/10.7 亿元； 2024/2025/2026 年净利润目标值同比 2022 年增长不低于 106%/159%/211%，对应净利润不低于 7.6/9.5/11.5 亿元。按照公司 2022 和 2023 年两期股权激励公 告，2024/2025/2026 年对应的股份支付费用分别为 2.24/1.5/0.69 亿元。
24Q1 公司收入增速较慢，主要系订单确认节奏影响。24Q1 公司实现收入 4.7 亿元，同比+17.3%/环比-53%，同比增速较慢，主要系 24Q1 验收机台主要为新 品，新品验收周期长于成熟机台，收入确认有一定延后。 24Q1 公司毛利率保持较高水平，利润受人力成本、研发投入增长而同比承压。 24Q1 公司毛利率为 47.3%，同比-2.5pcts/环比-4.8pcts，保持较高水平；归母净 利润 0.1 亿元，同比-81%/环比-97%；扣非净利润亏损 0.44 亿元，同比减少 0.64 亿元/环比减少 1.8 亿元，非经常损益主要为近 6000 万的政府补助。24Q1 扣非 净利率-9.4%，同比减少 14.2pcts/环比减少 23pcts，同比承压主要系①24Q1 收 入确认节奏有所延后；②机台出货额同比大幅提升增加带来人力成本等费用提高； ③研发投入增至 1.53 亿元，同比+78%。 公司在手订单保持充沛，24Q1 机台出货金额同比增长超 130%。截至 2023 年 底，公司存货为 46 亿元，其中发出商品为 19.3 亿元，截至 24Q1 末，存货进一 步增长至 56 亿元；截至 24Q1 末，公司合同负债为 13.86 亿元，较 2023 年底 略有增长。公司在手订单持续增长，截至2023年底，公司在手订单（不含DEMO） 为 64.23 亿元，同比增长 40%。2023 年公司设备反应腔出货 460 个以上，24Q1 单季出货金额同比增长超过 130%，指引 2024 年设备反应腔出货 1000 个以上， 未来收入仍有望延续同比高增长态势。
公司三个募投项目进展顺利，沈阳和上海产线产能保障长期出货增长。1）高端 半导体设备扩产项目：是在公司原有半导体薄膜沉积设备研发和生产基地基础上 进行二期洁净厂房建设。公司密切二期洁净厂房已完成建设并投入使用，大幅提 高了公司薄膜沉积设备系列产品的产能支撑能力。本募投项目已结项，公司已将 节余的募集资金用于永久补充流动资金；2）ALD 设备研发与产业化项目：公司 在上海临港新片区购置整体厂房，面向 29-10nm ALD 设备建设新的研发和生产 基地，目前改造已完成并投入使用；3）半导体先进工艺装备研发与产业化项目： 是超募资金投资项目，在上海临港新片区建设研发与产业化基地，目前已完成项 目用地规划许可证和土地证的办理，并按照计划施工建设，进展顺利。
2023 年全球薄膜沉积设备市场规模超 200 亿美元，拓荆科技市占率持续提升。 根据 SEMI，2023 年晶圆制造设备销售额达 960 亿美元，薄膜沉积设备约占其 22%即 211 亿美元，其中拓荆面向的 PECVD 领域占比最高为 33%，拓荆面向 的 ALD、其他薄膜沉积设备（包括 SACVD、HDPCVD）市场分别占比 11%和6%；2023 年国内薄膜沉积设备市场空间大约 61 亿美元。根据 Gartner，AMAT、 LAM 和 TEL 占全球约 70%市场份额，拓荆科技凭借工艺覆盖度不断提升，市占 率逐步扩大。
公司在薄膜沉积领域持续拓宽产品矩阵，工艺覆盖度不断提升。公司形成 PECVD、 ALD、SACVD、HDPCVD 四大薄膜沉积产品线，覆盖逻辑、存储和先进封装领 域，在 PECVD 领域实现全系列薄膜种类覆盖，在 ALD 领域从 PE-ALD 拓展至 Thermal ALD 并不断扩大量产应用，在沟槽填充领域实现 SACVD 的产业化应用 和 HDPCVD 的首台客户端验证。
拓荆科技 PECVD 设备实现全系列薄膜覆盖，先进机台和大腔室产品持续获客户 订单。
PF-300T：公司产品均面向 12 寸晶圆设计并向下兼容 8 寸晶圆，含有一个 平台（TM）和三个反应腔（PM）。1）PF-300T 和 PF-300T ex 均实现产 业化应用，量产订单不断扩大；3）PF-300T px 是面向 10nm 及以下先进制 程的设备，PF-300T px 和 Supra-D 机型采用新反应腔配置，机械产能可提 高 20%-60%。公司主力机型 PF-300T、PF-300T eX 量产机扩大应用面， 通用介质薄膜材料（包括 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiON、SiOC、FSG、 BPSG、PSG 等）和先进介质薄膜材料（括 ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADC Ⅰ、ADCⅡ、HTN、a-Si 等）均实现产业化应用；2023 年公司新反应腔机 型 PF-300T px、PF-300T Supra-D 在 Lok II、ACHM、SiH4、TEOS 等薄 膜上超 40 个新型反应腔出货至客户端验证，超 130 个新型反应腔获得客户 订单；
PF-150T/200T：面向新型功率器件领域，已开发出用于 SiC 器件制造的 SiO2、SiN、TEOS、SiON 等薄膜工艺设备，首台 TEOS 设备通过客户端 验证，实现产业化应用，并获得重复订单；
NF-300H（六站式）：面向 12 寸晶圆，主要针对 32-128 层 3D NAND 或 19nm 以下 DRAM 中的 Thick TEOS 介质材料薄膜，目前已在 DRAM 产线 实现产业化应用。NF-300H 是大腔室产品，同样具备一个平台和三个反应 腔，但每个反应腔可以同时沉积 6 片晶圆；
UV Cure（紫外线固化处理）设备：UV Cure 属于辐射固化的一种，利用紫 外线 UV 产生辐射聚合、辐射交联等作用，一般用于印刷、涂层、立体光刻 及多种产品材料组装等。在半导体沉积环节中，UV Cure 设备可以有效改善 薄膜后处理制程的高效能和热预算，提升薄膜应力、颗粒度、硬度等关键性 能指标。公司 UV-Cure 机台基于 PF-300T 开发，可与 PECVD 设备成套使 用，为 HTN、LokⅡ等薄膜进行紫外线固化处理，公司 UV-Cure（HTN、 Lok II 工艺）机台均实现产业化应用，持续获得客户订单、出货至客户端验 证。 另外，氧化硅/氮化硅（ONON）堆栈薄膜是 3D NAND 存储的底层结构，也是 最难沉积的结构之一，要求各层膜厚、均匀性等指标基本一致，并且要控制界面 缺陷程度，公司该技术也已达到国际先进水平。
公司 PE-ALD 设备持续拓展工艺应用，首台 Thermal ALD 设备通过客户验证。 PEALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）采用等离子体在低温环 境下进行沉积，对器件损伤小，形成的薄膜性能好，具有相对较快的沉积速度、 较低的沉积温度，一般用来沉积 lok 等低 k 硅基介质；Thermal ALD（Thermal Atomic Layer Deposition）是热原子层沉积，采用高温反应，沉积速率快，薄膜 致密性更好，但高温可能会损伤薄膜，Thermal ALD 一般用来形成栅极。
PE-ALD 设备：公司设备已实现产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量 等多种指标要求的 SiO2、SiN 等介质薄膜材料，在芯片填孔（Gap-fill）、侧 墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中有广泛的应用，以实现更小图形化 以及特定的隔离功能。 公司持续拓展 PE-ALD 薄膜种类及工艺应用，获得了原有客户及新客户订单， 并出货至不同客户端进行验证，部分工艺再次获得客户重复订单，持续扩大 量产应用；首台 PE-ALD（NF-300H Astra）设备（沉积 SiO2 薄膜）通过 客户验证，实现了产业化应用，该设备主要应用于沉积较厚的 PE-ALD 薄膜，具有高产能和低成本的优势；
Thermal ALD 设备：公司首台 Thermal-ALD（TS-300 Altair）设备通过客 户验证，取得了突破性进展。该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中 沉积 Thermal-ALD 金属化合物薄膜及 PECVD ADCⅡ薄膜。此外，公司持 续拓展 Thermal-ALD 薄膜工艺，开发并推出了多款新工艺机型，获得了原 有客户及新客户订单，持续扩大薄膜材料覆盖面。
公司 SACVD 设备量产规模逐步提升，首台 HDPCVD 设备实现产业化应用。
SACVD 设备：主要应用于深宽比小于 7:1 的沟槽填充工艺，SACVD 反应 腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快 速优越的填孔能力。公司 SACVD 产品可实现 SA TEOS、SA ILD、BPSG、 SAF 等薄膜沉积，在国内产线量产规模逐步提升，公司新推出了等离子体 处理优化的 SAF 薄膜工艺应用设备并出货至客户端验证，进展顺利；
HDPCVD 设备：主要应用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充工艺，可以同时进 行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。公司首台 HDPCVD 设备（沉积 USG 薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用,并持 续获得客户订单，出货至不同应用领域的不同客户端进行产业化验证，可以 沉积 SiO2、USG、FSG、PSG 等介质材料薄膜。截至 2023 年底，公司 HDPCVD 产品已累计出货超过 40 个反应腔。
