全球存储芯片寡头，具备多维度优势。
公司高管多有闪迪、TI、Corvo 等传统半导体大厂多年管理经验，技术背景 过硬，对通信、网络、汽车等多个下游领域具有较为深认知。核心管理团队 人均从业时长超 30 年，跨越多轮半导体周期与存储价格周期，已经在长期 经营中证明其优秀能力。公司管理层架构稳定，人员变动较少，内部治理体 系较为完备。
公司头部股东均来自美股本土，或能在地缘竞争中处于有利地位。公司股权 结构较为分散，前十大股东合计占比约为 35%，均为美国头部资管公司及 对冲基金。作为 DRAM 领域唯一、NAND 领域唯二的北美本土厂商，美光 曾多次受益于美国国家半导体战略。考虑到存储芯片在半导体市场的庞大规 模，以及对先进制程和先进封装技术的高度依赖性，美光或能成为美国半导 体地缘政策的首要受益者。
美光晶圆制造产能分布于美国、中国台湾、日本及新加波，封测产能则主要 位于台湾、新加坡马来西亚及中国大陆，产能保持稳步扩张。目前公司 DRAM 晶圆产能主要依赖日本及中国台湾，其中台湾晶圆厂首次引入 EUV 光刻机，代表美光最新一代制程能力。NAND 产能主要依赖于新加坡厂。美 国佛吉尼亚工厂则主要负责成熟制程产品的制造。受到美国政府芯片法案补 贴，美光将在美建设两座先进制程 DRAM 工厂，未来先进 DRAM 产能有望 实现突破。截止至 2024 年 3 月 29 日，美光宣布其位于西安的封测厂将追 加投资 43 亿，总投资达到 110 亿，拓展其 DRAM 封装及测试能力，同时 还在推进对力成半导体西安工厂的整合工作，进一步彰显其破除产能壁垒和 加大中国市场影响力的战略规划，在国内市场暂未明显受到美国芯片法案等 影响。
公司存储芯片产能位于世界前列。存储 IDM 是全球晶圆产能的重要贡献者， 约占全球晶圆产能的约 40%，高于全球纯代工企业（台积电、中芯国际等） 产能总和。目前，12 寸晶圆已经成为存储芯片生产主流晶圆。相对于 8 寸 晶圆，良率相同情况下产能大约提升 1 倍，在生产相同制程芯片时成本更 低，对于芯片降本具有重要意义，是先进生产能力的代表性指标。据集邦咨 询统计，截止至 2023 年 Q3，美光 DRAM 等效 12 寸产能位居全球第三， NAND 产能位居全球第四，均远高于以长鑫存储、长江存储为代表的潜在竞 争对手，产能壁垒较为显著。
美光业务较为集中，DRAM 及NAND 产品合计占公司总营收的95%以上， 其余为 NOR Flash 等。DRAM 产品贡献公司绝大部分毛利率，是公司利润 核心来源。产品根据后续封装程度的不同可以分为晶圆、颗粒及模组管理型 NAND 等。
根据下游应用场景，公司业务线下设四大事业部，分别为 CNBU（计算和网 络业务）、 MBU（移动业务）、 EBU（嵌入式业务）和 SBU（存储业务）， 2023 年各事业部营收占比分别为 37%，23%，16%及 23%。
根据硬件类型和应用领域，四大业务部发展格局和前景有所不同。从产品类 型及应用市场来看，CNBU 事业部主要服务于对 DRAM 性能有较高需求的 AI，云/通用服务器、5G 基础设施及图形处理市场，目前已经完成 1β节点 导入，预计将成为未来一段时间的主要增长点。MBU 专注于提供低功耗存 储设备，代表公司最高制程节点与低功耗工艺。EBU 专注于成熟工艺在汽 车、工业及物联网，ARVR 业务的应用，应用场景较多，产品种类广泛。SBU 主要为企业、消费者提供先进工艺 SSD 存储解决方案，引领 NAND 堆叠技 术的行业进步。
4.1. 1978 年-1983 年：存储领域后起之秀，设计起家快速崛起
1969 年，Advanced Memory System 公司生产了第一款 DRAM 芯片，随后1970 年，Intel 公司推出了第一个商用 DRAM 芯片，这标志着 DRAM 首次 成为个人电脑的标准存储芯片，半导体存储行业步入公众视野。1978 年， 双胞胎乔和沃德·帕金森以及同事道格·皮特曼于一家牙医办公室的地下室 创立了美光科技（Micron Technology）。他们最初将其设立为一家半导体设 计公司。直到 1980 年，他们说服了包括 J.R. Simplot 和 Allen Noble 在内 的几位当地商人提供财务支持，建立了自己的生产设施，并于 1982 年销售 了第一款 DRAM 产品，正式成为 IDM 芯片厂商。1981 年，美光首批 64K DRAM 实现量产，凭借其良好性能，Micron得以在众多芯片制造商中存活。 此后持续投入经费于 256K DRAM 产品的研发，努力追赶国际巨头的技术 进程。
4.2. 1984 年-2002 年：立足北美区位优势，把握时机整合行业资源
凭借多款 DRAM 产品的领先优势，美光成功于 1984 年登录纳斯达克市场， 步入快速成长期。当时，由于日本存储公司 DRAM 技术取得了重大突破， 成功研制出 256K DRAM 技术，并且将良率提高到了 80%，全球存储市场 完全由日本厂商主导。1985 年，日美签署《广场协议》，后日元持续升值， 日本半导体出口产品竞争力下降。1986 年，美国和日本达成了一项半导体 贸易协定，以限制日企在美倾销。多方举措极大限制日本半导体竞争优势， 甚至在 1988 年出现内存芯片短缺，美光则凭借在北美本土的领先优势飞速 扩张，吸纳在美日半导体大战中落败的美国半导体企业。1998 年，美光购 买了德州仪器（TI）的内存芯片业务，包括在德克萨斯州、意大利和新加坡 的工厂。2001 年，公司通过收购合资伙伴神户钢铁公司约 3.5 亿美元的股 份，获得了位于日本的 DRAM 制造商 KMT Semiconductor 的完全所有权。 2002 年公司又以 2.5 亿美元及 150 万 Micron 股票收购 Toshiba 在美 国子公司的 DRAM 业务，同年开发出世界第一款 1Gb DDR DRAM 产品， 成为世界五大 DRAM 供应商之一。
4.3. 2003 年-2014 年：多元发展，扩展 NAND 业务后来居上
美光始终寻求多元化的发展战略，在发展历史中先后从事过半导体显示，逻 辑芯片、图形芯片及个人 PC 业务。在存储业务上也积极扩张产品矩阵。 2004 年，美光看到 NAND Flash 产品在堆叠降本上的巨大潜力，在原先 DRAM 和 NOR Flash 基础上，推出首款 NAND 产品。2005 年，美光与英 特尔成立 NAND 合资企业 IM Flash Technologies，使美光获得英特尔先进 的 NAND 技术和知识产权，进入快速增长且利润率高的 NAND 闪存市场。 2006 年，美光收购 Lexar Media，整合存储资源。2007 年，美光和英特尔 率先推出 40 纳米以下 NAND 闪存。2010 年，美光从英特尔、意法半导 体、内华达州和 Francisco Partners 手中收购 NOR 制造商 Numonyx BV； 美光和英特尔宣布推出全球首款 20 纳米 MLC NAND，只需 8 个芯片即 可在单个指尖大小的封装中存储 1Tb 数据，树立了新的存储基准。2012年， 美光成为首家量产采用 hi-k 金属栅极技术 NAND 的公司。2013 年，美光收 购 Elpida Memory Inc. 和 Rexchip Electronics Corporation，一举成为全 球第三大 DRAM 芯片厂商，DRAM 市场从此成为三足鼎立格局。
4.4. 2015 年至今：多次引领存储技术革命，量产 HBM3E 具备世界顶尖 水准
经过多年的尝试与打磨，美光最终选择将业务收敛，仅保留具备全球竞争优势的存储业务，持续在半导体存储推出具备里程碑意义产品。2015 年，美 光和英特尔宣布推出 3D XPoint 技术，几十年来首次开拓了全新的内存类 别。这种非易失性存储器的速度比 NAND 快 1,000 倍，耐用性高 1,000 倍。同年，美光和英特尔还推出 3D NAND，成为有史以来开发的最高密度 闪存，3D NAND 标志着半导体存储的一个重要转折点。通过垂直堆叠数据 存储单元层，3D NAND 的容量是平面 NAND 技术的三倍。2016 年，基于 公司图形芯片开发经历，美光推出全球最快图形 DRAM GDDR5X。 GDDR5X 提供高达 14Gb/s 的数据速率，基本上是之前 GDDR5 内存带 宽的两倍。
2018 年，美光推出业界首款四级单元(QLC) NAND SSD，容量达到 7.68TB， 位密度较三级单元 (TLC) NAND 高出 33%，加速 NAND 对硬盘驱动器市 场的进一步侵吞。2020 年，美光推出业界首款 176 层 NAND 闪存，同时 推出 GDDR6X，系统带宽提升至每秒 1 太字节 (TB/s)；2021 年，推出业 界首款 1α DRAM 工艺技术 1α (1-alpha) 节点，在位密度、功耗和性能 方面实现了重大改进。2022 年，美光进一步将 NAND 堆叠层数提升至 232 层； 2024 年 2 月 26 日，美光宣布已开始批量生产 HBM3E 解决方案。 美光的 24GB 8H HBM3E 将成为 NVIDIA H200 Tensor Core GPU 的一部 分，该 GPU 将于 2024 年第二季度开始发货，标志着美光成为全球第二 家量产 HBM3E 的厂商，其产品具备顶尖水准。
