提供多领域解决方案，车规IGBT为欧洲Tier1批量供货。
率先实现第七代 IGBT 研发，具备高压 IGBT 芯片技术。IGBT 不断进行技术迭代，主要向着降低开关损耗和创建更薄的结构方向改善和发展。其在纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺方面不断升级改进，共经历了七次大型技术演变，各项指标在演变中不断优化。目前，IGBT芯片已经迭代至第七代精细沟槽栅场截止型 IGBT，但考虑成本后，应用最广泛的仍是IGBT第四代产品。士兰微、华润微、新洁能、华微电子、比亚迪、宏微科技均已经拥有中低压IGBT产品的生产能力，而具备高压 IGBT 芯片生产能力的中国厂商则只有时代电气和斯达半导两家。其中，斯达半导优势在于 IGBT 模块，主要覆盖新能源汽车/发电和工控领域。2013 年斯达半导开始专注新能源汽车 IGBT 模块的研发，目前其 IGBT 电压等级涵盖范围为100V-3300V，率先实现第七代 IGBT 产品的研发。
车规 IGBT 模块合计配套超 200 万套主电机控制器，欧洲一线Tier 1 开始大批量交货。（1）产品应用：2023 年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT 模块持续放量，合计配套超过 200 万套新能源汽车主电机控制器，公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。（2）技术迭代：2023 年，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop 技术的 750V 车规级 IGBT 模块大批量装车，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的 1200V 车规级 IGBT 模块新增多个 800V 系统车型的主电机控制器项目定点，将对2024年-2030 年公司新能源汽车 IGBT 模块销售增长提供持续推动力。（3）产品：根据斯达半导公司官网显示，在公司己有封装基础上，市场上存在的电压电流等级模块斯达半导均可生产，如公司 在 GD800HHT65P4S 模 块 封 装 基 础 上 ， 还 可 生 产GD600HTT65P4S(650V/600A)、GD400HTT120P4S(1200V/400A)等模块，且该封装可做带Pin-in 的散热基板，也可做不带Pin-fin 的平面散热基板型模块。（4）产能：公司和深蓝汽车合资成立重庆安达半导体有限公司，研发生产高性能、高可靠性的车规级 IGBT 模块和车规级 SiC MOSFET 模块，预计2024年完成厂房建设并开始生产。（5）客户：斯达半导与国内大部分主流车企已取得合作关系，当前客户包括比亚迪、广汽、长安、奇瑞、北汽等。2023 年，斯达半导海外新能源汽车市场取得重要进展，车规级 IGBT 模块在欧洲一线品牌 Tier1 开始大批量交付，同时新增多个IGBT/SiCMOSFET主电机控制器项目定点，海外新能源汽车市场呈现快速增长趋势。2023 年，公司海外业务取得快速发展，子公司斯达欧洲实现营业收入 3.11 亿元，同比增长226.66%，连续两年保持翻翻以上成长；斯达欧洲以外的出口业务实现营业收入 0.77 亿元，同比增长70.88%，海外市场持续突破将给公司带来更广阔成长空间。
风光储业务快速增长产品，在北美等海外市场批量装机，工控领域已为多家国际企业正式供应商。在新能源发电领域，公司已是国内多家主流光伏逆变器、风电逆变器企业主要供应商，并且与头部企业建立了深入战略合作关系，继续发挥技术领先优势为客户提供更高功率、更高效率的解决方案。公司基于第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的IGBT 模块在地面光伏电站和大型储能批量装机，并在北美等海外电站批量装机；公司 1200V、650V 大电流单管已大批量应用于工商业光伏和储能，处于行业领先地位。目前，公司产品已经实现户用型、工商业、地面电站光伏和储能系统全功率覆盖，成为全球光伏和储能行业的重要战略供应商。在工业控制领域，公司目前已为国内多家头部变频器企业 IGBT 模块主要供应商，国际方面已是工控行业多家国际企业正式供应商。
把握先发优势，SiC MOS 取得 800V 系统主电机控制器项目顶点。IGBT/SiC模块不仅应用广泛，且是下游产品中的核心器件，一旦出现问题会导致产品无法使用，给下游企业带来较大损失，替代成本较高，因此一般下游企业都会经过较长的认证期后才会大批量采购，新的品牌进入市场需要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难，公司的先发优势明显。随着公司生产规模的扩大，自主芯片的批量导入和迭代，在供货稳定性及产品先进性上的优势会进一步巩固，从而提高潜在竞争对手进入本行业的壁垒。2023 年，公司应用于新能源汽车主控制器的车规级SiCMOSFET 模块大批量装车应用，同时新增多个使用车规级 SiC MOSFET 模块的800V系统主电机控制器项目定点，将对公司 2024-2030 年主控制器用车规级SiC MOSFET模块销售增长提供持续推动力。2023 年，公司自主的车规级 SiC MOSFET 芯片在公司多个车用功率模块封装平台通过多家客户整车验证并开始批量出货。2023 年，公司和深蓝汽车合资成立重庆安达半导体有限公司，研发生产高性能、高可靠性的车规级 IGBT 模块和车规级SiCMOSFET模块，预计2024 年完成厂房建设并开始生产。
