利基存储价格随主流产品回升，公司盈利能力逐步修复。
存储产品价格自2023年8月下旬陆续开始涨价，主要系原厂积极减产的效应逐步显现，叠加电子消费旺季备货需求回暖，AI驱动的高端存储需求持续旺盛。围绕人工智能、算力基础设施建设的高端存储产品仍供不应求，是原厂产能资源倾斜的重点方向，旺盛的AI投资需求也成为了原厂进一步涨价的底气。根据集邦咨询，NANDFlash今年第一季度合约价涨幅约为23-28%，DRAM合约价涨幅约为20%;第二季度ANDFlash合约价涨幅约为 15-20%，DRAM合约价涨幅为13-18%。展望第三季度，由于通用型服务器需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上扬，DRAM价格涨幅达8~13%，其中传统DRAM涨幅为5-10%。由于利基型存储产品价格与主流存储产品价格联动，随着存储行业进入价格上涨周期,目前主流存储价格回升也将外溢到利基DRAM和SLCNAND。2023年下半年主流DRAM及NAND已经有较大幅度的涨价，经过1-2个季度的传导，在2024年第一季度利基DRAM 价格已经实现温和上涨，SLCNAND需求回暖和价格上涨比利基DRAM约滞后一个季度，未来价格也有望温和上涨。近期市场行情回暖，产品毛利率有所提升，公司部分亏损的产品线实现扭亏。
公司存储器产品覆盖NORFlash、SLCNANDFlash和DRAM三个部分，是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。存储芯片可分为易失性存储芯片(断电后数据丢失)和非易失性存储芯片(电后数据不丢失)。易失性存储芯片常见的有DRAM和SRAM,通常和CPU一起使用为CPU提供运算时中间数据的存储。非易失性存储芯片包括Flash(闪存)和ROM(只读存储器)。Flash包括NANDFlash和NORFlash 两大类。NANDFlash适宜大容量数据存储(通常在1Gb~1Tb)，常用于服务器、手机闪存、U盘、SSD及 SD卡等大容量产品。NORFlash具备读取速度快、随机存储和芯片内执行等特点，适宜中等容量代码存储(通常在1Mb~1Gb)，应用领域较广，如计算机、消费电子(智能手机、TV、TWS耳机、穿戴式设备)、安防设备、汽车电子(ADAS、车窗控制、仪表盘)、5G 基站、工业控制(智能电表、机械控制)及物联网设备等领域。
Flash包括 NANDFlash和 NOR Flash两大类。在芯片功能方面,NANDFlash和 NORFlash虽同属于闪存芯片，但彼此原理和结构的差异，导致其功能差异明显。NAND Flash 具有写入和擦除速度快、存储密度高等特点,适宜大容量数据存储。NORFlash 具有读取速度快和芯片内执行(XIP)等特点，多用于中等容量代码存储。NORFlash 芯片内执行这一特点，使得CPU可以直接对NOR Flash进行读取和存储，不必把应用程序代码读到系统 RAM 中即可直接运行。但NANDFlash则需要RAM配合才能完成程序代码的运行。NORFlash读取速度快这一特点使得它在运行程序时的优势更加明显，尤其对于开机响应时间、可靠性等具有较高要求的电子设备，NORFlash 已经成为首选。
车载NORFlash市场规模强劲增长，2024-2029年CAGR达12.52%。在人工智能等技术快速发展的背景下，NORFlash下游可穿设备、智能汽车、AIOT、5G等设备的功能复杂度和性能攀升,驱动NORFlash的容量、价值量和市场规模都将有所提升。根据Mordor Intelligence，2023年NORFlash市场规模约为 31.1亿美元，2024年估计为32.7亿美元，同比增长5.14%，预计2024-2029年以5.30%的复合年增长率增长到2029年的42.3亿美元。车载NORFlash广泛应用于智能网联、电机、电池、电控系统、智能座舱、ADAS等领域，车载NORFlash市场规模成长尤为迅速，预计 2024年市场规模为9.1亿美元，将在2024-2029年以12.52%的CAGR增长，2029年车用NORFlash市场规模将达到16.4亿美元。
大厂退出NORFlash集中度提高，公司是全球排名第二的NORFlash厂商。2018年全球约90%的NORFlash市场被旺宏、华邦、美光、赛普拉斯和兆易创新这五大厂商占据。随着2017年美光缩减NORFlash业务将产能转向DRAM和NANDFlash,赛普拉斯退出中小容量NORFlash市场专注高毛利大容量的车用和工控领域美光和赛普拉斯的市场份额逐渐降低，旺宏、华邦、兆易创新逐渐占据了NORFlash的主要市场份额，国内本土厂商普冉股份、东芯股份、恒烁股份等加入市场。根据ICInsights,2021年全球NORFlash市场CR3销售额市占率合计进一步提升达90.7%华邦/旺宏/兆易创新的市占率分别为 34.80%/32.70%/23.20%。根据公司公告，Web-Feet Research报告显示，公司2023年SerialNORFlash市占率排名进一步提升至全球第二位。
SLCNANDFlash主要应用于可靠性较高领域，铠侠、华邦电子、旺宏电子等海外厂商占据较高市场份额。按照每个单元的bit数，NANDFlash可以分为SLC、MLC、TLC和 OLC。在一个单元内存储 1/2/3/4个 bit分别被称为单层单元(SLC)/多层单元(MLC)/三层单元(TLC)/四层单元(OLC)。单元状态越密集，一个单元内便可储存更多信息。可以通过增大单元状态的密度进行更多运行和读取的操作，同时每bit 成本降低;但相应地，由于单元状态之间的空间狭窄，更大的密度会使性能降级并出现读取错误的可能性，从而导致设备寿命缩短。因此在生产成本上SLC>MLC>TLC>OLC，同时在读写速度和使用寿命上 SLC>MLC>TLC>OLC。与大容量存储产品追求单位存储密度的发展趋势不同,SLCNAND目前主要应用对可靠性要求要高的相关领域，如5G通信设备，安防监控、可穿设备等。目前SLCNANDFlash 供应商主要为海外厂商，铠侠、华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额。
公司的闪存芯片产品包括NORFlash和SLCNANDFash，在车规级应用进展顺利。作为全球NORFlash龙头，公司NORFlash持续保持技术和市场的领先针对不同应用市场需求分别提供大容量、高性能、高可靠性、高安全性、低功耗及低电压、小封装等多个系列产品，可提供多达16种容量选择，覆盖512Kb到 2Gb、四种不同电压范围以及多达20种不同的封装选项,可满足客户不同应用领域对容量、电压以及封装形式的需求。目前公司55nm 工艺节点全系列产品均已量产，并持续开展工艺制程迭代。公司NANDFlash产品属于SLCNAND，38nm和24nm两种制程全面量产，并正在以24nm为主要工艺制程，容量覆盖1Gb~8Gb，其中SPINANDFlash 在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。在汽车应用上公司 GD25 产品全面满足车规级AEC-Q100认证，GD55的 2Gb 大容量产品也通过了该认证。公司SPINORFlash车规级产品2Mb~2Gb容量已全线铺齐，公司38nmSLCNANDFlash车规级产品容量覆盖1Gb~4Gb，搭配车规级SPINORFlash，为进入车用市场提供更多机会。公司车规级GD25/55SPINORFlash和GD5FSPINAND Flash 已广泛运用在如智能座舱、智能驾驶、智能网联、新能源电动车大小三电系统等，并且全球累计出货量已超过1亿颗。2023年，公司车规级SPINORFlash在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行，标志着公司车规级SPINOR Flash的可靠性得到了进一步验证。
存储巨头产能挤兑逐步退出DDR3市场，公司有望充分受益抢占市场份额。公司积极切入 DRAM 存储器利基市场(消费、工控等)，并已推出DDR4、DDR3L等产品，在消费电子(包括机顶盒、电视、智能家居等)、工业、网络通信等领域取得较好的营收，并持续推进规划中的其他自研产品。2023年公司推出DDR34Gb、2Gb产品，并持续进行客户导入和良率提升。到2023年底，DDR34Gb、2Gb产品已实现大规模量产,将在 2024年实现批量出货并贡献营收。2024年,公司还会推出DDR48Gb产品，在利基市场品类初具规模，覆盖大部分利基市场应用。后续公司会继续研发LPDDR4产品，预计到2025年，公司DRAM产品能覆盖主要利基市场需求，并实现量产供应。由于 SK海力士、美光、三星三家原厂重点发力HBM、DDR5等高附加值产品的产能供应，正在逐步退出利基产品DDR3市场以腾出设备与产能。根据闪德资讯,SK海力士早在去年底将大陆无锡厂DDR3制程转进DDR4;美光也为扩充DDR5HBM产能，大幅减少DDR3供应;今年5月，业界称三星已经通知客户将在第二季度末停产 DDR3,导致利基型产品价格走高。随着存储巨头退出DDR3市场，公司有望抢占更多的市场份额，实现国产替代，并在本轮量价齐升的行情下实现业绩增长。
