整体延续回暖态势。
2023 年下半年，当时三星、SK 海力士、美光共同采取了主动激进减产、去库存、 调高合约价等手段强势拉涨，以对抗市场的下跌。除了存储厂商在供给端的努力 外，生成式 AI 的爆发也刺激了一波需求的骤增，尤其是 AI 服务器对 HBM 等先 进存储需求的快速上涨。受上述多重因素的影响，2024 存储器价格触底回升，有 力提振存储器企业业绩。
7 月 25 日，韩国存储芯片企业 SK 海力士发布 2024 年 Q2 季度财报，受益于 AI 对先进存储器需求的强劲拉动，二季度营收为 16.4 万亿韩元（约 118 亿美元）， 同比增长 125%，创单季度历史最高纪录；营业利润也达到了 5.4 万亿韩元，成功 扭亏为盈并时隔六年重回 5 万亿韩元水平；净利润为 4.12 万亿韩元，同样实现大 幅增长。
SK 海力士从 2024 年 3 月份开始量产的 HBM3E 和服务器 DRAM 等高附加值产 品，销售比重有所扩大；特别是 HBM，销售额环比增长 80%以上，同比增长 250% 以上，有力提振了公司整体业绩。
另一家韩国存储芯片巨头三星电子 2024 年 H1 同样取得了较为出色的经营业绩， 第二季度半导体销售额 28.56 万亿韩元，超过了预期的 27.49 万亿；第二季度半导 体营业利润 6.45 万亿韩元，超过预期的 5.06 万亿韩元。三星电子表示 HBM、 DDR5 等服务器用存储产品销售扩大，公司积极满足生成式 AI 服务器用高附加 值产品的需求，故 2024Q2 业绩大幅改善。三星电子 2024Q2 季度的 HBM 收入较 上一季度增长了约 50%。
中国台湾的存储器企业 2024 年上半年业绩同样有所改善。以内存厂南亚科为例， 2024 年 Q2 季度实现营收 99.21 亿元新台币，营业利润率-23.4%，净利率-8.2%， 环比 2024Q1 季度营业利润率和净利率分别改善了 7.3 和 4.5 个百分点。另一家中 国台湾存储器企业华邦电子表示，4 至 5 月营收分别同比增长 22.82％、16.08％， 目前产能已处于满载状态，库存水位持续降低。相比于三星，海力士等存储大厂， 中国台湾存储企业缺少 HBM 芯片产品，较大比例收入来自利基存储，业绩修复 速度偏慢。
展望 2024 年全年与 2025 年，存储器市场规模有望继续保持较快回升。 DRAM 存储芯片市场受益于存储器需求成长、供需结构改善、单价提升、HBM 等 高附加价值产品出货量激增。Trendforce 预计 2024 年 DRAM 全球营收达 907 亿 美元、同比增长 75%；2025 年营收规模达 1,365 亿美元、同比增长 51%。 NAND 存储芯片市场受益于企业级固态硬盘、智能手机采用大容量 QLC 闪存芯 片，原厂限制供给量，服务器需求复苏等因素。2024 年 NAND 芯片营收规模有 望达 674 亿美元、同比增长 77%；2025 年营收有望达 870 亿美元、同比增长 29%。
合约价为芯片厂与长期合作的大客户协商达成一致的价格，2024 年合约价大涨已 是芯片厂与大客户协商一致的确定趋势。由于二季度是传统淡季，虽然近期三星、 SK 海力士等存储芯片原厂已经通知主要客户涨价，但 PC、智能手机等电子产品 需求低迷，手机及 PC 终端厂商普遍不急于备货，仍在观望，存储芯片合约价涨 幅趋于平稳。
NAND 方面，2024Q2 季度 NAND Flash 合约价格季度涨幅 15-20%。展望 2024Q3 季度，企业级 SSD 订单有望继续受益于 AI 应用，但消费性电子需求可能持续不 振，加上原厂下半年积极扩产，NAND Flash 合约均价涨幅预估收敛至季增 5-10%。
DRAM 方面，2024Q2 季度 DRAM 合约价季度涨幅 13-18%；展望 Q3 季度，由于 通用型服务器需求复苏，且 HBM 生产比重进一步拉高，DRAM 合约价格涨幅有 望达 8~13%，其中普通型 DRAM 涨幅为 5-10%，与 Q2 季度相比涨幅略有收缩。
受到全球经济增长放缓、地缘政治等因素影响，存储器市场需求呈现两极分化。 高端的 AI 类存储产品供不应求；消费类存储器市场仍在复苏中。消费端需求偏 弱，刺激渠道端降价去库存；NAND 与 DRAM 现货价格短期下跌。截止 7 月下旬 价格仍处于磨底阶段。工控端存储器有部分小单成交且价格趋于合理；PC 用存储 器市场缺乏需求支撑实际成交乏力；嵌入式市场仍然处于持续观望阶段，无明显 需求变化。
