长电科技紧跟行业发展方向，积极布局先进封装。
2015 年长电科技收购星科金朋 时，星科金朋拥有的行业领先的高端封装技术能力，如 eWLB、eWLCSP、TSV、3D 封 装、SiP、PiP、PoP 等，能够为国际顶级客户和高端客户提供下世代领先的封装服 务。星科金朋拥有的系统集成封装（SiP）技术，是新一代移动智能终端电路封测 的主流技术；晶圆级扇出封装（“eWLCSP”）技术，是半导体行业增长最快的细分 市场之一，能够在同一生产线无缝加工多种规格硅片，为晶圆级封装带来前所未 有的灵活性和高性价比的封测服务。截至 2024 年 6 月末，公司拥有专利 3,034 件, 产能覆盖了高中低各种集成电路封测范围，涉足各种半导体产品终端市场应用领 域，公司在嵌入式（EWLB）技术和系统集成（SiP）封测领域处于行业领先地位。 目前，长电科技拥有先进封装技术有：扇入型晶圆级封装(FIWLP)、扇出型晶圆级 封装(FOWLP)、集成无源器件(IPD)、硅通孔(TSV)、嵌入型晶圆级 BGA 封装（eWLB）、 包封芯片封装(ECP)、射频识别(RFID)、系统级封装（SiP）、FCBGA、fcCSP、fcLGA、 fcPoP、FCOL 等。其中，长电科技在晶圆凸块的众多合金材料和工艺与质量方面拥 有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球或电镀技术。 目前的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆直接凸块、重布线凸块 和扇出型凸块，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
长电科技在先进封装方面相较于其他封测公司有独特的技术优势。长电科技在 SiP 封装的优势体现在 3 种先进技术：双面塑形技术、EMI 电磁屏蔽技术、激光辅 助键合（LAB）技术。双面成型有效地降低了封装的外形尺寸，缩短了多个裸芯片 和无源器件的连接，降低了电阻，并改善了系统电气性能；对于 EMI 屏蔽，长电 科技使用背面金属化技术来有效地提高热导率和 EMI 屏蔽；长电科技使用激光辅 助键合来克服传统的回流键合问题，例如 CTE 不匹配，高翘曲，高热机械应力等 导致可靠性问题。在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面，长电科技处于 行业领先地位。倒装技术方面，长电科技提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载 无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低 成本创新选项。
先进封装销售量占比增加，长电科技对其研发投入增加。2023 年，长电科技先进 封装产品的生产量、销售量分别占总封装产品的 30.65%、30.73%。公司研发投入 集中在高性能运算（HPC）2.5D 先进封装、射频 SiP/AiP、汽车电子等新兴高增长 市场。在高性能先进封装领域，长电科技推出了针对 2.5D、3D 封装要求的多维扇 出封装集成 XDFOI 技术平台，XDFOI Chiplet 高密度多维异构集成系列工艺已按 计划进入稳定量产阶段。公司持续推进多样化方案的研发及生产，包括再布线层 （RDL）转接板、硅转接板和硅桥为中介层三种技术路径，覆盖了当前市场上的主 流 2.5D Chiplet 方案，且均已具备生产能力。经过持续研发与客户产品验证，长 电科技 XDFOI 不断取得突破，已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域 应用，为客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品 制造解决方案，满足日益增长的终端市场需求。从技术能力、产能布局，长电科 技是目前国内 Chiplet 先进封装领域最大参与者之一。在高性能运算市场，未来 公司将进一步推广 XDFOI 技术，并投入 3D、存储芯片和光电合封（CPO）的封装研 发。
长电科技的先进封装产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用。长电科技 在 5G 通信类、高性能计算、消费类、汽车和工业等重要领域拥有行业领先的半导 体先进封装技术（如 SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP 及 XDFOI®系列等）以及 混合信号/射频集成电路测试和资源优势，并实现规模量产，能够为市场和客户提 供量身定制的技术解决方案。 在通信领域，长电科技提供全系列的先进封装和测试解决方案，包括 2.5D/3D 封 装、晶圆级封装、系统级封装（SiP）等，为客户提供完整的通信领域芯片成品制 造解决方案。在系统级封装领域，长电科技在积极发展 2.5D/3D 封装技术的同时， 也着力发展异构集成的 SiP 模组技术。公司深度布局的高密度异构集成 SiP 解决 方案，已应用于多款高端 5G 移动终端；移动终端的主要元件基本实现了所需封装类型的全覆盖。
在高性能计算领域，长电科技为高性能计算提供一系列封装和测试解决方案，涵 盖焊线封装、倒装芯片封装、晶圆级封装（WLP）和系统级封装（SiP）。长电科技 独有的 XDFOI 技术，作为一种新型无硅通孔（TSV）晶圆级极高密度封装技术，可 以为高性能计算应用提供多层极高密度走线（3 层 RDL、L/S 2 微米）和极窄节距 凸块互联（节距 40 微米），并可集成多颗芯片、高带宽内存（HBM）和无源器件， 在优化成本的同时实现更好的性能及可靠性。在云计算领域，公司具备全尺寸 fcBGA 产品工程与量产能力；在半导体存储市场领域，封测服务覆盖 DRAM，Flash 等各种存储芯片产品，16 层 NAND flash 堆叠，35um 超薄芯片制程能力，Hybrid 异型堆叠等，都处于国内行业领先的地位。 在汽车电子领域，对于车载 MCU 的主流封装方式 QFP/QFN 与 BGA，长电科技提供 成本极具竞争力的车规表面涂层处理的铜线 QFP/QFN 和 BGA，并在 QFP/QFN 封装 技术上拥有超过千亿颗出货量的丰富经验。此外，车规级倒装、系统级封装（SiP）、 扇出型晶圆级封装以及 DBC/DBA 等技术均被广泛采用。目前已量产倒装芯片的 L/S 达 10 微米，Bump Pitch 小至 70 微米；车规级量产 1/2/3L RDL 的 L/S 达到 8 微 米；量产验证过的最大 eWLB 封装成品尺寸达到 12x12mm。长电科技也正在积极推 动高性能陶瓷基板如 DBC、DBA 的量产应用。
在高密度封装集成工艺方面，长电科技提供包括高密度贴装 SMT 能力、激光辅助 键合（LAB）、双面成型 SiP、电磁干扰屏蔽等多项业界领先技术，可以用于射频前 端模组（RFFE）、毫米波天线 AiP 模组等产品。公司不断拓展 TOLL、TO263-7、 TO247-4 开尔文封装形式，开发底部、顶部和双面散热等新型散热结构，应用银烧 结和 DBC 等先进工艺；已在垂直供电模块 VCORE 的封装材料、结构、热管理、制 造工艺以及技术服务等方面积累了丰富经验。
