刻蚀设备领军企业，内生外延三维发展。
公司于2004年开始运营，随后开启了产品品类的持续扩张之路：公司于2007、2010、2012、2016、2017年分别研制成功了首台CCP刻蚀设备、首台TSV设备、首台MOCVD设备、首台VOC设备、首台双反应台ICP刻蚀设备； 同时公司对刻蚀设备进行持续迭代，于2011、2013和2016年分别研制成功了45nm、22nm和7nm介质刻蚀设备，于2017年成功进入国际先进7nm产线，2021年顺利付运首台8英寸CCP刻蚀设备；此外，公司在沉积设备领域持续发力，2022年首台CVD钨设备付运客户，2024年新产品LPCVD设备实现首台销售。 在投融资方面，公司于2014年成为第一家“大基金”投资的企业，2015年完成对拓荆的投资，最终于2019年成为科创板首批上市公司。
公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备相关业务，产品包括等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD设备等：Ø 半导体设备：公司主打产品为等离子体刻蚀设备，此外公司还布局了薄膜设备（主要为化学薄膜和外研设备）和检测设备；Ø 泛半导体设备：产品以MOCVD设备为主，主要应用于发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等三五族化合物半导体器件的生产；Ø 非半导体设备：公司积极探索环境保护、健康领域等新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域均取得了进展。
公司股权结构较为分散。截至2024年三季报，上海国资旗下的上海创业投资有限公司持有公司15.05%的股份，为公司第一大股东，此外国家集成电路产业投资基金及其二期分别持有公司13.04%和3.93%的股份。 创始人技术背景深厚，激励计划增强人才稳定性。公司创始人兼董事长尹志尧博士曾先后担任泛林半导体研发部资深工程师、研发部资深经理，以及应用材料等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官等，从业经验丰富，是公司核心技术人员之一；同时，公司上市后多次发布限制性股票激励计划，其中2024年限制性股票激励计划激励对象总人数达到了全体职工的99.72%，预计将有效增强人才团队的稳定性。
CCP刻蚀方面，公司已对28nm以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28nm及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。根据公司2024年半年报，DRIE、AD-RIE可以满足绝大多数28nm以上CCP刻蚀需求，2024H1付运数量超过2023年全年；AD-RIE-e除了持续付运用于最先进逻辑芯片生产线，还取得了先进存储生产线的重复订单，2024H1付运量为2023年全年的2倍以上；SD-RIE在首家先进逻辑客户端针对金属掩膜一体化大马士革刻蚀工艺的验证已进入良率测试阶段，并进入第二家客户进行现场验证；UD-RIE已经在存储器件生产线验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的量产能力。
ICP刻蚀方面，公司设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理以及微电机系统等芯片和器件的60多条客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。截至2024年上半年，公司ICP刻蚀设备中的Nanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>70%的年均复合增长，8英寸和12英寸深硅刻蚀设备在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证。
公司产品持续获得国内外客户认可，2019-2023年经营业绩持续高增。2019-2023年，公司营收由19.47亿元增长至62.64亿元，复合增长率达到33.93%，归母净利润由1.89亿元增长至17.86亿元，实现了75.43%的复合增长率； 2024年前三季度，公司营收同比增长36.27%至55.07亿元，其中公司主力产品刻蚀设备收入为44.13亿元，同比增速高达53.77%；归母净利润同比下降21.28%，一方面是研发费用同比增长较多，另一方面，2023年同期公司出售持有的部分拓荆科技股票产生股权处置收益，导致2023年归母净利润基数较高。
公司加大研发力度，为持续增长奠定基础。随着公司营收规模的持续增长，2019-2024年前三季度公司销售、管理、研发费用率呈现下降趋势；研发费用方面，公司重视创新，2019-2023年研发费用率基本维持在13%上下；2024年公司新设备需求快速增长，研发支出增加较多，前三季度研发费用率达到16.6%。 u 公司新签订单持续提升。2020-2023年，公司新签订单由21.68亿元提升至83.6亿元，复合增长率为56.82%，2024年前三季度新增订单为76.4亿元，同比增长约52%，其中刻蚀设备新增订单62.5亿元，同比增长约54.7%，新产品LPCVD新增订单3亿元，开始启动放量。
