薄膜设备需求提升，中微高效研发创新突破。
存储器件由 2D 向 3D 转换，薄膜制程愈发 关键。中微公司把握发展机遇，持续推进多款薄膜沉积设备研发项目，目前公司已有多 款薄膜沉积设备产品进入市场，部分持续获得重复订单，并有多个关键薄膜沉积设备研 发项目进展顺利，至 2024 年中已实现六种设备高效研发交付及客户量产验证。公司薄 膜沉积设备采用独特的双腔设计，在保证产品性能同时，提高产能，降低材料成本。公 司已规划并正在开发多款 CVD 和 ALD 设备，以增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市 场。独立自主的知识产权设计，在促进产品性能更优化的同时，也保障了产品未来的可 持续发展。
钨系列薄膜沉积产品全面覆盖存储器件钨应用。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器 件所有钨应用，且已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，并取 得重复量产订单。CVD钨设备满足金属互联钨制程各项性能指标，在其基础上开发的HAR （高深宽比）钨设备，采用创新的工艺解决方案，满足存储器件中的高深宽比金属互联 应用中各项性能指标；ALD 钨设备，具备三维填充能力，采用完全自主知识产权的机台 设计，可精准控制工艺过程，实现精准的原子级别生长，满足三维存储器件字线应用中 各项性能需求。此外，公司完全自主设计开发了双台机金属钨系列设备，可达到业界领 先的生产率，同时保证较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满 足先进逻辑器件栅极金属接触及接触孔填充应用，以及 64 层和 128 层 3D NAND 中的多 个关键应用。 ALD 氮化钛设备测试结果优异，多项指标达行业领先水平。公司 ALD 氮化钛设备，可应 用于高端存储和逻辑器件，其性能验证可以达到国际先进水平，满足逻辑及存储多道关 键应用需求，实验室测试结果显示，设备的薄膜均一性和产能均表现出世界领先水平。
EPI 设备进展顺利，满足先进制程需求。中微公司通过基础研究和采纳关键客户的技术 反馈，设计并制造出具有自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔，以满足客户先进 制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求，目前公司 EPI 设备已顺利进入客户验证 阶段。 LPCVD 设备首台销售，新产品启动放量。中微公司自主研发的 LPCVD 设备可灵活配置 多达五个双反应台的反应腔，每个反应腔皆能同时加工两片晶圆，在保证较低的生产成 本和化学品消耗的同时，实现较高生产效率，配备完全拥有自主知识产权的优化混气方 案及分气抽气系统和真空卡盘，具有优秀的薄膜均一性、填充能力和工艺调节灵活性， 对于弯曲度较大的晶圆，也具备良好工艺处理能力。具备优异的阶梯覆盖率和填充能力， 可应用于先进逻辑器件、DRAM 和 3D NAND 中接触孔以及金属钨线的填充。2024 年 LPCVD 设备实现首台销售，收到约 4.76 亿元批量订单，实现销售收入达约 1.56 亿元。
薄膜设备新品层出，多元化发展动能强劲。公司推出自主研发的 12 英寸高深宽比金属 钨沉积设备 Preforma Uniflex HW 以及 12 英寸原子层金属钨沉积设备 Preforma Uniflex AW，为各类器件芯片中超高深宽比及复杂结构金属钨填充提供了高性价比、高性能的解 决方案。Preforma Uniflex HW 设备，具备超高深宽比填充能力，继承了前代 Preforma Uniflex CW 设备的优点，可灵活配置多达五个双反应台的反应腔，同时，采用拥有完全 自主知识产权的生长梯度抑制工艺，可实现表面从钝化主导到刻蚀主导的精准工艺调控。 硬件上，公司开发的可实现钝化时间从毫秒级到千秒级的控制系统，可满足多种复杂结 构的填充，并搭配经过优化设计的流场热场系统，使该设备具备优异的薄膜均一性和工 艺调节灵活性。Preforma Uniflex AW 设备，继承公司自主开发的流场热场优化设计，提 升薄膜均一性和工艺调节灵活性。同时，系统中每个反应腔均可用于形核和主体膜层生 长，可根据客户实际工艺需求优化配置，进一步提高设备利用率，采用拥有完全自主知 识产权的高速气体切换控制系统，精准控制工艺过程，实现精准的原子级别生长，使生 长膜层具备优异的台阶覆盖率和低杂质浓度的优点。此外，还引入独特的气体输送系统， 使该设备具备更先进技术节点的延展能力。
Mini/Micro LED 和第三代功率器件终端市场渗透提升，MOCVD 需求有望提升。 MOCVD 是利用金属有机化合物作为源物质的化学气相淀积工艺，常用于三五族化合物 半导体材料外延工艺，MOCVD 设备是制备照明和显示屏所用的 LED、氮化镓和碳化硅功 率器件等外延片的关键设备。伴随 Mini-LED 在背光及直接显示市场需求快速提升，受技 术进步和 AR 眼镜等应用领域拓展影响，Micro LED 成长空间有望扩大；同时，半导体功 率器件方面，应用于高频中小功率领域的 GaN 和大功率领域 SiC 具有高效和高性能等优 势，应用潜力较大。Mini/Micro LED 和第三代功率器件终端市场的发展，有望推动 MOCVD 外延生产设备需求提升。
MOCVD 设备应用领域拓宽。制造照明用蓝光 LED 外延片的 MOCVD 技术已达到较为成 熟阶段，设备企业目前主要针对提高大规模外延生产所需的性能、降低生产成本、具备 大尺寸衬底外延能力等方面进行技术开发；应用于 Mini-LED 新型显示应用、应用于氮化 镓功率器件生产的 MOCVD 设备发展迅速；应用于 Micro-LED 高端显示的 MOCVD 设备 处于研发阶段，产业链对 Micro-LED 外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有极为苛 刻的技术要求；应用于碳化硅功率器件的外延设备处于快速发展阶段，随着 8 英寸衬底 成本的持续下降，现有主要适用于 6 英寸碳化硅衬底的生产设备，未来将逐渐过渡至 8 英寸的外延生产。
泛半导体产业发展迅速，中微 MOCVD 设备技术领先。随着泛半导体产业的迅速发展， 三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器 件等市场应用发展极快，MOCVD 正是这些器件所需的关键设备，与集成电路需要多种设 备的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要依靠 MOCVD 设备实现。公司在蓝绿光 LED 生产线和 Mini-LED 产业化中始终保持领先地位，开发的用于氮化镓基的 LED 照明 和 Mini-LED 显示的 MOCVD 设备已成为国内外绝大多数 LED 生产线的优选设备，已成 为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。 PRISMO D-Blue、PRISMO A7 性能优异，占据全球市场领先地位。公司研发生产的 用于蓝光 LED 的 PRISMO D-Blue、PRISMO A7 设备分别可实现单腔 14 片 4 英寸和单腔 34 片 4 英寸外延片加工能力，其中 PRISMO D-Blue 已成为首台被主流 LED 生产线采用 并进行大批量 LED 外延片生产的国产 MOCVD 设备，PRISMO A7 在前代 PRISMO D-Blue 基础上，配备 28 英寸超大尺寸托盘，极大地提高了单位产能，进一步降低生产成本。目 前，PRISMO A7 设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD 市场中占据了领先地位。
PRISMO HiT3 产能先进，工艺温度可高达 1400 度。公司可用于制造深紫外光 LED 的 高温 MOCVD 设备 PRISMO HiT3，反应腔最高工艺温度可达 1400 度，单炉可生长 18 片 2 英寸外延晶片，并可延伸到生长 4 英寸晶片，是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料 生长的关键设备，现已于行业领先客户端生产验证并获得重复订单。
PRISMO UniMax 高产能、高灵活性行业领先，为 Mini LED 大规模生产提供 MOCVD 外延解决方案。该设备在同一系统中可配备多达 4 个反应腔，每个反应腔都可实现独立 控制，具备优异的生产灵活性，配置 785mm 大直径石墨托盘，可实现 164 片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延晶片同时加工，同时，配置专为高性能 Mini LED 量产而设计的局部温 度补偿加热系统，具备优异的产出波长均匀性及产出稳定性。目前，该设备已在领先客 户端开始进行规模化生产。
氮化镓功率器件生产专用设备提速增长，PRISMO PD5 已验证通过并获得重复订单。 手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用的爆发，带动氮化镓功率器件生产应用的专用 设备提速增长，公司顺应市场需求，积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市 场，开发了用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD 设备 PRISMO PD5，可在同一系统中配 备多达 4 个反应腔，每个反应腔可独立控制，通过更换石墨托盘即可实现 6 英寸与 8 英 寸工艺的便捷切换，具备高灵活性，现已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。
持续投入研发，紧跟市场布局行业前沿。公司把握 MOCVD 市场发展机遇，积极布局用 于碳化硅和氮化钾基功率器件应用市场，Micro-LED 应用的专用 MOCVD 设备开发顺利， 实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，已付运样机至国内领先客户开展验证测试；下一代用于氮化镓功率器件制造的 MOCVD 设备也正按计划开发，进展顺利，以进一步提升公司在该领域的市场竞争力。
