根据中商产业研究数据显示，2023 年中国半导体存储器市场规模约为 3943 亿元，2024 年约为4267亿元，预计 2025 年市场规模将达 4580 亿元。
存储器是数字信息的载体，是 IT 基础设施三大核心板块之一。半导体存储器也叫存储芯片，是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，其存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。它是电子系统中存储和计算数据的载体，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。据忆恒创源招股说明书，IT 基础设施总体分为计算、存储和通信三大板块，分别以处理器、存储器、交换机/路由器等为核心产品。数字经济的发展与 IT 基础设施产业互为表里、相辅相成，而存储板块在数字经济的发展中具备先导性和需求刚性，数字经济规模的高速增长推动存储行业蓬勃发展。
存储器构成集成电路的重要组成部分。市场规模方面，据 WSTS，2024 年全球半导体市场规模为6305.49亿美元，同比增长 19.7%，其中集成电路市场规模为 5395.05 亿美元，占比达85.6%。存储器作为集成电路重要分支，2024 年市场规模为 1655.16 亿美元，同比增长 79.3%，占集成电路比重达30.68%。存储器分类：易失性存储、非易失性存储。按照是否需要持续通电以维持数据，半导体存储器可分为易失性存储和非易失性存储。其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）；非易失性存储器主要包括可编程只读存储器（PROM），闪存存储器（Flash）和可擦除可编程只读寄存器（EPROM/EEPROM）等。 易失性存储：主要指随机存取存储器（RAM），需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU 读写和处理。由于 RAM 可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。 RAM 根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM 结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于 SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于 DRAM 需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较 SRAM 更高。DRAM 作为一种高密度的易失性存储器，主要用作 CPU 处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。 非易失性存储：主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据。早期的ROM 产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM 经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（Mask ROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。
存储器产业链情况：原厂掌握产业链核心技术，并推动技术迭代与标准制定。据江波龙招股说明书，存储器产业链从上至下分别为：晶圆厂、主控芯片、封装测试、存储模组与产品供应商、存储品牌商、下游具体应用场景等。其中，上游晶圆厂即存储“原厂”，是业内对具备自有晶圆制造能力的存储芯片厂商的通称，掌握核心颗粒（Die）的制造权，如三星、美光、海力士、长鑫存储等。原厂拥有晶圆制造能力，掌握制程工艺、架构设计等核心技术，是存储芯片性能、寿命、功耗等指标的决定者，同时控制着行业最关键的产能资源。此外，原厂还推动行业技术迭代与标准制定，新一代存储技术（如3D NAND层数提升、DRAM 制程升级、接口标准变更）通常由原厂率先研发并量产，其强话语权决定了产业升级节奏和方向。
1、供给侧：海外龙头减产 DDR4 利好国产厂商，国内龙头占比持续提升
根据中商产业研究数据显示，2023 年中国半导体存储器市场规模约为 3943 亿元，2024 年约为4267亿元，预计 2025 年市场规模将达 4580 亿元。目前存储芯片市场主要以 DRAM 和NAND Flash 为主。其中，DRAM 市场规模最大，占比约为 55.9%，NAND Flash 占比约为 44.0%。
存储芯片是典型的寡头垄断市场，长期由韩美企业主导，国内企业近些年占比持续提升。DRAM 存储器市场份额高度集中，主要被三星、SK 海力士和美光三者垄断。根据芯存社数据，2024 年三家企业市场份额分别为 36.5%、35%和 21.5%，竞争格局稳定，国内存储厂商长鑫存储的市场份额约为5%-6%。NANDFlash 全球市场 2024 年前五企业分别为三星（33.5%）、SK 海力士（19%）、铠侠（17.5%）、美光（12%）、西部数据（10.5%）。国内存储厂商长江存储作为后进者，在 2024 年达到了约5%-6%的市场份额。
根据闪存市场邰炜表示，在供应端，从各大存储原厂的财报都可看出，存储原厂基于稳住价格跌幅、保证利润的策略重心，减少旧产能、聚焦先进制程产品的生产以及技术的迁移。整个资本支出将更多投入到更先进封装或研发上，更侧重于 HBM、1c、1γ和 200 层、300 层这些先进产能。而整体wafer 产出相比以往的增量将减少很多。 在技术路线上，NAND 将继续朝更高堆叠发展，2025 年将进入 300 层以上的时代，同时混合键合技术已经成为 NAND Flash 重要的技术发展方向，存储原厂持续通过优化技术架构和材料，克服超高层NANDFlash 的量产挑战。在 DRAM 方面，2025 年更会看到在 1c、1γ这些 DRAM 制程上的演进。
2、需求侧：AI 驱动存储需求有望延续复苏态势
AI 算力投资和端侧应用需求延续，带动存储位元需求扩容。随着 AI 训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对 HBM、大容量 DDR5 及企业级 SSD 的存储需求同步增加，AI 与云服务成为存储需求核心驱动力。根据金融界援引 Bloomberg 数据，2025 年 Meta、谷歌、亚马逊和微软合计资本开支预计达2972亿美元，同比增长 36.8%。微软在 2024 财年基础设施投资已超 800 亿美元，并明确未来三年保持同等投资强度，重点覆盖 AI 算力需求。 国内方面，云服务商和电信运营商算力资本开支有望维持和加码，根据财联社消息，阿里巴巴宣布未来三年将投入 3800 亿元用于云和 AI 基础设施。另外，根据 IT 之家及腾讯控股2024 年第四季度及全年业绩交流会消息，腾讯资本开支连续四个季度实现同比三位数增长，2024 年度突破767 亿元，同比增长221%，创下历史新高，公司 2024 年资本开支占营收比例 12%，2025 年指引为低双位数。中国联通年报显示，公司 2024 年算力投资同比上升 19%，2025 年算力投资预计同比增长 28%，公司预计固定资产投资在人民币 550 亿元左右，加快推进 IDC 向 AIDC、通算向智算升级。 根据闪存市场预测数据，DRAM 位元需求 2025/2026 年分别有望同比增长 15%/17%，NAND 位元需求2025/2026 年分别有望同比增长。
（1）服务器市场成存储需求核心驱动力
1）服务器存储容量持续增长
服务器市场已成为存储产业发展的核心驱动力。根据闪存市场数据，受益于 AI 的带动，服务器市场已经成为存储需求发展的核心驱动力，2024 年服务器 NAND 的容量高增 108%，而服务器DRAM 和HBM 分别增长 24%和 311%，手机和 PC 市场相比 2024 年也将有所增长。2025 年服务器整机出货量预计将继续增长至 1330 万台，其中 AI 服务器占比将达到 14%，进一步推高服务器的存储配置。
2）高端存储技术和产品加快落地
服务器平台迭代带动存储产品加快升级。闪存市场数据显示，在 CPU 的支持和训练效率提升作用下，2025 年部分厂商的服务器 PCIe5.0 的搭载率将达到 30%。在服务器 DRAM 方面，随着后期AMD 图灵平台的上市，预计 6400MT/s 的 96GB/128GB 的 DDR5 在服务器市场将会迎来放量增长。同时，英伟达GPU架构由 Hopper 转向 Blackwell 的再次升级，在 2025 年将带动 HBM 从 HBM3 正式进入HBM3E，而在2026年HBM4 的出现也会带来更多定制化需求。
行业龙头美光调高 2025 年 HBM 市场规模展望至 350 亿美元。根据闪存市场消息，美光发布FY2025Q2财季业绩后表示近期其大型超大规模客户重申了在 2025 年资本投资将实现同比强劲增长。预计2025 年服务器出货量将实现中个位数百分比增长，传统服务器和 AI 服务器均将实现增长。公司预计2025 年HBM总市场规模将达 350 亿美元以上，比之前预估的 300 亿美元有所提高，并预计2025 年第四季度有望HBM份额达到与整体 DRAM 供应份额相当的水平。公司表示其 2025 年 HBM 已售罄，2026 年HBM 市场需求将保持强劲态势。目前公司已开始批量生产 HBM3E12H，预计 2025 年下半年 HBM3E12H 将占HBM 总出货量的绝大部分、HBM4 将于 2026 年实现量产。 大容量存储需求使 QLC 产能占比提高，技术进步为存储产业带来新增长机遇。AI 的发展带动存储容量迅速扩张的同时，也对存储性能提出更高要求，如大容量存储的需求使得 QLC 时代提前到来。据闪存市场预计，2025 年 QLC 产能占比将接近 20%，并且在企业级 SSD 的大规模量产以及手机存储的突破性应用方面展现出巨大潜力。QLC 技术的快速发展，使 32TB 企业级 SSD 实现大规模量产，64TB/128TB 的QLCeSSD 已进入应用阶段。预计 2025 年 QLC 将有超过 45%的产能用于服务器领域。除服务器和PC 以外，手机端的 QLC 使用也将迎来突破，更多手机开始搭载 512GB 甚至 1TB 的 QLCUFS。高堆叠和先进制程在存储技术路线上持续演进，新形态产品不断涌现。根据闪存市场消息，NAND 将继续朝更高堆叠发展，2025 年将进入 300 层以上的时代，同时混合键合技术已成为重要技术发展方向。DRAM 方面，2025 年会更多在 1c、1γ等制程上继续升级。在数据中心领域，因低功耗运行需要，基于LPDDR 的 LPCAMM、SOCAMM 等新形态存储产品不断涌现。
（2）AI 带动终端应用领域存储升级
1）AIPC、手机快速渗透带动新增需求
AI 手机比例提高对存储容量和存储方案等产生新增需求。AI 手机的出现为存储市场注入了新的活力，根据闪存市场消息，预计 2025 年 AI 手机的比例将达到 30%，这将带动手机存储容量的显著提升。同时，为了满足超薄型智能手机的需求，集成式嵌入式存储应用也呈现出一定的增长趋势。AI 加速了对更高性能 LPDDR 的需求，目前旗舰机 ePOP 方案均是 496ball 的 LPDDR5X。随着 LPDDR6 的出现，LPDDR5X 预计将下沉至中端手机，此外尺寸更小、成本也更有优势的的 245ballLPDDR5/5X 也将具备较大的优势。龙头厂商展望移动端存储出货量年内将获得环比改善。根据闪存市场消息，美光发布FY2025Q2 财季业绩后表示，Mobile 客户持续优化库存水平导致其 FY2025Q2 收入环比减少，FY2025Q3mobileDRAM 和NANDbit 出货量有望获得环比增长。AI 应用的普及仍是推动 mobile DRAM 需求增长的重要动力，支持AI功能的旗舰手机 DRAM 容量普遍提升至 12GB 以上，而去年主流机型仅为 8GB。智能手机OEM 厂商正采用公司行业领先的 9.6Gbps LPDDR5X DRAM 来提升 AI 性能。
AIPC 的快速渗透持续带动高容量高性能存储需求。AIPC 正在成为提升生产力效率的重要工具，根据闪存市场消息，预计 2025 年 AIPC 的比例将达到 35%，并且在 2026 年进一步增长至45%。AI 向端侧发展的趋势已经确定，美光预计未来的 AIPC 将需要比当前 PC 多 80%的内存容量。PC 销量增长同时，也对高性能存储提出新需求。LPDDR5X 和 DDR5 成为 PCDRAM 的主要应用，其中 LPCAMM2 这些形态的存储产品也将提供更多选择。预计随着先进制程 PCIe5.0 主控芯片的量产，SSD 功耗、散热将得到有效的解决，PCIe5.0 产品在 PC 上的应用或将加速。
2）自动驾驶带动汽车存储扩张
根据闪存市场消息，随着自动驾驶的普及率提升，存储系统已从辅助部件蜕变为智能汽车的核心战略资源，车用存储迎来新的发展阶段。从 eMMC 到 UFS 到 AutoSSD，汽车存储技术的迭代速度明显加快。美光数据显示，先进的自动驾驶出租车平台已配置超过 200GB 的 DRAM，比普通汽车中的DRAM 高出20 到30倍。随着算力的提升和功能的丰富，汽车存储的带宽需求也在急剧增加，这为存储产业在汽车领域的拓展提供了广阔的空间。
