CCP+ICP 协同发展，刻蚀产品线持续扩展。
公司刻蚀设备产品体系完善，主要分为 CCP（电容耦合等离子体）刻蚀设备与ICP（感应耦合等离子体）刻蚀设备两大类。根据 2024 年报，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机 Primo SD-RIE 已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已经通过；ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 50 多个客户的生产线上量产，并继续验证更多 ICP 刻蚀工艺。两类产品协同发展，共同构成公司在刻蚀设备领域的核心竞争力。
公司在 CCP 刻蚀设备领域持续保持领先，产品线覆盖双反应台与单反应台多种型号。公司 CCP 刻蚀设备中双反应台机型 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e和单反应台机型 Primo HD-RIE 等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品 Primo HD-RIE e和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE持续获得客户订单，其中 Primo HD-RIE e在 2025 年上半年累计装机超过120 个反应台，PrimoUD-RIE 累计装机接近 200 个反应台。截至 2025 年上半年，CCP 刻蚀设备累计装机量超过4500 个反应台，较 2024 年同期增长超过 900 个反应台。其中，双反应台刻蚀产品凭借独特设计，为成熟和先进技术节点的客户提供了均衡的解决方案，持续获得批量订单，截至2025年上半年累计装机突破了 3300 个反应台。单反应台产品近年来在关键工艺取得持续突破，截至 2025 年上半年累计装机接近 1200 个反应台。
近年来，公司 ICP 刻蚀设备保持高速成长，2024 年累计装机量突
破1025个反应台，近四年年均增速超过 100%，截至 2025 年上半年累计装机接近1200 个反应台。
MOCVD 设备作为化合物半导体外延的核心装备，在光电器件、功率器件等薄膜材料制备中具有不可替代的地位。公司凭借多年技术积累，持续保持国际氮化镓基MOCVD市场领先。据 2025 年半年报，公司用于蓝光照明的 PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、以及用于 Mini-LED 显示的 PRISMO UniMax 等机型持续稳定服务客户，其中PRISMOUniMax 凭借高产量和波长均匀性优势，在高端显示外延片市场获得广泛认可并处于国际领先地位。 在新兴应用方面，公司积极跟进功率器件需求的快速增长，继2022 年推出面向氮化镓功率器件的 PRISMO PD5，截至 24 年报已交付客户生产验证，并取得重复订单后，公司正在开发新一代设备以进一步提升性能、降低成本，预计 2025 年进入客户验证。同时，公司已启动碳化硅功率器件外延设备研发，并实现阶段性技术突破，部分样机已交付国内领先客户验证。此外，公司也开展了红黄光 LED 用 MOCVD 设备的研发，实验室结果表现良好。
公司坚持自主研发模式。公司研发流程包含概念与可行性、Alpha、Beta 及量产阶段，并按刻蚀、薄膜、MOCVD 等不同产品组建独立研发团队，在机械设计、工艺开发、产品管理方面保持独立，在电气工程、平台工程、软件工程等领域实行共享，形成矩阵式管理机制。这一模式提高了研发资源配置效率，强化了与客户联合验证和工艺开发的能力。截至2025H1，公司多款新设备研发进展顺利，客户端验证表现良好。
自 2020 年以来，公司研发团队人数持续增长，研发力量不断增强。到2024年，研发人员已增至 1,190 人，较 2023 年增加 402 人，同比增长逾五成，占员工总数的47.98%。得益于高强度研发投入与国际化人才队伍，公司在刻蚀设备、薄膜沉积及MOCVD设备等核心产品领域不断取得突破，并积累了丰富的专利和产业化经验。这一研发体系不仅保障了公司产品的持续迭代升级，也巩固了其在高端半导体设备领域的竞争优势。
