1.1. PECVD 设备为基，SACVD/ALD 设备为矛
公司深耕薄膜沉积设备十二载，产品覆盖 PECVD/SACVD/ALD。拓荆科技股份有限 公司成立于 2010 年 4 月，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原 子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，拥有自主 知识产权，技术指标达到国际同类产品先进水平，产品主要应用于集成电路晶 圆制造，以 及 TSV 封装、光波导、Micro-LED、OLED 显示等高端技术领域。2011 年公司即推出 12 英寸 PECVD 到中芯国际验证，2013 年通过中芯国际产品线测试，2016 年公司首台 ALD 产品到客户端进行验证，2018 年通过客户端 14nm 产业化验证，公司的成长史很大程度 上代表了国内半导体薄膜沉积设备的国产替代历史。
PECVD/SACVD/ALD 为公司主要产品，细分品类持续拓宽。公司主要产品包括等离 子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉 积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路 制造产线，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试
公司股权结构分散，股东阵容强大，大基金是第一大股东。大基金、国投上海、中微 公司是拓荆科技前三大股东，2021 年 1 月 12 日以来，发行人第一大股东所持股股权比例 不足控股，其他股东持股比例相对分散，根据公司章程，董事会由 9 名董事组成，其中 6 名非独董，6 名非独董中国家集成电路基金有权提名 2 名（杨征帆、杨柳），国投上海 （齐雷）、中微公司分别有权提名 1 名（尹志尧），姜谦及其一致行动人有权提名 2 名（姜 谦、吕光泉）。目前，拓荆科技控股三家子公司，分别为北京、上海、海宁子公司。（报告来源：未来智库）
1.2. 存货/合同负债高增，成长性与确定性兼备
营收快速成长，受研发投入影响扣非净利尚未转正。2018-2021 年，公司营收从 0.71 亿元迅速增长至 7.58 亿元，CAGR 达 20%，其中 2021 年同比增速为 73.99%，2022Q1 公 司实现营收 1.08 亿元，同比增长 86.21%。2018-2022Q1 公司归母净利以及扣非净利方面， 除 2021 年归母净利为正外，其余均为负数，主要源于自身研发投入以及承担国家重大科 研专项产生的费用，半导体设备研发投入巨大，国际半导体设备龙头企业 ASML、AMAT、 LAM、TEL 处于较为成熟的发展阶段，每年的研发投入占营收比普遍在 10%以上，极高 的研发支出决定了半导体设备企业必须达到一定规模才能实现盈利。
毛利率持续向好，三费费用率整体平稳。2018-2022Q1，公司毛利率呈现持续上升的 趋势，2018 年毛利率为 31.67%，2022Q1 为 47.44%，累计上升 15.77pct ，2021 年全球主 流半导体设备企业 ASML/AMAT/LAM 的平均毛利率水平在 45%-55%之间，可见公司产 品在单机售价以及 BOM 物料成本的平衡上已经接近龙头企业。此外，公司三费（不含研 发）费用率整体平稳，22Q1 研发费用率较 21 年全年大幅提升的主要原因为收入季节性 较低，导致研发费用率显著升高。
存货持续攀升，其中多为已发出产品，2022 年收入增速与确定性兼备。2018-2022Q1 存货快速提升至 12.94 亿元，较 2021 年末上涨 33.50%，2018-2021 年情况，公司发出商 品占存货比重持续提升，2018 年为 51%，2021 年提升至 78%，说明公司经营情况持续向 好，下游客户需求旺盛，产品周转效率提升。假设 2022Q1 发出商品占存货比为 80%，则 截至 22Q1 已交付订单金额超过 10 亿元，可以看出公司 2022 年收入增速与确定性兼备。
预收账款/合同负债快速增长，在手订单充沛，公司快速成长能见度高。2018-2022Q1 公司预收账款/合同负债同样快速增长，2022Q1 合同负债达 7.8 亿元，较 2021 年末增长 2.92 亿元，预示在手订单充裕。
2.1. 产品性能比肩国际龙头，单价呈现上升趋势
PECVD 设备：PECVD 设备是公司核心产品，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广 泛的设备种类，公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD 设备厂商，已配适 180-14nm 逻辑芯片、19/17nmDRAM 及 64/128 层 FLASH 制造工艺需求，产品能够兼容 SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等多种反应材 料。公司已于 2018 年向某国际领先晶圆厂发货一台 PECVD 设备用于其先进逻辑芯片制 造研发产线，2020 年该厂向公司增订了一台 PECVD 设备用于其上述先进制程试产线。
ALD 设备：公司是国内领先的集成电路 ALD 设备厂商，公司的等离子体增强原子 层沉积设备（PE-ALD），在公司 PECVD 设备核心技术的基础上，根据 ALD 反应原理， 结合理论分析及仿真计算，对反应腔内的气路、关键件、喷淋头等进行创新设计公司的 ALD 设备可以沉积 SiO2 和 SiN 材料薄膜，目前已适配 55-14nm 逻辑芯片制造工艺需求。 在 PE-ALD 设备成功量产基础上，为满足 28nm 以下芯片制造所需的 Al2O3、AlN 等金属 化合物薄膜的工艺需要，公司正在研发 Thermal-ALD 设备。
SACVD 设备：拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路 SACVD 设备厂商。 公司的 SACVD 设备可以沉积 BPSG、SAF 材料薄膜，适配 12 英寸 40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的逻辑芯片制造工艺需求。
PECVD 是公司核心产品，2021 年 PECVD 设备营收占比近 90%。公司主营产品为 PECVD、SACVD、ALD 设备，其中 PECVD 为公司主力设备，2018-2021 年收入分别为 5170 万元、24772 万元、41825 万元、67543 万元，占公司营收比分别为 77.98%、100%、 97.55%、89.11%。
公司产品关键性能参数比肩国际同类设备水平，单价呈持续提升趋势。在 PECVD、 SACVD、ALD 领域，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，满足下游客户 晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求；此外，根据公司公告数据，2018-2021 年前三季度， 公司主力产品 PECVD 设备平均单价为 1293 万元、1304 万元、1349 万元、1404 万元， 单价呈持续提升态势，侧面反映了公司产品竞争力。（报告来源：未来智库）
2.2. 客户资源优质，将优享薄膜沉积设备国产化红利
公司客户覆盖国内主流晶圆厂。公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存 储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场 的垄断，与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的 28/14nm 逻辑芯片、 19/17nm DRAM 芯片和 64/128 层 3D NAND FLASH 晶圆制造产线。
客户集中度较高，与国内头部晶圆厂长期深度合作。2019-2021 年前三季度，公司前 五大客户收入占比均高于 80%，主要原因为下游客户也存在集中度高的情况，晶圆代工、 存储均为寡头垄断市场，在国内厂商中，头部厂商体量也远超过其余厂商，因此与头部客 户长期深度合作也是半导体设备企业发展的重中之重。公司与客户保持深度合作，曾获评 中芯国际 2020 年度最佳合作厂商称号、华虹宏力 2020 年度优秀供应商称号等。
复购订单验收周期短，大客户认可度高。根据公司公告，2019-2020 年公司销售给中 芯天津、中芯北京的产品中，销售机台（重复订单）的的验收周期普遍较短，均在 2 个月 以内，体现了公司成熟产品销售确认周期短，在客户端认可度高。
2019-2020 年在长存/华虹/华力中标数占比 16.65%，较国内厂商优势明显。目前，全 球半导体薄膜沉积设备市场由应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）、 先晶半导体（ASMI）等海外公司占据主导地位。在国内市场，发行人与海外行业巨头正 面竞争，根据公开招标信息披露，2019-2020 年发行人 PECVD 设备中标机台数量占长江 存储、上海华力、无锡华虹和上海积塔四家招标总量的 16.65%，与国内厂商相比，公司 成膜设备国内中标数量远远超过国内同设备厂商，在国内具有领先地位，据不完全统计， 2021 年公司 PECVD 设备公开中标数量约 13 台。在国外市场，发行人面临行业巨头已形 成的竞争壁垒，目前公司全球整体市场份额占比较低。
研发生产具有区位优势，能快速响应客户需求。公司主要客户生产基地设于大陆地 区，与 AMAT、LAM、TEL 等国际竞争对手相比，公司在北京、上海、武汉、合肥、天 津、中国台湾等 20 多个地区的近 40 条生产线都设有 24h 技术服务中心，区位优势在降低公 司运营成本的同时能够快速响应客户的客制化镀膜需求。
2.3. 研发能力强、投入高，核心团队与公司深度绑定
公司创始团队以归国海外专家为核心，立足核心技术研发，积极引进海外高层次人 才、自主培养本土科研团队。公司国际化专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度， 吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司，同时公司自主培养本 土科研团队，本土人才已成长为公司技术研发的中坚力量。公司核心专家团队技术背景深 厚，多在领先的半导体公司有多年研发经验。
全员持股建立公司发展长效机制，核心团队与公司利益深度绑定。公司股权激励覆 盖面大，且重点向研发技术人员、核心管理人员倾斜，符合半导体行业的行业特征。通过 股权激励，发行人建立健全了长效激励机制，充分调动了高级管理人员与骨干员工的工作 积极性，提高了公司的凝聚力。
坚持技术导向，研发投入占比明显超过行业平均，研发人员占比超 70%。截至报告 期末，公司研发人员共有 189 名，占公司员工总数的 44.06%。公司的研发技术团队结构 合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石， 保障了公司产品的市场竞争力。
承担多项省部级国家重大专项，彰显强大研发实力。公司先后承担了“90-65nm 等 离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”和“1x nm 3D NAND PECVD 研发及产业化” 等 4 项国家重大科技专项/课题，已研发了支持不同工艺型号的 PECVD、ALD 和 SACVD 设备，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了 具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，体现了公司强大的研发实力。
研发成果转换率高，知识产权自主可控，核心技术产品收入占比维持 95%以上。拓 荆科技自设立以来，坚持自主创新，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权 体系。截至本招股说明书签署日，拓荆科技累计已获授权的专利 173 项（境内 152 项，其他国家或地区 21 项），其中发明专利共计 97 项（境内 76 项，其他国家或地区 21 项）。 2018-2019 年前三季度，公司累计核心技术产品收入占总营收。（报告来源：未来智库）
2.4. 募投扩充产能+加码新品研发，未来成长可期
募投 10 亿用于扩产、研发，提升公司未来竞争力。公司 IPO 募资 10 亿用于高端半 导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD 设备研发与产业化项 目和补充流动资金。公司将在现有产品基础上，开展配适 10nm 以下制程的 PECVD 产品 研发；丰富 ALD 设备产品线，开发 Thermal-ALD 和大腔室 PE-ALD；升级 SACVD 设备， 研发 12 英寸满足 28nm 以下制程工艺需要的 SACVD 设备。公司计划利用募集资金扩大 现有生产基地产能、新建贴近市场的研发生产基地，提高公司的研发条件和产能水平，提 升公司在行业内的竞争力。
高端半导体设备扩产项目（沈阳）：本项目将在公司现有的半导体薄膜设备研发和生 产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。二期洁净厂 房建设主要为千级洁净厂房，设计规模为 2,600 平方米左右，预计建设期 2 年。公司当前 第一期工厂生产能力可实现年产 100 台套，全部投产可达 350 台套设备。
先进半导体设备的技术研发与改进项目（沈阳）：本项目研发内容主要包括面向 28nm-10nm 制程 PECVD 设备的多种工艺型号开发、面向 10nm 以下制程 PECVD 设备的 平台架构研发及 UVCure 系统设备研发。通过在集成电路生产厂商进行生产线验证，实现 产品的产业化，进一步提升产品技术水平和拓展产品应用领域，推动公司业务规模的持续 增长，预计建设期 3 年。
ALD 设备研发与产业化项目（上海临港）：本项目拟在上海临港新片区购置整体厂 房，进行装修改造，购置研发设备及生产设备，建设新的研发及生产环境，项目实施主体 为公司全资子公司拓荆科技（上海）有限公司。项目建成后，将作为公司 ALD 产品研发 及产业化基地。公司当前在 ALD 设备领域积累了多项核心技术，可为晶圆制造客户提供量产的 SiO2 工艺型号 PE-ALD 设备。项目拟通过开展系列技术研发，基于公司现有 ALD 设备技术基础，开发面向 28nm-10nm 制程的 ALD 设备平台架构，发展多种工艺机 型，同步开发不同腔室数量的机台型号，满足逻辑芯片、存储芯片制造不同的工艺需求， 提升公司 ALD 产品工序覆盖度，并进行规模化量产，预计建设期 3 年。
先进制程设备将优先用于中国台湾客户拓展。中国台湾是全球半导体产业的重要区 域，分布着台积电、联电等多家技术水平领先的晶圆制造厂商，是仅次于中国大陆的半导 体设备市场，公司将着力推进先进制程研发产线、试产线设备验证，推动相关设备实现销 售，并以此为突破口，积极拓展更多中国台湾地区客户，扩大公司产品在全球的市占率。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
