1.1、深耕PVD镀膜材料二十余载，布局PET铜箔业务
国内 PVD 镀膜材料领域的龙头。阿石创成立于 2002 年，总部位于福建福州。 公司从事 PVD 镀膜材料的研发、生产与销售，自主研发 200 多款高端镀膜材料， 主要产品包括 ITO、钼、铜、铝、硅、钛、钽及各类合金与稀有金属靶材。公司 为国内 PVD 镀膜材料行业设备齐全、技术先进、产品多元化的龙头企业之一。 公司产品下游覆盖光学、光伏、半导体、平板显示等多个领域，客户包括京东方、 华星光电、水晶光电、舜宇光学、群创光电等一线龙头企业。
公司在 PVD 镀膜材料领域发展已有 20 年，成长可分为四个阶段： 1）精密光学镀膜（2002-2010 年）：公司成立于 2002 年，先期以生产蒸镀材 料为主，2007 年进入溅射靶材市场，产品均主要应用于精密光学元件镀膜。2009 年，公司正式成为光学光电子行业协会会员单位。 2）显示面板及半导体领域（2010-2017 年）：公司持续升级并开发新的溅射靶 材和蒸镀材料，开始研发平板显示所用溅射靶材，成为蓝思科技、伯恩光学等公 司供应商，业务拓展至平板显示行业。2015 年，公司自主研发的高纯钼靶导入 一线面板厂。在此基础上，公司蒸镀材料市场进一步拓展至 LED、半导体行业。
3）IPO 上市推动发展质的飞跃（2017-2022 年）：2017 年公司成功登陆 A 股 创业板，助力公司发展迎来质的提升。2019 年，公司长乐临空生产基地正式投 产，生产线具备年产 350 吨铝靶材、800 吨钼靶材以及 50 吨硅靶材的产能。同 年，公司研发布局多年的 ITO 靶材（氧化铟锡）获得“中国有色金属工业科学 技术奖”、“福建省科技进步一等奖”。2020 年，公司半导体芯片用靶材开始 投产。 4）PET 铜箔及光伏 ITO 靶材双轮驱动，未来发展迎广阔空间（2022 年起）： 公司布局近十年的 ITO 靶材业务，未来有望充分受益于光伏异质结的产业化浪 潮。基于 PVD 镀膜领域丰富的技术积累与经验，公司 2022 年正式布局 PET 铜箔业务，并于 10 月完成设备选型和下定的工作，未来 PET 铜箔业务有望成为公 司发展的核心推动力。
发展以研发创新为本，技术实力不断提升。公司现具备真空镀膜机、烧结系统、 等离子喷涂设备、电子束焊机等主要生产设备 250 余台（套），GDMS 质谱仪、 扫描电镜、光谱仪、真空镀膜机等研发和检测设备 100 多台（套）；公司设立 研发中心，集研发、检测为一体。目前，公司已累计获得授权专利百余项，获得 国家级高新技术企业、工信部“专精特新”小巨人企业等荣誉。 创始团队专业背景深厚，股权结构十分稳定。陈钦忠、陈秀梅夫妇为公司控股股 东暨实际控制人，截至 2022 年三季报，双方总计持有上市公司股份 39.10%， 股权结构十分稳定。公司管理层团队在 PVD 镀膜材料领域的背景十分深厚，创 始人陈钦忠先生凭借着多年的行业实践经验，带领公司研发团队共同研发了多项 专利技术。目前，公司在福建、江苏、台湾等都设有生产基地。
公司的核心竞争实力——对于 PVD 镀膜技术的复合理解力以及应用拓展力。公 司从成立至今一直专注于 PVD 镀膜材料领域，累计服务全球范围超 400 家客户， 涵盖光学、光伏、半导体、平板显示等多个领域。在这个过程中，不仅在材料端， 公司在设备端也积累了丰富的技术经验，并具备丰富的膜层设计、膜系分析经验。 这些均为公司的发展核心竞争力，也是未来拓宽 PVD 应用场景、建设 PVD 应用 新项目的核心支持力。
1.2、厚积薄发，未来有望步入高速成长期
公司收入主要来源为 PVD 镀膜材料，主要下游为平板显示、光学等应用领域。 公司主营产品为 PVD 镀膜材料，包含蒸镀材料与溅射靶材，下游客户主要分布 于平板显示、光学、节能玻璃等行业。2021 年，公司实现营收 6.10 亿元，分产 品来看，溅射靶材、蒸镀材料两大产品营收占比分别为 59.65%、24.40%；分 应用领域来看，平板显示、光学、节能玻璃三大应用领域营收占比分别为 33.90%、 25.24%、17.48%。
2021 年公司业绩扭转此前下滑趋势，迎来拐点。2017-2020 年，公司营收自 2.36 亿元提升至 3.54 亿元，主要是溅射靶材产品收入自 1.85 亿元提升至 2.47 亿元， 以及蒸镀材料产品收入自 0.43 亿元提升至 0.73 亿元；但受毛利率下滑影响，公 司净利润自 2018 年起连续下滑。2021 年，公司营收、净利润均出现显著改善， 公司实现营收 6.10 亿元，同比增长 72.43%；实现归母净利润 1,766.08 万元， 同比增长 201.14%。2022 前三季度，公司营收、净利润仍维持稳定增长，公司 实现营收 4.98 亿元，同比增长 15.91%，实现归母净利润 1,618.23 万元，同比 增长 32.31%。
预计伴随平板显示行业景气度提升，及公司产能利用率爬坡，公司盈利能力有望 改善。2017-2021 年，公司毛利率自 34.71%下滑 17.1pct 至 17.61%，净利润 率自 17.38%下滑 13.09pct 至 4.29%。公司此前业绩持续下滑的主要原因包括： 第一，公司为拓展平板显示行业业务，对平板显示行业投入了较多资源，固定资 产和人员投入的大幅增加导致了成本、费用的上升；第二，部分原材料市场价格 下降、平板显示行业周期性调整导致产品价格下降。当前，公司平板显示行业产 品的盈利能力已获得显著改善。
2021 年，在平板显示行业景气度提升及公司产 能利用率提升的双重推动下，公司平板显示行业营业收入增长 64.34%，毛利率 同比提升 10.32pct 至 23%；2022H1，受疫情影响，海外靶材供应商供货进度 不及预期，下游客户加大向国内靶材供应商的采购量，公司临空工厂产能利用率 得到有效释放，公司平板显示行业产品毛利率进一步提升至 24.62%。
公司十分注重内部激励，推出 2022 年股票激励计划。2022 年 9 月，公司公告 限制性股票激励计划（草案），公司拟向激励对象授予限制性股票 153.00 万股， 其中首次授予限制性股票 133.00 万股。首次授予激励对象限制性股票的授予价 格为 11.48 元/股，激励对象总计 44 人，包括公司董事、高级管理人员、中层管 理人员及核心技术(业务)人员。公司激励措施绑定核心骨干，未来业绩高速增长 可期。 卡位下一代革命技术浪潮，业绩高成长可期。光伏异质结技术，为下一代的商业 光伏生产候选技术，可大幅扩容 ITO 靶材市场。公司布局 ITO 靶材业务近十年， 未来有望充分受益光伏异质结浪潮。同时，公司基于 PVD 镀膜领域丰富的技术 积累与经验，于 2022 年正式布局 PET 铜箔业务，有望成为未来发展的核心动力， 从而推动业绩实现高速增长。
2.1、物理气相沉积（PVD）：一种优势显著的真空镀膜技术
PVD 技术的介绍：PVD，即物理气象沉积，为制备薄膜材料的主要技术之一，指 在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成气态原子、分子或部分电离 成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基板材料表面沉积具有某种特 殊功能的薄膜材料的技术。在 PVD 技术下，用于制备薄膜材料的物质，统称为 PVD 镀膜材料。经过多年发展，PVD 技术已成为目前主流镀膜方法，主要包括 溅射镀膜和真空蒸发镀膜。
真空蒸发镀膜工艺的优势在于速度快，适用于小尺寸基板的镀膜。真空蒸发镀膜 是指在真空条件下，利用膜材加热装置（称为蒸发源）的热能，通过加热蒸发某 种物质使其沉积在基板材料表面的一种沉积技术。被蒸发的物质是用真空蒸发镀 膜法沉积薄膜材料的原材料，称之为蒸镀材料。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、 操作方便、成膜速度快等特点，是应用广泛的镀膜技术，主要应用于小尺寸基板 材料的镀膜。
溅射镀膜工艺在性能方面优势显著，均匀性好。溅射镀膜是指利用离子源产生的 离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度的离子束流，轰击固体表面，离子 和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基板材料表 面的技术。溅射镀膜工艺的优势在于，可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基 板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材 料的结合力强等优点，已成为制备薄膜材料的主要技术之一，各种类型的溅射薄 膜材料已得到广泛的应用。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜材料的原材料，称为溅射靶材。随着溅射镀膜 工艺的不断推广，溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求也在逐年增加，溅 射靶材亦已成为目前市场应用量最大的 PVD 镀膜材料。
2.2、溅射靶材：泛半导体领域制备功能薄膜的核心原材料
溅射靶材，简称“靶材”，是半导体、显示面板、光伏等领域制备功能薄膜的核 心原材料，具备十分重要的作用。溅射靶材纯度为 99.95%以上，更换不同靶材 可得到不同的膜系，从而实现导电或阻挡等功能。溅射靶材具有高纯度、高密度、 多组元、晶粒均匀等特点，一般由靶坯和背板（或背管）组成。 溅射靶材的种类较多，应用范围也十分广泛。相同材质的溅射靶材也有不同的规 格。同时，溅射靶材的应用领域极其广泛，对制备材料的选择和性能要求存在一 定的差异。
面板及光伏领域的靶材，对比半导体有不同的高标准。半导体芯片对溅射靶材的 金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过 程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品。而对比半导体芯 片，面板及光伏领域对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸 的增大，面板及光伏对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。 靶材产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用四大环节。其中， 靶材制造和溅射镀膜环节是整个溅射靶材产业链中的关键环节。靶材制造工艺主要包括熔炼铸造法和粉末烧结法。其中，常用的熔炼方法有真空 感应熔炼、真空电弧熔炼和真空电子轰击熔炼等；常用的粉末冶金工艺包括热压、 真空热压和热等静压（HIP）等。两种工艺都有着各自的优缺点。
全球靶材市场处于外资寡头垄断的格局。由于溅射镀膜工艺起源于国外，所需要 的溅射靶材产品性能要求高、专业应用性强，因此，长期以来全球溅射靶材研制 和生产主要集中在美国、日本少数几家公司，产业集中度高，以霍尼韦尔（美国）、 日矿金属（日本）、东曹（日本）等为代表。这些企业，经过几十年的技术积淀， 凭借其雄厚的技术力量、精细的生产控制和过硬的产品质量居于全球溅射靶材市 场的主导地位，占据绝大部分销售市场份额。
突破技术垄断，我国靶材产业国产化取得巨大进展。近年来，受益于国家从战略 高度持续地支持电子材料行业的发展及应用推广，我国国内开始出现专业从事溅 射靶材研发和生产的企业。通过将溅射靶材研发成果产业化，积极参与溅射靶材 的国际化市场竞争，我国溅射靶材生产企业在技术和市场方面都取得了明显的进 步，目前已经改变了溅射靶材长期依赖进口的不利局面。其中，国产高纯金属钼 靶材、ITO 靶材已实现技术突破，依靠国内原材料高纯钼粉、高纯铟等既有资 源优势，已经具备相对有竞争力的产业优势。
2.3、ITO靶材：技术门槛极高，国产渗透率提升正当时
TCO 薄膜材料介绍：透明导电氧化物（Transparent Conductive Oxide,TCO） 是一种在可见光光谱范围（380nm < λ < 780nm）透过率很高且电阻率较低的薄 膜材料。TCO 薄膜材料主要有 CdO、In2O3、SnO2 和 ZnO 等氧化物及其相应的 复合多元化合物半导体材料。TCO 的应用领域非常广，主要用于液晶显示器的 透明电极、触摸屏、柔性 OLED 屏幕、光波导元器件以及薄膜太阳能电池等领域。
TCO 薄膜材料的发展历史：由单一金属氧化物向多元化合物材料的升级。早期， TCO 材料主要基于 In2O3、SnO2 和 ZnO 这三种体系，但一种金属氧化物薄膜的 性能由于材料包含元素固有的物理性质不能满足人们的要求。为了优化薄膜的化 学和光电性质，实现高透射率和低电阻率，20 世纪 90 年代，日本和美国一些科研机构开始了两种以上氧化物组成的多元化合物材料的研究与开发，通过调整成 分与化学配比来获得所需的 TCO 材料。目前，应用最多的几种 TCO 材料是：氧 化铟锡（ITO, In2O3: Sn），掺铝的氧化锌（AZO,ZnO: Al），掺氟的氧化锡（FTO, SnO2: F），掺锑的氧化锡（ATO, Sn2O: Sb）等。
ITO 透明导电膜是性能最优异的 TCO 薄膜。ITO 在一般情况下为体心立方铁锰 矿结构，是基于 In2O3 晶体结构的掺杂。在透明导电氧化物薄膜中，ITO 具有很 高的可见光透射率（90%），较低的电阻率（10-4~10-3Ω∙cm），较好的耐磨 性，同时化学性能稳定。因此，ITO 在 TCO 薄膜中性能最为优异。
ITO 薄膜在面板显示中起着极其重要的作用。液晶显示器之所以能显示特定的图 形，就是利用导电玻璃上的 ITO 透明导电膜，经蚀刻制成特定形状的电极，上 下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加适当电压信号，使具有偶极矩的液晶 分子在电场作用下特定的方面排列，进而显示出与电极波长相对应的图形。因此， ITO 透明导电膜的好坏决定了导电玻璃产品质量、生产效率及成品率，而 ITO 透 明导电膜的性能又与 ITO 靶材息息相关。ITO 靶材是将氧化铟和氧化锡粉末混合 后经过成型步骤，在高温下烧结得到的黑灰色半导体陶瓷。
ITO 靶材的技术难度在所有靶材中最高。对比金属靶材，ITO 靶材的壁垒要高很 多。金属靶材本身是一种纯金属材料，只需要提高纯度即可。但是 ITO 靶材本 质是一种陶瓷——氧化铟锡，它内部的晶体结构，需要工艺技术搭配出来，制造 过程中 ITO 的透光率、导电率、硬度、平整度、纯度等都是有一定的要求，比 金属靶材工艺复杂很多，所以在所有靶材里 ITO 靶材是难度最高。从结果上来 看，面板行业发展了这么多年，本土企业晶联光电也仅仅是在 20-21 年才开始实 现批量供货，国产化的进展十分缓慢。目前国内仍有 90%的份额由日韩企业供 应，本土企业实现进口替代的空间很大。
面板市场：平面显示产业对于ITO靶材需求拉动放缓，增长主要来源于光伏领 域。根据中国光学光电子行业协会液晶分会，2019 年至 2021 年我国ITO靶材 市场容量从639吨增长到 1,002 吨，年复合增长率为 25.22%。根据中国光学光 电子行业协会液晶分会预测，未来2-3 年内，虽然国内平面显示行业的固定资 产投资增速将有所放缓，但由于平面显示行业的存量需求及太阳能光伏电池的增 量需求，国内ITO靶材市场容量仍将保持一定幅度的增长。
竞争格局：外资长期垄断，国产化渗透率提升正当时。ITO 靶材技术门槛十分高， 被列为 35 项“卡脖子”技术之一。截至 2019 年，日韩供应商的国内份额占比 依然在 90%，其中日矿和三井占据了高端 TFT-LCD 市场用 ITO 靶材的大部分份 额。自 21 世纪以来，国内宣布进入 ITO 靶材领域的企业超过 20 多家。经过多 年的不断积累，近年来本土企业在面板领域开始不断取得突破，未来有望打破长 期以来国外垄断的局面，解决 ITO 靶材“卡脖子”的问题。虽然未来面板 ITO 靶材市场规模维持平稳，但是在进口替代的趋势下，本土企业产品渗透率有望加 速提升。
2.4、光伏异质结商业化可期，有望大幅扩容ITO靶材市场
2.4.1、异质结技术：下一代商业光伏生产的候选技术
技术进步是加速光伏行业发展的重要推动力。光伏电池行业本质上一个技术密集 型的产业，作为战略性新兴行业，科学技术发展是光伏行业发展的根本。目前行 业内主流的先进技术有异质结太阳能电池（HIT）、TOPCon（隧穿氧化层钝化 接触）、金属穿透（MWT）技术、全背电极接触晶硅光伏电池（IBC）技术、湿 法黑硅（MCCE）技术、背面钝化（PERC）技术等等。
异质结技术兼备硅片与薄膜电池两者的优势。按照光伏电池片的材质，太阳能电 池大致可以分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。而异质结（HIT）电池则 是基于硅片的太阳能电池技术和薄膜光伏技术的融合体，兼具两者的优点。异质 结电池具备了晶体硅太阳能电池的光吸收性能和薄膜电池的钝化特性。从结构上 来说，异质结就是指由两种不同的半导体材料组成的结。它是在单晶硅基板的两 面沉积上薄膜硅，形成 pi 结和 ni 结的双结高效率太阳能电池。
异质结电池具备高转换效率、工艺结构简单等多重优势。我们认为异质结有望成 为下一代商业光伏生产的候选技术之一，主要由于其具备多种性能优势。异质结 技术具备更高的转换效率，目前最高可以达到 25.6%，叠加 IBC 可以达到 26.63%；具有更高的双面性，从理论上看，双面率可以达到 98%；更低的衰减， 无 PID\LID 问题；较低的温度系数，可以达到-0.25%，常规晶硅电池为-0.46%； 更适合与叠瓦技术相结合，HIT 电池柔性不易隐裂。另外，还存在低度电成本、 寿命周期长、产品应用范围广等特点。
异质结技术经过多年积累发展，电池效率连续获得突破。异质结技术发展时间较 长，早在 1989 年，日本三洋公司首次将本征非晶硅插入硅片和掺杂的非晶硅层 之间，取得了实质性突破，并随后申请注册为商标，当时电池效率就达18.1%。 2012年三洋被松下收购。2013年 2 月，三洋 HIT 转换效率最高已达 24.7%。 2016年，日本 Kaneka 公司通过在异质结电池结构中结合 IBC 电池结构，实现 了 26.63%的高转换效率，创下了当时最高的 HIT 纪录。
异质结技术的发展可以分为四个阶段：起始阶段、初步发展阶段、工业生产阶段、 商业化阶段。早在 1974 年 Walter 首先提出了异质结结构，1989年三洋首次将 本征非晶硅插入硅片和掺杂的非晶硅层之间，取得实质性突破，并申请专利。 1996 年，三洋申请了将晶体衬底夹在本征和非晶硅薄膜之间的结构专利，这便 是 HIT 电池结构，1997年 HIT 被三洋申请注册商标。2008 年，Meyer Burger 在瑞士建立异质结技术的研发中心。2010年之后，异质结技术的效率不断提升。 多家公司在近年来开始关注异质结，并投入试生产线，其中晋能于 2017 年投入 了规模最大的试生产线（100MW），异质结的发展也正式步入商业化阶段。
异质结技术不仅具备优异的转换效率，而且生产工艺步骤相对简单。首先，与常 规电池处理一致，对机械切割后的硅片表面进行蚀刻、制绒处理。随后，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一 步，开始制备 TCO 薄膜，TCO 的制备主要通过物理气相沉积（PVD）技术的溅 射来完成。最后，在 TCO 顶部进行表面金属化处理，便可得到异质结电池。
深挖降本增效空间，异质结商业化推广可期。当前来看，异质结技术在各方向均 存在一定的降本增效空间。N 型硅片方面，伴随着隆基、中环双龙头的推动，未 来与 P 型硅片的价差有望大幅缩窄，同时硅片也更加薄片化。生产设备方面， 未来伴随着国产设备的崛起，单机设备产能的提高，异质结技术的 CAPEX 有望 实现 50%的降幅，降低与 PERC 技术设备投资的差距。Meyer Burge 对于不同 的光伏电池技术的发电量和 LCOE（风电平准化度电成本）进行比较。22.5%以 上 转 换 效 率 的 异 质 结 电 池 ， 年 发 电 量 可 以 达 到 1787kWh/kW， 显 著 高 于 1594kWh/kW 的双面 PERC 技术。与此同时，异质结的 LCOE 成本最低，每千 瓦时仅为 3.88 美分，对比双面 PERC 的成本则为 4.16 美分。
2.4.2、光伏异质结产业为ITO靶材带来更为广阔市场
薄膜沉积是异质结电池生产工艺中的核心步骤。不同于过去的 PERC 等电池技 术，异质结电池需要正反面各镀一层 TCO 薄膜。异质结工艺需要 PECVD 和 PVD 两种沉积设备，分别沉积本征及掺杂非晶硅薄膜、TCO 薄膜。TCO 薄膜目前主 要采用 PVD 设备完成。透明导电氧化层 TCO 薄膜，位于异质结电池的两侧，主 要用作减反层及横向输运载流子至电极的导电层。TCO 薄膜质量影响横向电荷 的收集，因此制备 TCO 薄膜也是异质结工艺的一个关键步骤，目前一般采用溅 射方法，通过 PVD 设备完成。目前，迈为股份、Von Ardenne、Meyer Burger、 钧石能源、Singulus 为业内领先的 PVD 设备厂商。
氧化烟锡（ITO）为最常用于制备 TCO 薄膜的材料，因此生产过程中需要大量 的 ITO 靶材。ITO 为氧化烟和氧化锡的混合晶体，由于存在大量的载流子，因此 呈现出透明导电的特性。用在异质结正面的薄膜要求：增加透过，增加电子迁移 率，减少方阻；用在背面的薄膜，除导电外，降低接触电阻，而接触电阻降低会 直接导致银浆用量减少，进而降低电池成本。 光伏 ITO 靶材技术水平与面板靶材大同小异。光伏电池生产过去是不需要用靶 材的，从异质结电池开始使用。TOPCON 后续优化性能也可能使用。异质结电 池主要使用旋转靶材，可以使用国产的靶材。异质结靶材的整体技术与面板靶材 技术，大同小异。异质结膜层可以接受断点，相比面板靶材没有技术附加值，主 要是成分含量比例的调整。
光伏异质结产业为 ITO 靶材行业带来增量空间。异质结电池因其具备能量转化 高、成本降低空间大等核心优势，被广泛认为是下一代主流电池片技术之一，产 能扩张迅速。根据中国光伏行业协会及智研咨询数据，2021 年全球异质结规划 产能已达到 148.2GW，其中已建成产能为 6.35GW，在建/待建产能 141.9GW。 ITO 靶材需求有望受益于异质结产业化的推进而持续增长。
2.5、阿石创：竞争优势显著，未来发展值得期待
自主研发多款高端镀膜材料产品，多个下游应用场景不断突破。阿石创公司从研 发应用于精密光学元件镀膜的蒸镀材料起步，通过不断探索 PVD 镀膜材料的新 材质、新配方和新工艺，持续拓展产品种类和应用领域，目前已自主研发 200 多款高端镀膜材料，下游客户主要分布在平板显示、光学光通讯、节能玻璃等行 业，未来公司有望在光伏、半导体领域不断取得突破。
技术优势为公司发展的根本。公司建有福建省镀膜靶材企业工程技术研究中心和 专家工作站，技术团队深耕于 PVD 镀膜材料行业的技术研发与创新。目前，公 司掌握了丰富的 PVD 镀膜材料制备工艺技术，具备多样化靶材绑定技术、以及 背板精密加工技术。经过多年的产品技术攻关与市场拓展，公司已建立较为全面 的产品供应体系，产品品种丰富。 平板显示领域，公司力争实现靶材全品类一站式供应。2015 年，公司的靶材产 品逐渐导入一线面板厂，在平板显示领域获得快速发展。2022 年，公司打通铜、 铝靶材等产品原料的自主熔炼，实现金属靶材制备工艺的全流程覆盖。同时，公 司加快推进 ITO 扩产计划，最终目标实现平板显示用 ITO、钼、铜、铝靶材的一 站式供应，并推动差异化的配套服务。
光伏领域，公司积极推动 ITO 靶材在异质结领域的应用。ITO 靶材被列为 35 项 “卡脖子”技术之一，技术门槛极高，国内市场长期为日韩企业所垄断。公司对 于 ITO 靶材研发布局多年，2017 年 ITO 靶材量产线投产。光伏异质结商业化未 来有望带动 ITO 靶材广阔的新增市场，公司积极推动 ITO 靶材的扩产与验证。
持续提升常州苏晶持股比例，强强联合。常州苏晶主营产品是钼靶和铝靶，主要 提供给京东方、龙腾光电、台湾友达、台湾群创等知名企业。常州苏晶是面板显 示靶材领域的重要本土企业之一，深耕面板显示靶材领域多年。近年来阿石创通 过收购不断提升对常州苏晶的持股比例，增强公司对常州苏晶控制力。根据公司 2022 年 1 月公告，全资子公司顶创控股持有常州苏晶 52.8748%的股权。公司 与常州苏晶的合作有助于公司进一步提升平板显示靶材领域的市场份额，也有助 于公司拓展海外市场。
3.1、复合集流体技术助力锂电池安全降本，PET铜铝箔产业化进程开启
电解铜箔存在容量降低、电池热失控等安全隐患。在锂电池行业中，目前主流采 用的负极集流体为厚度 6-9um 左右的纯铜电解铜箔。电池充放电使用过程中， 负极材料体积也随之变化，作为负极集流体的铜箔也会不断拉伸收缩，负极材料 可能脱落引起容量降低、性能下降、电阻增加、产热增加等安全隐患。另外，电 池由于枝晶生长、外力等原因受损引起热失控后，存在电池爆燃的安全风险。复 合集流体就像一个保险，针刺后针刺位点迅速断开，从而保证了电池的安全。 PET 复合铝膜和铜箔是传统锂电池集流体（铝箔和铜箔）的良好替代材料，对 锂电池能量密度提升，安全性提升，成本降低具有重要的意义，市场前景广阔。 并且该技术具备较大的普适性，复合铜箔、铝箔等其他复合膜材料也能使用该技 术。
复合铜箔是在厚度 4~6 微米的塑料薄膜表面先采用真空沉积铜的方式，制作一 层约 30-50 纳米的金属层，将薄膜金属化，然后采用水介质电镀的方式，将铜层 加厚到 1 微米，复合铜箔整体的厚度在 5～8 微米之间，来代替传统的电解铜箔。 PET 复合铜箔能节省约 2/3 的铜，显著降低材料成本，实现量产后进一步扩大 电芯的降本空间。PET 复合铜箔和传统铜箔相比，具有 4 大优点： 1、高安全：复合铜箔中间的塑料隔膜层可以大大提高电池的燃烧安全性。 2、高比容：同等情况下，铜的用量只有原来的 1/3~1/5，部分铜替换成塑料， 带来电池重量的减轻，从而增加电池的能量密度； 3、长寿命：减少金属收缩引起的活性物质脱落，能提升电池循环寿命； 4、强兼容：适用于锂电池的环境。
国产化设备突破工艺难点： 复合集流体的难点在于有机高分子和无机金属的紧密复合。关键工艺主要可分为 两步，第一步真空磁控溅射，采用 PVD（物理气相沉积）方法在 4.5um 厚度的 PET 表面溅射一层几十 nm 的金属，第二步再采用离子置换的方法增厚表面的 金属层，形成的铜厚度约 900nm。 PVD 工艺是复合集流体技术的关键，目前的工艺分为蒸镀法、溅射法和离子镀 法。其中蒸镀法包括电子束加热、感应加热、连续送丝。PVD 技术在半导体领 域应用已经较为成熟。离子置换与传统电镀的方法具备技术相通性，只是药液成 份较为简单、只涉及铜一种重金属。
PET 镀铜与传统铜箔工艺相比，工艺优点主要有： 1、工艺流程大大缩短，采用真空镀膜工艺形成膜面作为阴极，可直接在离子置 换设备中反应，且真空工序无污染，而铜箔的溶铜电解工艺有污染物排放； 2、采用新型的药剂体系，规避了氰化物等剧毒物质，使生产过程的排污量更好， 污染物也更容易处理； 3、抗氧化采用有机抗氧化液，抗氧化直接进行烘干工艺，药剂进行循环使用。 避免了金属污染物的排放。总结：复合集流体是近年来安全技术的一个重要突破，该技术的使用领域可拓展 至复合铜箔、复合铝箔等其他膜材料，具备较大的降本与提高能量密度的空间。 PET 铜箔、铝箔未来几年产业化进程有望加速，达到电池 GWh 级别对应的量产 规模。PET 铜箔的技术核心在于 PVD 工艺，深耕 PVD 镀膜材料领域 20 余年的 阿石创，正式布局 PET 铜箔业务，未来有望发展为公司核心增长动力。
3.2、阿石创：技术同源，全力布局PET铜箔业务
丰富的 PVD 镀膜经验为公司发展 PET 铜箔业务的强力基础。公司深耕 PVD 镀 膜材料领域二十余年，产品应用领域从光学到节能玻璃，再到 LED 与显示面板、 光伏与半导体等，在设备端、工艺端积累了丰富的 PVD 镀膜经验。对各类镀膜 设备有其独特的理解与感悟，在材料膜层设计、膜系分析沉淀了丰富经验，这些 为公司开拓 PET 铜箔业务的基础。 穿孔与鼓包是当前 PET 铜箔制作工艺的痛点。现有复合金属箔的制程是溅射+ 电镀增厚，或者通过蒸镀直接成型。复合金属箔的基材为 PET 或者 PP。现行工 艺存在几大难题，导致无法实现大规模量产： 1）成膜后膜层牢固度不佳； 2）镀膜过程中造成的基膜变形鼓包，穿孔甚至断裂； 3）成膜后膜层的均匀性以及点渍较难控制； 4）镀膜腔体内部零部件出现因镀膜产生的杂质堆积； 5）为实现低方阻而增加膜厚，进而导致基膜碳化，延展性下降。
PET 铜箔工业化生产的难点在于 PVD 溅射镀膜环节。PET 铜箔工艺，主要由 PVD 溅射镀膜、离子置换增厚两大工序构成。其中，第二大工序离子置换，与 传统电镀的方法具备技术相通性，技术较为成熟。PVD 溅射镀膜则成为当前的 技术难点，也是 PET 铜箔商业化的技术核心障碍。公司的核心竞争力在于对 PVD 镀膜技术的复合理解力以及应用拓展力。
公司丰富的 PVD 镀膜经验，正好对应 解决当前 PET 铜箔的技术难点，公司未来有望实现 PET 铜箔的量产。 公司从材料、设备等角度入手，系统性解决当下存在的技术难点。 在材料方面，解决方案主要体现在打底层材料的设计与溅射/蒸镀材料的选用。 由于复合集流体的基材为 PP、PET 等树脂类材质，与铜粘附力差，因此需要用 新型打底层材料作为过渡层。通过设计特殊靶材，提高溅射速率和成膜均匀性， 可以提高底层薄膜导电率，同时减少溅射过程高能离子对基材的损伤。
在设备方面，解决方案主要体现在对腔体内部的温度控制。现有卷对卷设备厂商 对薄膜基材的张力控制已经具备一定的基础，但是在腔体内部的温度控制方面仍 有技术难度。目前主要的解决方案是通过溅射（蒸发）功率匹配、溅射（蒸发） 源数量与倾角的设计、冷却中鼓接触面特殊设计等方案，降低腔体内镀膜温度。 冷却中鼓作为温度控制的关键部件，需要对接触面的中鼓形状、表面材料、静电 吸附等进行特殊设计。最终目的为实现基膜贴附性和冷却保护的结合，解决镀膜 过程中出现的基膜变形、鼓包断裂等问题，并减少反复升降温次数，避免退火效 应导致基膜碳化失去延展性的问题。
从以下四个方面有望解决腔体内部温度控制的问题： 1）对回镀区域零部件设计以及表面特殊处理； 2）提升镀膜过程中产生杂质的吸附效果； 3）控制成膜过程中的点渍； 4）减少开腔清洁次数，提升量产效率。 签署设备采购协议，PET 铜箔业务取得关键进展。根据公司公众号新闻，2022 年 10 月，公司与东威科技、腾胜科技正式签署复合铜箔设备装备协议，完成了 设备选型和下定的工作。公司未来继续保持与下游电池厂商的技术交流，并根据 反馈进行设备、工艺等方面的调整与改进，提高复合铜箔产线的良率与生产效率。
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