2023年源杰科技研究报告 国内领先的光芯片IDM平台

源杰科技:国内领先的光芯片 IDM 平台

陕西源杰半导体科技股份有限公司成立于 2013 年 1 月 28 日,专注于进行高速的半导 体光芯片的研发、设计和生产。公司自 2013 年 12 月推出第一款 2.5G DFB 产品开始,通 过自主研发,目前产品已经涵盖从 2.5G 到 50G 磷化铟激光器芯片,拥有完整独立的自主 知识产权,从最终的使用场景来看,产品广泛应用于光纤到户、数据中心与云计算、5G 移动通信网络、通信骨干网络和工业物联网等。经过多年的稳健发展,公司产品的技术先 进性、市场覆盖率和性能稳定性位居行业前列。

公司主要产品为 2.5G、10G、25G 及更高速率激光器芯片系列产品。光芯片是光模 块中的核心组件,其能够将电信号转化为光信号,实现光信号作为载体的信息传输。目前 公司产品主要应用于光通信领域,具体包括光纤接入、4G/5G 移动通信网络以及数据中心 等。

股权结构:创始人控股且控制权稳定,产业资本参股助力公司长期稳定发展。实控人 是公司董事长兼总经理张欣刚,公司 IPO 发行后直接持股 12.58%,并通过控制欣芯聚源 以及与张欣颖、秦卫星、秦燕生签署《一致行动协议》的方式,合计控制公司 28.40%的 股权。其中欣芯聚源(持股比例为 1.52%)为公司员工持股平台,有助于调动员工的积极 性和创造性,促进公司的生产经营。其中前十大股东宁波创泽云以及先导光电均有中际旭 创参与(其中宁波创泽云为中际旭创控股),哈勃投资为华为投资控股的全资子公司,产 业资本深度参与,我们认为有利于公司长期稳定发展。

核心管理团队专业出身,海外任职经历丰富,助力公司研发/业务快速推进。董事长兼 总经理张欣刚、副总经理潘彦廷和陈文君、财务总监陈振华和董事会秘书程硕等多位高管人员均有丰富的行业从业经验,有助于保证公司的经营管理效率。董事长兼总经理 ZHANG XINGANG 博士,本科毕业于清华大学,南加州大学材料科学博士,先后担任 Luminent 研发员、研发经理与 SourcePhotonics 研发总监,拥有 20 余年光芯片行业经验。副总经 理潘彦廷博士毕业于国立台湾科技大学,先后担任国立台湾科技大学博士后研究员、索尔 思光电股份有限公司研发工程师,同样拥有十余年的行业经验。公司核心团队具备多年的 设计开发经验,我们认为有利于公司相关研发/业务的快速推进与发展。

公司近年来业务整体呈现上升趋势,收入/利润体量提升明显。公司营业收入/归母净 利润从 2018 年的 7041/1553 万元快速提升至 2021 年的 2.32/0.953 亿元,期间 CAGR 分 别为 49%与 83%。其中 2020 年公司营业收入同比增长 187%,归母净利润同比增长 497%。 其中 25G 激光器芯片系列产品收入同比大幅增长 145 倍,主要系 5G 移动通信市场需求旺 盛和国产高端产品稀缺,下游光器件和光模块厂商加大了对国产 25G 光芯片的储备。2021 年,一方面受 5G 基站建设频段方案调整的影响,25G 激光器芯片系列产品的出货量较上 年度回落,产品收入同比减少 63.94%,另一方面受益于光纤接入市场需求的持续推动, 公司的 10G 激光器芯片系列产品销售规模大幅增加,产品收入同比增长 98.73%,全年整 体收入较 2020 年持平。2022 年前三季度公司实现营业收入/归母净利润 1.934/0.739 亿元, 同比增长 25.8%/23.0%,公司业绩增长趋势延续。

分产品来看,2021 年,公司 2.5G、10G、25G 激光器芯片系列产品收入占比分别为 42.76%、41.56%、15.62%。2.5G 低速率芯片收入占比近年来已经显著下降,从 2018 年 的 91%下降至 2021 年的 43%,而 10G、25G 等中高端芯片收入占比提升明显。根据 ICC 统计,25G 光芯片的国产化率约 20%,但 25G 以上光芯片的国产化率约 5%,未来市场 空间较大。分地区来看,公司业务收入主要来源于境内,且近年来境内收入占比呈上升趋 势。

公司的毛利率较高且保持稳定,主要系不断优化产品结构、持续改进生产工艺以及投 入新产品开发等。公司的主营业务毛利变动与产品收入结构变动高度相关:2.5G 激光器芯 片是公司最早推出并规模化生产的激光器芯片,主要应用于光纤接入市场。2020 年,随 着 10G、25G 等高毛利中高端产品销量大幅增加,高毛利产品带来公司整体毛利率的大幅 提高。2021 年,受 5G 基站建设频段方案调整的影响,25G 激光器芯片系列产品出货量及 价格下降导致公司毛利率略有下降。2022 年上半年,数据中心市场的主要客户受疫情影 响,采购节奏放缓,使得公司 25G 激光器芯片产品的收入占比下降,对公司整体毛利率水 平略有影响。

费用率:由于公司收入规模在 2020 年大幅提高,销售/研发/财务费用率在 2020 年均 出现了明显的下降。而同时管理费用增长较多,主要系 2020 年公司因员工股权激励计提 2667 万元股份支付费用。2020 年后公司的研发/销售费用率整体呈现上升趋势,与同行 业可比公司相比,公司销售费用率略高,主要系近年来公司处于快速增长阶段,市场拓展 投入较大;而公司研发费用率略低,主要系公司创立以来一直致力于光芯片的开发,形成 了较多技术储备,使得后续研发费用投入较低。

光芯片:百亿元级别市场,国产厂商有望不断提升全 球份额

光芯片:光电信号转换的核心元件,产业链中占据重要位置

光芯片:实现光通信中光电信号转换的核心元件。光通信是以光信号为信息载体,以 光纤作为传输介质,通过电光转换,以光信号进行传输信息的系统。光芯片系实现光电信 号转换的基础元件,其性能直接决定了光通信系统的传输效率。光纤接入、4G/5G 移动通 信网络和数据中心等网络系统里,光芯片都是决定信息传输速度和网络可靠性的关键。光 芯片可以进一步组装加工成光电子器件,再集成到光通信设备的收发模块实现广泛应用。

按功能划分,光芯片可以分为激光器芯片和探测器芯片。其中激光器芯片主要用于发 射信号,将电信号转化为光信号,探测器芯片主要用于接收信号,将光信号转化为电信号。 激光器芯片,按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片,面发射芯片包括 VCSEL 芯片,边发射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片。探测器芯片,主要有 PIN 和 APD 两类。

按照材料划分,光芯片可以分为 GaAs 材料体系、InP 材料体系以及 Si/Ge/InP 材料 体系。其中三五族化合物磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)是光芯片常用的衬底材料,相 关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点,符合高频通信的特点, 因而在光通信芯片领域得到重要应用。其中,磷化铟(InP)衬底用于制作 FP、DFB、EML 边发射激光器芯片和 PIN、APD 探测器芯片,主要应用于电信、数据中心等中长距离传输; 砷化镓(GaAs)衬底用于制作 VCSEL 面发射激光器芯片,主要应用于数据中心短距离传 输、3D 感测等领域。

光芯片在光通信产业链中占据重要位置。从产业链角度看,光芯片与其他基础构件(电 芯片、结构件、辅料等)构成光通信产业上游,产业中游为光器件,包括光组件与光模块, 产业下游组装成系统设备,根据最终应用领域可以分为数据通信市场(数通市场,下游客 户主要为云计算、互联网厂商及数据中心厂商)以及电信市场。电信市场根据下游应用场 景的不同可以进一步分为应用于光纤宽带接入等场景的接入网市场与传输网市场。目前 EML 激光器芯片大规模商用的最高速率已达到 100G,DFB 和 VCSEL 激光器芯片大规模 商用的最高速率已达到 50G。在不断满足高带宽、高速率要求的同时,光芯片的应用逐渐 从光通信拓展至包括医疗、消费电子和车载激光雷达等更广阔的应用领域。

百亿元光芯片市场,受益于下游光模块多场景的持续需求

数据流量增长是光芯片乃至光通信产业链成长的核心动力。随着光电子、云计算技术 等不断成熟,将促进更多终端应用需求出现,数据流量持续增长,对通信技术提出更高的 要求。根据 Omdia 的统计,2017 年至 2020 年,全球固定网络和移动网络数据量从 92 万 PB 增长至 217 万 PB,年均复合增长率为 33.1%,Omdia 预计 2024 年将增长至 575 万 PB,2020~2024 年年均复合增长率为 27.6%。受益于信息应用流量需求的增长和光通信 技术的升级,光模块作为光通信产业链最为重要的器件保持持续增长。

百 亿 元 光芯 片 市场 , 下游 光模块需 求 驱动 光 芯片 市 场 规模 持 续增 长 。根据 LightCounting 的数据,2016 年至 2020 年,全球光模块市场规模从 58.6 亿美元增长到 66.7 亿美元,预测 2025 年全球光模块市场将达到 113 亿美元,为 2020 年的 1.7 倍。光芯片作 为光模块核心元件有望持续受益。根据公司招股说明书中引用的 LightCounting 数据并结 合公司测算,2021 全球光通信用光芯片市场规模为 146.70 亿元,其中 2.5G、10G 及 25G 及以上光芯片市场规模分别为 11.67 亿元、27.48 亿元、107.55 亿元,分别占比 8.0%、 18.7%、73.3%,其中 25G 及以上光芯片占市场主导。公司结合 ICC 数据测算,2021 年 我国光芯片厂商的销售规模为 37.37 亿元。在对高速传输需求不断提升背景下,25G 及以 上高速率光芯片市场增长迅速。根据 Omdia 对数据中心和电信场景激光器芯片的预测,高 速率光芯片增速较快,2019 年至 2025 年,25G 以上速率光模块所使用的光芯片占比有望 逐渐扩大,预计整体市场空间将从 13.56 亿美元增长至 43.40 亿美元,年均复合增长率将 达到 21.40%。

接入网/电信传输网/数通多场景驱动,下游光模块需求持续增长

接入网场景:受益于全球光纤到户趋势以及国内双千兆应用推广,接入网光模块需求 持续增长。FTTx 光纤接入是全球光模块用量最多的场景之一,而我国是 FTTx 市场的主要 推动者。根据 LightCounting 的数据,2020 年 FTTx 全球光模块市场出货量约 6,289 万只, 市场规模为 4.73 亿美元,随着新代际 PON 的应用逐渐推广,预计至 2025 年全球 FTTx 光模块市场出货量将达到 9,208 万只,年均复合增长率为 7.92%,市场规模达到 6.31 亿 美元,年均复合增长率为 5.93%。我国是光纤接入全面覆盖的大国,根据《“十四五”信 息通信行业发展规划》,在持续推进光纤覆盖范围的同时,我国要求全面部署千兆光纤网 络。超高清视频、智慧家庭、在线教育、远程医疗等场景部署将引导用户向千兆速率宽带 升级。根据规划,我国 10G-PON 及以上端口数将从 2020 年的 320 万个提高到 2025 年 的 1,200 万个。

电信传输网场景:全球加快 5G 建设进程,将拉动市场对电信光模块的需求。根据全 球移动供应商协会(GSA)的数据,截至 2021 年 10 月末,全球 469 家运营商正在投资5G 建设,其中 48 个国家或地区的 94 家运营商已开始投资公共 5G 独立组网(5G SA)。 5G 电信光模块按应用场景分为前传、中回传光模块,前传光模块速率需达到 25G,中回 传光模块速率则需达到 50G/100G/200G/400G,带动 25G 甚至更高速率光芯片的市场需 求。根据 LightCounting 的数据,全球电信侧光模块市场前传、(中)回传和核心波分市场 需求将持续上升,2020 年分别达到 8.21 亿美元、2.61 亿美元和 10.84 亿美元,预计到 2025 年将分别达到 5.88 亿美元、2.48 亿美元和 25.18 亿美元。电信市场的持续发展将带动电 信侧光芯片应用需求的增加。

数据通信场景:互联网及云计算的普及推动了数据中心的快速发展,全球互联网业务 及应用数据处理集中在数据中心进行,使得数据流量迅速增长,而数据中心需内部处理的 数据流量远大于需向外传输的数据流量,使得数据处理复杂度不断提高。根据 Synergy Research 的数据,截至 2020 年底,全球 20 家主要云和互联网企业运营的超大规模数据 中心总数已经达到 597 个,是 2015 年的两倍,其中我国占比约 10%,排名第二。光通信 技术在数据中心领域得到广泛的应用,极大程度提高了其计算能力和数据交换能力。光模 块是数据中心内部互连和数据中心相互连接的核心部件,根据 LightCounting 的数据,2019 年全球数据中心光模块市场规模为 35.04 亿美元,预测至 2025 年将增长至 73.33 亿美元, 年均复合增长率为 13.09%。

下游光模块驱动光芯片成长主要基于以下三点: 1. 电信市场方面,光纤接入市场,FTTx 普遍采用 PON 技术接入,主流的 EPON/GPON 技术采用 1.25G/2.5G 光芯片,并向 10G 光芯片过渡。此外 PON 技术跨入以 10G-PON 技术为代表的双千兆时代。10G-PON 需求快速 增长及未来 25G/50G-PON 的出现将驱动 10G 以上高速光芯片用量需求大幅 增加。 2. 移动通信网络市场,随着 4G 向 5G 的过渡,无线前传光模块将从 10G 逐渐 升级到 25G,电信模块将进入高速率时代。中回传将更加广泛采用长距离 10km-80km 的 10G、25G、50G、100G、200G 光模块,该类高速率模块中 将需要采用对应的 10G、25G、50G 等高速率和更长适用距离的光芯片,推 动高端光芯片用量不断增加。 3. 数据中心方面,随着数据流量的不断增多,交换机互联速率逐步由 100G 向 400G 升级,且未来将逐渐出现 800G 需求。

国内厂商快速崛起,不断提升全球份额

光芯片与海外尚有一定差距,正在快速崛起。海外在近代光电子技术起步较早、积累 较多,欧美日等发达国家陆续将光子集成产业列入国家发展战略规划。目前海外光芯片公 司普遍具有从光芯片、光收发组件、光模块全产业链覆盖能力。国内的光芯片生产商普遍 具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力,而光芯片核心的外延技术并不成熟,高端的外 延片需向国际外延厂进行采购,限制了高端光芯片的发展。目前我国能够规模量产 10G 及 以下中低速率激光器芯片,但 25G 激光器芯片仅少部分厂商实现批量发货,25G 以上速 率激光器芯片大部分厂商仍在研发或小规模试产阶段。整体来看高速率光芯片严重依赖进 口,与国外产业领先水平存在一定差距。但是在中美贸易关系存在较大不确定的背景下, 目前国内企业已经开始测试并验证国内的光芯片产品。同时产业扶持方面,《基础电子元 器件产业发展行动计划(2021-2023 年)》等一系列产业政策,要求提升光通信器件的供给保障能力,提高核心光电子芯片国产化,降低对进口芯片的依赖。在地缘政治存在不确 定性以及国家政策产业扶持的背景下,我国光芯片产业正在快速崛起,根据 ICC 数据,从 2019 年至 2021 年,我国 2.5G 及以下/10G/25G/25G 以上速率光芯片占全球光芯片市场 比例已经从 89%/46%/7%/0%提升到 94%/57%/22%/4%。

5G 通信网、骨干网等光芯片下游应用领域需求持续增长。2021 年 11 月,工信部发 布《“十四五”信息通信行业发展规划》要求全面部署新一代通信网络基础设施,全面推 进 5G 移动通信网络、千兆光纤网络、骨干网、IPv6、移动物联网、卫星通信网络等的建 设或升级;统筹优化数据中心布局,构建绿色智能、互通共享的数据与算力设施;积极发 展工业互联网和车联网等融合基础设施。《“十四五”信息通信行业发展规划》指明信息基 础设施建设的目标,在规划目标落地的过程中,光芯片需求量也将不断增长。

目前光芯片竞争格局呈现低速率国内占优、高速率海外主导的趋势

2.5G 光芯片:主要应用于光纤接入市场,产品较为成熟,国产化水平较高,国外光芯 片厂商由于成本竞争等因素,已基本退出相关市场。根据 ICC 预测,2021 年 2.5G 国产光 芯片占全球比重超过 90%;源杰科技目前在全球市占率达 7%,主要系 2.5G 领域实行差 异化产品竞争策略,以附加值较高的产品为主。如 PON(GPON)数据下传光模块使用的 2.5G 1490nm DFB 激光器芯片,由于可靠性要求高、难度大等原因,国内可以批量供货 的厂商较少。根据 C&C 统计,2020 年源杰科技在 2.5G 1490nm DFB 激光器芯片领域市 占率达到 80%。 10G 光芯片:在光纤接入市场的 10G-PON 数据上传光模块、移动通信网络市场 4G/5G 移动通信网络以及数据中心光模块中均有应用。目前我国光芯片企业已基本掌握 10G 光芯 片的核心技术,但部分型号产品仍存在较高技术门槛,依赖进口。2021 年国产光芯片占 全球比重约 60%,但不同光芯片的国产化情况存在一定差异,部分 10G 光芯片产品性能 要求较高、难度较大,如 10G VCSEL/EML 激光器芯片等,国产化率不到 40%。根据 ICC 统计,2021 年全球 10G DFB 激光器芯片市场中,源杰科技发货量占比为 20%,已超过住 友电工、三菱电机等。

25G 及以上光芯片:目前主要依赖海外,未来国内渗透率有望快速增长。可以应用在 移动通信网络市场中 5G 移动通信网络包括前传、中传和回传等领域,以及数据中心 100G 以上高速光模块中。受到工艺稳定性、可靠性、供货能力及下游客户认证等因素影响,我 国的光模块或光器件厂商仍然是优先采购海外的高速率光芯片。根据 ICC 统计,25G 光芯 片的国产化率约 20%,但 25G 以上光芯片的国产化率仍较低约 5%。但是随着 5G 的大规 模应用,我国光芯片厂商在 5G 基站前传光模块的 25G DFB 激光器芯片有所突破,同时数据中心市场光模块企业开始逐步使用国产厂商的 25G DFB激光器芯片。根据 ICC预测, 2019-2024 年,中国光芯片厂商销售规模占全球光芯片市场的比例将不断提升,中高速率 光芯片增长更快。

国内光模块供应商的全球市场地位日渐凸显,成为国产光芯片厂商优良的出海渠道。 在 LightCounting 每年评选的全球光模块供应商 TOP10 排名榜单中,2021 年我国光模块 供应商已经占据其中 6 位,国产厂商在全球光模块市场的地位正在显著提升(2016 年与 2018 年榜单中,国内厂商仅有 3 位)。我们认为国产光模块厂商在产能布局、工程师红利 等方面已具有明显优势,未来有望实现全球市场份额的持续提高。虽然由于国内可以大批 量供应高速光芯片的厂商较少,同时由于出于替换成本、可靠性、批量出货能力等综合考 虑,导致目前国内光模块厂商对于国产高速率芯片的使用率较低,但是我们认为随着国产 光芯片厂商产品可靠性、供应能力的提升,国产光芯片厂商将有望充分参与到国内光模块 厂商的供应体系,以此为渠道来有效攫取全球份额。

公司具备 IDM 全体系优势,募投项目推动产品升级

技术优势:八大技术/两大平台,公司产品技术指标行业领先

公司经过多年研发与产业化积累,已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测 试的 IDM 全流程业务体系,拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、 金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主 可控的生产线。在此基础上,公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”和“脊波导型激 光器芯片制造平台”两大平台,积累了“高速调制激光器芯片技术”、“异质化合物半导体 材料对接生长技术”、“小发散角技术”等八大技术。经过长期研发投入、工艺打磨,公司 积累了大批核心技术成果,有效地提升产品性能指标及可靠性,前期研发投入红利释放, 增强公司市场竞争力及盈利能力。

产品序列齐全,毛利率行业领先,在研产品潜力巨大。公司经过多年发展陆续突破 10G 、25G 光芯片等的关键技术节点,成为境内少数可以实现 2.5G、10G、25G 全部大 批量量产的公司,同时公司毛利率相比于行业可比公司处于高位,体现了公司优异的产品 竞争力。此外公司也在加速研发下一代激光器芯片产品,并积极拓展光芯片在其他领域的 应用,包括 50G、100G 高速率激光器芯片产品以及硅光直流光源大功率激光器芯片产品 的商用推进,同时已与部分激光雷达厂商达成合作意向,未来有望实现向其他行业应用的 拓展。

与同行业公司比较,产品参数处于领先位置。2.5G 1490nm DFB 激光器芯片主要应 用于 PON(GPON)数据下传光模块中。行业最为关注产品高温斜效率指标,主要系该产 品传输数据量大,易出现高温光功率不足的问题,而高温斜效率值越高表示光电转换效率 越好。此外行业关注产品发散角指标,主要系激光器发射的光信号需传输到光纤中,才真 正能用于信号传输,较小发散角表示发射的光信号光斑形状越小,有助于光信号耦合到光 纤中。其中 2.5G 1490nm DFB 激光器芯片最重要的指标包含高温斜效率与发散角,源杰 科技产品参数在行业同类型产品中占据明显优势。

25G CWDM 6 等高速率产品的相关性能参数也位于行业前列。25G CWDM 6 波段 DFB 激光器芯片主要应用于 5G 基站。行业最为关注产品高温性能指标,包括高温阈值电 流、高温斜效率、高温 3dB 带宽值等,主要系产品工作环境达到工业级高温,需在高温下 保持性能及可靠性。高温阈值电流越低,表示产品发光所需电流越小,即越容易发光;产 品调制速率高会影响光功率性能,而高温斜效率值越高表示光电转换效率越好,更易满足 客户需求;高温 3dB 带宽值越高,表示产品调制速率对下游封装影响的容忍度越高,能在 大幅降低下游封装难度及成本的同时,保证产品的高速率。25G CWDM 6 波段 DFB 激光 器芯片最重要的指标在于高温特性,公司产品在高温阈值电流、高温斜效率、高温带宽以 及发散角等方面,均具有相对较高的优势。

IDM 优势:IDM 全流程业务体系领先

目前芯片行业主要有 Fabless(无工厂芯片供应商)、IDM(垂直一体化)以及 Foundry (代工厂)三种运作模式。采用 Fabless 模式的厂商只负责芯片的设计与销售,而将生产、 测试以及封装等环节外包;采用 IDM 模式的厂商覆盖芯片设计、芯片制造、芯片封装和测 试等多个产业链环节于一身;Foundry 运作模式下的厂商不涉及芯片设计,只负责制造、 封装或测试的某一个环节。

光芯片行业由于高性能指标、高可靠性、全生产流程自主可控、高响应速度等要求, IDM 模式优势更加显著。集成电路行业公司,由于行业分工日益明确,为减少大规模资本 投入,集中资源投入研发环节,新进企业多采用 Fabless 模式。而光芯片行业(1)相较 于逻辑芯片注重尺寸缩小,更注重工艺的成熟和稳定;(2)生产环节要求芯片设计与晶圆 制造环节相互反馈与验证,以实现产品的高性能指标、高可靠性。IDM 模式可以更快提升 和改进新技术并推出新产品,保障产品的可靠性和稳定性,无需委托国际先进晶圆片厂商 制造加工晶圆,实现光芯片生产全流程各环节的自主可控。同时 IDM 模式可以更好控制产 线产能,能根据客户需求安排工期,实现更快的服务响应速度。所以光芯片行业中,相较 于 Fabless 模式,IDM 模式是行业主流方向,也是我国企业解决高端光芯片技术及量产瓶 颈的最佳生产模式。 公司是国内光芯片行业少数掌握芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM 全流 程业务体系的公司。公司拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属 化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控 的生产线。

客户优势:客户覆盖多家全球数通/电信通信龙头公司,客户资源壁垒较高

客户覆盖多家全球数通/电信通信龙头公司,客户资源壁垒较高。公司产品获得下游客 户的高度认可,已实现向客户 A1、海信宽带、中际旭创、博创科技 、铭普光磁等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货, 产品用于客户 A、中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商,并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、AT&T 等国内外知名运营商网络中,已成为国内领先的光芯片供应 商。与现有国内外知名客户的良好合作,使得公司快速建立新品开发及量产的全套供应体 系,打造国际水平的产品交付标准,有助于新客户的开拓。此外下游客户在选择光芯片产 品时需经过较长的验证过程,公司率先进入供应商体系,建立了较高的客户资源壁垒。

募投项目:助力公司产能扩张与产品升级

公司通过 IPO 公开发行股份 1500 万股(占发行后总股本的 25%),募集资金计划主 要用于“10G、25G 光芯片产线建设项目”、“50G 光芯片产业化建设项目”、“研发中心建 设项目”及“补充流动资金”等。本次募集资金的投入有利于扩大公司的生产规模,实现 多种光芯片产品的专线生产,打破高端光芯片的进口依赖,有利于促进我国通信建设和产 业发展。此外,研发中心建设亦根植于公司主营业务,符合行业发展对技术升级的需求, 有利于提高公司的研发效率和研发质量,是公司在现有主营业务的基础上结合未来市场需 求,在光芯片产品研发、生产体系上的进一步延拓。

募投项目有望帮助公司扩大生产规模、突破产能瓶颈。公司凭借先进技术和优质服务, 取得光芯片领域业绩的迅速增长,10G、25G 光芯片产品获得下游客户的广泛认可。但受 制于产线和场地限制,公司产品供应已接近极限负荷,供应压力逐步增大,近年来公司整 体产能利用率已经超过 90%。公司通过募投项目新建产线以扩大 10G、25G 光芯片的产 能,从而满足日益增长的客户需求,打破产能瓶颈。

募投项目有望帮助公司提高生产效率及产品良率,建立自有生产基地,实现长足发展。 一方面,公司在发展初期建设受资金约束,建设的光芯片产线较少,生产不同速率产品时 需对产线进行调试,一定程度上降低了设备使用效率。产品种类的不断丰富及公司订单数 量的持续增长,对专线生产提出了更为迫切的需求。公司积极通过募投项目布局光芯片的 专线生产,有利于进一步提高生产效率和产品良率,巩固产品稳定性与可靠性,从而夯实 市场地位。另一方面,IDM 模式使得公司能够实现对光芯片生产流程的自主可控,但也对 生产场所的稳定性提出了更高要求。公司目前的生产场地属于租借使用,不利于生产的稳 定。公司通过募投项目在自有土地上建立产线,能够保障光芯片生产所需的优良环境,进一步保证产品质量,助力公司实现持续发展。

纵向拓展:募投项目有望帮助公司加速 50G 等高速率光芯片的商用进度,顺应不断 提高的 400G 与 800G 光模块需求。光模块的小型化、低成本及高速率是产品迭代的主要 方向。目前数通光模块 400G 需求不断提高,800G 光模块也进入设计验证测试阶段。同 时博通与思科在也纷纷推出相应的交换机系列,新型的交换机芯片具有显著的带宽、功耗 以及空间优势,也在驱动数通光模块向 800G 进行产品升级。数通光模块的推陈出新驱动 50G 高速光芯片需求不断加速。但目前 50G 光芯片主要由国外厂商供应,公司通过募投 项目在自有土地上建立 50G 光芯片产线,有望帮助公司抢占市场先机,拓展下游市场,丰 富产品种类,优化产品结构,进一步巩固行业领先地位。

横向拓展:募投项目有望推动公司产品向激光雷达、硅光等方向的拓展。公司募投项 目计划投资 1.43 亿元开展研发中心建设项目,将在既有技术基础上加大产品延伸力度,进 行高功率硅光激光器、激光雷达光源/接收器等前瞻性课题的研究,助力开发面向硅光的光 芯片等,拓展产品应用领域。公司在激光雷达、硅光等领域早有布局:在激光雷达领域, 公司已经同时与部分激光雷达厂商达成合作意向,实现激光雷达领域光芯片少量送样;同 时在硅光领域,公司积极推动硅光直流光源大功率激光器芯片产品的商用推进,并已进入 设计、测试阶段,同时已经从 2020 年开始贡献部分收入(计入其他产品收入中)。目前公 司仍在积极推动激光雷达、硅光相关研发工作的进行,我们认为随着公司研发中心建设项 目的落地,公司研发实力将进一步提高,有望助力公司实现在新技术领域的弯道超车。

盈利预测

我们认为光芯片作为光模块等领域的重要上游,未来需求将持续保持旺盛。同时国产 光芯片厂商随着技术实力、供应能力的不断完善,有望进入国内光模块厂商供应体系,显 著提升全球市场份额。源杰科技作为国内稀缺的光芯片 IDM 平台厂商,在技术/生产/客户 等方面具备显著优势,市场份额在国内厂商中保持领先,有望实现业绩的快速增长。同时 公司在高速光芯片以及硅光、激光雷达等新技术/新领域布局超前,未来有望进一步增厚公 司利润。此外,募投项目的落地将显著提升公司在研发、产能等方面的综合实力,夯实在 光芯片领域的领先地位。

2.5G 产品:我国 2.5G 光芯片市场较为成熟,但是公司主要围绕高附加值的产品,在 如 2.5G 1490nm DFB 激光器芯片等高可靠性、高难度的产品上优势显著,推动公司 2.5G 光芯片板块收入持续增长,同时保持较高的产品毛利率。我们预计公司该板块 2022-2024 年营收分别为 1.04/1.09/1.15 亿元,毛利率分别为 45%/45%/45%。

10G 产品:收入方面,我们看好 10G PON 接入网未来的快速部署,同时我们预计公 司 10G EML 等新产品的陆续推出,将持续推动公司 10G 接入网产品的快速增长。我们预 计 10G 移动通信产品整体收入规模保持小幅提升。综上我们认为公司未来 10G 光芯片产 品收入将实现快速增长,预计公司 2022-2024 年 10G 产品业务营收分别为 1.34/1.84/2.56 亿元,同比增长 38.7%/37.4/39.2%。毛利率方面,由于市场竞争较为激烈,公司未来毛利 率可能出现小幅波动。预计公司 2022-2024 年该板块业务毛利率分别为 70% /69%/69%。

25G 及以上产品:一方面,公司在 25G 及以上数据中心产品陆续突破国内外数通市 场重点客户,同时未来公司 50G/100G 等高端产品的推出也将持续驱动公司数据中心产品 实现收入高速增长、份额提升以及毛利率上行。另一方面,随着 5G 网络的逐渐普及,我 们预计 25G 及以上移动通信产品的需求在未来将有望迎来加速增长,同时有望拉升整体毛 利率。我们预计公司该板块 2022-2024 年整体收入分别为 0.52/0.77/1.36 亿元,同比增长 42.8%/48.2%/77.0%。毛利率方面,由于 25G 及以上产品国内可以实现批量供货的厂商数 量较少,公司具备较强的竞争优势,我们预计未来毛利率将保持在 80%以上。后续随着公 司 50G/100G 等高端产品的陆续推出,公司整体毛利率将有望上行。我们预计公司该板块 2022-2024 年毛利率分别为 80.0%/82.0%/85.0%。

其他板块:我们判断其他板块收入盈利保持稳健增长。

费用相关假设:我们认为公司期间费用率将保持稳定,研发费用率有所上升。我们预 计公司 2022/2023/2024 年销售费用率为 4.4%/4.3%/4.3%,管理费用率为 9.3%/9.3% /9.3%,研发费用率为 9.1%/9.3%/9.5%。

综上,我们预测公司 2022-2024 年归母净利润分别为 1.06/1.60/2.16 亿元,同比增长 10.9%/51.8%/34.5%。预计公司 2022-2024 年毛利率分别为 62.9%/64.7%/67.7%。


(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

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