（一）发展历史：深耕利基存储，产品制程持续升级
聚焦利基存储，技术迭代推动产品制程升级。东芯股份成立于2014年，是一家聚焦 中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，可同时提供NAND、 NOR、DRAM和MCP等存储芯片完整解决方案。公司聚焦利基存储，于2015年成功 研发中国大陆第一颗具有自主知识产权的1Gb SPI NAND Flash芯片，并在此后不断 推动NAND Flash 芯片制程升级。公司于2017年开始NOR Flash的设计生产，于 2019年成功研发128Mb NOR Flash芯片。随着公司技术的不断迭代，以及产品制程 持续升级，公司在SLC NAND和NOR Flash领域已处于国内领先地位，并于2021年 12月在科创板挂牌上市。
（二）主营业务：立足中小容量存储芯片，SLC NAND 渐成核心产品
产品矩阵丰富，下游应用广泛。公司主营业务为中小容量通用型存储芯片的研发、 设计和销售，可以同时提供NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司， 其24nm NAND、48nm NOR产品均为我国领先水平。公司产品不仅在高通、博通、 联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获 得认证，同时已打入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外 知名厂商的供应链体系，被广泛应用于通讯、安防和消费电子等领域。
SLC NAND渐成为公司的主要业务。从营收结构来看，公司产品线较广，包括NAND、 NOR和DRAM产品，以及整合海力士NAND和公司自产DRAM形成的MCP产品。随 着公司品牌知名度和产品得到客户的进一步认可，公司NAND产品在国内的市场地 位日趋凸显，销售规模和盈利能力逐步提升，NAND系产品营收占比逐年提升， 2019-2022年，公司NAND业务的营收占比分别为28.91%、50.78%、58.16%和 61.75%，NAND系列产品已成为公司占比最大的产品类别，目前SLC NAND已成为 公司的核心产品。
（三）财务分析：营收规模维持稳定，盈利能力有所承压
2022年，公司营业收入为11.46亿元，同比增加1.03%，归母净利润为1.85亿元，同 比下滑29.17%，主要系公司部分产品市场价格持续下滑，根据企业会计准则规定， 经谨慎性考虑后，公司对存在减值迹象的存货计提跌价准备，资产减值损失同比增 长较大所致。
22H2下游需求减弱，毛利有所下滑。2022年受地缘政治局势紧张、新冠疫情反复、 全球经济下滑等宏观因素的影响，半导体行业进入下行周期，以消费电子市场为代 表的部分下游应用市场出现了明显的需求疲软迹象。受此影响，公司部分产品下半 年销量及价格出现了一定程度的下滑，公司销售毛利率为40.58%，同比下滑1.54pct， 销售净利率为18.97%，同比下滑6.08pct。
（四）股权结构与研发团队：股权结构稳定，收购 Fidelix 构建自主知识 产权
公司股权结构稳定，中芯、大基金和哈珀参投。截至2023年7月10日，公司控股股 东为东方恒信，持有公司32.38%的股份，实际控制人为董事长蒋学明、董秘蒋雨舟， 二人通过东方恒信和东芯科创控制公司49.96%的表决权。在公司的重要股东中，聚 源聚芯持有公司3.05%的股份，东芯科创持有公司5.09%的股份，哈勃科技持有公司 3%的股份。其中，聚源聚芯股东包括中芯国际和国家集成电路产业基金，哈勃科技 由华为投资100%控股。中芯国际是公司主要的晶圆代工厂商，通过接受公司重要合 作伙伴的股权投资，公司实现了与代工厂商和下游客户的利益共享，保证了公司与 相关利益方的长期合作。此外，公司员工通过东芯科创直接或间接持有公司股票， 与员工深度绑定，共享发展成果。
收购Fidelix整合技术和人才资源。公司于2015年正式收购韩国Fidelix公司，从Fidelix 处受让了SLC NAND Flash和NOR Flash的相关专利。Fidelix是三星、LG、日本瑞 萨等国际知名公司的长期稳定供应商，产品和技术实力得到产业链上下游的充分认 可。其创始人安承汉拥有超过30年芯片行业从业经验。收购Fidelix后，公司通过吸 收整合双方的研发经验和开发团队，公司在本土建设了一支具有在存储芯片设计领 域拥有丰富从业经验，深刻理解存储芯片产品技术特点及技术趋势的人才队伍。 研发投入持续加大，重视研发人才激励。公司建立了合理有效的激励机制和科学系 统的人才培养机制，鼓励研发人员技术创新，培养年轻员工快速成长；公司利用持 续招募、培养、校企合作等方式，通过具备竞争力的薪酬体系及激励手段，持续扩 充研发与技术团队，尤其重视国内存储设计人员培养及运营管理团队的建设。截至 2022年，公司拥有技术研发人员130名，数量较上年同期增加49.43%。与此同时， 公司研发投入持续增长，2022年研发费用达1.1亿元，同比增长98.05%， 研发投入 总额占营业收入比例达到9.63%。
（一）存储行业：存储芯片市场规模不断扩容，NAND&DRAM 占据主要 份额
存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存 储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。易 失性存储芯片（DRAM和SRAM）在断电后无法保存数据。其中，DRAM为内存的 主流方案，SRAM为CPU缓存的主流方案。非易失性存储芯片（NAND Flash、NOR Flash等）在断电后仍保存数据，其中NAND擦写速度快，存储密度高，存储容量大， 为大容量数据存储的主流方案；NOR存储容量较小，但可直接运行存储的代码，为 存储系统开机程序的主流方案。
存储芯片市场规模不断扩容，在集成电路行业市场的占比持续提升。根据根据公司 招股书引用的WSTS数据，全球存储芯片市场规模由2014年的792亿美元增长至 2018年的1580亿美元，2019年受到贸易摩擦及产品价格下降影响，全球存储芯片市 场规模下降14.1%，为 1356亿美元。随着通讯、安防、消费电子和汽车电子等领域 对数据存储和运算的要求不断提高，下游终端应用对存储芯片的数量、容量和性能 的需求不断深化，全球存储市场将在中长期维度保持乐观的增长速度。根据根据公 司招股书引用的世界半导体贸易统计协会和赛迪顾问的数据，预计2021-2023年全 球存储芯片市场规模分别为1415亿美元、1509亿美元和1623亿美元，三年的CAGR 为6.5%。随着存储芯片市场规模的持续扩容，2019年存储芯片在集成电路行业市场 中的规模比重达到31.93%，与逻辑芯片并列为集成电路行业规模最大的细分市场。
NAND和DRAM占据存储芯片市场的主要份额。根据根据公司招股书引用的IC Insights数据，在全球存储行业细分市场销售额中，2019年DRAM占比为58%，NAND 占比为40%，两者共占有全球 98%的市场份额，是存储芯片的主流品种。
（二）利基存储：利基市场不可替代，新型应用指引未来
除DRAM和NAND外，存储产品还包含以中小容量SLC NAND、NOR FLASH和中小 容量DRAM为首的利基型产品。随着通讯、安防、消费电子和汽车电子等下游应用 领域的持续扩展，利基型存储产品的应用场景不断丰富，市场规模稳步扩容。
（1）SLC NAND: NAND Flash闪存从产品设计上可以分为平面的SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND、QLC NAND和立体的3D NAND。其中平面四类每个单元存储 信息依次递增，电压变化随存储信息增多成指数级增长，但寿命也随之减少。现有 大容量NAND Flash正在向3D堆叠，追求低成本下更高的存储密度，主要用于PC消 费电子、服务器等领域。
SLC NAND存在刚性需求。与其他的NAND Flash相比，SLC NAND拥有高可靠性、 高擦除性和高带宽等优势，在工控、安防等对可靠性要求高、对成本相对不敏感的 领域具有广泛的使用范围，因此其具有不可替代性。同时，从技术角度出发，SLC NAND 也是向大容量NAND 发展的必经之路。 预计SLC NAND全球市场规模将以CAGR 6%的速度增长。根据公司招股书引用的 Gartner数据，2019 年 SLC NAND 全球市场规模达16.71亿美元。除2019年受到 行业周期性影响出现短暂下降外，从2020年开始，SLC NAND全球市场规模持续保 持增长态势，预计在原有刚性需求支撑和下游不断涌现的新兴应用领域的影响下， 2019-2023 年SLC NAND全球市场规模将从16.71亿美元增长至23.24亿美元； 2019-2024年CAGR达6%。
物联网支撑SLC NAND新兴需求。随着传统家居向电子化、智能化的方向发展和视 频监控应用的持续拓宽，搭载物联网模块的智能家居和运用AI技术的视频监控将成 为未来SLC NAND下游应用的重要发展方向；同时传统通讯领域随着 5G、WIFI6 等技术的运用，类似PON、路由器、机顶盒等小型通讯设备同步在升级换代，对SLC NAND的市场需求形成支撑。 受益5G通讯，中小容量高可靠性NAND需求增加。由于5G宏基站部署环境复杂恶劣， 且需要全天候工作，中小容量 SLC NAND 在性能稳定性上具有明显的优势。2020 年是5G通讯建设的关键年，三大运营商计划年底建成55万个5G基站，实现地级市 室外连续覆盖、县城及乡镇有重点覆盖、重点场景室内覆盖。随着5G基站建设的落 实，将持续推动中小容量NAND Flash市场的发展。 汽车智能化打开SLC NAND成长空间。随着汽车智能化的持续推进，汽车ADAS 系 统、仪表盘、车载娱乐、行车记录仪等系统对高可靠性SLC NAND的需求大幅提高。 根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS系统的NAND Flash存储需求为2.2亿GB， 同比增长300%，预计到2024年，全球ADAS系统的NAND Flash存储需求将达41.5 亿GB，2019-2024年CAGR达79.8%。
（2）NOR Flash：汽车电子、智能手机升级和TWS蓝牙耳机驱动NOR Flash市场 增长。NOR Flash 是一类通用型的非易失性存储芯片，可实现快速随机读取数据的 同时允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快、 没有坏块、稳定性高等特点，满足了在功能手机、消费电子、工业控制、通讯设备 等应用领域的代码存储需求，在部分应用场景具备不可替代性。近年来，NOR Flash 应用场景不断扩展，物联网、TWS蓝牙耳机和工业控制等新兴应用的不断涌现打开 了NOR Flash的市场空间。根据CINNO Research的数据，NOR Flash的市场需求稳 定增长，从2017年的24亿美元，增长至2019年的28亿美元左右，预期至2022年市 场规模将会增长至37亿美元。
中小容量DRAM：DRAM被广泛应用于移动设备、服务器、PC和消费电子等领域。 根据 IC Insights 2019年的数据，在全球存储芯片市场中，DRAM市场规模为603亿 美元，占存储芯片市场比重达到58%，是最大的存储芯片细分市场。中小容量DRAM 产品主要应用于利基型市场，终端产品包括数字机顶盒、PON 等通讯设备及功能手 机、行车记录仪等移动终端等应用，其需求较为稳定。根据DRAMeXchange数据统 计，2019 年全球利基型DRAM市场规模约为55亿美元，未来随着下游应用领域的 稳定发展，利基型DRAM市场规模有望保持稳健增长趋势。
（三）竞争格局：国际大厂垄断大容量市场，国产厂商立足利基市场
（1）DRAM&NAND：全球大容量存储芯片市场被海外企业垄断。国外厂商凭借先 发优势以及在终端市场的品牌优势，占据了大部分的市场份额，行业头部厂商三星 电子、美光科技、海力士、铠侠、西部数据等已经在各自专注的大容量存储产品领 域形成了寡头垄断的竞争格局。根据前瞻产业研究院数据，2020年，全球DRAM市 场中三星、SK海力士、美光市场份额分别达到43%、30%、23%；全球NAND Flash 市场中三星、铠侠和西部数据市场份额分别达到33%、19%和15%。
（2）SLC NAND: SLC NAND供应商主要为中国台湾和大陆厂商。国外存储巨头三 星电子、铠侠、海力士、美光科技等专注于大容量的 NAND Flash，目前 SLC NAND 其他供应商主要为中国台湾和大陆厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新等企业， 其中华邦电子和旺宏电子占据了较高的市场份额。
（3）NOR Flash: 全球NOR Flash市场海外垄断程度较低，竞争格局分散。根据前 瞻产业研究院的数据，2020 年NOR Flash 前四大企业持续保有 74%的市场份额且 产品特点各有侧重。华邦电子、旺宏电子侧重于工业控制领域，而赛普拉斯布局工 业市场、航天市场以及车用电子市场，兆易创新作为大陆的存储芯片设计公司占比 达到16%。全球NOR Flash市场海外垄断程度最低，华邦、旺宏和兆易创新分别位 列市占率前三，合计占据63%的全球市场份额。
（4）中小容量 DRAM:利基型DRAM主要参与者为中国台湾厂商。公司所处的利基 型DRAM市场主要参与者为华邦电子和南亚科技，根据DRAMeXchange 数据，2019 年利基型DRAM市场份额前二分别为南亚科技（39%）和华邦电子（18%），其次 为美光科技（14%）、三星电子（13%）和 SK 海力士（10%）。 利基型市场竞争格局分散，国内厂商迎来替代机遇。总体来看，相较于DRAM&NAND 市场，利基型市场竞争格局较为分散。随着存储芯片下行周期的持续推进，国际大 厂有望缩减利基型产品的研发投入，减少利基型产品的生产规模，转为生产毛利更 高、销量更大的大容量存储产品。同时，随着贸易冲突和美国芯片制裁的加剧，国 产替代日益成为国内存储芯片行业的重要成长逻辑，下游国内客户将愈发重视供应 链安全，更多地选择与大陆厂商合作，国内利基型存储厂商的市场份额有望进一步 提升。
（一）产品体系：布局 NAND、NOR、DRAM 三大领域，打造高可靠性 产品体系
打造多品类存储产品体系，构建利基市场护城河。公司立足中国、面向全球，凭借 自主清晰的知识产权、 成熟完善的研发体系以及持续创新的研发设计能力，经过多 年的经验积累和技术升级，已构建了包括NAND、NOR、DRAM及MCP等存储芯片 在内的丰富产品线。公司所售产品主要为SLC NAND、消费级NOR、中小容量 DRAM、 以及将NAND或者NOR与DRAM合封在同一个封装内的MCP产品，目前公司产品被 广泛应用于通讯、安防、可穿戴设备等终端应用。
重视研发投入，核心技术来源均为自主研发。截至2022年12月31日，公司持有境内 外有效专利 70 项（包括原始取得与受让取得）、软件著作权 13 项、集成电路布 图设计权 68 项。公司累计自主申请境内外专利 150 项（均为发明专利），累计获 得专利授权 69 项（均为发明专利）。公司已建立围绕NAND、 NOR、DRAM等存 储芯片设计核心环节的自主知识产权保护围栏。同时，公司结合国内客户需求和本 土化供应链体系，自主研发了多款SLC NAND Flash系列产品，优化改良形成了低功 耗NOR Flash系列产品，形成了多项SLC NAND Flash和NOR Flash的核心技术。
公司存储产品线不断丰富，工艺制程处于国内领先水平。2015年以来，公司依靠中 芯国际和台湾力晶持续提升工艺制程，其中SLC NAND产品制程由38nm升级至 19nm，NOR Flash产品制程由65nm升级至48nm，DRAM产品制程由63nm升级至 25nm，产品实力得到进一步提升，市场竞争力持续强化。目前，公司的 NAND Flash 已具备2xnm 制程的量产能力，并向1xnm 制程进一步迈进。NOR Flash可实现 48nm 制程量产；DRAM可实现25nm工艺节点的量产。公司将持续针对闪存芯片制 程升级开展研发和设计，继续向先进制程工艺推进。
公司在NAND、NOR上已基本具备与海外厂商竞争的能力。制程升级后，公司的SLC NAND和NOR Flash工艺制程已经处于国内领先水平，与国外厂商处于同一梯队。同 时，DRAM工艺制程接近国内领先水平。
（二）上下游合作：上游供应链稳定可靠，下游客户合作持续优化
公司与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂密切合作，建立了稳定可靠的供应链体 系。公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立战略合作关系，在工艺调试设 计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的交流与合作。双方在高 可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上展开连续多年的深度技术合作，研发了 多种闪存芯片的标准工艺，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与全球最大的 存储芯片代工厂力积电建立了多年的紧密合作，在其多条存储芯片先进制程的生产 线上实现了产品的稳定量产，进一步扩充了产品种类，提升了公司市场竞争力。同 时，公司加强了晶圆采购统一管理战略，由公司统一向晶圆代工厂下单投片，提升 了晶圆采购效率和议价能力。在封装测试方面，公司已经与紫光宏茂、华润安盛、 南茂科技、AT Semicon 等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。
客户合作不断优化，产品认可度持续提高。公司与多家主控芯片平台厂商构建了生 态合作，通过产品在平台厂商验证的方式，不仅提升了公司存储产品性能和质量在 行业内的认可程度，还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。公司的多款产 品已经获得了高通、博通、联发科和紫光展锐等多家主流厂商的验证认可，形成了 广泛的产品导入渠道，在一定程度上缩短了产品的验证周期，实现多类产品的销售 协同。
（三）聚焦先进制程和车规产品，打开公司成长空间
公司IPO募集资金将主要投入1 xnm制程和车规级产品的研发项目。公司募投项目合 计投资金额为7.5亿元，其中2.31亿元投入1 xnm闪存产品研发及产业化项目，推进 公司产品制程进一步升级，缩小与国外厂商产品制程差距，增强产品市场竞争力， 进而实现SLC NAND的国产替代。1.66亿元投入车规级存储项目，针对智能辅助驾 驶、汽车仪表盘和车载娱乐系统等下游应用设计车规级存储产品，推动公司产品向 高性能、高附加值的方向发展。
1 xnm SLC NAND研发提升公司产品竞争实力。芯片制程的升级意味着在单位存储 面积上的存储单元密度将会增加，微缩制程降低了存储芯片的生产成本。从 2013 年开始，NAND Flash先进制程开始由2 xnm逐渐转向1 xnm，先进制程是提高存储 芯片的成本优势的关键。根据IDC预测，全球数据存储需求总量将从2019年的 41ZB 增长至2025年的175ZB，增幅将超过4倍。在存储市场成长空间不断打开的背景下， 1 xnm先进制程对公司缩小与国外厂商产品工艺制程差距、扩大市场份额实现国产替 代具有重要意义。 车规级产品打开公司成长空间。随着汽车电动化与智能化程度不断提高，汽车中配 置的存储芯片占比越来越高，从2016年开始，汽车电子领域将持续带动闪存芯片保 持10%以上的复合增长，大力推进车规级产品的研发将助力公司打入车规市场，进 一步打开成长空间。
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