1.1 发展历程：深耕非易失性存储行业，“存储+”战略打开新空间
立足通用性产品，NOR Flash、EEPROM 中国大陆龙二，现拓展大容 量 NOR Flash 和 MCU，打开新空间。普冉前身无锡普雅 2012 年成立， 2016 年普冉股份成立，2021 年上市。公司以 NOR Flash 和 EEPROM 为起点，NOR Flash 在业界率先使用特色 SONOS 工艺，凭借低功耗+ 高性价比优势，乘 TWS 耳机浪潮而起，在中小容量市场快速抢占份额， 成为中国大陆 NOR Flash 龙二，公司第二大产品线 EEPROM 也位居中 国大陆第二。2021 年底公司开始提出 “存储+”战略，延伸至 MCU、音 圈马达驱动芯片(VCM DRIVER)等新品，打开更大成长空间。
1）存储：①NOR Flash：2016 年与赛普拉斯签署 SONOS 技术授权协 议，在业内率先应用 SONOS 工艺于 NOR Flash 设计，目前公司 SONOS NOR Flash 覆盖 512Kb-128Mb，制程从 55nm 向 40nm 及下一代持续 迭代。针对 128M 以上市场，公司采用业界主流 ETOX 工艺， 23H1 推 出更大容量 256M 产品。②EEPROM：从 2014 年开始研发，目前覆盖 2K-4M，向工业和汽车领域拓展。从制程看，EEPROM 在 130nm 基础 上，存储单元面积从 1.26um^2-shrink 缩小到 1.01um^2-shrink，并量 产 95nm 及以下产品，不断缩小体积，制程全球领先。
2）存储+：①MCU：公司 MCU 使用特色 eflash 工艺，成本优势显著。 22H1 32 位 M0+量产出货，22 年推出近 60 颗料号，定位通用型市场， 以消费为主、部分工业类为辅，应用在蓝牙控制、小家电、电动工具、 安防应用等领域，23 年预计将推出 M4 产品。②VCM Driver：前身无 锡普雅从模拟产品起步，2013 年首颗产品 BLDC Fan Driver（Brushless Direct Current，风机传动装置）量产，2021 年公司提出“存储+”战略后 延续模拟基因，首个音圈马达驱动芯片量产交付，2022 年持续推出新品。 公司音圈马达驱动芯片与 EEPROM 摄像头模组的下游客户形成良好协 同，客户导入顺利。
1.2 股权结构：公司创始人为实控人，股权激励深度绑定核心人员
公司创始人为实控人，股权结构稳定、股权较集中。王楠先生、李兆桂 先生为公司实控人与创始人，两人已签订一致行动协议。目前王楠先生 是公司董事长，直接持股 18.73%，李兆桂先生直接持股 4.86%，同时王 楠和李兆桂先生通过员工持股平台间接持股。
1.3 主营业务：营收增长整体稳健，静待下游需求复苏
22 年行业下行、营收下滑，NOR Flash 是基本盘。1）2017-2022 营收 CAGR 为 64%。2021 年全球半导体行业高景气，公司营收破 10 亿元，达 11.0 亿元，同比+54%，2022 年半导体处于下行周期，公司收入增速放缓， 营收 9.3 亿元，同比-16%。2）存储是基本盘,“存储+”占比提升。22 年存储（NOR Flash+EEPROM）和“存储+”(MCU+VCM DRIVER)营收占比 94%/6%，22H1“存储+”占比仅 2%，占比提升迅速 。22 年存储收入 8.7 亿元，同比-21%，毛利率 30%，同比-7pct；“存储+”营收 5299 万元， 行业周期下行、营收仍强势增长 9 倍。
下游集中在蓝牙耳机、手机屏幕、摄像头模组等消费电子领域。1）NOR Flash：2020 年公司蓝牙（指蓝牙模组，主要用于蓝牙耳机）/手机屏幕 /可穿戴设备/物联网/其他的营收占比 43%/21%/12%/3%/21%，其他中包含家用电器显示屏、工业设备显示屏、PC 周边产品等。2）EEPROM：2020 年公司摄像头模组/网络设备/PC 周边/家电显示屏/工业显示屏/其他营 收占比 80%/5%/3%/6%/4%/3%，摄像头模组贡献 EERPPM 主要营收，受益 行业手机后置多摄像头推广及渗透。
NOR Flash 70%以晶圆形态出货，EEPROM 90%以成品芯片形态出货。 根据产品形态的不同，公司产品分为未封装晶圆（Known Good Die，即 KGD）和成品芯片，其中未封装晶圆直接销售给主控厂，与主控厂的芯 片进行合封（SIP 系统级封装）。1）NOR Flash：公司产品主要以未封 装晶圆形式出货，2020 年未封装晶圆占比 69%，成品芯片占比 31%。 未封装 NOR Flash 晶圆客户主要是主控原厂，产品最终应用于蓝牙耳机、 手机屏幕等领域。2）EEPROM：公司产品主要以成品芯片形式出货， 2020年成品芯片占比90%，未封装晶圆占比10%。公司未封装EEPROM 晶圆客户有主控原厂和经销商，最终用于家电领域。
发展海外市场，整体客户较为分散。1）国内占比近 9 成，发展海外市 场。过去公司客户主要来自中国大陆，目前大力推进海外业务、增长迅 速，2022 年公司实现在日本、韩国、美国等多家知名大客户导入，产品 应用领域涵盖消费、工控、光伏及车载，海外业务营收占比达 13%。2） 经销占比减少。2022 年公司经销/直销分别占比 61%/39%，公司经销占比 同期相比下降。3）公司客户较为分散。2021 年公司前五大客户营收占 比 39%，2022 年前五大客户占比 40%。
2022 年行业周期下行，公司盈利能力下滑，静待下游需求复苏。1）2022 年毛利率、净利率下滑。2021 年半导体行业高景气，公司毛利率 36%， 同比+12.44pcts，2022 年半导体处于下行周期，量价齐跌，公司毛利率 出现下滑，2022 年毛利率为 30%，同比-6pct。2022 年净利率为 9%，同 比-17pcts。2）2022 年净利润下滑。2021 年行业高景气，公司净利润达 2.9 亿，同比+239%，2022 年半导体处于下行周期，下游需求疲软，叠加 大额存货减值+费用端影响，2022 年归母净利润 0.83 亿元，同比-71%。 2022 年全年计提存货减值金额 6793 万，全年股权激励费用 1098 万（2021 年 402 万元），2021 年享受免征企业所得税的税收优惠政策，2022 年 起按 10%的优惠税率征收企业所得税，所得税费用较 2021 年增长 609 万元。
23Q1、23Q2 连续两个季度营收环增 20%+，库存自 23Q1 就已开始下降， 是财务数据最先出现明显边际变化的存储设计公司。23Q2 营收 2.65 亿 元，yoy-23%/qoq+30%，归母净利润-0.5 亿元，yoy-181%，Q1 归母净利 润-0.28 亿元；毛利率 19%，yoy-13pct/qoq-3pct；Q2 存货 4.4 亿元， 较 Q1 环比下降 21%，库存连续 2 个月下降、逐步靠拢健康水平；Q2 存货 减值 5 千万，考虑存货减值，净利润基本打平。23H1 行业价格依然面临 压力，公司 Q1 营收环增 27%，Q2 继续环增 30%，连续两个季度环增。
1.4 研发实力：管理层华虹背景，持续股权激励
管理层华虹背景，擅长工艺改善、成本优化等。公司管理层、技术人员 有华虹任职背景，如公司董事长、创始人王楠先生从 1998 年开始就在华 虹工作，代工厂经验深厚，擅长工艺制程改善、成本优化等，这是公司 能推出业内首款 SONOS NOR Flash、公司 MCU 成本优势明显的底层实力。
持续加大研发投入，保障未来核心竞争力。2022 年公司研发费用显著提 升，达 1.5 亿元，同比增长 62%。2022 年研发费用率 16%，达历史新高， 超过了兆易、聚辰。通过持续增加的研发投入，公司原有产品迭代并实 施性能优化、新产品量产，产品竞争力和覆盖面增强。
五次股权激励计划，持续激励员工。上市前公司共实行 3 次股权激励计划，激励人数总计 65 人。上市后，公司于 21 年和 22 年先后实行两次股 权激励计划，21 年股权激励覆盖员工 112 人，22 年股权激励覆盖员工 140 人。 员工人数逐年增加，人均创收行业领先。2018 年以来，员工总人数连年 增长，2021 突破 200 人，2022 年突破 300 人。
2.1 Nor Flash：中小容量成本优势显著，拓展大容量打开成长空间
存储大市场强周期，复苏量价齐升逻辑最佳。详情见 5/7 发布的专题报 告：《存储：他山为鉴，上行周期弹性俱佳》。 竞争格局：巨头落幕。DRAM 和 NAND 行业主要是三星、海力士、美光等 国际原厂角逐，NOR Flash 主要是中国台湾和中国大陆厂商。NOR Flash 行业在过去 20 年经历了数次洗牌，五强厂商变化显著，如三星电子 2010 年公告完全退出市场，美光和赛普拉斯于 2017 年退出中低端市场，近几 年旺宏和华邦电互逐榜首，兆易创新 2020 年超赛普拉斯居第三。同时中 国大陆涌现一批 Nor Flash 玩家，如普冉股份、恒烁股份等。
功能机时代的存储王者，至今仍占据重要地位。NOR Flash 曾凭借读取 速度快+稳定性高的特点，在功能机时代依靠 NOR Flash+PSRAM 架构 称霸一时，随着功能机市场萎缩，智能手机时代的到来，2005-2015 年 NOR Flash 陷低迷期，直到 2017 年开始逐渐升温，5G、IOT、汽车、 智能手机屏幕为NOR Flash带来持续增长动力，2021年全球29亿美金， 占全球存储市场 2%左右，在存储器技术历经多次变革后仍占据一席之 地。
NOR Flash 独特优势赋予其不可替代性。NOR Flash 和 NAND 属于非易失 性存储器，结构不同，呈现不同特点，互相不可替代。 1）NOR Flash：优势在于读取速度快，可芯片内执行（XIP，Execute In Place，应用程序可直接在 Flash 内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中），由于外围电路简单，在 512Mb 以下容量具有较高成本效益。 2）NAND Flash：目前闪存中最主要的产品，优势在于高密度、低成本、 擦写速度较快，当容量达到 1GBit 以上，NAND Flash 的单位容量成本远 低于 NOR Flash,被广泛应用于服务器、手机、PC、固态硬盘等大容量领域，但由于 NAND Flash 的外围电路更为复杂、面积更大，因此在 1Gbit 以下的数据存储场景的成本优势不及 NOR Flash。
NOR Flash 大容量趋势明显。根据 Omdia 数据，受益于大容量需求的 车用及工控领域需求增长，256Mb 及以上大容量 NOR Flash 占比将从 2020 年的 24%提升至 2025 年的 41%，256M 及以上的大容量 NOR Flash 逐渐成为主流。根据旺宏的 NOR Flash 营收占比看，大容量提升 明显。
普冉在业界率先采用 SONOS 工艺结构设计 NOR Flash。 存储芯片由存储单元和外围电路组成，存储单元用于存取 1 位（bit）0/1， 是存储芯片最基础单元，外围电路决定存储芯片性能。不同存储器的存 储单元的构成有所差异，如 DRAM 存储单元是一个晶体管和一个电容器， NAND Flash/ETOX NOR Flash 存储单元是一个浮栅晶体管。 非易失性存储单元工艺结构主要分为浮栅 ETOX 和电荷俘获 SONOS 两类。 ETOX 结构是 Intel 在 1988 年提出，广泛应用于 Flash，是较为开放的底 层技术。SONOS 结构由赛普拉斯在 2001 年提出，赛普拉斯将该结构主要 应用于 SoC 或者 MCU 的嵌入式内存设计，如 PSoC 6 采用 ARM® Cortex®-M4 and Cortex®-M0+双核架构，并采用了 40nm SONOS 技术。在 NOR Flash 领 域，兆易创新、华邦、旺宏等均采用 ETOX 结构，2016 年普冉与赛普拉 斯签署 SONOS 的技术授权协议，和代工厂合作开发工艺，率先将 SONOS 结构应用于 NOR Flash，首款产品在 2017 年开始量产。
SONOS 与 ETOX 存储单元结构存在差异。SONOS 和 ETOX 差异体现在：① 存储单元的晶体管种类不同，即存储介质不同，②存储单元中的晶体管数量不同，（主流 SONOS 结构采用 2 个晶体管）③物理原理不同。具体 来看：1）ETOX 工艺，存储单元是单个浮栅晶体管（即单管单元），是 在 MOS 晶体管基础上引入绝缘多晶硅浮栅来存储电荷，通过向浮栅中注 入电子或拉出电子实现写入和擦除操作，应用的是热电子效应。因此浮 栅晶体管中有 2 个栅极，1 个是控制栅, 也就是一般意义上普通多晶硅 栅极，另一个就是多晶硅浮栅，即包裹在二氧化硅介质层里、浮空的栅 极。2）SONOS 工艺，存储单元是 2 个晶体管（即双管单元），晶体管中 的栅极的介质是用 ONO 堆栈而成，ONO 即一层隧穿氧化层、一层氮化物 及一层阻挡氧化层，SONOS 工艺使用绝缘层（如氮化硅）作为电荷存储 层，氮化物中的电荷陷阱俘获从通道注入的载流子并保留电荷，利用的 是隧道效应进行载流子的迁移，实现电荷的存储。
中小容量市场，SONOS 成本、低功耗优势明显；大容量市场，ETOX 更适 合。在汽车、工业市场，ETOX 发展多年，更受认可。SONOS 存储单元双 管结构，ETOX 单管结构，在相同制程节点下，SONOS 存储单元面积大于 ETOX，但 SONOS 所需电压小，控制电路更简单，控制电路面积小于 ETOX。 因此在中小容量领域，存储单元数量少，控制电路面积减少带来的成本 优势更大。而在大容量领域，存储单元多，存储单元面积减少带来的成 本优势更大，在大容量场景下，ETOX 更有成本优势。在性能上，SONOS 能实现更低功耗，擦除更快、耐擦写能力强，支持灵活区域结构，同时 工艺结构比较简洁、光罩层数更少，成本有优势。 1）电压：SONOS 操作电压更低，低功耗优势明显。SONOS 擦除和编程操 作所需电压显著降低。同时擦写电压下降，降低对单元结构的损耗，提 高使用寿命，同时，擦写电压下降意味更低的擦除写入功耗，实现了低 功耗、高可靠性等特点。 2）工艺复杂度：SONOS 复杂度降低，减少光罩层数，成本优势明显。ETOX 编程电压高，集成复杂，控制电路更复杂，一般需要在基本逻辑工艺基 础上再额外增加 9-12 层光罩来实现。而 SONOS 工艺处理结构更简单， 外围电路简单，一般只需要在基本逻辑工艺基础上再增加 3-5 层光罩就 可以实现。 3）ETOX 单管结构，在大容量具有一定优势。SONOS 存储单元是一个双 管（2T）单元，而 ETOX 存储单元是单管单元，在相同技术节点，ETOX 存储单元较小。在中小容量领域，采用 SONOS 能够简化外围控制电路，降低芯片尺寸和面积。大容量领域，存储单元数量多，存储单元占芯片 面积比例随容量上升而上升，存储器芯片面积大小成为决定芯片面积的 主要因素，SONOS 在大容量场景下不再有面积优势。同时在工业、汽车 等应用，ETOX 发展多年，认证壁垒更低。
中国大陆中小容量 NOR Flash 玩家众多，差异化竞争是关键，特色工艺 +先进制程是普冉特点。 公司策略：在中小容量市场，以 SONOS 工艺为主，发挥低功耗、高性价 比优势，ETOX 为辅，SONOS NOR Flash 制程从 55nm 向 40nm 迭代，夯实 制程优势；在大容量128M以上市场，采用中国大陆最先进55/50nm制程， 使用主流 ETOX 工艺，补齐工业、汽车等领域。 与中国大陆厂商对比： 1）营收：中国大陆 NOR Flash 玩家多，普冉是龙二。中国大陆所有存储 Fabless 均有 NOR Flash，NOR Flash 是兆易、普冉、恒烁、博雅科技第 一大营收来源，兆易和普冉 NOR Flash 营收体量最大，普冉营收仅次于 兆易。
2）发展路径：以 NOR Flash 为重的厂商，向 MCU 发展。NOR Flash 与 MCU 有协同，兆易早期是做 NOR Flash 后向 MCU 发展，目前普冉以 NOR Flash 为基础向 MCU 发展，恒烁以 NOR Flash 为核心向 MCU 发展，博雅全部营 收来自 NOR Flash，目前也在布局 MCU。
3）容量覆盖：普冉中小容量采用独特 SONOS 工艺，ETOX 大容量追赶中。 从容量看，中小容量产品玩家多，普冉 1M-128M 用独特的 SONOS 工艺， 低功耗优势显著，从 55nm 向 40nm 升级，制程领先，128M 以上使用主流 ETOX 工艺，50nm 和 55nm 制程，22 年推出，6 颗产品已大批量出货，应 用在可穿戴设备、安防、工控，预计 23 年推出 256M、512M，大容量占 比有望持续提升。 4）技术：普冉是业界首位采用 SONOS 工艺设计量产 NOR Flash 的厂商。 21 年普冉 NOR Flash 单价较其他厂商明显更低，一方面是因为普冉 21 年全部是中小容量出货，单价本身更低，另一方面是因普冉采用 SONOS 工艺+40nm 领先制程，成本优势大、产品价格优势明显。 5）制程：普冉制程优势明显。从中国大陆厂商采用的最先进制程看，ETOX NOR Flash 各家最先进制程包括 48nm、50nm、55nm，东芯采用中国台湾 力晶的 48nm 制程，中国大陆代工厂的 NOR Flash 最先进制程是 50nm（华 力和武汉新芯），普冉 ETOX 产品采用中国大陆最先进 NOR Flash 制程 50nm。SONOS 方面，普冉已付费购买赛普拉斯的 40nm 和 55nm SONOS 工 艺的授权，目前最新制程是40nm，博雅科技仅购买赛普拉斯的55nm SONOS 工艺的授权。
2.2 EEPROM：中国大陆第二，积极开拓车规、工业市场
EEPROM 属于非易失性存储器芯片，用于存储小规模、经常需要修改 的数据的领域。EEPROM 可以擦除已有信息、重新编程，特点是待机 功耗低、灵活性高、可靠性高，容量 1Kb~2048Kb，耐擦写性能至少 100 万次，主要用于存储小规模、经常需要修改的数据，应用包括智能手机 摄像头模组内存储镜头与图像的矫正参数、液晶面板内存储参数和配臵 文件、蓝牙模块内存储控制参数、内存条温度传感器内存储温度参数。 EEPROM 芯片在操作方式上分为串行操作和并行操作。串行 EEPROM 占据绝大部分市场份额，具备体积小、价格低、操作方便的特性。并行 EEPROM 由于价格较高、尺寸较大，日益被串行 EEPROM、闪存芯片 以及其他芯片所取代，目前主要用于部分长期应用市场。根据应用领域 不同，EEPROM 可以分为 IIC 接口系列、SPI 接口、Microwire 接口系 列、SPD/SPD+TS 接口系列等。
EEPROM 与 Nor Flash 技术有相同性，但性能有差异，不可替代，各 有所长。1）技术角度：芯片架构分成存储单元和外围电路，都有电荷泵、灵敏放大器、X-Y 译码电路等主要电路功能模块，常用接口协议基 本一致，设计理念和方法上具有一定相通性，技术转化难度不大。2）可 靠性：EEPROM 较 NOR Flash 可靠性更高，可擦写次数更高。3）成 本：EEPROM 存储单元通常为 2 个晶体管，存储单元面积较 NOR Flash 更大，在大容量场景不具备经济优势。4）容量：EEPROM 通常为 1Kb~2048Kb，NOR Flash 容量为 512Kb~1024Mb。5）功耗：EEPROM 功耗更低。6）适用领域：NOR Flash 更适合对擦写次数与数据可靠性 要求不高但对数据存储量要求较高的应用，EEPROM 是定期更新参数 的存储应用的最佳选型，更适合可穿戴设备等有低功耗需求的应用领域， 以及汽车电子、智能电表、医疗监测仪等对耐用性和可靠性要求较高的 应用领域。
EEPROM 全球 12 亿美金市场。2022 年开始受消费电子需求下降影响， 全球 EEPROM 市场规模为 11.52 亿美元，同比+4.1%，增速放缓。
分为消费级、工业级和汽车级，车规品质要求更高。汽车级 EEPROM 产品相比工业级 EEPROM 需要具有更可靠的性能、更强的温度适应能 力和抗干扰能力，因此具备更高的品控要求和开发难度。
海外厂商领跑车规级/工规级产品，中国大陆厂商追赶中。全球 EEPROM CR10 超过 90%，龙头企业包括意法半导体、微芯半导体、聚辰股份、 安森美。其中汽车和工业 EEPROM 市场主要由意法半导体、安森美等 境外企业主导，目前聚辰、普冉等厂商加速追赶，聚辰已具备 A1 及以 下产品，普冉也已通过 A1 认证。目前，手机摄像头 EEPROM 市场主要 由聚辰股份、普冉主导。
下游驱动：1）智能手机：智能手机摄像头是 EEPROM 的主要应用市场 之一，双摄、多摄逐步渗透，摄像头模组升级，拉动 EEPROM 需求量， 2018 年达 21.64 亿颗，根据赛迪顾问数据，预计到 2023 年 EEPROM 需求量达 55.25 亿颗。2）液晶面板：液晶面板的控制板需要搭配 EEPROM，用于存储液晶面板参数和配臵文件，随着高清显示、4K 需 求增加，近年来全球大尺寸液晶面板需求量保持稳步增长，根据赛迪顾 问数据，2018 年全球液晶面板需求量为 7.55 亿颗，预计 2023 年 EEPROM 需求量将达到 9.69 亿颗。3）汽车电子：随着汽车智能网联、 电动化趋势的不断发展，汽车电子产品的渗透率将快速提升，带动对 EEPROM 的需求增长，2018 年需求量达 17.29 亿颗。
公司发展 EEPROM 多年，布局车规级/工规级产品。1）容量覆盖度提 升：2014 年，公司完成首颗 256Kb、512KbEEPROM 研发和流片，2016 年，公司 2Kb-512Kb 全系列 EEPROM 量产，2022 年公司 2Mb 大容量 EEPROM 产品顺利量产出货，4Mb 大容量 EEPROM 产品开发完成， 目前已实现 2Kb-4Mb 容量产品覆盖，未来将持续推进更先进制程和更全 容量覆盖的 EEPROM 产品设计。2）下游应用拓展：2020 年，公司摄 像头模组/网络设备/PC 周边/家电显示屏/工业控制在 EEPROM 收入占 比分别为 80%/5%/2%/6%/4%，摄像头模组连年排名第一。2022 年， 持续推进 EEPROM 产品在工业控制和车载领域的应用，工业控制上应 用占比显著提升，对稳定公司毛利率起到一定作用；同时，公司车载产 品完成 AEC-Q100 标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系 统等应用上实现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比有所 提升，同时公司持续推进 EEPROM 产品全系列的车规认证。3）制程优 化、面积缩小：2014 年 EEPROM 产品系列工艺制程从 130nm 逐步升 级，2022 年实现 95nmEEPROM 产品量产，存储单元从 1.26um^2 向 更小尺寸 1.01um^2 同步迭代升级，存储单元面积持续缩小。
中国大陆龙二，汽车和工业占比提升有望提升毛利率。2021 年聚辰股份 EERPOM 营收 4.2 亿元，公司 EEPROM 营收 3.2 亿元，在中国大陆营收 体量仅次于聚辰，是中国大陆龙二。对比普冉和聚辰的毛利率和单价，聚辰 毛利率和单价更高，主要是因聚辰的汽车、工业等高附加值领域占比更高， 聚辰也已完成EEPROM全系列车规认证。预计未来普冉车和工业占比提升， 将有效提升公司 EEPROM 毛利率。
3.1 MCU：22 年逆势出货成绩喜人，持续关注后续放量情况
2022 年全球市场 250 亿美金，且未来五年有望稳健增长。 2022 年全球 MCU 市场规模达 250 亿美元，2021 年市场规模 196 亿美元， 同比+27.5%，占全球半导体市场的 4%，2009-2022 年占比稳定在 4%-5%。
MCU 是电子设备的核心部件，其架构核心是 CPU，涉及数字、模拟芯片能 力。MCU 是把 CPU 的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、 A/D 转换等周边接口都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机。MCU 作 为一个具有处理器、存储器和外围设备的独立系统，广泛用于各类计算能力 要求不算高的电子设备中，如体温计、无线充电器和智能手环，大到数控机 床、机器人和汽车等。
按单位时间处理位数的不同，可分为 4/8/16/32/64 位产品。位数是指处理 器寄存器的大小或宽度，即数据总线宽度，较大位数的寄存器意味着可以操 作大量的数据以减少时钟周期，从而达到更好的运算效率。因为计算效率的 不同，8/16/32 的下游应用有所不同，8 位更适宜用于计算需求较小的产品，如 LCD、小家电、玩具等；32 位更适宜用于计算量稍大的产品，如汽车电 子（包括 ECU、雷达监测等）、工业领域。
32 位占比近 60%，且有望持续提升，是绝对主流。 1）从市场规模占比看：32 位 MCU 目前已是主流，2020 年占比 59%，16 位由于其不上不下的定位市场空间被明显压缩。2020 年，8/16/32 位分别占 比为 23%/18%/59%。 2）32 位市场规模不断提升的原因在于：①MCU 成本快速下降，32 位已与 8/16 位差别不大，且 MCU 本身占总生产成本比例较低，因此下游客户对价 格的敏感性一般；②产品对 MCU 的计算存储性能要求越来越高，需要 32 位 MCU 才能满足 3）8 位在性能不及 32 位情况下，仍具有一定市场的主要原因在于：①虽然 32 位比 8 位价格稍高，但是开发过程中难度更大且耗时，反而最终导致成 本更高；②8 位也具备某些硬件优势，比如静态电流更低导致功耗更低，某 些简单计算操作下速度更快。
MCU 市场经过数轮大规模并购后，CR7>80%。国外前七大厂商占据了 全球超过 80%的市场份额，头部效应显著，其中瑞萨、恩智浦 > 微芯、 意法 >其他三家。集中度较高的原因包括：1）为争夺市场份额及布局 物联网应用，MCU主要厂商之间发生数起大规模并购，包括NXP于2015 年收购飞思卡尔，进军汽车电子领域，市占率上升至 19%；Microchip 在 2015 年收购 Atmel，市场占有率上升至 14%；Cypress 在 2015 年收 购 Spansion，市场占有率达到 4%；2020 年 Cypress 被 Infineon 所收 购，合并后市占率达到 13%，跃升为排名第三的厂商。 2）MCU 下游应用通常更新迭代较慢、使用周期较长，因此倾向于能提 供稳定解决方案的供应商，较少更换供应商。
从自研内核转向外购内核是大趋势，目前 ARM Cortex M 系列占据主 流地位。从 MCU 的发展历史看，最初 MCU 厂商多自研内核，之后 随着计算要求越来越复杂，内核厂商开始出现、分工进一步细化，MCU 厂商开始使用外购内核并将主要精力投身其他部分的研发。其中目前外 购内核中占据主导地位的是 ARM Cortex M 系列，该系列由 ARM 开 发，采取 IP 授权形式，相比于 ARM 公司的其他系列产品（注：Cortex 处理器可以分为应用处理器（A 系列）、实时处理器（R 系列）和微控 制器处理器（M 系列）），Cortex-M 系列具有短流水线、超低功耗的 设计特点，专门面向 MCU 及深度嵌入系统市场。2004 年 ARM 公司 推出第一款 Cortex- M 系列处理器 M3，ST 公司抓住机遇，在短时间 内向市场推出一系列基于该内核的 32 位 MCU（STM32 系列）。此 后 Cortex-M 系列处理器迅速发展，2009 年，超低功耗处理器 M0 一 经推出，就受到了广泛的欢迎，在 9 个月内就有多达 15 家厂商与 ARM 签约。目前海外厂商几乎都从自研内核转向了使用 ARM 内核。 除此之外，近几年 RISC-V 则成为了 32 位内核市场的后起之秀，该内核诞生于伯克利大学，特点是简单且免费开源，中国大陆部分厂商也推 出了基于此架构的 MCU 产品，但整体数量偏少。
ARM 内核包括中高低端不同产品。目前 ARM 共推出 11 款 Cortex M 系列处理器，其在尺寸、功耗、性能、安全性、是否适用于 AI 应用等 指标上有着差异化定位，全面满足低、中、高端需求。其中，M0/0+/1/23 四颗为低端内核，M3/M4 为中端产品，M7/33/35P/55/85 为中高端产品。
普冉 2022 年 MCU 起步，增速亮眼、成绩喜人。2022 年“存储+”(MCU+VCM DRIVER)营收占比 6%，22H1“存储+”占比仅 2%，占比提升迅速 。22 年 “存储+”营收 5299 万元，行业周期下行、营收仍强势增长 9 倍，逆势 出货，成绩喜人。
MCU 与 NOR 有协同，普冉采用特色嵌入式 eflash 工艺，定位通用型市场。 SONOS 工艺被赛普拉斯用于 MCU 类产品，2021 年公司基于现有的 SONOS 工艺和超低功耗与高集成度自由设计的存储器优势，布局具有特色工艺 的通用型 MCU，2022 年公司基于 ARM 内核的 32 位 M0+ MCU 量产出 货。定位通用市场，需要广铺料号和丰富内核，2022 年公司 M0+系列 已推出 60 余颗产品，应用于家电、监控、通讯传输、BMS 监测保护等 领域，同时 M4 内核产品开发进展顺利。
公司 32 位产品可替代部分 8 位市场。公司 MCU 产品规划中定义了宽电 压设计指标，产品低压支持最低 1.7V 工作电压，高压支持最高 5.5V 工 作电压。既可以满足新兴市场低电压、低功耗的要求，也可以满足早期 8 位 MCU 市场 5V 应用的需求。
3.2 音圈马达驱动芯片：与 EEPROM 协同，延续“模拟基因”
音圈马达驱动芯片是实现手摄像头自动对焦的核心组件。音圈马达属于线 性直流马达，是用于推动镜头移动产生自动聚焦的装臵。音圈马达按照其功 能主要可以分为开环式马达（Open loop）、闭环式马达（Close loop）、中臵马达（Alternate）、OIS 光学防抖马达（分平移式、移轴式、记忆金 属式等）、OIS+Close loop 六轴马达等，其中开环式马达、闭环式马达和 OIS 光学防抖马达是最为常见的三种。音圈马达驱动芯片为与音圈马达匹 配的驱动芯片，主要用于控制音圈马达来实现自动聚焦功能。
开环式、闭环式、光学防抖式三大类，用于不同价位手机。开环式（Open Loop）、闭环式（Close Loop）、光学防抖式（OIS，含 SMA 技术），分 别应用于不同价位的手机，三种技术路线并存发展。开环式马达为行业内较 早产生的技术，其主要应用于中低端手机的主摄，近年来，随着多摄手机普 及，开环式马达亦成为多摄手机副摄的主要选择。之后，高端智能手机逐渐 出现，对摄像效果要求更高，闭环式马达应运而生，并逐渐应用于高端手机 的主摄。随着摄像防抖需求的产生，OIS 光学防抖马达技术随之产生，并逐 渐应用于高端手机的主摄。光学防抖式因其防抖功能表现优秀，成为高端智 能手机首选。而开环音圈马达因控制简单、良率高、价格便宜、体积小等众 多优点，成为占据市场大份额的中低端手机的优先选择。
智能手机的摄像头模组是音圈马达驱动芯片的重要应用领域。全球智能手 机需求逐步放缓，双摄多摄趋势盛行，手机摄像头模组出货量稳步提升。1） 从全球智能手机出货量看，2011-2014 年，全球智能手机市场呈现爆炸式增 长态势，2016 年后趋向饱和状态，增速放缓，2021 年出货量达 13.55 亿台， 同比增长 4.7%。2）从全球手机摄像头模组出货量看，近年来，手机摄像头 模组出货量持续上升，稳中有进，2021 年全球手机摄像头出货量约为 48.2 亿颗，同比增长 5.77%，预计 2022 年为 49.2 亿颗。3）从全球手机平均搭 载摄像头个数看，随着民众对于手机摄像需求增加，要求上升，全球手机平 均搭载摄像头数量近年逐步增长，由 2015 年的 2 颗增长至 2021 年的 4.1 颗。4）从全球智能手机各类后镜头出货占比看，2021 年全球智能手机后镜 头数量分别是一个及以下/双镜头/三镜头/四个及以上，占比分别为 20%/25%/34%/21%，未来单镜头产品将逐步淘汰，三镜头/四个及以上产 品占比将大幅提升。
2023 年音圈马达驱动芯片全球市场规模预计达 2.73 亿美元。1）从全球市 场规模看，近年来，随着智能手机市场规模扩张及双摄多摄需求增加，音圈 马达驱动芯片市场规模稳定攀升，2014-2019 年 CAGR 达 7.6%，根据 Frost&Sullivan 预测，随着多摄像头应用的增加，摄像头音圈马达驱动芯片 市场规模将进一步增长，2023 年达 2.73 亿美元。2）从出货量看，随着摄像头需求持续上升，音圈马达驱动芯片全球市场出货量持续增长，2018 至 2020 年期间出货量分别为 28 亿颗、34.51 亿颗、44.06 亿颗，未来有望保 持上升趋势。
市场份额集中度高，日韩厂商占据榜首。全球市场上的音圈马达驱动芯片供 应商主要来自日本、韩国、美国及中国大陆地区等，其中头部厂商包括韩国 动运、罗姆半导体、纪斯科技、旭化成、安森美半导体，2018 年，全球音 圈马达驱动芯片市场份额排名前五名的企业（韩国动运、罗姆半导体、纪斯 科技、旭化成、安森美半导体）合计约占总体市场份额的 75.5%，中国大陆 厂商追赶中。
中国大陆开环式技术成熟，闭环式、光学防抖仍需拓荒。海外厂商在开环、 闭环、OIS 产品布局全面，中国大陆厂商在开环式发展成熟，目前闭环、 OIS 仍在补齐中。
音圈马达驱动芯片与 EEPROM 协同，客户导入顺利。公司前身以模拟 产品起步，2013 年，公司首颗产品 BLDC Fan Driver（风机传动装臵） 研发成功并进入量产，2021 年公司提出“存储+”战略，延续模拟基因。 2022 年推出音圈马达驱动与 EEPROM 二合一的开环产品，该集成方 案大大缩小了芯片面积，适配绝大多数开环音圈马达类型，并于 2022 年上半年实现多颗产品大规模量产交付，支持高通新一代平台 1.2V 应 用音圈马达驱动芯片产品完成研发并进入客户送样和认证阶段，同时持 续研发光学防抖产品。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
