1.1、以ALD技术为核心，向半导体与光伏领域布局延伸
公司于 2015 年成立，公司主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售， 公司从成立之初便立即开始原型机的研发，在 ALD 技术领域取得重大突破，全球首创 将 ALD 技术规模化应用于光伏领域，在 PERC、TOPCon、XBC 以及钙钛矿领域均实现出 货；同时在半导体领域，公司是国内首家成功将量产型 High-k 原子层沉积设备应用 于 28nm 节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，产品可应用于逻辑、存储、 3D-IC 等镀膜制造领域。公司以 ALD 技术为核心，向半导体、光伏领域布局延伸。
半导体设备领域：ALD 设备可应用于逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等领域。 目前公司 iTomic 系列原子层沉积镀膜系统因制备的 High-k 材料 HfO2可以较好满足 28nm 逻辑器件的栅氧层工艺，已经实现量产。此外，在新型显示、化合物半导体等领 域，ALD 设备已经相对成熟，进行产业化应用势在必行，公司在半导体领域产品将进 一步多元化。
光伏领域：公司光伏设备产品主要包括 ALD、PECVD、PEALD 二合一设备和扩散炉系列， 应用电池制造，并可提供 TOPCon 整线生产设备。（1）PERC 电池：夸父（KF）系列 TALD 设备的 Al2O3工艺可应用于 PERC 电池背面钝化层、TOPCon 电池正面钝化层、XBC 电池 钝化，并探索开发应用于 HJT、钙钛矿；（2）TOPCon 电池：祝融（ZR）PEALD 系列集 成 PEALD 和 PEVCD 技术，同一台设备可完成 Al2O3膜和 SiNX膜，以及 TOPCon 电池隧穿 层和掺杂多晶硅层；羲和（XH）系列可用于 TOPCon 电池扩散、退火；（3）钙钛矿叠 层：后裔（HY）系列可用于钙钛矿/异质结叠层电池的非晶/微晶硅基掺杂薄膜、阻水 阻气保护层等。
1.2、公司业绩持续向好，盈利水平行业领先
公司成长能力优秀，营业收入维持高速增长。 1) 2019-2022 年：公司实现营业收入分别为 2.16/3.13/4.28/6.85 亿元，同比增长 415%/45%/37%/60%/146% ， CAGR=46.92% ； 公 司 实 现 归 母 净 利 润 分 别 为 0.55/0.57/0.46/0.54 亿元，同比增长 293%/5%/-19%/17%。 2) 2023H1:2023 上半年实现营收 3.82 亿元，同比+145.53%，主要系报告期内在手订单 陆续实现收入转化，专用设备产品验收数量增长所致；2023H1 实现归母净利润 0.69 亿元，同比+275%，主要系公司设备出货量大幅提升，按照国家软件产品增值税即征 即退的优惠政策，公司期内获得的软件退税金额增长较多所致。
公司营收主要来自光伏设备，半导体业务实现突破。2019-2023H1，公司光伏设备营 收占比分别为 94%/96%/64%/73%/87%，一直是公司主要的营收来源。2021-2023H1，半 导体设备营收占比分别为 6%/7%/4%，实现了营收突破，拓展了公司营收来源。2021 年，配套产品及服务营收占比 30%，同比增长较快，主要是光伏电池硅片大尺寸化/ 公司臭氧工艺的推广带动配套产品及服务营收占比的提升。
公司毛利率保持较高水平，2023H1 净利润显著提升。2019-2022 年，公司毛利率分别 为 54%、52%、46%、42%，毛利率逐年下降，主要系市场竞争激烈，公司按照市场定价 导致毛利率降低。2023 上半年公司净利率显著提升，主要系公司设备出货量大幅提升， 按照国家软件产品增值税即征即退的优惠政策，公司期内获得的软件退税金额增长较 多所致。
公司三费逐见成效，呈逐年下降趋势。2020-2021 年公司管理费用率（包含研发费用）明 显上升，主要系公司拓展业务领域、提高研发实力而扩充了管理、研发等人员。 2022-2023H1，随着公司营收大幅度增长，以及规模效应影响之下，公司财务、管理费用 率（包含研发费用）逐年下降。
公司高度重视研发，研发投入稳步增长。公司研发费用稳步增长，从 2019 年的 3109.05 万元增加至 2022 年的 13839.54 万元，并将持续都维持较高水平。2022 年公司研发费用 率有所下降，原因为公司营收增长显著。2023H1 公司研发费用为 6390.04 万元，研发费 用率为 16.72%，仍维持在较高水平。公司持续加大研发投入，增强技术创新能力，针对 光伏设备持续研发，同时向半导体领域延伸，进一步拓展了公司技术储备。
公司在手订单持续增长，有力支撑未来业绩。截至 2023 年 6 月 30 日，公司存货及合同 负债达历史新高，分别为 20.9/15.54 亿元，同比+264.64%/+433.69%；公司在手专用设 备订单增长至约 62.53 亿元，其中光伏设备订单 56.21 亿元，半导体设备订单 5.48 亿元， 其他设备订单 8,461 万元。
1.3、股权结构稳定，核心员工绑定公司发展
公司股权结构稳定，实控人合计持股 60.60%。王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族间接控 制公司 60.60%的股份，系公司实际控制人，王燕清、倪亚兰系夫妻关系，王磊系王燕清、 倪亚兰之子。公司创始人兼核心技术人员 LIWEIMING、LIXIANG 持股合计 13.86%，管理合 伙人（26 人）通过聚海盈管理合计持有公司股份 8.32%，高管与核心技术人员专项资产管 理计划合计持股 0.88%。
实施股权激励，深度绑定核心员工。公司研发队伍人员不断充实，截至 2023 年 6 月 30 日，公司研发人员达到 303 人，同比增长 48.07%。目前已形成了一支结构合理、分工明 确、专业知识储备深厚、产线验证经验丰富的研发团队。2023 年 3 月 29 日，公司向 322 名激励对象授予 1425.68 万股限制性股票，公司核心员工深度绑定公司发展。
2.1、光伏新增装机量持续高增，N型电池高速渗透
全球“碳中和”目标确定，国内国际光伏市场持续高增。在全球“碳中和”共识、 地缘政治紧张以及能源短缺的背景下，各国能源结构加速向可再生能源转型。我国于 22 年 6 月《“十四五”可再生能源发展规划》中提到，到 2025 年，可再生能源年发电 量达到 3.3 万亿千瓦时左右。“十四五”期间，可再生能源发电量增量在全社会用电量 增量中的占比超过 50%，风电和太阳能发电量实现翻倍。
双碳目标大势所趋，光伏行业中长期成长态势确定。2023 年全球新增光伏装机量有 望超 350GW，同比+53.44%，连续 5 年保持超两位数增长。2023 年国内新增光伏 装机量有望达 95GW，同比+8.7%。随着光伏发电成本持续下降以及能源转型的持续 推进，未来光伏装机量仍有望保持强劲增长态势。
P 型电池接近效率极限，N 型电池优势明显。P 型电池原材料为 P 型硅片，N 型电 池原材料为 N 型硅片。目前主流的 P 型单晶电池技术为 PERC 电池技术，该技术制 造工艺简单、成本低。随着 P 型电池逐渐接近其转换效率极限（极限效率 24.5%）， N 型将成为下一代电池技术的发展方向。N 型电池具有转换效率高、双面率高、温度 系数低、载流子寿命更长等优点，主要 N 型路线包括 TOPCon、IBC、HJT 等。
三种 N 型电池技术路线工艺复杂度、兼容性各具特点，TOCPon 成为当前主力。 （1）TOPCon 电池：工序为 12 道左右，可基于 PERC 电池产线兼容改造，技术已经较 为成熟，目前具有性价比优势，23 年已成为厂商扩产绝对主力。（2）HJT 电池：4-6 道工序，较 TOPCon 大幅缩减，提效潜力巨大，但是设备投资额成 本高昂且完全不兼容传统 PERC 产线，需要进一步优化产线设备、提升经济性。 （3）IBC 电池：目前效率最高的技术路径，但是技术相对难度高、工艺复杂、设备投资 额相对昂贵，技术难题仍需进一步解决。
2.2、TOPCon电池加速渗透，扩展公司ALD设备应用范围
TOPCon 电池转换效率上限接近 29%，远超 PERC 极限效率（24.5%）。TOPCon（隧 穿氧化层钝化接触）电池采用 N 型硅材料作为衬底，硼扩散形成发射极，背面采用一 层超薄氧化层和掺杂多晶硅层钝化层，双面丝网形成金属电极。TOPCon 优势之一， 是其理论转化率上限可到 28.7%，接近晶硅极限的 29%。
TOPCon 与 PERC 产线兼容性高，新增投资成本较低（单 GW 新增近 0.3-0.5 亿元）。 从生产工艺步骤来看，TOPCon 与现有 PERC 产线的兼容性较好，最大程度的保留 和利用现有 P 型电池设备工艺流程，根据 Solarzoom 报道，在 PERC 产线上添加硼 扩散、薄膜沉积等设备，即可升级到 TOPCon 产线，新增设备投资额仅有 0.3-0.5 亿元/GW，因此将 PERC 改造成 TOPCon 是拉长设备应用周期的较优选择。
TOPCon 较 PERC 有明显优势，率先开启渗透。TOPCon 相比 PERC 具有双面率高、 衰减低、温度系数低、弱光效应好等优势，并比其余 N 型电池更具性价比。根据 CPIA，2019-2021年新建电池产线以PERC为主，2022年下半年N型电池片产能陆续释放， N 型占比合计达到 9.1%，其中 TOPCon 电池片市场占比约 8.3%，为当前 N 型电池 片绝对主流技术，预计 2023 年 N 型电池（TOPCon、HJT、XBC）占比将达到 22.5%， 其中 TOPCon 市场占比有望提升至 18.1%。
公司面向光伏领域开发多款薄膜沉积设备，应用前景广阔。公司基于 ALD 深厚底蕴， 已研发出多款光伏设备产品：ALD、PECVD、PEALD、扩散炉等，并持续推进以 ALD 为核心的 TOPCon 整线方案。公司设备在不同电池技术中应用范围如下： （1）PERC：公司设备主要应用于 PERC 电池的钝化层以及减反层制备，其中 Al2O3 主要采用 ALD 设备沉积，SiNx 薄膜主要采用 PECVD 设备沉积。此外，也可在一台 PEALD 二合一设备中先后完成 Al2O3、SiNx 薄膜的沉积。 （2）TOPCon：由于 TOPCon 产线可由 PERC 产线上新增设备升级而来，因此在 PERC 电池原有设备之外，新增了 TOPCon 电池隧穿层和掺杂多晶硅层的镀膜设备 需求。 （3）钙钛矿/HJT：HJT 制造环节中的非晶/微晶硅沉积和透明导电膜（TCO）、以及 钙钛矿封装均需用到薄膜沉积设备，公司相关设备正处于开发验证阶段。
2.3、TOPCon规划产能充足，公司设备市场空间广阔
公司设备在 PERC 产线中投资占比超 24%，在 TOPCon 产线中投资占比上升至 33% 以上。根据上市公司披露的项目投资明细，TOPCon（含未披露具体技术类型的 N 型 电池）产线每 GW 平均投资规模高于 PERC 产线。公司研发、生产的设备在 PERC 产线建设中的投资占比为 24.71%-26.73%，在 TOPCon（含 N 型电池）产线建设中 的投资比重上升至 33.00%-39.12%。
2023年各厂商TOPCon 规划产能合计达1430GW。得益于TOPCon产线兼容性好、性价比高、人才储备充足，22 年以来 TOPCon 产能高速增长。根据各光伏厂商的扩 产规划，2023 年以来行业 TOPCon 电池产能规划已经超过 1000GW，从区域角度， 华东地区安徽、江苏、浙江以 405GW、336.1GW、146.3GW 的产能遥遥领先；西 南、华北、西北等地区分布呈集群效应。
N 型电池扩产有力支撑镀膜设备业绩，2025 年公司设备市场空间有望达 405.9 亿元， 2022-2025 年 CAGR=78%。核心假设如下： （1）根据微导纳米招股说明书披露的设备价值量，我们假设 2021-2025 年公司镀膜 设备占 TOPCon 设备投资额的 36%；公司设备在 XBC 电池生产工序中价值占比与 TOPCon 相近，取为 35%；公司 ALD 设备可用于钙钛矿的阻水阻气保护层制备，价 值量占整线的 10%。 （2）各厂商 TOPCon 总规划产能达 1430GW，我们预测将于 2023-2025 年逐步释 放，23/24/25 年新增 TOPCon 产能分别达 330/480/620GW。 （3）XBC、钙钛矿作为新型技术，正处于研发验证阶段，预计 XBC 电池 23/24/25 年新增产能分别为 33/35/40GW 、钙钛矿电池 23/24/25 年新增产能分别为 4.6/10/25GW。
2.4、公司ALD设备性能领先，已实现龙头客户全覆盖
国内光伏设备已基本实现国产替代，并在国际竞争中处于优势地位。公司光伏领域薄 膜沉积设备的竞争对手包括主要采用 ALD 技术的无锡松煜、理想晶延，以及主要采 用 PECVD 技术的捷佳伟创、北方华创、红太阳、拉普 拉斯、Centrotherm（商先创）等。
根据 CPIA，公司 AlOx 镀膜设备产能遥遥领先。从产业化生产常用的 AlOx 产能指标 来看，公司 ALD 设备产能高达 15000 片/小时，对应年产能达 1GW。公司镀膜设备 产能与理想晶延、捷佳伟创、北方华创等相比具有较为明显的领先优势。
公司光伏镀膜设备性能参数优异，技术能力处于领先水平。可比性能参数中，产能、 机台稳定运行时间和碎片率主要反映光伏镀膜设备在电池片镀膜环节的生产效率和 稳定性，片内、片间、批间均匀性反映了在电池片生产过程中薄膜沉积的质量。公司 光伏薄膜沉积设备技术指标在竞争中处于较高水平。
TOPCon 隧穿层镀膜设备-PECVD 已达量产、增速较快，PEALD 处于验证阶段。 2021-2022 年，TOPCon 电池背面隧穿钝化设备主流工艺多采用 LPCVD 设备，到 22 年第三季度，管式 PE-poly 技术验证成功开始批量上量，其他方法如 PVD 法、 PEALD 法都在试验验证中。目前新增 TOPCon 电池产线中 LPCVD 与 PECVD 均有 大量应用，PECVD 路线增速较快。
公司已对光伏行业电池片领先厂商实现较高客户覆盖率。在光伏领域内，公司作为率 先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池 技术与设备的领军者之一，已覆盖包括通威太阳能、隆基绿能、晶澳太阳能、阿特斯、 天合光能等在内的多家头部太阳能电池片生产商，形成长期合作伙伴关系。
持续推进 TOPCon 整线开发，跟进钙钛矿/HJT 等产业前沿。2023 年上半年，在开 发行业首条 GW 级 PE-PolyTOPCon 电池工艺整线的基础上，公司进一步推出全新的 TOPCon2.0 整线工艺技术。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、 钙钛矿/HJT 叠层电池等新一代高效电池技术。
3.1、半导体设备市场空间广阔，ALD设备市场快速增长
半导体设备市场连续高速增长。半导体制造设备市场连续四年快速增长，半导体设备 作为周期行业，本轮周期延续的时长超出市场预期。根据 SEMI 预测，2023 年半导 体制造设备市场空间有望达 1208 亿美元，其中国内市场空间有望增长至 423 亿美元。
根据产业链划分，半导体设备可分为两大类，前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺 设备（封装测试）。其中，前道设备占据了半导体设备 80%-85%的市场空间，价值量 最大的设备为光刻机、刻蚀机和薄膜设备，三大环节占比合计超前道工艺设备价值量 70%以上。
半导体薄膜沉积设备市场有望随着半导体行业景气度提升而快速增长。随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积 设备需求的增加。根据 Maximize Market Research，2017-2022 年全球半导体薄膜 沉积设备市场规模 CAGR=12%，2025 年半导体薄膜沉积设备市场有望达 340 亿美 元，预计 2022-2025 CAGR=16%。
下游需求增加拉动市场对薄膜沉积设备需求。近些年伴随消费电子、工业电子、汽车 电子等半导体下游产业高速发展，快速拉动半导体行业需求。其中 5G 手机、工业电 子以及新能源汽车等领域应用半导体比例大幅提高；此外，人工智能、大数据、物联 网、可穿戴设备等新业态的出现，催生半导体新需求。
薄膜沉积设备多工艺路线并存，ALD 设备目前占据薄膜沉积设备市场的 11%。晶圆 制造的各工艺步骤需要用到不同的薄膜沉积设备，随着技术发展，目前已经形成以 PECVD、LPCVD、溅射 PVD、ALD 等设备为主的半导体镀膜设备格局。其中，PECVD 设备占全薄膜沉积设备市场的 33%，为占比最高的设备类型；ALD 设备目前占据薄 膜沉积设备市场的 11%。
ALD 设备行业垄断度高，国产化替代空间巨大。目前全球半导体设备市场主要由国 外厂商主导，其中薄膜沉积设备行业竞争格局高度垄断，主要国际巨头有应用材料、 先晶半导体、泛林半导体、东京电子等。ALD 设备方面，2021 年先晶半导体（ASM）和东京电子（TEL）合计占据 75%的市场份额，二者分别占据 46%和 29%。
2025 年，国内半导体 ALD 设备市场规模有望达 126.6 亿元。根据 Maximize Market Research 及 Gartner 统计，2020 年全球半导体薄膜沉积设备市场达 172 亿美元，其 中 ALD 设备的市场规模占比为 12.8%，国内薄膜沉积设备销售额占全球销售额的 26.3%。假设国内半导体 ALD 设备销售额占全球占比与薄膜沉积设备相同，2025 年 市场规模有望提升至126.6亿元，22-25年国内半导体ALD设备市场规模CAGR=24%， 保持较快的增长速度。
3.2、ALD技术日益精进，解决逻辑、存储、封装技术难点
薄膜要求提高衍生设备要求，先进制程不断加速发展。在晶圆制造过程中，薄膜起到 形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作 用。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大， 芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金 属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。
ALD 设备薄膜均匀性控制精准，有望在逻辑、存储、封装三大环节中进行快速渗透。 其中在 90nmCMOS 工艺大约需要 40 道薄膜沉积工序。在 3nmFinFET 工艺产线， 则超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒 的要求也由微米级提高到纳米级。ALD 技术阶梯覆盖率最好、薄膜厚度控制更精准， 因此被引入先进制程产线。
(一) 逻辑芯片：45nm以下制程的High-k栅介质层沉积与28nm以下先进制程的FinFET均 需应用ALD技术
45nm 以下制程的 High-k 栅介质层沉积需应用 ALD 技术。在 65nm 及以上制程中， 主要通过沉积 SiO2 薄膜形成栅极介质，但进入 45nm 制程特别是 28nm 之后，传统 的 SiO2 栅介质层薄膜材料厚度需缩小至 1 纳米以下，将产生明显的量子隧穿效应和 多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加、器件性能急剧恶化，因此替代 SiO2 的 High-k 材料被挖掘使用，其中，Hf 基氧化物系材料与稀土氧化物系材料最为适合，在所要求 的电容密度下，栅电介质的物理厚度可沉积得更高，从而可以在降低等效氧化物厚度 （EOT）的同时大幅减少漏电流。High-k 材料的沉积要求原子级别的精确控制、高覆 盖率、高均匀性，需应用 ALD 技术。
28nm 以下先进制程的 FinFET 制造工艺需应用 ALD 技术。FinFET 制造工艺难点在 于形成 Fin 的形状，Fin 的有源区不是通过光刻直接形成，而是通过自对准双重成像 技术（SADP）工艺形成。ALD 所沉积的 Spacer 材料的宽度即决定了 Fin 的宽度， 是制约逻辑芯片制程先进程度的核心因素之一。ALD 设备沉积的薄膜具有非常精确的 膜厚控制和非常优越的台阶覆盖率，在 28nm 以下关键尺寸缩小的双曝光工艺方面取 得了越来越广泛的应用。
(二) 存储芯片：ALD精细化镀膜适应先进存储技术需求
在半导体存储市场中，DRAM 和 NANDFlash 占据主导地位。2021 年全球半导体存 储器市场中DRAM、NANDFlash占比分别高达56%、41%，其余储存器中，NORFlash 约占 2%，其他存储器（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM 等）约占 1%。
DRAM 技术发展路径本质是以微缩制程来提高存储密度。随着 5G 通信、汽车智能化、 AI、边缘计算等应用场景对存储性能要求提高，DRAM 制程不断微缩。微缩使得电容 有效面积减少，导致电荷与电容减少，通常通过增加高深宽比倍数补偿微缩带来的单 元电容损失，而电容器内部沟槽的深宽比也越来越大，深沟槽将需要更高的薄膜表面 积，例如 45nm 制程中的沟槽结构深宽比达到 100：1，所沉积薄膜的有效面积大约 是器件本身表面积的 23 倍，这些给沉积技术提出了更高的要求；得益于薄膜以单原 子层为量级生长所带来的大面积均匀性、高台阶覆盖率和对膜厚的精确控制，ALD 技 术能够很好地满足这些要求。
ALD 可实现高深宽比下均匀镀膜，适用 3D NAND 垂直堆叠结构。3D NAND 是指存 储单元的垂直堆叠，随着堆叠层数的增加，密度提高、存储容量变大。每层的每个存 储单元都是在堆叠完成的垂直方向上刻蚀完成，随着内部层数增加，元器件逐步呈现 高密度、高深宽比的结构，PVD 和 CVD 难以达到镀膜要求，ALD 则可以实现高深宽 比特征下的均匀镀膜。
3.3、半导体ALD设备突破国外封锁，国产替代空间广阔
逻辑芯片领域，公司是国内首家成功将 High-k 原子层沉积设备应用于 28nm 集成电 路制造前道量产线的国产设备公司，稀缺优势明显。公司的半导体薄膜沉积设备，已 先后获得国内多家主流半导体公司的商业订单。首套用于 12 英寸晶圆的 High-k 栅氧 层薄膜沉积 ALD 设备在客户 28nm 生产线上获得验证，并已取得客户重复订单。
存储芯片领域，公司 ALD 设备在高 K 栅电容介质层、介质覆盖层、电极、阻挡层等 工艺中的优势使其被广泛应用于 DRAM、3D-NAND、新型存储器等半导体制造领域， 未来其在薄膜沉积环节的市场占有率将持续提高。公司应用于该领域的设备已进入产 业化验证阶段，其中单片型 ALD 设备已获得多种工艺设备的重复订单；批量型 ALD 设备也已获得客户订单，且为行业首台批量型 ALD 设备在存储芯片制造领域的应用。
在新型显示芯片领域，“硅基微型显示芯片的阻水阻氧保护层”应用于硅基 OLED 微 型显示芯片，该类显示芯片采用集成电路 CMOS 工艺，作为半导体和 OLED 结合的 一种新型显示技术，具有较大发展前景。公司应用于该领域的批量型 ALD 设备产品 已获得多个客户订单，处于产业化验证阶段。
与国际同类设备相比，公司半导体 ALD 产品的总体性能和关键参数已达到国际同类 设备水平。从半导体 ALD 设备性能指标看，公司产品在设备产能、机台稳定运行时 间、平均故障间隔时间、平均破片率、平均修复时间、薄膜均匀性、薄膜颗粒控制、 金属污染控制等技术指标方面与国际同类设备基本处于同等水平。
差异化竞争导致细分领域的优势。国内做 ALD 设备的公司主要是三个核心企业：拓 荆科技、北方华创和微导纳米，但是微导纳米设备主要用于沉积金属薄膜，拓荆科技 等主要沉积 SiO2 等非金属薄膜，这就导致微导纳米具备细分领域稀缺性和独特优势。
公司半导体业务在手订单充裕，存储为主要来源。2021 年 9 月，公司半导体 ALD 设 备在前道工艺产线上完成验证，之后订单纷至沓来，从 2020 的 1 台增加到 2022 年 6 台；根据公司 2023 年半年报，截止 2023 年年中，公司半导体设备在手订单为 5.48 亿元，增长势头迅猛。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
