1、传统大宗市场需求走弱，AI 应用催化服务器需求
集成电路产业包括设计、制造和封测三大领域，全球市场规模总体呈扩张趋势。 集成电路产业链上游包括：搭建 SoC 所需的核心功能模块半导体 IP、集成电路 设计和制造所需的自动化工具 EDA、以及制造环节的核心生产设备及材料；中 游包括芯片设计、晶圆制造和封装测试三大领域，其中，芯片设计环节通过电路 设计、仿真、验证、物理实现等步骤生成版图，晶圆制造是指根据版图的光罩数 据内容进行制造并将电路图形信息蚀刻至硅片上，此流程需要光罩制作、光刻、 刻蚀清洗、离子注入等多项工艺流程，封装环节将芯片与外部器件连接并提供物 理机械保护，测试环节则对芯片进行功能和性能测试；下游应用广泛，应用场景 涉及计算机、汽车电子、工业、消费电子、数据处理等领域。全球规模总体保持 增长，根据 WSTS，2016-2021 年，全球集成电路市场规模从 2767 亿美元增长 至 4630 亿美元，CAGR 达到 10.8%，预计至 2023 年将达到 5768 亿美元。未 来几年，随着 5G、云计算等新技术推广进度加快，芯片、存储器等集成电路元 件将迎来更大需求，集成电路产业将会迎来进一步发展。
制造环节占据全球集成电路产业的半壁江山，集成电路产品主要包括逻辑芯片和 存储芯片等。设计、制造和封测环节的市场规模，分别占据集成电路总产业市场 规模的 36%、50.56%和 13.44%。集成电路产品主要分为存储芯片、逻辑芯片、 模拟芯片、微处理器芯片等，存储芯片承担存储功能，可以支持多种协议、硬件 和应用；逻辑芯片以二进制为原理承担计算功能，常见的逻辑芯片有 CPU（中 央处理器）、GPU（图像处理器）、ASIC（专用处理器）与 FPGA（现场可编 程门阵列）；模拟芯片承担传输与能源供给功能；微处理器芯片是将运算、存储 等功能集成于一个芯片之上的微控制单元（MCU）。根据 WSTS，存储芯片、 逻辑芯片、模拟芯片、微处理器芯片的市场份额分别占到总市场份额的 33%、 33%、15%、19%，逻辑芯片与存储芯片是占比最高的两类芯片。
除 2019 年外，全球及我国存储芯片市场规模基本实现逐年增长，我国存储器主 要用于手机、电脑、服务器等下游。2019 年，受贸易摩擦和需求疲软影响，全 球及我国存储芯片行业市场规模分别同比下滑 31%和 10%至 1096 亿美元和 5220 亿元。到 2023 年，全球及我国存储芯片行业市场规模分别有望达 1658 亿 美元和 6492 亿元，近四年 CAGR 分别为 10.9%和 5.6%。在国内市场，存储芯 片主要用于手机、PC、服务器等领域，这三大领域的需求量在总需求量中的占 比约 70%。
2022 年，手机、PC 等传统大宗市场需求下滑。根据 Canalys，2022 年全球手 机出货量低至 11.93 亿台，创十年新低。手机需求下滑的原因主要是疫情后宏观 经济承压叠加手机性能升级的大背景下，消费者预算紧缩、智能手机换机周期延 长。根据 IDC 的预测，2023 年全年，全球手机出货量约为 11.5 亿台，但随着经 济大环境和收入的陆续好转和增加，消费者信心重新恢复，市场需求有望从 2024 年起逐步修复。PC的全球出货量自2017年到2021年间大体实现稳定增长，2021 年，全球 PC 出货量达 3.49 亿台，同比增长 15%，主要是受益于疫情带来的远 程办公、线上教育等需求增长。2022 年，受全球宏观经济等因素影响，全球 PC 市场出货量同比下降 16.3%至 2.92 亿台，2023 年或会保持下降趋势。总体而言， 存储下游的手机、PC 等大宗需求领域，渗透率快速提升的红利期逐步过去，出 货量出现下探趋势，但考虑到宏观经济向好的大背景及部分换新需求，手机、PC 出货量 2024 年有望反弹。
服务器出货势头小幅放缓，AI 应用提升服务器对存储需求。服务器具有高速的 CPU 运算能力、长时间的可靠运行、强大的 I/O 外部数据吞吐能力以及更好的扩 展性，在网络中为其它客户机提供计算或应用服务。2017 年到 2022 年，全球服 务器出货量从 1019 万台提升至 1423 万台，年复合增速为 6.9%。尤其是 2020 年以来，疫情影响下居家办公兴起，互联网使用时长的增加推动服务器市场温和 复苏。2023 年，四大 CSP（云端服务供应商） 陆续下调采购量，服务器需求 不佳。根据 Trend Force，预计 2023 年全球服务器整机出货量将下降至 1383.5 万台，同比减少 2.85%。AI 服务器搭载 GPU、FPGA、ASIC 等加速芯片，利用 CPU 与加速芯片的组合可以满足高吞吐量互联的需求，为自然语言处理、计算 机视觉、机器学习等 AI 应用场景提供强大的算力支持，能较好弥补以 CPU 为主 要算力来源的传统数据服务的缺陷。2019 年到 2022 年，全球 AI 服务器市场规 模从 99 亿美元增长至 183 亿美元，年复合增速为 23%。根据美光科技，AI 服务 器对 DRAM 和 NAND Flash（存储芯片的两大支柱品类）的容量需求是传统服务 器的 8 倍和 3 倍。随着 AI 产业的加速发展，AI 服务器得到更广泛的使用，对存 储的需求将随之扩张。
2、3D 堆叠突破制程瓶颈，存储器价格有望迎来拐点
DRAM 和 NAND Flash 是存储市场的两大支柱产品。半导体存储器按照是否需 要持续通电以维持数据分为易失性存储和非易失性存储，易失性存储主要指随机 存取存储器（RAM），它需要维持通电以临时保存数据供主系统 CPU 读写和处 理。根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，RAM 可进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM），DRAM 结构简单、单位 面积的存储密度更高，需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据； SRAM 访问速度更快，由于不需要周期性刷新，功耗也更低。非易失性存储主要 指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据。ROM 包括掩膜只读 存储器（Mask ROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器 （EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash） 等，其中，Flash 应用最广，主要包括 NAND Flash 和 NOR Flash。NAND Flash 是使用电可擦技术的高密度非易失性存储，每位只使用一个晶体管，存储密度远 高于其他 ROM，还能实现快速读写和擦除，由于其在大容量数据存储方面的高 性价比，它成为目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案；NOR Flash 允许 CPU 直接从存储单元中读取代码执行，仅在小容量场景具有成本效益。全 球来看，存储芯片产品以 DRAM 和 NAND Flash 为主，市场份额分别占比 53% 和 44%，NOR Flash 占比较少，仅为 1%。
全球 DRAM 的技术路径以推进制程为主，基于 3D 堆叠的 HBM 技术成为 AI 时 代“新宠”。DRAM 存储器的重要发展路线是制程的微缩，根据 TechInsighs 的 数据，三星、美光和 SK Hynix 等主要 DRAM 厂商已经将 DRAM 单元缩小到 低于 15nm 的设计规则 (D/R) 生产。目前他们的开发方向是 n+1 和 n+2 代，即 D1b（或 1β）和 D1c（或 1γ）。由于传统的 DRAM 技术难以应对工艺完整性、成本、单元泄漏、电容、刷新管理和传感裕度等方面的挑战，DRAM 存储单元的 缩放正在放缓，一种特殊的 DRAM 技术——HBM 应运而生。高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）是目前高端 GPU 解决高带宽的主流方案，也是当下 速度最快的 DRAM 产品。GPU 主流存储方案主要分 GDDR 和 HBM 两种方案， 和 GDDR 相比，HBM 由多个芯片垂直堆叠而成，每个芯片上都有多个内存通道， 通过充分利用空间、缩小面积，同时实现高容量和高带宽的内存。它拥有多个内 存堆栈、带宽更多、物理接口更少，因此具有低功耗、低延迟的优势，但它依赖 昂贵的硅中介层和 TSV 来运行，相对而言成本更高。高带宽内存是 AI 的首选内 存，AI 衍生出的算力需求将推动 HBM 加速落地，促使 DRAM 芯片从传统 2D 加 速走向立体 3D。
NAND 通过 3D 堆叠层数的迭代路径，实现摩尔定律的延续。2D NAND 制程达 到 15nm 时，由于存储单元只能在一个平面上布置，随着存储容量的增加，Cell 存储单元之间距离变近，Vt 窗口的 Margin 变得更小、更容易发生偏移，NAND 以及 WL（Word Line）与 WL 之间有了严重的耦合效应，最终导致 NAND 的可 靠性和寿命降低。但三维空间能用用更低的工艺（>20nm）在解决耦合效应问题的同时，在不牺牲数据完整性的情况下，从 Z 维度继续增加 NAND 的密度和 Die 的容量，实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低 的成本，从而延续摩尔定律。通过 3D 堆叠，NAND 的层数不断增多，以存储大 厂美光为例，2022 年 5 月，美光发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND 芯片， 这是美光的第 6 代芯片，第 5 代芯片只有 176 层。层数的增多能有效实现单位 面积密度的增加和单位成本的降低。全球主要的存储厂商通过添加越来越多的存 储单元层来改善 NAND 的密度和成本结构，根据 Tech Insights，三星、海力士、 镁光-英特尔、东芝、闪迪垄断了全球 99%的 3D NAND 市场份额，我国国内厂 商长江存储也成为全球第五家有能力生产 3D NAND 的厂家。不同厂商工艺结构 各异，三星/海力士采用 CTF（电荷俘获）；美光和英特尔曾在 IM Flash Technologies 合作开发和生产 3D NAND，目前采用 FG（多晶硅浮栅）的方式； 东芝（铠侠）/闪迪采用 P-BiCS；长江存储采用 Xtacking 等。
海外龙头先发优势显著，高度垄断 DRAM 和 NAND Flash 市场供给。在 DRAM 细分品类方面，三星、SK 海力士和美光三大厂商的市场占有率合计已超过 95%， 中国台湾地区的南亚科技和华邦电子共占据 3.1%的市场份额，大陆地区的 DRAM 晶圆厂商主要为合肥长鑫。NAND Flash 的全球市场也集中于海外龙头三星电子、铠侠、SK 海力士、西部数据、美光科技手中，市场占有率接近 95%， 国产厂商长江存储在国产替代浪潮下实现了快速发展。
存储大厂减产效果明显，2023Q2 业绩出现环比修复。由于终端消费电子需求疲 软，2022 年，全球存储市场规模同比下跌了 15%，存储厂商业绩承压，根据 CFM 闪存市场统计，从 2022Q4 到 2023Q1，三星、美光、海力士、西部数据、铠侠 等国际原厂净亏损超 120 亿美元，相当于 2022 年全球存储市场 9%的市场规模。 存储大厂从 2022Q4 开始削减产量以改善供给格局：三星 NAND 闪存产量预计 到 2023 年底削减幅度将达 50%；SK 海力士自 2022Q4 起减少部分低利润及高 库存产品的晶圆产能；美光计划将 DRAM 和 NAND 产能减少 30%，预计减产将 持续到 2024 年；西部数据从 2023 年 1 月开始降低 30%的晶圆产量，并下调 2023 财年总资本支出 4 亿美元；南亚科技计划 2023 年全年生产设备资本支出调降超 过 2 成。原厂的大幅减产，有效改善了存储原厂的库存高企局面，并带来市场整 体的盈利边际好转。根据 CFM 闪存市场，2023Q2，全球 NAND Flash 和 DRAM 市场规模分别环比增长 5%至 91.28 亿美元、环比增长 11.9%至 106.75 亿美元。 NAND Flash 方面，除了三星电子和铠侠外，其他原厂均在二季度实现 NAND Flash 收入的环比增长，SK 海力士 2023Q2 营收环比增幅达 26.4%；DRAM 方 面，除了美光外，其他原厂基本都实现了收入的环比增长。
DRAM 现货价格有望触底，NAND 现货价格出现上涨预期。与 NAND Flash 相 比，DRAM 价格呈现更为明显的周期性。2022 年年初到 2023 年 9 月 18 日，由 于下游需求走弱，DRAM（DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz）现货价格从 2.696 美元/Gb 跌至 1.007 美元/Gb，跌幅达 63%，DXI 指数（Trend Force 于 2013 年 创建的反映主流 DRAM 价格的指数）同期跌幅为 48%。但近一个月以来，DRAM 价格初步出现触底反弹趋势，DRAM（DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz）现货价格 与 DXI 指数反弹幅度分别为 4%和 7%。2022 年年初，西部数据和铠侠发布公告 称，部分 NAND 生产线遭到污染，部分产能受损，导致 NAND Flash（64Gb 8Gx8 MLC）现货价格上涨，并创下三年来新高。此外，NAND Flash 现货价格整体维 持稳定。存储厂商减产对 DRAM 和 NAND Flash 现货价格形成利好驱动，根据 TrendForce 的数据，2023Q4 起，DRAM 与 NAND Flash 均价将开始全面上涨， 预计 DRAM 和 NAND Flash 合约均价环比增幅分别约 3~8%、8%~13%。随着 终端需求逐步恢复、行业去库存进程加快、单机容量不断增长，以及 AI 等新技 术应用的推广，2024 年，存储产业有望迎来恢复。
1、晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，先进制程和先进封装 推动行业发展
CMP 抛光材料是集成电路产业链的重要原材料之一。集成电路的产业链中游包括 集成电路的设计、制造与封测，设计环节需要用到如 EDA 软件，IP 框架授权等的 设计工具；制造环节技术流程为“清洗-金属渐镀-涂布光阻-光刻-光阻去除-电镀-抛光-晶圆测试”，上游主要是硅片及集成电路材料等；封测环节技术流程为 “切割-贴片-引线-模封-测试-封装”，上游用到引线框架、封装基板等封测材 料，以及测试机、减薄机等封测设备。其中，集成电路制造产业链的重要原材料 包括硅片及硅基材料、光掩模版、电子气体、光刻胶及试剂、CMP 抛光材料、工 艺化学品、靶材及其他材料等，集成电路材料技术壁垒较高，目前以日美等企业 占主导地位。
CMP 工艺可用于硅片制造、前道及后道环节中。CMP 工艺应用于硅片制造、集 成电路制造、及集成电路封测几大领域。在硅片制造领域，CMP 工艺用于使抛 光片平整洁净；集成电路制造是 CMP 工艺应用最主要的场景，工艺流程主要包 括薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子注入等，由于集成电路元件普遍采用多层 立体布线，前道工艺环节需要进行多次循环，对 CMP 材料耗用量较高；封装测 试领域中，硅通孔技术、扇出技术、2.5D 转接板、3D IC 等技术都将用到大量 CMP 工艺，先进封装环节的抛光将成为 CMP 工艺除 IC 制造领域外一个大的 需求增长点。
化学机械抛光（CMP）是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键 工艺。CMP 是在芯片制造制程和工艺演进到一定程度（0.35μm）、摩尔定律因 没有合适的抛光工艺无法继续推进之时诞生的一项新技术，直至目前最先进的 5-3nm 制程仍采用 CMP 技术。它利用化学腐蚀与机械研磨的共同作用对硅晶片 等衬底进行抛光，最终实现晶圆表面的超高平整度，是能兼顾表面全局和局部平 坦化的抛光技术，在先进集成电路制造中被广泛应用，从而让摩尔定律得以继续 推进。作业过程中，研磨微粒填充在研磨垫的空隙中，抛光头将晶圆待抛光面压 抵在粗糙的抛光垫上，抛光盘带动抛光垫旋转，借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛 光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。
CMP 抛光材料主要由抛光垫和抛光液构成，抛光材料占晶圆制造总成本的 7%。 晶圆制造材料的成本拆分中，硅片占比最高，为 38%，其次是电子特气和光掩膜 板，均占比 13%，光刻胶辅助材料和 CMP 抛光材料占比均为 7%；而在 CMP 材料细分拆分中，根据 SEMI，CMP 抛光垫、CMP 抛光液、CMP 清洗液合计占 CMP 抛光材料成本的 85%以上，其他抛光材料还包括抛光头、研磨盘、检测设 备等。
存储芯片先进制程的推动和 CMP 在先进封装中的应用，带来 CMP 种类和用量 增长。近年来全球抛光材料市场规模不断扩大，从 2016 年到 2021 年，全球抛 光垫和抛光液的市场规模分别从 6.5 亿美元、11 亿美元增长至 11.3 美元、18.9 美元，年复合增速分别为 11.7%和 11.4%。CMP 材料行业的规模扩张和技术升 级，受到存储芯片市场两方面的推动：一是存储芯片的结构升级所带来的对抛光 步骤需求的增加，存储芯片由 2D NAND 向 3D NAND 演进，推动 CMP 工艺步 骤数近乎翻倍，抛光垫和抛光液需求增加，更先进的制程节点，也对抛光材料提 出更高难度的技术要求；二是随着先进封装技术在存储芯片中的应用，CMP 走 向后道，成为 3D 封装中的必需工艺之一。在存储芯片市场 2024 年有望迎来边 际向好的背景下，看好 CMP 材料行业需求复苏趋势。
以 TSV 为代表的先进封装技术使 CMP 从晶圆制造前道工艺走向后道。随着摩 尔定律接近极限，以硅通孔（through silicon via, TSV）互连为基础的 2.5D/3D 封装登上历史舞台。TSV 是指穿透 Si 晶圆实现各芯片层间电气互连的导电柱， 它能缩小封装尺寸、缩短芯片间互连长度、实现高密度集成、减小传输延时噪声、 降低芯片损耗、提高热膨胀可靠性，采用 TSV 技术的封装体大约可以实现体积 减小 35%的同时达到 8 倍以上的带宽以及 40%以下的耗电量。目前，TSV 技术主要用于硅转接板、芯片三维堆叠等方面。TSV 生产工艺流程包括承载圆片键合、 圆片减薄、TSV 露孔刻蚀、背面绝缘层覆盖、TSV 金属露出等，CMP 工艺用于 TSV 背面金属的露出，为背面互连的加工做好准备。CMP 抛光液中的氧化铝和 氧化硅在 TSV 技术中可实现垂直连接的精确对齐和多层晶片的互连，这是先进 封装流程中与传统 2D 封装的重要区别之一；此外，CMP 工艺还用在微型传感器 和 MEMS设备生产环节，用于实现其尺寸的精确控制。CMP 工艺在平面化处理、 高密度互连技术和微型结构生产中的应用，使其成为先进封装过程中的不可或缺 的组成部分。
2、美、日企业高度垄断，国产替代步伐加快
抛光垫的表面沟槽形状是抛光垫性能的关键参数之一，聚氨酯是抛光垫中较为常 见的成分。在化学机械抛光过程中，抛光垫起着储存和运输抛光液到抛光区域、 去除加工残余物质（副产物）、维持抛光环境等功能。抛光垫的性能受其材料特 性、表面组织、表面沟槽形状及工作温度等因素的影响，表面沟槽形状会直接影 响到抛光区域内抛光液的分布和运动，及抛光区域的温度分布。抛光垫属于消耗 品，改进抛光垫材料、延长抛光垫的使用寿命、减少抛光垫修整加工时的损耗， 是当前抛光垫研究的主要内容及方向。抛光垫可根据是否有磨料、材质不同及表 面结构不同分类，其中，聚氨酯抛光垫较为常见，它的聚合物对抛光面适应性好、 种类多因而加工性好、成本较低，但是聚氨酯垫片硬度高，在抛光过程中容易划 伤芯片。
常见的抛光液包括二氧化硅、钨、铝和铜抛光液。根据应用领域，抛光液可分为 硅抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、钴抛光液、介质层（TDL）抛光液、 浅槽隔离层（STI）抛光液和 3D 封装硅通孔（TSV）抛光液。硅抛光液主要用 于对硅晶圆的初步加工；铜及铜阻挡层抛光液用于对铜和铜阻挡层进行抛光，在 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺中较常见；钨抛光液主要用于制造 存储芯片，在逻辑芯片中只用于部分工艺段；钴抛光液主要用于 10nm 节点以下 芯片。
抛光材料主要由美日龙头企业垄断，国产替代空间十分广阔。全球 CMP 抛光液 市场的供应商，主要有美国的卡博特、日本的日立和富士美等，主要有美国的卡 博特、日本的日立和富士美等，三家公司全球市占率一半以上，中国企业安集科 技初步打破了抛光液的进口依赖局面，获得了全球 2%的市占率，国产替代空间 仍十分广阔；抛光垫市场的全球供给格局呈现出明显的一家独大特征，陶氏市占 率接近 80%，卡博特位居第二，市占率约 5%，鼎龙股份的抛光垫产品也在持续 开拓市场，有望在全球抛光垫市场中占据一席之地。
国际巨头在聚氨酯产品种类上各有专攻，国内龙头企业奋起直追。陶氏不仅市占 率高，还能提供全系列的可定制抛光垫产品，由于先发优势明显，公司具备丰富的技术积累和先进的产品研发技术，是行业测试标准的制定者和行业发展方向的 引领者。陶氏最早推出的 IC1000 抛光垫产品已成为抛光垫行业的测试标准，其 20 英寸抛光垫占据了 85%的市场份额，30 英寸的市占率则更高。目前，抛光垫 产品的发展方向是缺陷率更低、平坦度更高、使用寿命更长，在这一方向上，陶 氏有望继续引领行业的发展。除陶氏以外，Cabot 专注聚氨酯类抛光垫，可精确 定制以满足各种应用的要求，Fujibo 的产品则以聚氨酯及无纺布类抛光垫及背垫 为主。近几年来，国内抛光垫和抛光液行业的龙头鼎龙股份和安集科技成功打破 了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光材料的垄断，进口替代步伐加快。
1、鼎龙股份：CMP 抛光垫国产龙头，强化供应链自主化优 势
传统打印耗材业务稳定盈利，新兴抛光垫业务营收占比提升、毛利率高而稳定。 公司是产品体系最全、技术跨度最大的打印复印通用耗材龙头企业之一，在发展 打印复印通用耗材业务的基础上，着力攻克集成电路和新型显示行业中，被国外 卡脖子的核心关键材料，包括半导体 CMP 制程工艺材料、半导体显示材料、半导 体先进封装材料三大细分板块。2018 年到 2020 年，打印复印耗材业务是公司营 业收入的主要来源，该项业务的营收占比维持在 94%以上。2021 年起 CMP 抛光垫 进入收获期，产销量增长明显，首年开始盈利，市场优势地位确立，CMP 业务营 收占比约 13%，到 2023 年上半年，这一比例上升至 19%。规模优势确立后，毛利 率水平上行，2021 年和 2022 年，CMP 抛光材料毛利率分别为 63%和 66%，显著高 于 2020 年及以前年份的毛利率。2023 年上半年，半导体行业下游应用端周期调 整需求疲软，抛光垫毛利率小幅下降至 55%。随着 CMP 抛光液、清洗液等新产品 稳定放量、半导体显示材料业务销售收入增长、半导体先进封装材料验证推进， 公司新产品业绩有望不断兑现。
抛光材料品类持续丰富并进入客户端放量阶段，坚持原材料自给化供应。公司致 力于为下游晶圆厂客户提供整套的一站式 CMP 核心材料及服务，围绕 CMP 环节核 心耗材，以成熟产品 CMP 抛光垫为切入口，推动 CMP 抛光液、清洗液产品的横向 布局，各种 CMP 耗材相互适配，满足客户对稳定性的要求。公司是国内唯一一家 全面掌握抛光垫全流程核心研发和制造技术的 CMP 抛光垫的国产供应商，在国内 大部分主流客户已成为第一供应商；公司布局开发近 40 种抛光液产品，并实现 抛光液上游核心原材料研磨粒子的自主制备，打破相关领域的垄断供应制约；铜 制程 CMP 后清洗液产品持续稳定获得订单。此外，公司坚持材料技术创新与上游 原材料的自主化培养同步，自主开发部分核心原材料并实现产业化生产，常规型 号原料均实现自研自产，保障公司上游供应链的安全、稳定。
2、安集科技（电子）：CMP 抛光液国产龙头，深度绑定领 先客户
国内 CMP 抛光液龙头，业务布局“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺。公司围 绕液体与固体衬底表面的微观处理技术和高端化学品配方核心技术，成功搭建了 “化学机械抛光液全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多 产品线布局”、“电镀液及其添加剂-强化及提升电镀高端产品系列战略供应” 三大具有核心竞争力的技术平台及应用领域，产品组合可广泛应用于芯片前道制 造及后道先进封装过程中的抛光、刻蚀、沉积等关键循环重复工艺及衔接各工艺 步骤的清洗工序。随着先进制程的推进、多层布线的数量及密度增加，CMP 工 艺步骤增加，逐渐成为 0.35μm 以下制程不可或缺的平坦化工艺；清洗步骤数量 约占所有芯片制造工序步骤的 30%以上，是所有芯片制造工艺步骤中占比最大的 工序，而且清洗工序的数量和重要性将随着技术节点的推进不断提升；电化学沉 积（电镀）技术作为集成电路制造的关键工艺技术之一，是实现金属互连的基石， 主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装凸块 （Bumping）、重布线层（RDL）、硅通孔（TSV）等电镀工艺。
公司核心技术体系完备，深度绑定下游领先客户。抛光液领域，公司首款氮化硅 抛光液在客户端上量顺利，同时持续改进氧化物抛光液，具有更高性价比和更优 性能的高倍稀释氧化物抛光液已成功实现量产；钨抛光液在存储芯片领域的应用 范围和市场份额持续稳健上升，部分客户已通过验证，开启量产阶段；基于氧化 铈磨料的抛光液产品突破技术瓶颈，目前已在 3D NAND 先进制程中实现量产并 在逐步上量；硅精抛液系列产品技术性能达到国际先进水平，并在国内领先硅片 生产厂完成论证并实现量产，部分产品已获得中国台湾客户的订单；为客户定制 开发的用于第三代半导体衬底材料的抛光液，进展顺利，部分产品已获得海外客 户的订单。功能性湿电子化学品领域，公司目前已涵盖刻蚀后清洗液、晶圆级封 装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液及刻蚀液等多种产品系列。电镀液及添加剂领域，公司多种电镀液添加剂在先进封装领域已实现量产销售。同时，公司持续加 快建立核心原材料自主可控供应的能力，提升产品竞争力，并深化与客户的合作 关系。公司已进入长江存储、中芯国际、台积电、华虹集团、华润微、长鑫存储 等半导体行业领先客户的主流供应商行列，保持长期、稳定、深入的合作关系。
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