发展历程：打造“技术+规模+产品+客户”核心护城河，成就存储行业领导者
以资本密集型+技术密集型为特征，打造存储行业护城河。美光成立于1978年，历经45年间不断并购整合，公司积极扩充产 能，形成完善的DRAM+NAND产品矩阵，拓展优质客户资源，成为全球第三大DRAM厂商和第五大NAND厂商；得益于对研 发的高度重视和投入，美光也缔造了众多“行业首创”的存储芯片产品和工艺，成功打造“资本+技术”为核心壁垒的护城河。
营收结构：深耕存储芯片领域，DRAM收入占比约七成
美光的DRAM、NAND营收合计占总营收比重的95%以上。美光作为全球存储芯片行业龙头之一，DRAM和NAND业务 贡献了美光超过95%收入。近年来公司DRAM产品收入占比为68%-74%，NAND占比21%-29%，收入结构较为稳定。除 DRAM与NAND外，还包括3DXPoint内存、NOR Flash等业务营收，合计占比2%-5%。FY2023，美光来自DRAM和NAND 的营收额分别达到110亿美元、42亿美元，占总营收比重分别为70.6%、27.1%。
美光营收随DRAM行业周期波动，具有较强的周期性，FY2023营收增速或到达本轮周期最低点位。半导体存储芯片具 有强周期性，美光营收亦呈现出周期性特征，且与DRAM行业周期趋势相似。FY2011-FY2023，美光营业收入波动明显， 其中，FY2023作为行业周期性低点，公司FY2023 实现总营收155亿美元(同比-49.5%)，业绩增速接近近10年的最低点位。
FY24Q1业绩：整体超出市场预期，DRAM、NAND价格和营收均环比稳健增长。美光于12月20日公布FY24Q1财报， FY24Q1营收47亿美元，同比+16%/环比+18%，超过指引上限(42-46亿美元)。按产品划分来看，DRAM产品单季营收34亿 美元，环比+24%，位元出货量环比增长20%以下，ASP环比上升低个位数百分比；NAND产品单季营收12亿美元，环比 +2%，位元出货量环比下降10多个百分点，ASP环比增加约20%。
营收表现：MBU近十年增速最高(CAGR~12%)，CNBU为第一大业务
美光各业务部门的营收保持涨跌同步，其中，FY2013-FY2023期间，MBU营收增速最高，近十年CAGR达12%，占比 从13%增长至23%。按业务划分来看，公司共下设四个部门：1）计算和网络业务部(Compute and Networking Business Unit， CNBU)；2）移动业务部(Mobile Business Unit，MBU)；3）嵌入式(Embedded Business Unit，EBU)；4）存储业务部 (Storage Business Unit，SBU)，各业务部门营收也相应呈现出涨跌同步的周期性。其中，FY2013-FY2023期间，MBU营收 增速最高，近十年CAGR达12%，占比从13%增长至23%。
FY24Q1，CNBU、MBU为公司前两大业务，营收环比增长45%/7%，主要受益于AI需求增长，及智能手机出货量和容 量增长。按业务划分来看，FY24Q1，①CNBU为公司第一大业务，单季营收17亿美元，环比+45%，主要系数据中心客户 库存改善，叠加AI需求增长推动出货量增加；②MBU为公司第二大业务，单季营收13亿美元，环比+7%，主要系客户库存 正常化、智能手机出货量和存储容量增长推动需求提升；③ EBU单季营收10亿美元，环比+21%，主要系大多数终端市场 增长强劲；④ SBU单季营收6.5亿美元，环比-12%，主要系消费类模组销售大幅下降，但部分被SSD收入强劲增长抵消。
盈利能力：毛利率/净利率随DRAM周期波动，预计FY24Q2-Q4利润率逐季上升
盈利能力：毛利率、净利率呈现较强波动性，且高度依赖DRAM存储价格周期波动。FY2011-FY2023年，公司毛利率、 净利率走势较为一致，均受供需关系影响，呈现较大周期性波动，但FY2018-FY2022年，公司毛利率保持在30%以上。 FY2023，受行业周期性下行影响，公司GAAP毛利率为-9%，公司GAAP净亏损58亿美元(去年同期净利润87亿美元)，下探 至近年来的最低点。
FY24Q1，美光季度毛利率成功转负为正，美光指引FY24Q2毛利率环比高增长，2024财年价格和利润率将持续提升。 美光于12月20日公布FY24Q1财报，Non-GAAP准则下，FY24Q1毛利率为1%，同比-22pct/环比+10pct，超过指引上限(- 4±2%)，主要系价格环比改善以及DRAM产品占比增加；营业利润率为-20%，环比+10pct；净利润亏损10亿美元，净利率 -22%，环比+7pct。从价格端看，美光预计2024年继续走强，2025年将继续保持健康水平；预计FY24Q2营业收入53±2亿 美元，毛利率13±1.5%，毛利率中值环比大幅增加，主要系价格增长，部分系库存转回和成本降低等。展望2024财年全年， 美光预计从FY24Q2-24Q4利润率将逐季上升。
未来展望：预计24年Capex同比略增，投资助力HBM3E新品产能爬坡
美光预计2024年Capex同比略有增长(区间75~80亿美元)，主要是用于支持HBM3E量产爬坡，WFE资本支出将同比下降。 美光2023年Capex为70亿美元，同比下降42%，公司2024年Capex预计75~80亿美元(中值为77.5亿美元)，同比将略有增长， 主要是用于支持HBM3E的产能爬坡，但其中美光认为WFE(晶圆厂)设备资本支出将同比减少。
美光：FY24资本支出将更加注重后道先进封装的投资，产能正在向先进节点迁移。美光FY24Q1业绩会上表示，公司资 本支出结构会出现较大的变化，尤其是后道封装的支出会较快增加，投入将较2023财年翻倍，重点包括马来西亚、中国台 湾和陕西西安的封装产能建设。同时，公司正在做一些产能迁移工作，将闲置的共用的设备调整到先进节点上去用。由于 先进节点工艺更加复杂、步骤更多，设备用量也远高于成熟产线，通过该手段，公司有希望做到整体产能压缩，但提升产 能利用率。另外，HBM产量的增加也将在一定程度上，限制非HBM产品的供应增长，有助于改善DRAM行业的供需平衡。 公司提到，同样容量的HBM，消耗的晶圆是D5的两倍多，可以将非HBM闲置的产能物尽其用，从而改善产能利用率。
供给侧因部分原厂延续减产策略，DRAM和NAND行业供应增长仍将低于需求增长，将加快复苏步伐。此前，美光于 FY23Q3业绩会上表示，DRAM和NAND较FY2022高点的减产幅度由25%提高至30%。美光FY24Q1业绩会上表示，2024年 计划DRAM和NAND位元出货量增速低于需求增速，预计2024年DRAM、NAND行业将供不应求，存货及库存周转天数持 续下降。伴随各头部存储芯片厂家的减产计划和资本开支的下调，供需错配的行业背景有望出现改善。
三星稳居全球第一龙头，NAND/DRAM竞争格局高度集中
需求端：从下游应用市场来看，由Mobile、PC和服务器作为主要下游应用，分别在NAND/DRAM应用占比超75%/85%， 其中DRAM市场服务器的应用占比超37%。NAND Flash和DRAM广泛应用于手机、平板、PC、数据中心、汽车电子、视 频监控、智能家居等等市场。根据TrendForce数据，2023年，NAND Flash主要以mobile、PC和服务器为主，分别占比 32.7%、24.5%和18.6%，三者合计占比超75%；DRAM的主要应用市场也在mobile、PC和服务器，分别占比36.7%、12.5% 和37.2%，三者合计占比超85%。
供给端：从上游供应商来看，由海外龙头高度垄断，目前全球NAND Flash市场以三星、SK海力士(含收购自Intel的 Solidigm)、Kioxia(含Western Digital)、美光、西部数据5家厂商为主，全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三分天 下。从市场竞争格局来看，根据TrendForce数据，2023年3季度NAND Flash市场上三星占比达31%，SK海力士占比达20%， 西部数据占比达17%，Kioxia占比达15%，美光占比达13%，分别排名第一、第二、第三、第四、第五。2023年3季度 DRAM市场上三星占比达39%，SK海力士占比达34%，美光占比达23%，分别排名第一、第二、第三。
23年存储原厂大幅减产，预计24年NAND/DRAM设备资本开支将增长21%/3%
原厂减产策略：各原厂23年大幅度减产及降低投资减少，有效改善目前供给大于需求的现状，预计24年NAND/DRAM 设备资本开支增长21%/3%。考虑到下游客户去库存及自身存货水平处于高位，自22Q3以来，三星、SK海力士、美光等 全球主要存储晶圆厂商均已宣布减小产量或缩减资本开支，且降幅显著。根据SEMI数据，2023年全球存储相关资本支出 出现最大降幅，2024年有望恢复增长。其中，2024年NAND设备市场规模有望增长21%达到107亿美元，2025年增速可望大 幅提高至51%，市场规模有望达到162亿美元；DRAM设备市场则相对稳定，2024年有望小幅增长3%，同时受惠于制程微 缩和HBM需求增长，2025年DRAM设备销售额或达到155亿美元，同比增长20%。
行业产能跟踪：预计24Q1全球DRAM、NAND月产能环比增长2.7%/1.7%
据SEMI数据，DRAM领域预计2024年产能将增加5%，达到每月400万片晶圆；3D NAND产能预计2024年将增长2%，达 到每月370万片晶圆。美国加州时间2024年1月2日，SEMI在其最新的季度《世界晶圆厂预测报告》World Fab Forecast中宣布， 全球半导体每月晶圆(WPM)产能在2023年增长5.5%至2960万片后，预计2024年将增长6.4%，首次突破每月3000万片大关(以 200mm当量计算)。其中，由于包括个人电脑和智能手机在内的消费电子产品需求疲软，memory领域在2023年放缓了产能扩 张。DRAM领域预计2023年产能将增加2%，达到每月380万片晶圆，2024年产能将增加5%，达到每月400万片晶圆。3D NAND的装机容量预计在2023年将持平于每月360万片晶圆，2024年将增长2%，达到每月370万片晶圆。
美光与福建晋华和解，长鑫推出最新LPDDR5，江波龙金士顿将成立合资公司
中美半导体巨头六年纠纷和解，美光与福建晋华达成全球和解协议。2023年12月24日，美光科技发言人声明，已与福建 省晋华集成电路有限公司达成全球和解协议，两家公司将在全球范围内各自撤销对对方的起诉，结束双方之间的所有诉讼。 美国存储厂商美光科技与中国存储公司福建晋华的长达6年诉讼案件以和解结束。
长鑫已推出最新LPDDR5，并申请半导体结构及制作方法、存储器专利、延迟电路电路等多项专利。2023年11月29日， 长鑫存储推出最新LPDDR5 DRAM存储芯片，是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌。2023年5月9日，据国 家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司“半导体结构的制备方法及半导体结构、存储器”专利公布，申请公布号 CN116092937A，该专利技术有利于改善半导体结构中栅极的控制能力。2023年11月7日，天眼查显示，长鑫存储技术有限 公司“延迟电路及半导体存储器”专利公布，申请公布号CN117012238A，该专利技术能提高信号传输的稳定性与准确度。
江波龙与金士顿合作将成立合资公司，深耕国内高品质与高附加值的嵌入式存储市场。江波龙官微12月1日报道，11月 27日，深圳市江波龙电子股份有限公司与金士顿科技公司共同签署了意向性备忘录，将共同出资设立合资公司，双方分别 持有合资公司51%和49%的股份，合资公司将面向中国大陆客户提供高品质与高附加值的嵌入式存储产品。
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