公司 2023 年收入同比高增长，远超股权激励设定的考核目标值。拓荆科技 2023 年实现收入 27 亿元，同比+58.6%，2019 年至今收入 CAGR 为 81%。按照公司 2022 年股权激励目标，2023 年收入较 2021 年增长不低于 200%即不低于 22.7 亿元，公司 2023 年收入同比 2021 年实际增长 257%，远超股权激励方案设立 的目标值。 按照公司 2023 年股权激励方案，2024/2025/2026 年收入触发值同比 2022 年增 长 不 低 于 85%/145%/190% ， 对 应 收 入 不 低 于 31.6/41.8/49.5 亿 元 ； 2024/2025/2026 年收入目标值同比 2022 年增长不低于 95%/160%/210%，对应 收入不低于 33.3/44.4/52.9 亿元。 PECVD 设备持续放量，ALD 和 SACVD 设备收入快速增长，混合键合设备新品 开始贡献收入。①2023 年 PECVD 机台收入 23.2 亿元，同比+48.5%；②ALD 系列产品收入大幅增长，其中 Thermal ALD 设备通过客户端验证，实现首台产 业化应用；③SACVD 设备收入持续增长，HDPCVD 设备通过客户端验证，实现 首台产业化应用，并获得批量重复订单；④首台晶圆对晶圆键合设备通过客户端 验证，复购设备再次通过验证，芯片对晶圆键合表面预处理设备通过客户端验证。 2023 年两款设备均实现产业化应用并开始贡献收入，全年收入为 6430 万元，销 售量为 3 台。
公司 2023 年毛利率同比稳健增长，利润同比大幅提升。1）毛利率：公司 2019 年至今毛利率呈上升趋势，2023 年毛利率达 51%，同比+1.7pcts，其中薄膜沉 积设备毛利率 50.76%，同比+1.55pcts，混合键合设备毛利率 50.8%；2）净利 润：公司 2019 年至今盈利能力大幅提升，2023 年归母净利润为 6.6 亿元，同比 +79.8%，扣非净利润为 3.12 亿元，同比+75.3%，非经常损益主要为政府补助 3.3 亿元、公允价值损益 1 亿元、所得税影响为-0.7 亿元。剔除股份支付费用后 2023 年扣非净利润 5.36 亿元，同比+168%。按照公司 2022 年股权激励设定的 考核目标，2023 年归母净利润同比 2021 年增长不低于 490%，公司实际增长 867%，远超设立的目标值。 按照公司 2023 年股权激励方案，2024/2025/2026 年净利润触发值同比 2022 年 增长不低于 95%/143%/190%，对应净利润不低于 7.2/8.96/10.7 亿元； 2024/2025/2026 年净利润目标值同比 2022 年增长不低于 106%/159%/211%，对应净利润不低于 7.6/9.5/11.5 亿元。按照公司 2022 和 2023 年两期股权激励公 告，2024/2025/2026 年对应的股份支付费用分别为 2.24/1.5/0.69 亿元。
24Q1 公司收入增速较慢，主要系订单确认节奏影响。24Q1 公司实现收入 4.7 亿元，同比+17.3%/环比-53%，同比增速较慢，主要系 24Q1 验收机台主要为新 品，新品验收周期长于成熟机台，收入确认有一定延后。 24Q1 公司毛利率保持较高水平，利润受人力成本、研发投入增长而同比承压。 24Q1 公司毛利率为 47.3%，同比-2.5pcts/环比-4.8pcts，保持较高水平；归母净 利润 0.1 亿元，同比-81%/环比-97%；扣非净利润亏损 0.44 亿元，同比减少 0.64 亿元/环比减少 1.8 亿元，非经常损益主要为近 6000 万的政府补助。24Q1 扣非 净利率-9.4%，同比减少 14.2pcts/环比减少 23pcts，同比承压主要系①24Q1 收 入确认节奏有所延后；②机台出货额同比大幅提升增加带来人力成本等费用提高； ③研发投入增至 1.53 亿元，同比+78%。 公司在手订单保持充沛，24Q1 机台出货金额同比增长超 130%。截至 2023 年 底，公司存货为 46 亿元，其中发出商品为 19.3 亿元，截至 24Q1 末，存货进一 步增长至 56 亿元；截至 24Q1 末，公司合同负债为 13.86 亿元，较 2023 年底 略有增长。公司在手订单持续增长，截至2023年底，公司在手订单（不含DEMO） 为 64.23 亿元，同比增长 40%。2023 年公司设备反应腔出货 460 个以上，24Q1 单季出货金额同比增长超过 130%，指引 2024 年设备反应腔出货 1000 个以上， 未来收入仍有望延续同比高增长态势。
公司三个募投项目进展顺利，沈阳和上海产线产能保障长期出货增长。1）高端 半导体设备扩产项目：是在公司原有半导体薄膜沉积设备研发和生产基地基础上 进行二期洁净厂房建设。公司密切二期洁净厂房已完成建设并投入使用，大幅提 高了公司薄膜沉积设备系列产品的产能支撑能力。本募投项目已结项，公司已将 节余的募集资金用于永久补充流动资金；2）ALD 设备研发与产业化项目：公司 在上海临港新片区购置整体厂房，面向 29-10nm ALD 设备建设新的研发和生产 基地，目前改造已完成并投入使用；3）半导体先进工艺装备研发与产业化项目： 是超募资金投资项目，在上海临港新片区建设研发与产业化基地，目前已完成项 目用地规划许可证和土地证的办理，并按照计划施工建设，进展顺利。
2023 年全球薄膜沉积设备市场规模超 200 亿美元，拓荆科技市占率持续提升。 根据 SEMI，2023 年晶圆制造设备销售额达 960 亿美元，薄膜沉积设备约占其 22%即 211 亿美元，其中拓荆面向的 PECVD 领域占比最高为 33%，拓荆面向 的 ALD、其他薄膜沉积设备（包括 SACVD、HDPCVD）市场分别占比 11%和6%；2023 年国内薄膜沉积设备市场空间大约 61 亿美元。根据 Gartner，AMAT、 LAM 和 TEL 占全球约 70%市场份额，拓荆科技凭借工艺覆盖度不断提升，市占 率逐步扩大。
公司在薄膜沉积领域持续拓宽产品矩阵，工艺覆盖度不断提升。公司形成 PECVD、 ALD、SACVD、HDPCVD 四大薄膜沉积产品线，覆盖逻辑、存储和先进封装领 域，在 PECVD 领域实现全系列薄膜种类覆盖，在 ALD 领域从 PE-ALD 拓展至 Thermal ALD 并不断扩大量产应用，在沟槽填充领域实现 SACVD 的产业化应用 和 HDPCVD 的首台客户端验证。
拓荆科技 PECVD 设备实现全系列薄膜覆盖，先进机台和大腔室产品持续获客户 订单。
PF-300T：公司产品均面向 12 寸晶圆设计并向下兼容 8 寸晶圆，含有一个 平台（TM）和三个反应腔（PM）。1）PF-300T 和 PF-300T ex 均实现产 业化应用，量产订单不断扩大；3）PF-300T px 是面向 10nm 及以下先进制 程的设备，PF-300T px 和 Supra-D 机型采用新反应腔配置，机械产能可提 高 20%-60%。公司主力机型 PF-300T、PF-300T eX 量产机扩大应用面， 通用介质薄膜材料（包括 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiON、SiOC、FSG、 BPSG、PSG 等）和先进介质薄膜材料（括 ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADC Ⅰ、ADCⅡ、HTN、a-Si 等）均实现产业化应用；2023 年公司新反应腔机 型 PF-300T px、PF-300T Supra-D 在 Lok II、ACHM、SiH4、TEOS 等薄 膜上超 40 个新型反应腔出货至客户端验证，超 130 个新型反应腔获得客户 订单；
PF-150T/200T：面向新型功率器件领域，已开发出用于 SiC 器件制造的 SiO2、SiN、TEOS、SiON 等薄膜工艺设备，首台 TEOS 设备通过客户端 验证，实现产业化应用，并获得重复订单；
NF-300H（六站式）：面向 12 寸晶圆，主要针对 32-128 层 3D NAND 或 19nm 以下 DRAM 中的 Thick TEOS 介质材料薄膜，目前已在 DRAM 产线 实现产业化应用。NF-300H 是大腔室产品，同样具备一个平台和三个反应 腔，但每个反应腔可以同时沉积 6 片晶圆；
UV Cure（紫外线固化处理）设备：UV Cure 属于辐射固化的一种，利用紫 外线 UV 产生辐射聚合、辐射交联等作用，一般用于印刷、涂层、立体光刻 及多种产品材料组装等。在半导体沉积环节中，UV Cure 设备可以有效改善 薄膜后处理制程的高效能和热预算，提升薄膜应力、颗粒度、硬度等关键性 能指标。公司 UV-Cure 机台基于 PF-300T 开发，可与 PECVD 设备成套使 用，为 HTN、LokⅡ等薄膜进行紫外线固化处理，公司 UV-Cure（HTN、 Lok II 工艺）机台均实现产业化应用，持续获得客户订单、出货至客户端验 证。 另外，氧化硅/氮化硅（ONON）堆栈薄膜是 3D NAND 存储的底层结构，也是 最难沉积的结构之一，要求各层膜厚、均匀性等指标基本一致，并且要控制界面 缺陷程度，公司该技术也已达到国际先进水平。
公司 PE-ALD 设备持续拓展工艺应用，首台 Thermal ALD 设备通过客户验证。 PEALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）采用等离子体在低温环 境下进行沉积，对器件损伤小，形成的薄膜性能好，具有相对较快的沉积速度、 较低的沉积温度，一般用来沉积 lok 等低 k 硅基介质；Thermal ALD（Thermal Atomic Layer Deposition）是热原子层沉积，采用高温反应，沉积速率快，薄膜 致密性更好，但高温可能会损伤薄膜，Thermal ALD 一般用来形成栅极。
PE-ALD 设备：公司设备已实现产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量 等多种指标要求的 SiO2、SiN 等介质薄膜材料，在芯片填孔（Gap-fill）、侧 墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中有广泛的应用，以实现更小图形化 以及特定的隔离功能。 公司持续拓展 PE-ALD 薄膜种类及工艺应用，获得了原有客户及新客户订单， 并出货至不同客户端进行验证，部分工艺再次获得客户重复订单，持续扩大 量产应用；首台 PE-ALD（NF-300H Astra）设备（沉积 SiO2 薄膜）通过 客户验证，实现了产业化应用，该设备主要应用于沉积较厚的 PE-ALD 薄膜，具有高产能和低成本的优势；
Thermal ALD 设备：公司首台 Thermal-ALD（TS-300 Altair）设备通过客 户验证，取得了突破性进展。该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中 沉积 Thermal-ALD 金属化合物薄膜及 PECVD ADCⅡ薄膜。此外，公司持 续拓展 Thermal-ALD 薄膜工艺，开发并推出了多款新工艺机型，获得了原 有客户及新客户订单，持续扩大薄膜材料覆盖面。
公司 SACVD 设备量产规模逐步提升，首台 HDPCVD 设备实现产业化应用。
SACVD 设备：主要应用于深宽比小于 7:1 的沟槽填充工艺，SACVD 反应 腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快 速优越的填孔能力。公司 SACVD 产品可实现 SA TEOS、SA ILD、BPSG、 SAF 等薄膜沉积，在国内产线量产规模逐步提升，公司新推出了等离子体 处理优化的 SAF 薄膜工艺应用设备并出货至客户端验证，进展顺利；
HDPCVD 设备：主要应用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充工艺，可以同时进 行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。公司首台 HDPCVD 设备（沉积 USG 薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用,并持 续获得客户订单，出货至不同应用领域的不同客户端进行产业化验证，可以 沉积 SiO2、USG、FSG、PSG 等介质材料薄膜。截至 2023 年底，公司 HDPCVD 产品已累计出货超过 40 个反应腔。
混合键合设备能够大大缩短互联节距，可满足先进封装芯片或晶圆多层堆叠结构。 相较于先进封装目前成熟的微凸点技术可实现 40-50um 的互联间距，混合键合 设备可以提供小于 1um 的芯片或晶圆互联间距，有效打破“通信墙”，从而提高 系统封装性能。目前混合键合已成为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心工艺。
混合键合包括晶圆-晶圆（W2W）、裸芯片-晶圆（D2W）、裸芯片-裸芯片（D2D） 三种方式，W2W 工艺成熟用于 MEMS、3D NAND 等封装中，D2W 工艺正在大 力推动，D2D 工艺正在研发中。当前应用最成熟的混合键合方式为两片晶圆间 的 W2W 键合，相较 D2W 和 C2W 方式具有最好的生产效率，工艺难度相对较 低，目前已经用于CIS、HPC、AI、3D NAND、3D DRAM、3D SoC 等中；D2W 工艺正在大力推广，目前已经用于 HPC、AI 等高阶芯片，IDTechEx 表示，在HBM 中应用 D2W 工艺会有更好的性价比；D2D 工艺由于最低的产能和高成本， 目前工艺正在研发，下游应用较少。
晶圆-晶圆（Wafer to Wafer，W2W）混合键合：指通过化学或物理反应将 晶圆与晶圆、晶圆与玻璃基板或其他材料圆片永久结合起来的工艺，是异构 集成的核心工艺。区别于引线键合或倒装键合将芯片和基板相连接，W2W 用于两片晶圆之间的键合，指在外能量的作用下，两个晶圆接合界面上的原 子相互反应形成共价键，从而使晶圆接合并达到一定的界面键合强度。 W2W 键合工艺可用于微机电系统（MEMS）、绝缘体上硅（SOI）和 3D NAND 等，在光电领域也可以实现高质量的同质结/异质结。在 MEMS 中，晶圆键 合工艺已经应用数十年；在 CMOS 中，需要首先生产一个逻辑晶圆，再生 产一个用于像素处理的单独晶圆，通过晶圆键合将二者结合，再将各芯片切 成小片形成 CMOS 传感器；在 3D NAND 中，典型的应用为长江存储的 Xtacking 工艺，即分别通过不同的工艺，先后制作 Memory 和 CMOS 晶圆， 分别在两片晶圆上形成凸块，通过晶圆键合来使凸块之间互联，实现并行的、 模块化的设计和制造，为引入 NAND 外围电路的创新功能以及实现 NAND 闪存的定制化提供可能性。
在 3D 堆叠结构中，W2W 混合键合在 3D NAND 堆栈和 3D SoC 中可以大批量 生产，在 HBM 及其他 3D 集成的应用正在研发。随着台积电、英特尔、三星等 厂商开始采用 3D 封装工艺，Chiplet 应用范围扩大，W2W 混合键合越来越多用 于 CPU、GPU 及高性能计算中。最早实现 Hybrid Bonding 量产的产品是索尼的 图像传感器，下部电路芯片和上部像素芯片之间增加了铜连接焊盘，同时建立物 理和电气连接；又如在 AMD 的一个方案中，AMD 堆叠了 SRAM 和一个处理器 芯片，形成了 3D 封装形式，并在顶部结合了高性能的 MPU 和高速缓存，使用 混合键合连接各个 Die；混合键合在 HBM 中的应用正在研发，SK 海力士表示， 未来 12 层以上的 HBM 堆叠结构可能需要采用铜-铜混合键合方式完成。
裸芯片-晶圆（Die to Wafer，D2W）混合键合包括 CO-D2W 和 DP-D2W 工艺，工艺成熟度低于 W2W 键合。 CO（Collective）-D2W 目前批量用于硅光子等应用，在 CO-D2W 键合中， 将切割好的 Die 贴装到载体晶圆上，然后将整片载体晶圆和另一片晶圆永久 键合后再解键合去除载体晶圆，从而实现 Die 和另一片晶圆互连。CO-D2W 工艺流程包括载体准备、载体填充、晶圆临时和永久键合、载体分离；
DP（Direct Placement）-D2W 工艺目前正在评估，主要针对异构集成应用， 将切割好的不同 Die 一颗一颗地放置在另一片晶圆的对应位置上，主要工艺 流程包括载流子填充、芯片清洁和激活、倒装贴装芯片。
先进封装带来键合设备的精度提升、单位耗能减少等性能提升，混合键合工艺步 骤和设备单价亦有明显提升。 1）先进封装形式带来键合工艺进步：根据 BESI 官网，倒装键合的连接密度大 约 25-400/mm²，TCB 工艺的连接密度提升至 156-625/mm²，铜-铜混合键合的 互联密度可以达到 10K-1MM/mm²；从倒装键合到 TCB 键合，键合精度大约有 2-5 倍的提升，而从 TCB 键合到铜-铜混合键合，键合精度有 10 倍左右提升；从单位 能耗来看，混合键合每 bit 能耗大约为 0.05pJ，是 TCB 混合键合的 1/2，是倒装键 合的 1/10；
2）逻辑芯片的键合步骤提升：根据 BESI 官网，在第一代 AMD EPYC 芯片中， 4 个芯片倒装在基板上，在第二代 EPYC 芯片中，倒装键合步骤增加至 9 个，在 第四代 EPYC 芯片中，包括倒装键合和混合键合在内的芯片贴装步骤增加至 50 步以上；在目前 CoWoS 封装中，存储和处理器采用 3 步键合工艺，而在混合键 合方案中，处理器被分为 3 个芯粒（Chiplet），键合步骤提升至 5 步；在扇出型 封装中，目前键合步骤需要 2 步，混合键合方案键合步骤提升至 4 步； 3）HBM 的键合步骤提升：BESI 官网提出键合工艺两种未来发展趋势，一是未 来混合键合工艺可能会 1 对 1 地替代 TCB 工艺，二是 HBM 叠层高度增多带来 键合步骤提升；
4）键合设备 ASP 提升：根据 BESI 官网，对于第二代 AMD EPYC 芯片，BESI 采用 8000FC Quantum 倒装键合机，单价约 50 万美元，每小时产出为 9000 片， 对于第四代 EPYC 芯片，BESI 采用 8800 Ultra Accurate C2W 混合键合机台， 单价为 150-250 万美元，每小时产出约为 1500-2000 片。
全球半导体键合设备市场空间接近 10 亿美元，三维集成有望带来混合键合设备 市场指数级增长。根据 thebrainyinsights 数据，2021 年全球半导体键合设备市 场空间大约 8.74 亿美元。根据 BESI 官网，混合键合推动异构集成结构中摩尔定 律的发展，2022 年混合键合工艺开始在逻辑芯片中量产，出货量有望在 2024 年再次迎来快速提升；2025-2027 年，混合键合设备将在存储器和处理器中得到 更多应用，设备出货量有望迎来指数级增长。
拓荆子公司拓荆键科（海宁）产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding，W2W）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation，D2W）产品，首台晶圆-晶圆键合设备实现产业 化应用。拓荆科技键合设备主要由控股子公司拓荆键科（海宁）开展，拓荆键科 成立于 2020 年 9 月 30 日，母公司持股比例为 55%。拓荆键科联合拥有先进晶 圆片键合机的技术储备的海宁君鑫科技，利用自身掌握的晶圆键合对准技术，进 而开拓晶圆键合设备市场。 首台晶圆对晶圆键合产品 Dione300 顺利通过客户验证，并获得复购订单， 复购的设备再次通过验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的 混合键合设备，目前该设备的性能和产能指标均已达到国际领先水平； 公司推出的芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品 Propus 发货至客户端验 证，并在当年即通过客户端验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于 量产的同类型产品。
23Q4 日本和美国半导体设备景气度复苏，国内销售同比保持高增长。根据 SEAJ， 全球半导体设备 23Q4 收入 280 亿美元，同比+1%/环比+9.7%，日本同比+20%/ 环比+51%，北美同比+2%/环比+6%，中国大陆销售额 121.3 亿美元，同比+91%/ 环比+10%。 全球半导体设备预计于 2024 年温和复苏，2025 年有望迎来强劲增长。考虑到 存储景气度复苏和逻辑产能温和扩张，SEMI 预计 2024 年全球半导体设备同比 小幅增长 3%至 931.6 亿美元，随着新产线建设、产能扩张和技术迁移，SEMI 预测 2025 年全球半导体销售额将同比增长 18%至 1100 亿美元。根据海外设备 龙头 ASML、LAM 等的指引，2024 年将是全球半导体设备的过渡年，2025 年将 迎来较为明确的复苏。
国内 2024 年先进制程产能不断开出，头部 Fab 采招边际持续加速。国内持续增 加荷兰进口光刻机金额，2024 年国内头部 Fab 扩产和设备采招有望边际加速。 24M1/2/3 国内从荷兰进口光刻机金额为 6.66/3.9/11 亿美元，同比+522%/106%/330%；ASP 同比+180%/175%/193%。同时 2024 年国内扩产偏 先进制程和偏高端存储产能，例如近期上海华力康桥二期产线启动，上海建工四 建和信息产业第十一设计院共同参与厂房及配套设施建设项目，中标价为 98.81 亿元。 国内半导体设备 24Q1 收入同比增速表现分化，看好未来收入和订单高增长态势。 24Q1 国内头部设备厂商收入同比增长较快，北方华创/中微公司/盛美上海收入分 别同比增长 51%/31%/50%，中科飞测和长川科技由于新品放量和订单增长等因 素，24Q1 收入分别同比增长 45%/75%；部分厂商由于订单确认节奏等影响， 24Q1 收入增长相对较慢，如华海清科/拓荆科技/京仪装备 24Q1 收入分别同比增 长 10%/17%/21%，芯源微 24Q1 收入同比-15%。尽管 24Q1 国内设备厂商收入 表现分化，但新签订单均较为饱满，展望 2024 年，半导体设备行业有望同比高 增长，国内头部产线采招加速有望带来国内设备公司签单边际提速。伴随订单逐 步确认，我们看好 2024-2025 年国内设备厂商收入高增长态势。
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