1、大陆薄膜设备龙头，持续拓展产品矩阵
拓荆科技为国内薄膜沉积设备龙头。拓荆科技成立于 2010 年，业务聚 焦于半导体薄膜沉积设备。2011年公司首台 12英寸 PECVD出厂到客户 端验证，后续逐渐拓展到 ALD、SACVD、HDPCVD 等产品领域。2022 年公司成功在科创板上市。凭借优秀的科技研发实力，公司产品线不断 延伸，产品性能不断提升，打破了国际厂商对国内市场的垄断。公司目 前已获得中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东 微等国内主流圆晶厂产线的认可，成长为薄膜沉积设备的国产领军企业。
公司自设立以来，专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用，凭借多年 的自主研发经验和技术积累，形成了以 PECVD（等离子体增强化学气 相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）及 HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）为主的薄膜设备系列产品。 同时，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军混合键 合设备领域，推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（Hybrid Bonding）设备产品系列。
1）PECVD 系列：公司 PECVD 设备作为主打产品，已实现全系列 PECVD 薄膜材料的覆盖，并持续保持竞争优势，获得批量订单和批量 验收，广泛应用于国内集成电路制造产线，为客户提供高性能的介质薄 膜材料。公司 UV Cure 设备与 PECVD 设备成套使用，为 PECVD HTN、 LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。
2）ALD 系列：公司ALD 产品系列包括 PE-ALD（等离子体增强原子层 沉积）产品和 Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。PE-ALD 设备 已实现了产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量等多种指标要求的 SiO2、 SiN 等介质薄膜材料，在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬 垫层（Liner）等工艺中有广泛的应用，以实现更小图形化以及特定的 隔离功能。Thermal-ALD 是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再 进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖 率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜 沉积，公司首台 Thermal-ALD（TS-300 Altair）设备通过客户验证，取 得了突破性进展。该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中沉积 Thermal-ALD 金属化合物薄膜及 PECVD ADCⅡ 薄膜。
3）SACVD 系列：SACVD 反应腔环境具有特有的高温（400℃- 550℃）、 高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力，主要应用于深宽 比小于 7:1 的沟槽填充工艺。公司新推出了等离子体处理优化的 SAF 薄 膜工艺应用设备并出货至客户端验证，进展顺利。公司可实现 SA TEOS、SA ILD、BPSG、SAF 薄膜工艺沉积的 SACVD 设备在国内集成 电路制造产线的量产规模逐步提升。
4）HDPCVD：HDPCVD 设备主要应用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充工 艺。公司首台 HDPCVD 设备（沉积 USG 薄膜）通过客户验证，实现了 产业化应用,并持续获得客户订单，出货至不同应用领域的不同客户端 进行产业化验证，可以沉积 SiO2、USG、FSG、 PSG 等介质材料薄膜。 截至 23 年底，公司 HDPCVD 产品已累计出货超过 40 个反应腔。
5）混合键合设备：公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品。公司首台晶圆对晶圆键合产 品 Dione 300 顺利通过客户验证，并获得复购订单，复购的设备再次通 过验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的混合键合设备。 公司推出的芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品 Propus 发货至客户 端验证，通过客户端验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量 产的同类型产品。
2、股权结构分散，管理团队经验丰富
无实际控制人，员工持股增强凝聚力。公司股权结构较为分散，无实 际控制人，截至公司 2024 年一季报，国家集成电路产业投资基金为公 司第一大股东，持股比例为 19.76 %。其余国投上海、中微公司、沈阳 信息产业创业投资管理有限公司、中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司分别持股 13.60%、7.37%、1.67%和 1.52%。同时，公司设立共青城 芯鑫和投资合伙企业（有限合伙）等企业作为员工持股平台，截止 23 年底，吕光泉、姜谦、张孝勇、刘静等公司高管分别持有 74.00、 182.67、26.27、4.07 万股，通过公司员工持股，有利于激励员工热情， 为公司长期发展夯实基础。此外，公司设立拓荆创益、拓荆上海、拓荆 北京和拓荆键科等子公司从事半导体专用设备的研发、生产、销售和技 术服务业务，设立岩泉科技从事对外投资业务。
管理团队经验丰富，本土研发团队已成技术中坚。拓荆科技创始团队 核心为归国海外专家，具有丰富的科研及相关从业经验。公司创立后积 极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。目前公司本土科研团 队已成长为技术研发的中坚力量。截至 2023 末，公司员工总数达到 1070 人，其中，研发人员 484 人，占公司员工总数的 45.23%。截至 2023 年末，公司累计申请专利 1205 项（含 PCT）、获得专利 360 项； 2023年内，公司新增申请专利330项（含PCT）、新增获得专利155项。
3、营收持续高增，24Q1 盈利暂时承压
营收快速增长，净利暂时承压。2019 年公司营收为 2.51 亿元，至 2023 年营收达 27.05 亿元，2019-2023 年 CAGR 高达 81.14%。24Q1 公司营收 为 4.72 亿元，YoY+17.25%，归母净利润为 0.10 亿元，YoY-80.51%。主 要系：1）24Q1 验收机台主要为新产品，新产品验收周期长于成熟产品， 因此，2024 年季度性收入确认的分布将有一定程度延后；2）24Q1 出货 金额同比增长超过 130%，业务规模的增长带来相关费用较大幅度的增 加；3）24Q1 不断拓展新产品和新工艺，仍然保持较高的研发投入，研 发费用达 1.53 亿元，同比增长 78.09%，研发费用率达 32.47%，同比增 长 11.09pcts；4）综上原因，费用增幅远大于收入增幅，致公司归母净 利润同比下降。
受设备验收节奏与研发费用等因素影响承压，24Q1 毛利率与归母净利 率表现波动。2019-23 年公司毛利率分别为 31.85%/34.06%/44.01%/49.2 7%/51.01%，归母净利率分别为-7.71%/-2.64%/9.04%/21.61%/24.49%， 盈利能力整体稳步提升，24Q1 受设备验收节奏与研发费用等因素影响， 公司实现毛利率 47.31%，同比下滑 2.47pcts，环比下滑 5.81pcts；归母 净利率 2.22%，同比下滑 2.66pcts，环比下滑 11.39pcts。
从订单、合同负债看，公司成长动能强劲。公司作为设备公司，其当 期订单预示未来收入规模。客户在下单后，通常会支付部分金额，形成 公司的合同负债。2020-24Q1，公司在各报告期末的合同负债分别为 1.34/4.88/13.97/13.82/13.86 亿元，整体呈现持续上升态势；2023 年末公 司在手订单 64.23 亿元（不含 Demo）、YoY+39.57%，在手订单高增预 示着公司充沛的成长动能。
1、薄膜沉积空间广阔，技术迭代推动价值量提升
2025 年全球薄膜沉积设备市场将达到 340 亿美元。根据 Maximize Market Research 机构测算，2020 年全球薄膜沉积设备市场规模为 172 亿 美元，预计 2025 年市场规模将达到 340 亿美元，2020-2025 年的 CAGR 为 15%。薄膜沉积设备市场空间的增长，主要是因为全球晶圆产能持续 扩张，对薄膜沉积设备的需求持续增加。
2023 年中国薄膜沉积设备市场规模预计达到 89 亿美元。大陆薄膜沉积 设备市场规模跟随大陆半导体设备整体市场一起快速增长。根据中商情 报网统计，2017-2023 年大陆半导体设备规模从 82 亿美元有望增至 422 亿美元。据 SEMI 统计，新建晶圆厂设备投资中，薄膜沉积设备价值量 占比约为总投资的 20%，则可测算出 2017-2023 年中国大陆薄膜沉积设 备空间有望从 16 亿美元增至 89 亿美元，CAGR 高达 33%。
PECVD 是薄膜设备中最大品类，市场空间占比达 33%。据 SEMI，在2020 年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD 是薄膜设备中占比 最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的 33%，ALD 设备占比约 为 11%，SACVD 和 HDPCVD 属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占 比约为 6%。
随着制程升级，单位产线对薄膜设备的用量在快速增加。先进制程使 得晶圆制造的复杂度和工序步骤都大大提升，为保障总体产能，单位产 线需要更多的薄膜沉积设备。中芯国际 180nm 8寸线每万片需要的CVD 设备在 9.9 台、PVD 设备在 4.8 台，而到其 90nm 12 寸线，每万片需要 的 CVD 设备升至 42 台，是之前的 4 倍以上，每万片需求的 PVD 设备 在 24 台，是之前的 5 倍。未来随着 5G、HPC、AI、ADAS 等新技术对 制程要求越来越高，先进制程需求势必将迎来较成熟制程更快的成长， 将进一步带动薄膜沉积设备市场加速增长。
工艺升级、薄膜设备技术含量提升，占产线投资比重亦在快速提升。 例如以 Flash 芯片为例，薄膜设备占 Flash 芯片产线的 Capex 比重从 2D 时代的 18%，增长至 3D 时代的 26%，其背后是 Flash 芯片制造复杂化 带动薄膜设备技术升级、价值量提升。未来随着 3D NAND Flash 芯片层 数进一步增加，薄膜沉积设备在产线投资中有望迎来价值量占比的进一 步提升。
2、海外垄断国产化率低，制裁推动本土化需求
全球薄膜沉积设备市场主要由美国的应用材料（AMAT）、泛林半导体 （LAM）、日本的东京电子（TEL）、荷兰的先晶半导体（ASMI）等海 外企业所垄断。据 Gartner 数据，2020 年全球薄膜沉积设备市场， AMAT 市占率高达 43%，其次为 LAM 市占率为 19%，TEL 居第三市占 率为 11%，剩余厂商合计占有 27%的市占率。分单项产品看 2020 年全 球主要厂商市占率： 1）等离子体 CVD： AMAT 和 LAM 分别占据 49%、34%的市场。 2）ALD：ASMI 以 46%的市占率居领先地位，此外，TEL、LAM、 Wonik IPS、AMAT 分别占据 29%、10%、7%、3%的市场份额。 3）溅射 PVD：AMAT 以 86%的市占率居垄断地位，北方华创以 3%的 市占率跻身 PVD 全球主要供应商之列。 4）管式 CVD：AMAT、TEL 垄断该市场，份额分别为 51%、46%， ASMI 份额为 3%。 5）LPCVD：LAM、TEL、AMAT 份额分别为 40%、36%、19%。
薄膜沉积设备国产化率较低，替代空间广阔。根据测算，随着本土晶 圆产能不断扩建，2017-2022 年中国大陆薄膜沉积设备市场占全球比例从 13.13%提升至 37.10%，市场需求不断增长，然而国产设备占比依然 较低，主要由海外厂商垄断，2023 年，拓荆科技薄膜沉积设备收入 25.70 亿元，预计占国内需求 4.1%，整体国产化率依然较低，拥有广阔 的替代空间。
海外限制收紧，高端薄膜沉积设备的国产化日益迫切。2019 年，美国 将华为等企业列入实体清单，限制相关出口，2022 年 10 月，美国出台 新出口管制，禁止 16/14nm 及以下逻辑芯片、18nm 以下 DRAM 芯片和 128层及以上的 NAND芯片的制造设备出口给中国大陆； 2023年 7月， 日本跟随美国实施新的出口管制，限制用于先进制程的高端设备出口给 中国。由于美日为全球高端薄膜沉积设备的主要供应方，两国的出口管 制限制使得高端薄膜设备国产化愈加迫切。
3、产品矩阵丰富，有望受益产能扩张
拓荆科技薄膜设备覆盖度广，出货量高速增长。公司推出的 PECVD、 ALD、SACVD及 HDPCVD等薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中 所需的全部介质薄膜材料和约 100 多种工艺应用，其中 PECVD 设备作为主打产品，已实现全系列 PECVD 薄膜材料的覆盖。随着公司业务规 模逐步扩大和先进产品陆续推出，公司设备出货量逐年大幅增加。2023 年，公司出货超过 460 个反应腔。截至 23 年底末，公司累计出货超过 1510 个反应腔，进入 60 多条生产线。预计 2024 年全年出货超过 1000 个反应腔，将创历史新高。
进入国产大客户供应链，客户结构优质。拓荆科技凭借优秀产品力， 进入中芯国际、华虹集团等优质客户，其中中芯国际占公司营收比重从 2018 年的 14.8%提升至 2021 年前三季度的 29%，华虹集团稳居公司 Top5 客户的行列。
展望未来，中国大陆有望引领全球半导体设备未来数年的支出，2024- 27 年维持在 300 亿美元以上的高位。据 SEMIC，2024-27 年，中国大陆每年半导体设备投资规模均有望保持在 300 亿美元以上，规模居全球主 要地区第一位，仍将继续引领全球半导体设备支出。而中国台湾、韩国 地区则受益于 HPC 带动的先进制程扩张，以及存储市场复苏，2024 至 2027 年有望增加对半导体设备的投资。美国则在“芯片法案”等本土 芯片法规扶持下，半导体晶圆制造有望实现较快增长，2024 年半导体 设备开支预期在 120 亿美元，至 2027 年有望翻倍至 247 亿美元。
本土大型晶圆厂积极扩产，奠定国产设备订单增长坚实基础。我们根 据公开资料梳理，中芯国际当前重点在建项目主要为上海临港 12 寸晶 圆代工厂、天津西青 12 寸晶圆厂项目，分别规划投资额在 573、500 亿 元，合计超千亿元；华虹半导体无锡二期项目，规划投资接近 480 亿元， 规划产能在 8.3 万片特色工艺，体量较大；上海华力康桥二期，仅厂房 和配套设施建设投资就接近100亿元，整体扩产规模亦有望较大；2023- 24 年，存储大厂长江存储、武汉新芯、合肥长鑫均有不同规模的融资 动作。 本土大型逻辑、存储晶圆厂积极扩产，规模庞大且对国产设备 验证、导入均较为积极，有望在未来数年奠定国产设备厂商订单增长的 坚实基础。
我们于 2024 年 2 月 22 日发布深度报告《AI 系列之先进封装：后摩尔时 代利器，AI+国产化紧缺赛道》提到封装技术的发展历史主要围绕体积 和性能不断展开，目前实现了从传统封装到先进封装的时代跨越，其发 展可以分为从传统封装到先进封装的五个阶段，实现了三次技术革新。 1）传统封装时代：主要是第一阶段(20 世纪 70 年代前)和第二阶段（20 世纪 80 年代后），实现了从通孔插装技术到表面贴装技术的升级。2） 先进封装时代：以第三阶段（20 世纪 90 年代之后）为界，封装技术步 入先进封装时代，出现了以晶圆级封装(WLP)为代表的面积阵列型封装 技术。而第四、第五阶段代表了半导体封装行业的第三次技术革新，实 现了二维到三维的封装技术拓展。
传统封装与先进封装技术界限明显，以焊线为主要区分方式。传统封 装，主要是将晶圆切割成单个芯片，以引线键合为主要连接方式进行封 装的工艺。传统封装按照工艺可以分为 SIP、DIP、SOP、SOT、TO、 QFP、QFN、DFN、BGA等形式。这类封装技术具有较低的生产成本和 较高的生产效率，适用于初期的集成电路产品。先进封装主要采用了倒 装等键合互联的电气连接方法，有晶圆级封装（WLP）、面板级封装 （PLP）、2.5D封装（interposer、RDL等）、3D封装（TSV）等封装技 术。因此，传统封装和先进封装的主要区别在于是否采用了焊线，即传 统封装主要使用引线实现芯片与外界的连接。
先进封装朝着增加单位面积 I/O数量的方向发展。大数据、AI时代，发 展先进封装、提升 I/O 密度是应有之义。而提升 I/O 最直观的方式即制 造更细的 I/O 间距（pitch）和更细线间距（L/S）。具体而言 I/O 间距包 括：1）混合键合（hybrid bonding，一种将介电键（SiOx）与嵌入金属 （Cu）结合形成互连的工艺技术）时上下 die 之间的键合间距，可以提 高芯片间通信速度，2015 年时为 2um 级别，到 2023 年有望升级至 1um 以下，混合键合是应用于高带宽存储（HBM）的理想键合方案；2） Bumping 工艺中 Bump（通常称作“凸点”或“凸块”，为先进封装上下 层连接的接触部分）间距，2015 年在 200-150um，2025 年有望达到 50um 级别；3）Ball（焊球）间距，2021 年之前在 1200-350um 级别， 2023年有望达 300um级别。而线间距主要指 RDL（重新布线层）的 L/S（线间距），2015 年≥10um，2023 年有望达 2um 级别。
Bump 技术具备引脚密度高、低成本的特点，是先进封装的基础之一。 相较于传统打线技术（Wire Bond）的“线连接”，Bump 技术“以点代 线”，在芯片上制造 Bump，连接芯片与焊盘，此种方法拥有更高的端 口密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优良的热传 导性及可靠性，也是进行 FC（Flip Chip）倒装工艺在内的先进封装工 艺的技术基础。
Bump 凸块微小化要求键合工艺持续发展。随着芯片集成度的提高以及 工艺技术的发展，Bump 正朝着更先进的趋势发展：1）Bump 不断变得 更小、更精确，例如转变为焊锡合金或金属球的形式，适应更高密度的 集成电路。2）Bump 技术正在从传统的焊接 Bump 过渡到更先进的球形 Bump或金属填充 Bump，以满足更高的连接密度。而 Bump结合热压键 合工艺最小可以做到 10um 节距，对于细间距的 Micro bump，电镀 Bump 非常小的不均匀性也会影响良率和性能，因此 10um 间距以下需 要依靠混合键合（hybrid bonding），混合键合技术去除芯片之间的填充 物，使其直接连接到铜电极上。混合键合分为芯片到晶圆（D2W：dieto-wafer）技术和晶圆到晶圆（W2W：Wafer-to-wafer）技术，D2W 良 率高但芯片与晶圆的对齐难度大，W2W 良率低（两片晶圆良率相乘） 但技术成熟，更适合应用于成熟制程。
Bump 微缩触及工艺极限，混合键合应运而生。当电子封装行业发展到 3D 封装时，微凸块通过使用裸片上的铜凸块作为晶圆级封装的一种形 式实现芯片间的垂直互联。然而，铜凸块的尺寸范围很难缩小到 10um 以下，微凸块技术因此遭遇瓶颈。混合键合通过小型铜对铜连接微 3D 封装提供了一种可行的绕过凸块限制的解决方案。
混合键合（hybrid bonding）：混合键合在晶圆表面的介电层（SiO2、 SiCxNy、SiOxNy 等）中嵌入了金属焊盘（一般为 Cu），然后对其表面 进行活化，降低键合条件，接着将两片晶圆直接贴在一起键合。在键 合时，金属焊盘（Cu）通过 CMP 使其凹陷几纳米并形成碟形轮廓，随 后在退火过程中，因为金属 Cu 和介电质的热膨胀系数不同，Cu 会膨胀 地更快，两块芯片的金属焊盘（Cu）会接触并产生压力，发生金属扩散，实现芯片键合。
混合键合突破 I/O 密度瓶颈，性能优越。1）I/O 密度更高：混合键合金 属焊盘（大小约为 0.5um×0.5um 方形）间距可以微缩到 2um 以下，极 大地提升 I/O 密度；2）层间距离更短：混合键合是直接键合，中间没 有层间距，可以缩短小芯片间连线长度，从而改善总体性能、功率和成 本，且相较于焊球键合约 30um 的层间厚度，混合键合封装的芯片会更 薄。3）省去底部填充成本：相较于倒装芯片键合，混合键合不需要在 层间底部填充，可以省去相应材料成本。
混合键合分为 W2W（晶圆对晶圆）、D2W（芯片对晶圆）两大类，二 者整体封装步骤相似，D2W 涉及切片。在晶圆对晶圆（W2W）混合键 合的工艺流程中，首先进行层间介质（ILD）的沉积，随后对 ILD 层进 行精确的刻蚀。接着是铜阻挡层与种子层的沉积，为电化学沉积铜层 做准备。铜电化沉积层形成后，通过化学机械抛光（CMP）对介电表 面进行抛光，同时在铜中实现几纳米的凹陷。随后进行等离子体激活 以生成 Si-O 键，并用去离子水冲洗介质以便于混合键合。混合键合完 成后，在 350℃下进行 2 小时的退火处理，确保键合的稳定性。之后， 对上层硅晶圆进行边缘处理。最后，通过背面研磨和减薄来达到预期 的硅晶圆厚度和平坦度，以此完成晶圆对晶圆（W2W）混合键合的工 艺流程。芯片对晶圆（D2W）工艺流程在晶圆切片前的工艺与 W2W 相 同。晶圆第一次完成 CMP 抛光后进行切片和清洗，准备混合键合过程。 完成键合后，进行退火处理来增强界面结构的牢固度；随后的步骤是空隙填充，以确保材料的完整性。第二次 CMP 技术抛光晶圆之后进行 穿孔氧化物的刻蚀，以形成铜互联，然后对氧化物刻蚀后的结构进行 填充。最终，第三次执行 CMP 抛光，确保晶圆表面达到所需要的平滑 度和清洁度，以完成整个 D2W 的工艺流程。
混合键合有望在 CIS、存储、逻辑等领域应用。根据 EVG数据，在 CIS 和存储的 3D NAND 领域，W2W 混合键合已经率先成熟应用，目前索 尼的 CIS 和长江存储的 3D NAND 等产品均有采用；在存储的 HBM、 DDR6+和逻辑等领域，C2W/W2W混合键合正在持续研发应用中，具体 应用有 AMD 3D V-Cache 技术等，AMD 将 SRAM（L3 级缓存）堆叠至 CCD（Core Chiplet Die）上，以增加 CPU 的 Cache 容量，3D V-Cache 采用了台积电的 SOIC-X 混合键合技术，在 Ryzen （PC CPU）和 EPYC （服务器 CPU）等多款处理器上应用。
混合键合设备市场处于早期非线性发展阶段。据 Yole 数据，2020 年全 球混合键合机市场达 2.67 亿美元，其中 C2W 键合机为 0.06 亿美元， W2W 键合机为 2.61亿美元，至 2027年二者市场空间分别有望增至 2.32、 5.07 亿美元，2020-27 年 CAGR 分别为 68.56%和 9.95%。
混合键合机是混合键合的核心设备。混合键合工艺复杂，因此混合键 合机内通常有多个应用模块。以下通过 EV Group 的混合键合机 GEMINI 系列产品为例介绍混合键合机的功能模块： 1）旋涂模块（Spin Coat Module）：用于在晶圆键合之前应用粘合剂层。 通过高速旋转将液态粘合剂均匀涂覆在晶圆表面，形成一层均匀的粘 合剂膜。 2）烘烤/冷却模块（Bake/Chill Module）：在涂层完毕后、晶圆键合前对 粘合剂层进行处理。该模块使粘合剂层经过烘烤来促进固化和附着强 度，并通过冷却控制粘合剂的物理性质及其对成键性能的影响。 3）低温等离子体激活模块（Low Temp Plasma Activation Module）：对 于等离子活化键合（PAWB，Plasma Activated Wafer Bonding）进行等离 子体表面处理活化，以增强材料间的化学键合能力。 4）清洗模块（Cleaning Module）：使用去离子（DI）水和温和的化学清 洗剂，去除晶圆表面的微粒污染，为键合提供干净的表面。 5）对准模块：在晶圆键合前进行晶圆对晶圆的对准，确保精确的层间 配合。 6）UV 键合模块（UV-Bond Module）：支持紫外线启动的粘合剂键合过 程，利用 UV 光源来激发粘合剂固化，形成坚固的键合。 7）键合模块（Bond Module）：支持除了紫外线固化粘合剂外的所有主 流键合工艺，包括直接键合、阳极键合等传统键合方法。 8）键合精度检测模块（Alignment Verification Module）：在永久键合之 前和/或之后，用于验证晶圆在键合腔室或类似模块中的对准准确性。
全球混合键合机市场目前由 Besi、EVG 等国际厂商主导。晶圆对晶圆（W2W）混合键合机的主要生产厂商有 EVG、SUSS、Nidec、Ayumi 和 bondtech。芯片对晶圆（D2W）混合键合机的主要生产厂商有 bondtech、Besi、SEMES、ASM 和 HANMI。鉴于大陆封装工艺现状， 当前大陆对混合键合机需求较少，国产厂商拓荆科技（W2W）、华卓精 科（待上市，W2W）、艾科瑞思（未上市，D2W）、华封科技（未上市， D2W）等已开展前瞻布局。
布局混合键合，打开业绩成长空间。公司混合键合系列产品包括晶圆 对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处 理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品。目前，公司 首台晶圆对晶圆键合产品 Dione 300 顺利通过客户验证，并获得复购订 单，复购的设备再次通过验证，实现了产业化应用，成为国产首台应 用于量产的混合键合设备，目前该设备的性能和产能指标均已达到国 际领先水平。公司推出的芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品 Propus 发货至客户端验证，通过客户端验证，实现了产业化应用，成为国产 首台应用于量产的同类型产品。
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