1.1. 聚焦于中小容量存储，多应用场景服务全球
深耕利基型存储。发展历程可以分为以下三个阶段：1）初创：东芯半导体成立于 2014 年，主营 SLC NAND Flash 的设计与销售。于 2015 年成为韩国存储芯片厂商 Fidelix 的控股股东并开始涉足 NOR Flash、DRAM 及 MCP 产品的研发及销售。2）发展：2017 年，成功流片 2GB SLC SPI NAND；成功研发 48nm NOR FLASH。2018 年，成立全资 子公司。2019 年，通过股东会决议，同意由有限公司整体变更为股份公司。3）领先： 2021 年 12 月，公司在上海证券交易所科创板上市，当年实现营业收入突破 11 亿元。在 有利的行业环境下，2022、2023 年均实现新产品的技术突破。2024 年抓住海外厂商退 出所带来的机遇，继续进行产品创新、拓宽业务范围。
大陆领先存储芯片设计公司，矢志服务全球客户。公司业务布局为“五大应用场景 +四大主要产品”，主营业务为存储芯片研发、设计和销售。公司研发团队自主开发了非 易失性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash、易失性存储芯片 DRAM、衍生产品 MCP。 基于“本土深度、全球广度”布局所构建的稳定高效的供应链体系。凭借高可靠性、低 功耗等特点，公司的多款核心产品已通过国内外多家知名企业的认证，广泛应用于网络 通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。此外，公司还提供技术服务与支持，拥有自主完整的知识产权，可以为客户提供其所需要的存储芯片设计服务和整体解决方 案。公司面向的五大应用场景为工业控制、通讯网络、消费电子、移动设备与物联网， 终端知名客户有中兴通讯、三星电子、LG 等。
走差异化路线，聚焦中小容量存储芯片研发。公司主要有 DRAM、NAND、NOR、 衍生品 MCP 这四类产品，存储芯片市场上最主要的两个种类 DRAM 和 NAND 均有产 品布局。东芯股份聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以 同时提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存储芯片完整解决方案的公司，而衍生产品 MCP 可将 Flash 和 DDR 合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路， 提高产品稳定性。
多家产业投资布局，助力公司持续发展。截至 2024 年 7 月，公司的控股股东为东 方恒信。东方恒信集团有限公司持股 32.38%，为第一大股东。公司法人为蒋学明，是东 方恒信集团有限公司大股东；公司的实际控制人为蒋学明、蒋雨舟。苏州东芯科创股权 投资合伙企业持股 5.09%，为第二大股东，其余股东持股较为分散。公司共控股两家公 司，联营一家私募基金。根据 2024 年 2 月公告，公司计划通过上海亿芯通感技术有限 公司在广州设立一家全资子公司从事 Wi-Fi 7 无线通信芯片的研发、设计与销售业务。
关注人才培养，推进实施股权激励计划。为进一步吸引和留住优秀人才，充分调动 公司核心团队的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起， 公司于 2022 年 2 月，通过股权激励的形式向公司人才授予限制性股票 212.6 万股，于 2023 年 5 月向 117 名激励对象授予限制性股票 401.7 万股，于 2024 年 5 月向 134 名激 励对象授予限制性股票 317.0 万股。同时公司业绩考核目标值为 25%，体现公司业绩增 长的信心，充分激励员工。
1.2. 存储上行周期开启，公司基本面拐点已至
中小型号 NAND 价格触底反弹，涨价趋势已现。公司在 NAND Flash 产品布局较为 丰富，其中 1-8Gb 料号较多。根据全球半导体观察数据，2024 年 1 月至 2 月期间，2/4/8Gb 产品价格已达到底部，同比跌幅控制在 2.4%/1.2%/3.1%，1/16/32Gb 产品价格已恢复至 去年同期水平。3 月，1/4Gb 产品率先显现涨价趋势，同比涨幅分别为 1%/0.6%并持续 至 5 月，2Gb 产品价格在 5 月出现同比上升 1.7%，其余容量型号产品价格不变。
公司深耕利基型 DRAM，2024 年一季度以来涨价趋势明显。公司主要的 DRAM 产品为 DDR 和 LPDDR。其中 DDR 产品主要为利基型 DRAM 产品，容量覆盖 1/2/4Gb。 根据全球半导体观察数据，截至 2023 年 8 月，DDR3 1/2/4Gb 产品价格止跌，另一方 面，DDR3 4Gb 产品合约平均价的月同比跌幅收窄。2023 年 10 月 DDR3 价格出现环比 上涨趋势。从月同比数据来看，2024 年 3 月起出现价格上涨情况，涨幅为 0.8%，2024 年 4 月/5 月同比价格分别上涨 12.6%/15.7%，价格拐点已现，涨价趋势明显。
存储行业下行周期结束，长期景气度可期。2019 年至 2022 年，公司营业收入实现 逐年增长，但归母净利润有所波动。2020-2021 年公司营业收入及归母净利润有较大增 长，主要原因有：1）公司产品线不断丰富，对客户的导入陆续完成，产品逐步放量，销 售规模有所扩大；2）市场持续回暖，产品价格上涨；3）随着销售的规模效应显现，公 司在持续微缩制程及提高良率的同时对现有产品的结构进行持续优化，高附加值和高毛 利率产品的销售占比提升。2023 年，公司营业收入为 5.3 亿元，同比下滑 53.7%，归母 净利润同比下滑 265%，主要是因市场终端需求疲软以及售价和成本的双重挤压，并叠 加库存问题导致。按季度营收来看，23Q2-Q4 期间季度营收出现增长，24Q1 营收为 1.06 亿元，季度环比下滑 33.4%，同比下滑 14.2%。同时，归母净利润出现环比改善，24Q1 归母净利润为-0.45 亿元，环比增加 72.2%，亏损幅度收窄。
产品结构不断优化，直销模式渐成主流。公司积极扩大产品线布局，准确把握市场 应用需求，聚焦投入，形成了完整的 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 及 MCP 的产品 供应链。2023 年 NAND 营收占比 44.6%，NOR 的营收占比为 7.1%，DRAM 营收占比 8.8%，MCP 营收占比 36.9%，技术服务营收占比 2.4%。从销售模式来看，2023 年公司 的直销模式收入 3.7 亿元，占比为 69.8%，随着近几年公司产品通过主流平台验证及公 司品牌知名度的提升，与客户合作多采用直销模式，直销占比较高。
公司精准控费，毛利有望恢复。2021 年公司毛利率有较为显著的增长，是因为随着 销售规模扩大，公司产品和客户结构优化，使得高附加值和高毛利率产品的销售占比提 升。2023 年毛利率下滑至 11.9%，较上年同期减少 28.7pct，是由于消费电子需求下滑， 存货高企，产品价格下滑所致。同时，公司计提的存货跌价准备增幅明显，为应对行业 下行周期投入研发，研发费用同比增加 47%，销售净利率大幅下降至-56.6%。公司销售 毛利率和净利率于 2024 年一季度开始修复，随着终端消费需求持续回暖，业绩质量得 到改善。
销售费率管理见效，其他费率保持稳定。2023 年公司的销售费用、管理费用有所上 升。销售费用率同比增加 2.3pct；管理费用率同比上升 6.4pct，是公司为了应对行业内 短期下行而增加的投入；财务费用率同比减少 3.8pct，系本期利息收入较上年同期减少 和本期利息费用较上年同期增加所致。2024 年一季度，公司销售费用率为 5.2%，与去 年同期相同，从绝对值来看同比减少 91.2 万元，是公司主动控制市场开拓和销售人员的 相关费用所致；管理费用率同比微增 3.0pct；财务费用率同比微增 1.34pct，其中利息费 用同比减少 59.9%，公司主动去杠杆以回归 23 年行业下行前的债务规模。
研发投入持续加大，构筑技术与创新双壁垒。公司的研发费用占比持续增长，2024 年一季度研发费用占同期营收 46%，同比增加 11.7pct。SLC NAND Flash 产品方面，公 司基于 2xnm 制程持续开发新产品，不断扩充 SLC NAND Flash 产品线。NOR Flash 产 品方面，公司在 48nm 制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前 512Mb、1Gb 大容 量 NOR Flash 产品方面已有样品完成可靠性验证。公司重视人才梯队建设，研发人员从 2021 年的 87 人增加至 2024 年一季度的 120 人，增幅达 37.9%，研发人员占比从 21 年 的 47.3%增至 24 年一季度的 76.9%。
1.3. 自研技术多元布局，供应体系稳定可靠
核心技术优势显著，保持产品国内先进性。东芯的单颗 SLC NAND 芯片擦写次数 超过 10 万次，并可在-40℃到 105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，产品可靠 性逐步提高到车规级标准。公司多个项目研发进度稳定：1xnm SLC NAND Flash 产品已 完成晶圆制造和功能性验证，目前处于晶圆测试及工艺调整阶段。SLC NAND、NOR Flash 以及 MCP 均有产品通过 AEC-Q100 测试，公司将继续按照车规级应用环境标准开 发新产品，扩大车规级产品线丰富度。公司的自研技术与国内其他技术相比：SLC NAND Flash 相比国内制程范围更小、工作温度要求更宽容、存储容量更大，自主设计的 SPI NAND 不仅可以加快产品的交付周期，也可以简化产品的设计。公司将通过持续的研发 创新、制程升级和性能迭代，保持产品技术先进性。
工艺制程水平不断创新，国产替代步伐加快。公司在研的 1xnm SLC NAND、已量 产的 24nm SLC NAND、48nm NOR 等产品均有大陆领先的工艺制程，兼顾低功耗高性 能与更高的存储密度。微观策略层面看，大陆以外的主流供应商，如美国的美光，韩国 的三星、海力士，中国台湾地区的华邦、旺宏等公司相对而言追求高毛利市场，即前期 快速推出新产品占领市场，直到竞争对手增多，比较优势转移，则转向战略性收缩，甚 至完全退出此市场。长期来看欧美、韩国的公司会逐步退出 SLC NAND 市场，东芯股 份为国产替代的有力厂商。宏观方向来看，一方面国家出台一系列政策支持国产芯片发 展，如加大对芯片产业的投入等，另一方面美光在 SLC NAND 市场份额较大，美光产 品被禁事件后这部分份额会被国内厂商顶替。
与国际一流大厂合作，供应链体系稳定可靠。作为国内领先的存储解决方案提供商， 拥有稳定可靠的供应链体系，与国际一流大厂也有着密切的合作关系。公司的供应链覆 盖包括原材料的采购、工艺流程的控制、产品全面检测等多个环节。通过与供应商的密 切合作，东芯股份能够保证产品质量的稳定性和一致性。公司与多家行业龙头企业建立 了长期合作关系，如英特尔、三星、海力士等，通过技术交流和资源整合，能够不断提 高自身的技术和产品能力。同时，公司客户覆盖工业、监控安防、消费电子、新能源汽 车等终端领域。
核心竞争力突出，业务规划明确。公司产品自研技术国内领先，工艺制程水平不断 提升，供应链体系稳定可靠，正值国产化替代东风进一步开拓市场。公司将坚持以存储 产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品，通过差异化 提升盈利空间和市占率；持续开拓国内优质客户，服务行业重要客户，逐步拓展海外市 场，提升公司在全球的市场地位和影响力。
2.1. 市场份额稳中有升，海外大厂逐步退出利基 NAND 竞争
NAND Flash 是存储器芯片的第二大细分市场。NAND 是目前主流的闪存技术，属 于非易失性存储芯片，在计算机、服务器和智能手机领域应用广泛。按单位存储比特数 的不同，NAND 又可细分为 SLC、MLC、TLC 及 QLC 四种颗粒类型。根据中商产业研 究院的数据，2023 年全球 NAND FLASH 市场规模约为 397.6 亿美元，预计 2024 年达 到 656.1 亿美元水平，同比增长 65%，2019-2024 年期间 CAGR 为 7.4%。
SLC NAND 市场竞争格局分散，海外大厂腾出 SLC NAND 市场份额。高堆叠层数、 大容量的 3D NAND 是闪存行业的发展趋势，未来三星、海力士、铠侠、美光等海外存 储芯片巨头将逐步退出中小容量的 SLC NAND 市场，专注在 3D TLC NAND 和 3D QLCNAND 领域展开角逐，因此全球 SLC NAND 市场竞争者减员，市场空间将逐渐释放。 目前国内厂商中，SLC NAND 市场份额以中国台湾的华邦和旺宏为主，并涌现出东芯股 份、兆易创新等大陆厂商占据一定的份额。随着海外巨头转战主流 NAND 市场，公司聚 焦于中小容量通用型存储芯片的优势开始展现，未来增长空间可观。
2.2. 新兴应用下游需求持续增长，SLC NAND 性能构建竞争优势
SLC NAND 具备差异化竞争优势，刚性需求支撑及新兴应用发展促进份额增长。 根据智研咨询数据，2020 年 SLC NAND 在全球 NAND 市场中的份额约为 1.8%。高速 读写、长寿命和高度的可靠性使 SLC NAND 具备差异化竞争优势，因此在工业控制、 通讯、物联网、消费电子、车载电子等对数据读写和存储可靠性要求高的应用领域，SLC NAND 存在刚性需求。根据 Gartner 数据，在物联网、消费电子和汽车电子等下游新兴 应用场景不断丰富的带动下，2019-2024 年 SLC NAND 全球市场规模 CAGR 达到 6.8%， 2024 年将达到 23.2 亿美元。由于存在不可替代的特性，未来 SLC NAND 将继续在全球 NAND 市场中占据固定份额。
国内 5G 基建持续推进，新增基站推动 SLC NAND 需求增长。SLC NAND 在通信网络的主要应用为 5G 基站、路由器等。不同于消费类产品，5G 通讯设备需要能实现高 速且稳定可靠工作的存储芯片作为数据站点，要适应室外环境温度的多变以保持不间断 工作，因此中高容量的宽温 SLC NAND 是一个理想的解决方案，例如 5G 宏基站的 AAU、 BBU 单板需要用到 4Gb、8Gb 乃至 16Gb 的 SLC NAND。根据工信部数据，受益于中国 5G 基建的推进，5G 基站数量持续攀升，2020-2023 年的 CAGR 为 116.8%，截止 2023 年底全国 5G 基站的开通数量达 337.7 万个，占移动基站总数的 15.9%。
SLC NAND 通信市场空间测算：2024 年规模为 4591 万美元，预计 2022-2026 年 CAGR 达 57.7%。根据全球半导体观察的 SLC NAND 各规格产品报价，我们假设未来 8Gb/16Gb/32Gb SLC NAND 单价分别为 2.9/6.2/11.8 美元。同时，假设从 2024 年开始下 游产品使用的小容量更换为大容量，即 8Gb 更换为 16Gb，16Gb 更换为 32Gb。根据前 瞻产业研究院对 5G 新增基站的预测，我们测算出 2024 年 SLC NAND 通信市场规模为 4591 万美元，预计 2025/2026 年达 6294.2/7757.9 万美元，2022-2026 年 CAGR 达 57.7%。
智能安防下游需求扩张，促使 SLC NAND 需求增长。随着 AI 和大数据技术的发 展，视频监控设备正从原先仅具备视频录制功能的设备升级为能够对录像进行数据分析 的智能安防系统。国家和各省市出台一系列支持智能安防行业的政策，以完善智慧城市 建设，满足公共安全需要。“IoT + AI”技术也能大幅提升民用场景下的安防效率，激发 民用设备的需求。SLC NAND 长寿命、高速读写的特性可以满足智能摄像头对录制时长 和反复擦写的要求，其可靠性将降低录像数据出现传输错误和丢失的可能性，提升智能 监控设备的性能。据 IDC 预测，全球智能安防设备出货量将由 2022 年的 1.9亿台以 12.6% 的 CAGR 增至 2026 年的 3.1 亿台，市场规模将达到 305.9 亿美元。
SLC NAND 智能安防市场空间测算：2024 年规模为 4.0 亿美元，预计 2022-2027 年 CAGR 为-10.7%。基于全球半导体观察的价格数据，我们计算出 SLC NAND 各规格产 品的年均现货平均价。假设 SLC NAND 1Gb 单价从 2025 年开始以 13.3%的比率递减， 2Gb 与 1Gb 的价格比例保持 2024 年的水平不变，2025 年开始未来智能安防摄像头升级 所使用更大容量的 SLC 2Gb NAND。那么根据 TSR 及共研产业咨询的全球数字安防摄 像头出货量数据，我们测算出 2024 年 SLC NAND 智能安防市场规模为 4.0 亿美元，预 计 2025/2027 年达 3.8/3.0 亿美元，2022-2027 年 CAGR 为-10.7%。
穿戴设备市场应用前景可期。为了不让使用者有负担，智能可穿戴设备往往要求更 小的体积，不能外挂大的散热部件，从而对存储的功耗有一定要求。伴随可靠性和功耗 的提升，SLC NAND 成为智能可穿戴设备的存储解决方案之一。根据 IDC 数据，可穿 戴设备市场规模逐步扩增，2023-2028 年 CAGR 达 3.8%，预计 2028 年全球智能可穿戴 设备出货量达 6.4 亿部。
SLC NAND 可穿戴市场空间测算：2023 年规模为 4.9 亿美元，预计 2022-2027 年CAGR 达 17.2%。根据全球半导体观察的 SLC NAND 的各规格产品报价，我们假设 1Gb/2Gb/4Gb SLC NAND 单价分别为 1.0/1.2/1.7 美元。结合 IDC 对全球可穿戴设备出 货量的预测，我们测算出 2024 年 SLC NAND 可穿戴市场规模为 6.7 亿美元，预计 2025/2027 年达 7.1/10.6 亿美元，2022-2027 年 CAGR 达 17.2%。
汽车电动化和智能化浪潮推动 SLC NAND 需求提升。伴随汽车电动化和智能化的 新趋势，新能源汽车对车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）对存储 芯片的容量和性能需求逐步提升。例如 SLC NAND 的高可靠性、低功耗、读取速度快 等特点可以保证行车数据的完整性，避免车辆突然掉电数据丢失。随着技术逐步走向成 熟，IVI 和 ADAS 功能正逐渐从豪华车向中低端车型普及。据 Gartner 数据，2019 年全 球 ADAS 中的 NAND Flash 存储消费数额达到 2.2 亿 GB，同比增长 214.3%。未来几年 增速预计有所放缓，至 2024 年，全球 ADAS 市场的 NAND Flash 存储消费将达到 41.5 亿 GB，2019-2024 年间 CAGR 达 79.9%。
SLC NAND 车规市场空间测算：2024 年规模为 4.6 亿美元，预计 2022-2027 年市场规模较为平稳。根据全球半导体观察的 SLC NAND 的各规格产品报价，我们假设 SLC 8Gb NAND 单价为 2.9 美元，16Gb 的单价为 6.2 美元，64Gb 的单价为 2.8 美元，128Gb 的单价为 4.0 美元。根据美光数据，假设 L0/L1/L2/L3/L4/L5 单车的 SLC NAND 容量需 求范围为 8Gb-128Gb。结合全球汽车销量及各等级车渗透率预测，我们测算出 2024 年 车规 SLC NAND 市场规模为 4.6 亿美元，预计 2025/2027 年达 5.0/3.8 亿美元，2022-2027 年 CAGR 达 8.6%。
2.3. 利基 NAND 核心技术及合作企业兼优，提升国内外市场竞争优势
SLC NAND 制程工艺双领先，助推公司竞争力提升。目前，公司 24nm 及 28nm SLC NAND 制品已实现部分量产，先进制程的 1xnm SLC NAND 已完成首轮晶圆流片及首次 晶圆制造，并已完成功能性验证。公司掌握多项 SLC NAND 核心技术，未来将往两个 重点方向拓展：（1）增强 SLC NAND 的可靠性和稳定性，继续在严苛的车规级应用环 境标准下开发新的高可靠性产品；（2）更新工艺为客户开发更具性价比、更高容量的产 品，以此保持 SLC NAND 产品线的竞争优势。
产品种类丰富，晶圆代工与头部晶圆厂、力积电等合作。目前公司的 SLC NAND 在 头部晶圆厂的 38nm 线、24nm 线和力积电的 28nm 线上均已达到量产标准，先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。此 外，车规方面，公司基于头部晶圆厂 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash 已有产品通过 AEC-Q100 测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。经测算，全球 SLC NAND 2023 年市场规模为 23.5 亿美元，公司占有率为 1.4%，有较大的未来增长空间。
3.1. 海外大厂逐步退出利基 dram 市场，国产替代空间大
利基 DRAM 市场空间近百亿美金，竞争格局持续优化。根据产品规格不同，DRAM 可分为主流 DRAM 和利基型 DRAM。据 TrendForce 数据，2021 年利基型 DRAM 的市 场规模约 90 亿美元，在总 DRAM 市场中占比约 9.5%。据台媒《经济日报》报道，三 星、SK 海力士及美光将产能切换至 HBM 与 DDR5 产品，并在 2024 年下半年停止供应 利基型 DRAM。其中三星计划在二季度末停产 DDR3；海力士已在 2023 年年底将大陆 无锡厂 DDR3 产能转进 DDR4；而美光计划大幅减少 DDR3 供应量。三大原厂出清 DDR3 产能使得供给减少，短期内推动 DDR3 价格在上半年的上涨幅度。短期来看，三大原厂 的存货需要一段时间出清，台湾产商如华邦、南亚科在 DRAM 领域深耕多年，市场份 额较高，能够率先接替三大原厂的市场份额。长期来看，国产厂商的利基型 DRAM 制 程逐渐成熟，能够通过国产替代获得市场份额。
下游产品市场规模稳步增长。公司目前的 DRAM 终端产品主要应用于 OTT/IPTV 数字机顶盒。根据中商产业研究院数据，中国机顶盒出货量自 2021 年以来保持增长， 2023 年出货量达到 7930 万台，同比增长 5.6%。IPTV 及 OTT 为机顶盒市场中的主要产 品分类，2021 年期间，OTTTV 占中国机顶盒市场 43.9%，IPTV 占比 34.2%。
公司多类产品持续导入，进一步完善利基型 DRAM 业务产品布局。利基型 DRAM 主要应用于智能电视、机顶盒、路由器、办公用具、仪表等场景，此类场景不追求极致 性能，对于 DRAM 产品内存容量、读写速率等要求较低。公司目前主要的利基型 DRAM 产品包括 DDR3(L)、LPDDR1 和 LPDDR2 系列。2022 年 DDR3 占公司营收的 7%左右， DDR3 具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。目前低功 耗的 LPDDR 系列量产的是 LPDDR1 和 LPDDR2，主要应用于通讯设备、移动终端等领 域。公司在研的 LPDDR4x 以及 PSRAM 产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和 模块类客户。
3.2. NAND+DDR”合二为一，MCP 产品持续更新迭代
MCP 助推公司发展。MCP 可将 Flash 和 DDR 合二为一进行封装，简化走线设计， 节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性，已经是便携式电子产品内置内存产品 最主要的规格。公司的 MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8V SLC NAND Flash 闪存 芯片与低功耗设计的 LPDDR，Flash 和 LPDDR 均为低电压的设计。产品凭借设计优势 已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，公司的 LPDDR 产品具有低功耗运行的 特点，同时最大时钟频率可达 533MHz，具有较高的传输速度。根据客户对电压和不同 场景的需求，公司推出 LPDDR1 和 LPDDR2 系列，适合于移动互联网中的智能终端、 可穿戴设备等产品。公司目前正在研发第四代低功耗 DDR 产品，实现 LPDDR 系列产 品升级迭代。 新兴应用打开 MCP 成长空间。公司的 MCP 在提供高可靠性，大容量存储的同时， 可以保证客户的长期供应，客户在使用 MCP 产品时可以减小 PCB 的布板空间，降低整 体系统成本，提高整体集成度和可靠性，因此 MCP 应用的成长空间较大。从 5G 模块上 的应用来看，由于 5G 模块是增量市场，未来的市场需求有望大幅增长；随着 3G、4G 向 5G 转换，MCP 的单价和容量也在逐步提升。在车规级芯片方面，MCP 已有产品通 过 AEC-Q100 测试，并已在海外 tier1 有出货。
4.1. 国外厂商持续出清，国产厂商迎来发展新机遇
NOR Flash 应用市场发展前景广阔。NOR Flash 属于非易失性存储器，通常被用于 存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求，具有读取速度快、芯片内 执行等特点。通讯、消费电子、车载电子等领域新兴技术的发展推动着 NOR Flash 市场 规模持续扩大，根据 WSTS 数据，2018 年全球 NOR Flash 市场规模为 22.4 亿美元，预 计 2023 年市场规模将达到 39.1 亿美元，2018-2023 年期间 CAGR 为 11.8%。2021 年 NOR Flash 市场的下游应用中，通讯占比最大，达到 29.5%，消费电子、车载电子、电 脑和工业控制的占比分别为 26.3%、18.4%、13.5%、12.3%。
国外厂商淡出 NOR Flash 市场，本土厂商涌现抢占市场份额。根据 IC Insights 的 数据，2020 年 NOR Flash 市场前四大企业占据了近 75%的市场份额。随着赛普拉斯、美 光等国外企业 NOR Flash 技术接近极限，更专注于投入于车规和工控用高容量 NAND Flash 的生产，头部海外厂商将逐步放弃 NOR Flash 市场。根据 IC Insights 的数据，2021 年，华邦电子（台）、旺宏电子（台）、兆易创新三家企业在 NOR Flash 市场的市占率合 计超过 90%，此外，中国厂商中还涌现出普冉股份和恒烁股份等一批新玩家。公司聚焦 中大容量的 NOR 产品，目前 128Mb、256Mb、512Mb 已量产，并可通过堆叠的方式将 大容量的 1Gb 产品提供给公司客户，2021 年公司 NOR 业务收入为 0.7 亿元，占全球 NOR Flash 市场份额的 0.4%。
4.2. 终端需求强劲，中大容量 NOR Flash 迎发展机遇
下游应用要求更高容量，中大容量 NOR Flash 替换趋势明显。随着通讯、物联网、 消费电子和汽车电子相关应用产品在功能上的不断丰富，下游应用产品对 NOR Flash 的 容量需求逐渐提升，例如 TWS 耳机的降噪新功能和智能手表的生物识别新功能均对 NOR Flash 的容量提出了更高要求。例如，东芯股份专注于中大容量 NOR Flash，采用 了主流的 ETOX 工艺，容量从 64Mb 覆盖到 1Gb，产品具有低功耗、编程速度快、适应 极端温度环境、耐久性出色和数据保持时间长等性能。由于下游新兴应用的带动，大容 量 NOR Flash 正在成为新的发展趋势，我们预测 2022-2027 年 NOR Flash 在 5G 基站、 车载电子、AMOLED 和 TWS 耳机上的市场规模 CAGR 分别为 48.2%14.7%/5.7%/35.3%， 2027 年市场规模分别达到 2.8/39.4/17.6/24.2 亿元。
5G 基站建设持续推进，NOR 市场空间广阔。不同于偏重存储数据的 SLC NAND， NOR Flash 属代码型闪存芯片，可在初始化启动时提供高可靠性和低延迟性，更安全高 效地启动 SoC 代码和调用 FPGA 配置图像，而 5G 基站装载着 FPGA 和 SoC 芯片，因 此 NOR Flash 是 5G 基站的组件之一。根据工信部数据，2023 年中国新增 5G 基站数为 106.5 万个，我国 5G 基站共计 337.7 万个。根据前瞻产业研究院的预测，未来中国 5G 基站建设增速逐年减缓，2027 年预计达到 1245.7 万个。 车载 NOR Flash 成为车载系统的关键组件。汽车系统中的仪表板具有即时启动的 特性，因此能在芯片内直接执行程序的 NOR Flash 成为其关键组件之一。此外，功能日 益复杂化的 ADAS 需要更多的智能传感器，如前置摄像头和各种雷达等，每一个系统需 搭配大容量 SLC NAND 和 NOR Flash 使用，致使车载中大容量 NOR Flash 的需求日益 提升。根据 Fortune Business Insights 的预测，全球 ADAS 市场在 2022-2029 年共 7 年的 CAGR 将达到 64.9%，2029 年全球 ADAS 市场规模预计将达到 521.4 亿美元。据 Yole 预测，2027 年车载领域 NOR 市场空间将达 12.5 亿美元，下游应用市场的扩大持续带动NOR 市场的扩张。
消费电子市场持续扩张提振 NOR Flash 需求。在智能手机部件中，AMOLED 需要 外挂一颗 8Mb 或 32Mb 的 NOR Flash 进行光学补偿，而 NOR Flash 也承担着存储触控 功能所需编码的任务。2023 年全球 AMOLED 手机面板出货量约为 6.9 亿片，同比增长 15%，主要是受到全球经济回暖的影响，未来消费电子行业的持续修复复苏，AMOLED 手机面板销量也会提高增速。根据中商产业研究院数据，TWS 耳机 2023 年出货量为 3.0 亿对，同比下滑 16.1%，主要是因为疫情导致的需求疲软稍微修复。根据潮电智库的预 测，随着全球各大厂商加入新一轮的扩张，叠加消费电子需求修复，预计 2024 年全球 TWS 耳机出货量将达到 5 亿对，同比增长 68.9%。我们测算 2024 年全球 TWS 领域 NOR Flash 市场规模将达 11 亿元，中国 TWS 领域 NOR Flash 市场规模将达 1.4 亿元。
4.3. 公司工艺制程国内领先，中大容量工业等核心竞争力持续提升
聚焦中大容量 NOR Flash，制程工艺步入领先。公司产品覆盖范围为 64Mb 至 1Gb， 比恒烁股份和普冉股份容量覆盖范围更大，为国内少数能提供中大容量 NOR Flash 的厂 商。公司专注大容量 NOR Flash 的研发，目前 512Mb、1Gb 的大容量 NOR Flash 产品均 有样品可提供给客户，应用于对 NOR Flash 容量需求高的 5G 基站、工业产品、TWS 耳 机和高端智能手表等领域。公司在力积电产线的 NOR Flash 已实现 48nm 量产，主要应 用于可穿戴设备、CAT1 模块以及功能手机等；在晶圆厂产线的 NOR Flash 产品制程从 65nm 推进至 55nm，该制程产线已完成首次晶圆流片，计划导入车规、医疗、工业等领 域。
专注核心技术自研，战略布局明确。公司拥有 5 项 NOR Flash 核心技术，均为自主 研发且已投入量产使用。公司可能的竞争优势路径有：1）增加 NOR Flash 产品规格品 类，完善产品线，通过新制程和新工艺进军服务器和个人电脑市场。2）紧抓国产替代机 遇，布局高附加值产品。持续提升市场份额，在满足客户工业级应用需求的同时将产品 向车规级延伸。3）加深与供应链的合作，推进产品制程提升，通过深度合作共同推进工 艺制程，进一步提升公司竞争力。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
