1.1 资产重组+内生外延，打造平台型半导体设备龙头
公司于 2016 年由“七星电子”、“北方微电子”两大国企重组而成，业务分为半导体设备、真空及锂电设备、电子元器件三大类。通过内生增长和外延并购的方式，公司不断优化产品线，增强市场竞争力，已发展成为本土最大半导体设备“平台型”企业。2023 年，公司应用于高端集成电路领域的刻蚀、薄膜、清洗和炉管等数十种工艺装备已实现技术突破和量产应用，其中刻蚀机、薄膜沉积设备在国内市场占有率均在 11%左右，稳居行业前列。 通过重大资产重组，实现营收、业绩高速增长。重组前，公司业务增长缓慢，截至 2015 年营业收入为 8.54 亿元。2016 年重组后，凭借中国半导体设备国产替代背景，公司加速平台化发展，业绩表现飞速增长。2016-2023 年，公司收入、利润CAGR 分别达 50.2%、78%，至 2023 年，营业收入已提升至220.8 亿元。
具体来看，北方华创的历史发展大致可以分为三个阶段：第一阶段（2016 年以前）：国营出资，各自布局。2001 年，七星电子（由六家国营厂整合而成）、北方微电子成立，分别从事集成电路、电子元器件及高端半导体装备业务。 第二阶段（2016-2017 年）：国企背书，战略重组。2016 年，公司在北京市国资委主导下，由北京电控牵头七星电子、北方微电子重组合并，并担任最大股东，持股比例至今稳定在 40%以上。2017 年，公司更名为北方华创，成功实现业务整合并构建三大板块，国内泛半导体装备“平台型”企业初成。第三阶段（2017 年以后）：国产替代，设备放量。2017 年以后，公司开启外延之路，先后于 2018、2020、2023 年成功收购美国 Akrion、北广科技、北京丹普，完善其在清洗设备、射频技术应用、镀膜设备方面的产品扩充，增强平台化竞争能力。此外，从中观来看，自 2019 年以来，美国不断加强对华芯片制裁，迅速启动国产替代，倒逼公司快速发展，刻蚀机全球份额从 2020 年的0.9%提升至2023年的3.8%。
从产业布局来看，公司三大业务板块，对应三家核心子公司。其中，北方华创微电子、北方华创真空技术、七星华创精密电子分别负责半导体设备、真空及锂电设备、电子元器件业务。 （1）半导体设备：产品包括刻蚀机、沉积设备（PVD、CVD、ALD）、清洗设备、氧化炉、外延设备等，下游面向集成电路、功率半导体、先进封装、化合物半导体、新型显示等领域。 （2）真空及锂电设备：产品包括单晶硅晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、磁控溅射镀膜设备、多弧离子镀膜设备，下游面向新能源、新材料、真空电子、航空航天、新能源汽车等领域。（3）电子元器件：起家业务，产品包括电阻器、电容器、模拟芯片、模块电源、微波组件等，下游面向电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等高精尖特种领域。
半导体设备收入占比超 80%，电子元器件业务净利率最高。收入端，半导体设备是公司主营业务的核心，历年占比始终保持 60%以上，2023 年达84%。2019-2023年，该业务收入从 25.9 亿元提升至 185.1 亿元，CAGR4 63.5%，较真空及锂电设备（CAGR4 16.5%)、电子元器件（CAGR4 30.2%)更高。利润端，半导体设备盈利能力提升最快，2019-2023 年，净利率从 3%增长至 17.9%；电子元器件受益于产品线成熟及下游需求旺盛，利润率最高，过去五年中枢 34.5%。
1.2 国资背景奠定良好基石，股权激励确立长期目标
股权结构稳定，国有资本+大基金共同背书。2016 年，北京国资委旗下企业北京电控，牵头主导上市公司合并创立，并持续担任公司实际控制人，持股比例稳居40%以上。截至 2024Q2，北京电控合计持有公司股份 43%。此外，我国为实现自主可控，推动先进制造业发展的大基金持续增资公司，2016、2019、2021 年三次入股。截至2024Q2，国家大基金一期、二期分别持有公司股份5.4%、0.9%，进一步增强了公司的资金实力及研发能力。
注重企业人才保障，彰显长期成长信心。公司于2018、2019、2022、2024年分别实施四次股权激励，其中，一期、二期解锁目标均顺利完成，三期首次行权已通过考核。根据 2024 年解锁目标，公司 2025-2028 年利润率算术平均数将不低于8%，EOE 则应达到 16%以上，持续通过强研发及高增长稳固龙头地位。
1.3 技术追赶注重研发投入，构建核心壁垒增强竞争力
与国内其他厂商相比，公司研发投入中资本化比例较高，这意味着公司资本化处理的研发部分已具备一定技术及市场支撑，未来投入市场可能性高。
持续发力高端市场，新产品认证密集通过。截至2024 年5 月，公司在集成电路、先进封装、化合物半导体等多领域实现关键技术突破。其中，公司研发的12英寸CCP刻蚀机、高端单片清洗、PECVD、立式多片 ALD 等多款产品均已完成生产线验证并获得多家客户的重复订单。
1.4 盈利能力持续提升，业绩潜在动能强劲
业务规模显著扩张，利润增速高于收入。近年来，受益于：1）半导体行业快速发展及国产替代需求的爆发；2）下游航空航天等高精尖应用领域的拉动，公司收入、业绩实现高速增长。2019-2023 年，公司营业收入从 40.6 亿元提升至220.8亿元，CAGR52.7%。 利润端，2019-2023 年，公司归母净利润从 3.1 亿元提升至39 亿元，CAGR88.5%；扣非净利润从 0.7 亿元提升至 35.8 亿元，CAGR 167.3%，利润增速表现高于收入，主要得益于公司收入的快速增长和规模效应的显现，随着费用率的逐步下降，公司利润增速将得到进一步改善，展现出较强的弹性。2024 年上半年，公司业绩加速增长，营业收入/归母净利润/扣非净利润分别为123.4/27.8/26.4 亿元，同比+46.4%/+54.5%/+64.1%。
期间费用率呈下行趋势，驱动盈利能力持续提升。随着营收规模的扩大，公司期间费用率从 2019 年的 35%下滑至 2023 年的 24%。其中，销售费用率/管理费用率/财务费用率分别下滑 1.0/5.8/2.5 个百分点至 4.9%/7.9%/-0.1%，经营效率显著提升。利润率方面，2019 年以来，公司毛利率基本稳定，2023 年达到41.1%，叠加规模效应下费用率的下降，净利率呈现较好增长态势，剔除股权激励产生的费用影响，2019-2023 年公司净利率从 8.4%提升至 20.8%。
存货及合同负债持续增加，预示公司在手订单充足。公司库存及合同负债水平较高，主要原因包括：1）公司采用以销定产模式，提前备货以保证未来需求充足；其中，库存成品（过去 5 年占存货比重 50%左右）代表交付在途设备，客户收货后即可确认收入；2）当期合同负债+预收款项预示未来收入规模，展现公司强劲成长动能。2019-2023 年，公司存货、合同负债+预收款项周转率中枢分别为2.46、1.32。
定增 85 亿元应对旺盛订单需求，主要投向半导体装备、集成电路及高精密电子元器件。在“缺芯潮”、“扩产潮”的背景下，公司于：1）2019 年定向增发20亿元，增厚年平均收入 28 亿元，利润 5.7 亿元；2）2021 年再次定向增发85亿元，达产后，将增厚年平均收入 79 亿元，利润 9.4 亿元。主要用于：1）满足国内半导体设备自主化迫切需求，缓解产能瓶颈；2）布局 5/7nm 先进制程，把握发展契机。
2.1 AI 及周期复苏共振，带动行业进入上行通道
半导体行业兼具成长与周期属性。年初以来，全球半导体行业逐渐迎来周期拐点，需求端手机、可穿戴、家电等消费类产品出货量回归温和增长，供给端各晶圆厂产能利用率稳步修复。展望未来，一方面，我们看到出货量等客观数据持续回升；另一方面，大模型训练及推理需求的持续增长，使得AI 有望成为长期投资主线，在高端算力及设备更新的持续拉动下，半导体企业即将迎来业绩+估值双重提升的“戴维斯双击”。
库存调节：年初以来，半导体行业下游回暖，芯片厂商库存水位下降。下游方面，消费电子需求反弹，尤其在可穿戴设备及家电领域表现突出，手机和PC需求略显疲软，但补库持续进行。截至 2024Q2，全球主要芯片厂商库存周转天数从2023Q1的 140 天下降至 87 天，有显著改善迹象。预计下半年，随着苹果、三星、华为积极推出 AI 及智能化产品，终端市场将迎来新一轮换机需求，加快完成去库过程，并有望在 2024 年底前重新进入补库周期。价格方面，存储芯片DRAM目前处于相对低位，结合 2023 年以来，各大存储大厂下调产能计划，随着供需回归平衡，DDR5、LPDDR5 等产品价格有望在年底前回升。据 TrendForce 数据显示，预计到2024年底，DRAM 价格将上涨 36%-63%，NAND Flash 价格将上涨31%-58%。
产能利用率：周期低谷已过，产能利用率快速回升。从产能角度分析，由于半导体需求较为分散，行业基本保持稳定增长，晶圆厂产能利用率通常维持在80%（资本密集型行业市场均衡状态所在的产能利用率水平）。在行业上行周期中，随着下游需求强劲，晶圆厂产能供不应求，即会开启 2-4 年的扩产计划（1 年厂房建设、0.5-1年设备搬入、1-2 年产能爬坡），并推动半导体设备销售额的增长。2024Q1以来，全球晶圆厂产能恢复速度超出市场预期，中芯国际、华虹产能利用率均攀升至温和周期的低点（80%以上）。预计下半年，随着芯片厂商补充库存并下达代工订单，产能利用率将进一步提升，有望推动设备需求增长。
新增驱动：从应用结构分析，半导体下游领域主要包括通信、计算机、消费电子、汽车、工业，其中通信及计算机业务占比近 60%。
缺芯环节下潜在机遇何在？我们认为，未来十年，AI、汽车电子等新兴产业将成为推动半导体行业发展的投资主线。随着“云-边-端”的深度协同，大模型训练所需的参数和数据量呈爆炸式增长，迫切需要在单位算力、功耗和成本上实现突破，尤其是在边缘/端侧芯片、云端算力等领域。
2.2 半导体设备：产业链上游基石，国内企业齐头并进
半导体行业遵循“一代设备、一代工艺、一代产品”的产业规律，其中，半导体设备作为工艺、产品迭代的基础，是行业发展的关键支撑。从产值角度分析，全球半导体设备市场规模已达数百亿美元，并支撑着10 倍大的芯片制造产业，以及成百上千倍大的信息产业，价值量的不断放大凸显出半导体设备在国家经济中的关键位置。 中国设备引领增长，预计 2025 年销售额有望突破410 亿美元。2019-2023年，中国大陆地区保持强劲增长，近五年复合增速 23%，2023 年销售额366亿美元。据SEMI 报告显示，预计到 2025 年，全球半导体设备规模将突破1280 亿美元，按照中国占全球比重 32%计算，预计 2025 年中国设备出货金额将有望达到410亿美元。
从产业链角度来看，半导体设备上游为原材料供应商，产品多为标准件，包括轴承、信息交互系统等；下游为半导体产品，主要分为集成电路、分立器件、光电子器件和传感器四大类。
从工艺流程来看，半导体设备分为前道（晶圆制造）和后道（封装、测试），其中晶圆制造环节所需设备投资价值占比最高。前道设备主要用于半导体的制造加工，为晶圆赋予相应的电学特征，工艺复杂，设备需求大，占投资比重的80%以上。在 2022 年中国大陆半导体设备市场中，光刻机占比22%，刻蚀机和薄膜沉积设备各占 21%。后道设备主要用于半导体的封装和性能测试，附加值相对较低，但随着智能手机和人工智能需求的提升，对晶圆级封装技术的投资呈现增长趋势。
刻蚀机：刻蚀工艺主要用于去除特定区域的材料，以形成微小的结构和图案。从工艺角度来看，刻蚀可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀：使用气体作为主要刻蚀材料，不需要液体化学品冲洗，具备各向异性和高工艺可控性。受多重掩膜工艺和 3D 结构闪存的推动，干法刻蚀设备在过去十年成为增长最快的半导体设备，目前，已基本在先进制程中取代湿法刻蚀，市场份额超过 90%。根据刻蚀材料类型，主要分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀。不同刻蚀材料使用的刻蚀机差距较大，其中，介质刻蚀通常使用电容耦合等离子体刻蚀机（CCP），用于制作接触孔、通孔和凹槽；硅、金属刻蚀则多采用电感耦合等离子体刻蚀机（ICP），主要用于制造栅极和器件隔离沟槽。
湿法刻蚀：利用溶液与薄膜的化学反应去除薄膜未被保护掩模覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的。 2023 年，中国大陆刻蚀机市场规模达到 77 亿美元，ICP 和CCP 设备各占一半。假设大陆半导体设备占比及刻蚀机价值量不变的情况下，预计到2025 年，中国大陆刻蚀机市场规模有望达到 86 亿美元。
全球市场主要由美日厂商主导，CR3 占比超过90%；国产设备供应商份额有限，进口替代空间广阔。全球刻蚀设备领域长期由海外龙头垄断，2020 年泛林半导体、东晶电子、应用材料占据全球市场 46.7%、26.6%、17.0%的份额。相比之下，国内厂商在规模、研发、技术等等方面仍显不足，国产化率在20%左右。2023年，北方华创、中微公司分别占据中国大陆市场 11%、9%的份额，国产替代空间大。
薄膜沉积设备：薄膜沉积是在硅片等衬底上沉积薄膜材料的过程，主要包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属及铜等金属，薄膜厚度通常在几微米至几纳米之间。薄膜沉积设备是半导体制造的核心设备，价值量占比21%，包括PVD（物理气相沉积）设备、CVD（化学气相沉积）设备和 ALD（原子层沉积）设备。
PVD（物理气相沉积）：是基于物理机制的薄膜沉积技术，过程不涉及化学反应，适合沉积金属材料。PVD 设备能够实现快速的沉积速率和精确的厚度控制，所制备的薄膜具有良好的致密性、强粘结力和高纯度，因此是目前半导体工业所大量采用的薄膜制作方式。北方华创在国内PVD 领域处于领先地位。
CVD（化学气相沉积）：是通过化学反应的方式，在气相或气固界面上将气态或蒸汽状态的化学物质转化为固态沉积物的技术。常见的CVD设备包括PECVD、SACVD、APCVD 和 LPCVD，其中 PECVD 因其低温和快速沉积的优点，在薄膜沉积设备中占据主要地位，2023 年占比 33%。国内主要的薄膜沉积设备制造商包括拓荆科技，专注于 PECVD 和 SACVD；北方华创，专注于LPCVD和EPI；中微公司，专注于 LPCVD；以及盛美上海，正在研发PECVD，预计即将送入客户端。
ALD（原子层沉积）：是一种逐层沉积技术，能够在复杂基底上实现全覆盖，与 CVD 相似。ALD 设备制备的薄膜具备高深宽比和极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率，因此在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、DRAM和3DNAND中具有重要意义。竞争格局方面，ALD 作为新兴工艺，参与者较多，2023年TEL、ASML 合计占据约 60%的市场份额。国内市场集成电路方面，拓荆科技较为领先，盛美上海、北方华创和中微公司也均有布局。
2023 年，中国大陆薄膜沉积设备市场规模达到77 亿美元。假设大陆半导体设备占比及薄膜沉积价值量不变的情况下，预计到 2025 年，中国大陆薄膜沉积设备市场规模有望达到 86 亿美元。
2.3 制程演进+3D 结构技术发展，促进刻蚀、薄膜沉积设备需求扩张
线宽微缩+结构 3D 化，催生设备端成倍需求。近年来，随着半导体制程技术的不断演进，存储芯片多层结构设计的广泛应用，半导体设备需求显著增长，尤其是在刻蚀和薄膜沉积设备领域，呈现出前所未有的市场机遇。
（1）线宽关键尺寸微缩，多重模板工艺带动刻蚀步骤增加。随着集成电路芯片制造工艺的不断演进，先进制程下光刻机受到波长限制，14 nm及以下的逻辑芯片需要采用多重图案化技术，通过多次薄膜沉积及刻蚀工序实现更小线宽，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。
相同产能下，半导体设备投资额随制程节点先进程度提升而大幅增长。据华经产业研究院援引半导体行业观察数据显示，14nm 制程所需要使用的刻蚀步骤达到64次，较 28nm 提升 60%；7nm 制成所需刻蚀步骤更是高达140 次，较14nm提升119%。需要指出的是，由于各大 Fab 厂商对制程尺寸的定义和设计存在差异，因此在相同制程工艺下，不同产品所使用的刻蚀次数并不具备完全的可比性。
（2）芯片结构 3D 化，薄膜沉积及高纵横比蚀刻成为关键步骤。随着2D晶体管尺寸微缩触及物理极限，存储器技术由二维转向三维架构。据中研网数据显示，截至 2022 年，3D NAND 闪存渗透率已超过 70%，预计到2025 年有望达97.5%。
技术层面分析，3D NAND 通过多层垂直堆叠，成功解决了容量增加导致的性能下降问题，但也要求刻蚀技术实现更高的深宽比、每层堆叠均需要经历薄膜沉积工艺。在由 64 层至 196 层的 3D NAND 产线升级过程中，刻蚀设备投资占比从22%增加至 25%。目前以美光、SK 海力士为代表的主流 3D NAND 厂商堆叠层数不断提升，已跨越 232 层，并向 300 层以上迈进。
3.1 美日荷相继加码制裁，自主可控逻辑持续强化
半导体设备国产化进程迫在眉睫，中长期视角来看，在政策和资金支持下，国产化率有望从 2023 年的 35%提升至 2025 年的 50%。根据只谈科技数据显示，在海外联合制裁的背景下，得益于中国政府在政策和资金方面的大力支持，中国半导体设备的国产化比例在两年内快速提升 14pcts 至 2023 年的35%。其中，根据头豹研究院数据显示，光刻机、检测测量设备、离子注入设备、高端刻蚀机、薄膜沉积等关键领域仍主要依赖进口，国产化程度不足 30%。向后看，我们认为随着对华管制的持续收紧，国内晶圆厂将加快培育高端国产设备的龙头企业，国产替代迎来机遇。根据只谈科技数据显示，预计到 2025 年，中国半导体设备国产化率将提升至50%，并逐步减少对美日荷光刻机、高端刻蚀机等关键设备的依赖。
（1）外部压力：美日荷联合实施出口管制，半导体设备亟需自主可控。2018年以来，BIS 持续更新对华出口实体清单，向中芯国际、长江存储、上海微电子等半导体企业实施限制措施。2023 年，荷兰、日本相继加入管制行列，向特定先进半导体设备对华出口（如 ASML 2000i 及其后续推出的浸润式光刻系统等）提出申请要求。这一举措推动了中国晶圆厂商开始转向国产设备，根据CINNOResearch报告显示，2023 上半年，中国前 10 大国产设备制造商的设备相关收入同比+39%，销售额达162亿元，且下半年持续增长，订单不断增加。
（2）内部革新：科技自主可控上升至举国体制，政策引导、资金支持等多层面利好产业链发展。 国家出台多项政策致力于支持本土半导体产业发展，从财税、投融资、研发、进出口等多角度推动国产化进程，确立中国企业在全球半导体产业中的重要位置。
大基金三期成立，加强 AI、算力芯片投资。2014 年以来，国家大基金已成功实施两期计划。其中，一期主要聚焦于芯片产业布局，二期则加大对上游设备和材料领域的覆盖，投资占比从 6%提升至 11%，旨在推动国产半导体自主可控。目前，国内半导体设备在 300mm 晶圆及 7nm 工艺上已具备全球竞争力。2024 年5月，大基金三期的成立将进一步拓宽投资领域，增强对光刻机、光刻胶、刻蚀机与制造等薄弱环节的支持，并关注先进制程、先进封装，及 AI 芯片、HBM 等“卡脖子”领域。
3.2 国产晶圆厂密集建设，带动本土设备采购需求增长
中国半导体产业供需矛盾突出，2023 年芯片自给率仅20%。据湘鄂皖半导体信息援引 WSTS、MIC 数据显示，2023 年，全球半导体市场规模5276 亿美元，其中，中国作为最大半导体消费市场，2023 年规模 1551 亿美元，占全球比重29.4%。同期，国内半导体产值 314 亿美元，约占全球比重 6%，相当于在中国市场销售的半导体芯片中，仅有 20%来自本土厂商，距离 2025 年 70%的芯片自主率，道阻且长。向后看，我们认为随着：1）供需矛盾加剧；2）美日荷对华科技打压政策不断，国产化势在必行。
2024Q2 中芯国际市占率 6%，仍有较大提升空间。全球晶圆代工市场竞争激烈，巨头林立，台积电凭借深厚的技术底蕴及精准的市场策略，稳坐全球晶圆代工厂的领导地位，2024Q2 市占率 62%，主要客户包括苹果、英伟达、博通、高通，2023年占台积电全年收入的 25%、10%、6%、6%。 国内市场来看，随着国产半导体产业的快速发展及政策的强力支持，本土晶圆代工企业逐渐崭露头角，中芯国际、华虹半导体市场份额从2019Q2 的5.1%、1.5%提升至 2024Q2 的 5.7%、2.1%。
国产晶圆厂逆周期扩张，产能利用率持续爬坡。根据SEMI 统计，2021-2023年，全球新增半导体晶圆厂共计 84 座，其中中国领先扩张，尤其在12 英寸（300mm）晶圆领域占据主导地位。截至 2024 年 4 月，中国大陆拥有全球28%的12英寸晶圆产能，占比全球第二，增速位列第一。根据与非网数据显示，预计未来五年中国大陆将新建 24 座 12 英寸晶圆厂，规划月产能 222.3 万片，产业链公司持续受益。
产能利用率角度分析，2024Q1 以来中芯国际、华虹半导体等头部晶圆代厂商产能利用率均位于 80%以上，且二季度持续提升。随着下半年芯片库存的改善和下游需求的回暖，预计产能利用率将进一步提升。展望未来，国产化进程的加快将加大产能缺口，从而有望推动国内设备的采购需求。
中芯国际资本支出逆势而上，预示自主可控广阔前景。过去一年，半导体行业经历了周期性低谷，受到消费及移动设备市场萎缩的影响，全球芯片制造商资本支出普遍放缓。尤其是 PC 端及智能手机市场需求的疲软，对存储公司、台积电、INTEL产生了较大影响。在存储领域，美光科技、三星的资本支出分别下滑42%、17%；IDM领域，英特尔下滑 12%；代工领域，格芯、台积电分别下滑74%、32%。然而，中芯国际自 2022 年以来，产能扩充逆势增长，2024H1 资本开支达到43 亿美元，同比+40%，主要用于先进制程的产能扩张，凸显出国产半导体实现自主可控的坚定决心。
我们认为随着国产晶圆厂持续扩张，国产半导体设备长期需求广阔。根据经济观察报及头豹研究院数据显示，晶圆厂约有 80%的资金投入用于设备采购，其中78-80%用于购买晶圆制造设备。这表明，随着大量晶圆厂的扩建和投产，刻蚀机、薄膜沉积等核心设备将在未来长期保持广泛需求。
3.3 进口金额显著上升，海外设备龙头加速对华出货
在中国尚未完全实现自产半导体设备能力之前，ASML、LAM等全球龙头厂商正加速向中国出口设备。自 2023 年三季度以来，中国半导体设备进口金额显著上升，2024H1 进口金额 194.5 亿美元，同比+58%。2023Q3 光刻设备进口金额激增4倍，来自荷兰的光刻机进口额更是增长超过 6 倍。我们认为，这一现象反映出：1）国内代工厂扩产推动设备需求持续强劲；2）海外厂商在规则限制下加快对中国客户的交付速度。 尽管美日荷国家联合对华实施出口管制政策，但以ASML 为代表的全球领先设备厂商仍不愿放弃向中国市场供货的机会。荷兰 ASML、日本尼康等半导体设备制造商明确指出，中国作为全球最大的“造芯”市场，结合国内代工厂扩产带来的高设备需求，具有不可忽视的重要性。自 2023 年起，ASML 加快对华出口，并调整部分原定供给台积电和三星的产能，优先满足大陆市场需求。
从中国市场销售占比数据来看，ASML、应用材料在2024H1 营业收入中，分别有 42%、44%来自中国大陆。此外，科磊、LAM RESEARCH 等龙头厂商的营收中，大陆厂商的贡献比例均超过 40%。从短期角度来看，中国设备进口金额以及海外半导体设备厂商对华出口的数据，充分验证了中国市场在全球范围内的重要性，同时也反映出海外设备厂商对失去部分中国市场的深切忧虑。
历经二十余年厚积薄发，前瞻布局实现平台化建设。公司以IC设备制造为核心，业务布局多点开花。早在战略重组前，公司前身七星电子便专注于半导体装备及精密电子元器件领域，经过多次收购兼并，现已形成涵盖四大业务板块的完整布局。产品布局多点开花，成为国内应用领域覆盖最广的半导体装备平台。公司作为中国半导体设备制造领军企业，产品涵盖长晶炉、刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化炉、退火炉、清洗机等大部分半导体制造核心设备。在国内同行中，产品布局最为完善，尤其在 ICP、PVD、热处理设备等领域占据市场领先地位。下游客户长期深度合作，为国产替代带来稳定成长空间。公司产品广泛应用于集成电路先进逻辑、先进存储、先进封装、功率器件、第三代半导体等领域，客户几乎涵盖所有高端制造业大厂，包括中芯国际、长江存储、长鑫存储、京东方、三安光电、隆基绿能等龙头企业，为公司带来了持续稳定的收入来源。
4.1 电子工艺装备：半导体设备加速放量，国产晶圆厂认可度高
4.1.1 刻蚀机：ICP 设备竞争力突出，积极拓展CCP 领域
国内领先刻蚀设备供应商，深耕刻蚀技术二十余年。公司自2001 年起研发ICP刻蚀设备，2005 年实现首台设备量产，成为国内技术领先的刻蚀机制造商。目前，公司产品覆盖 12 英寸硅、金属和介质刻蚀机，用于逻辑、存储、功率和先进封装等领域，已有超过 2000 腔产品在数十家客户端实现量产应用。截至2023年，公司刻蚀设备收入近 60 亿元，占总营收的 27%，市场份额约11%，累计出货超过3500腔。
ICP 刻蚀机：公司专注于 ICP 刻蚀技术，成功攻克了电感耦合脉冲等离子体源、多温区静电卡盘、双层结构防护涂层等关键技术。目前，14nmICP刻蚀设备已在客户端得到验证并实现量产。近年来，公司ICP 刻蚀设备出货量快速增长，2022 年累计出货超过 2000 腔，2023 年累计超过3200 腔。
CCP 刻蚀机：2021 年，公司开始着力进行 CCP 刻蚀设备研发，目前已完成硅刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀全面覆盖，其中 CCP 8 英寸设备已批量供应市场，12英寸设备已进入客户端验证。截至 2023 年底，公司已累计出货超100腔CCP刻蚀设备。
设备获主流晶圆厂订单，认可度较高。根据采招网数据，2023 年1月至今，公司刻蚀设备在华虹制造、积塔半导体的中标率分别为10.6%和41.7%。
4.1.2 薄膜沉积设备：PVD 工艺国内领先，CVD 多款产品取得良好进展
国产 PVD 设备龙头，CVD 设备亦有布局。公司早期主要从事PVD设备开发，在国内处于领先位置，目前正积极拓展 CVD 及 ALD 设备。2023 年，公司薄膜沉积设备收入超 60 亿元，占总营收的 27%，市场份额约为11%。
PVD 设备：自 2008 年起，公司专注于 PVD 设备的研发，成功攻克了磁控溅射源设计等多项核心技术，全面覆盖逻辑芯片和存储芯片的金属化制程。在集成电路领域，铜互连、铝垫层、金属硬掩膜、金属栅和硅化物等设备已实现稳定量产，并广泛应用于多家晶圆厂的逻辑和存储主流产线。此外，公司PVD设备在功率半导体、先进封装、新型显示、化合物半导体等领域也取得了量产成果。截至 2023 年，公司已推出 40 余款 PVD 设备，累计出货超过3500 腔。
CVD 设备：公司在 PECVD、ALD 和 LPCVD 等产品上取得显著进展。其中，LPCVD 设备已实现批量供货，尤其在大尺寸硅片兼容性和高载片量方面有所突破。此外，公司自主研发的 12 英寸高介常数原子层沉积设备Scalar HK430于2024 年已稳定量产，并获得批量订单，市占率持续上升，标志着公司CVD先进工艺设备解决方案的成功应用。截至 2023 年，公司已量产30 余款CVD产品，为 50 多家客户提供技术支持，累计出货超过 1000 腔。
根据采招网数据，2023 年 1 月至今，公司 PVD 设备在华虹制造的中标率为24%，位居领先地位。而 CVD 设备目前仍在积极拓展阶段，国内市场主要由拓荆科技主导。
4.2 电子元器件：深耕领域 60 余年，业务规模稳定扩张
公司电子元器件业务以七星电子为平台，由国营706、707、718、797、798多家专业电子元器件生产单位整合而成，具有 60 余年电子专用设备及电子元器件制造经验，当前由北方华创子公司北京七星华创精密承担。公司研发的电源管理芯片、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、钽电容器、微波组件等产品，被广泛应用于自动控制、电力电子、精密仪器仪表、铁路交通等领域，是国内高端电子元器件骨干企业。
公司电子元器件稳定增长，盈利水平维持高位。收入端，2019-2023年，七星华创精密电子营业收入 CAGR 30.2%，2023 年实现收入24.33 亿元，同比-5.5%,主要系经济环境及行业需求调整等因素影响，元器件市场需求放缓，公司产品销量有所下滑。利润端，2019-2023 年，七星华创精密电子净利润CAGR 37.2%，高于收入增速，2023 年实现净利润 8.57 亿元，同比-17.74%。盈利能力方面，受益于部分产品在电动控制等特种行业的应用，以及持续推出的高精尖新品，公司精密电子元器件过去五年毛利率、净利润率中枢分别为 67%、34%，持续保持较高水平。
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