1.1 光刻机：半导体制造业皇冠上的明珠
光刻机是光刻工艺的核心设备。光刻机（Mask Aligner）又称掩模对准曝光机， 曝光系统，光刻系统等，是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，包含上 万个零部件，集合了数学、光学、流体力学、高分子物理与化学、表面物理与化 学、精密仪器、机械、自动化、软件、图像识别领域等多项顶尖技术。它采用类 似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。 光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半 导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通 过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生 产中需要进行 20-30 次的光刻，耗时占到 IC 生产环节的 50%左右，占芯片生产 成本的 1/3。 光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是 紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻 胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了电路 图从掩模到硅片的转移。光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最 后洗去剩余光刻胶， 就实现了半导体器件在硅片表面的构建过程。
光刻机主要由光学系统、机械系统和控制系统构成。光学系统包括曝光光源、透 镜、反射镜等，用于将掩模上的图形投影到硅片上；机械系统包括平台、运动控 制系统、自动对位系统等，用于控制硅片的位置和运动轨迹。控制系统包括计算 机、控制软件等，用于控制整个光刻机的运行和曝光过程。光刻机通过一系列的 光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光 学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻 在硅片上的电路图。
光刻技术的发展经历了接触/接近式光刻、光学投影光刻、步进重复光刻、步进 扫描光刻、浸没式光刻、EUV 光刻以及电子束光刻，主流曝光源的曝光波长由 g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm），一直缩减 到极紫外线（EUV）（13.5nm）。每次光源的改进都显著提升了了光刻机的工 艺水平、生产效率、良率。五代光刻机的主要差异是光刻机的工艺节点，即限制 成品所能获得的最小尺寸，目前第五代 EUV 光刻机的最小工艺节点达到了最优。 一般而言，光刻系统能获得的分辨率越高，则成品所能获得的最小尺寸越小，这 需要减小照射光源的波长。在光刻机的更新迭代中，对光源、光学透镜、反射镜 系统提出了越来越高的要求。
1） 接触/接近式光刻机
接触式光刻技术是小规模集成电路时代的主要光刻手段，主要用于生产特征尺寸 大于 5μm 的集成电路。在接触/接近式光刻机中，通常晶圆片放置于手动控制水 平位置和旋转的工件台上。利用分立视场显微镜同时观察掩模和晶圆片的位置， 并通过手动控制工件台的位置来实现掩模版与晶圆片的对准。晶圆片与掩模版对 准后，二者将被压紧，使得掩模版与晶圆片表面的光刻胶直接接触。移开显微镜 物镜后，将压紧的晶圆片与掩模版移入曝光台进行曝光。汞灯发出的光经透镜准 直平行照射掩模版，由于掩模版与晶圆片上的光刻胶层直接接触，所以曝光后掩 模图形按照 1:1 的比例移转印至光刻胶层。 接触光刻技术优点为因直接接触、减少光的衍射、能实现较小特征尺寸的曝光、 总体简单经济；缺点为因掩膜版和涂油光刻胶的晶圆紧密接触，容易造成划痕、 污染颗粒，同时造成器件致命的缺陷，缩短掩膜版的寿命，降低成品率等。 在大规模的集成电路生产中，为避免因掩模版与晶圆片的直接接触而导致的与接 触式光刻不同，接近式光刻中的掩模版与晶圆片上的光刻胶之间充了氮气，掩模 版浮在氮气之上，掩模版与晶圆片之间的间隙大小由氮气的气压来决定。由于接 近式光刻技术不存在晶圆片与掩模版的直接接触，减少了光刻过程中引入的缺 陷，从而降低了掩模版的损耗，提高了晶圆片成品率。接近式光刻技术中，晶圆 片与掩模版存在的间隙使得晶圆片处于菲涅耳衍射区域。而衍射的存在限制了接 近式光刻设备分辨率的进一步提高，因此该技术主要适用于特征尺寸在 3μm 以 上的集成电路生产。
2） 步进重复/扫描光刻机（步进式也称之为投影式）
接触/接近式光刻机实现了亚微米工艺的实现，那么步进重复光刻机的出现推动 亚微米工艺的发展以及进入了量产。步进重复光刻机利用 22mm × 22mm 的典 型静态曝光视场和缩小比为 5:1 或 4:1 的光学投影物镜，将掩模版上的图形转印 到晶圆片上。 步进重复光刻机一般由曝光分系统、工件台分系统、掩模台分系统、调焦/调平 分系统、对准分系统、主框架分系统、晶圆片传输分系统、掩模传输分系统、电 子分系统和软件分系统组成。
3） 浸没式光刻机
浸没式光刻机是采用折射和反射相结合的光路设计且曝光区域与光刻机透镜之 间充满水的光刻设备。对于 45nm 以下及更高的成像分辨率，采用 ArF 干法曝 光方式已经无法满足要求（因其最大支持 65nm 成像分辨率），故而需要引入 浸没式光刻方法。虽然浸没式光刻机是步进扫描光刻机的一种，但其设备系统方 案并无变化，由于引入与浸没相关的关键技术，所以属于 ArF 步进扫描光刻机的 升级改良版。浸没式光刻的优点：由于系统数值孔径的增大，提升了步进扫描光 刻机的成像分辨能力，可以满足 45nm 以下成像分辨率的工艺要求；缺点：由 于浸没液体的引入，导致设备本身工程难度大幅度增加，其关键技术包括浸没液 体供给与回收技术、浸没式液场维持技术、浸没式光刻污染与缺陷控制技术、超 大数值孔径浸液式投影物镜开发与维护、浸液条件下成像质量检测技术等。
4） 极紫外光刻机（EUV 光刻机）
小于 5 纳米的芯片晶圆，只能用 EUV 光刻机生产。为了提高光刻分辨率，在采 用准分子光源后进一步缩短曝光波长，引入波长为 10～14nm 的极紫外光作为 曝光光源。EUV 光刻机主要由光源、照明、物镜、工件台、掩模台、晶圆片对 准、调焦/调平、掩模传输、晶圆片传输、真空框架等分系统组成。极紫外光经 过多层镀膜的反射镜组成的照明系统后，照射在反射掩模上，被掩模反射的光进 入由一系列反射镜构成的光学全反射成像系统，并最终在真空环境下将掩模的反 射像投影在晶圆片表面。
5） 电子束光刻系统/纳米电子束直写系统
电子束光刻的主要原理：利用高速的电子打在光刻胶表面，使光刻胶的化学性质 改变。在电子束光刻中电子的产生方式有两种，一种是热发射，另一种是场发射。 热发射是通过对阴极材料高温加热，使电子获得足够的能量从阴极中逸出；场发 射是将阴极置于高强度电场中，利用电场对电子的强作用力使电子脱离原子核的 束缚。直写式电子束的曝光原理是将聚焦的电子束斑直接打在光刻胶的表面，加 工中不需要成本高昂的掩模版和昂贵的投影光学系统，其加工方式也更为灵活， 适合小批量器件的光刻，在实际中应用更为广泛。电子束光刻按照曝光方式划分 可分为两种，投影式曝光与直写式曝光。 光源的波长是影响光刻精度的主要原因，由于光源波长的限制，X 射线曝光可达 到 50nm 左右的精度，深紫外光源的曝光精度在 100nm 左右，而电子的波长较 小，因而电子束光刻的加工精度可以达到 10nm 以内。电子束光刻有分辨率高、 性能稳定，成本相对较低的特点。目前常用的电子束光刻胶有 PMMA，ZEP520A 及 HSQ 等。
1.2 全球光刻机市场持续增长，ASML、Nikon、Canon 三分天下
全球光刻机市场快速增长。根据观知海内信咨询，2020 年至 2024E 全球光刻机 市场规模整体呈上升趋势。2020 年全球光刻机市场规模为 170.9 亿美元， 2023 年增长至 271.3 亿美元，预计 2024 年将达到 315 亿美元。随着半导体产业在人 工智能等新需求的推动下持续发展，光刻机作为关键设备，其市场规模不断扩大， 未来发展前景广阔。
光刻机产业链涉及范围广。从产业链来看，光刻机产业链主要包括上游设备及材 料、中游光刻机生产及下游刻机应用三大环节。光刻机技术极为复杂，在所有半 导体制造设备中技术含量最高。主要涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密 物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，生产一台光刻机往往涉及到上千 家供应商。
KrF 和 i-line 依然是全球光刻机产品销量的主流。根据观知海内信咨询，2023 年全球光刻机产品销量结构中，ArFi 光刻机占比 15.4%，在各类光刻机中占比 较大。EUV 光刻机占比相对较小，为 7.3%，KrF 和 i-line 光刻机分别占比 37.9% 和 33.6%。
ASML、Nikon 和 Canon 三分天下。目前市场主流产品基本来自三大企业：ASML、 Nikon、Canon。2022 年三大企业光刻机营收合计接近 200 亿美元，合计市场 份额超过 90%。其中，ASML 光刻机业务营收约 161 亿美元，较 2021 年增长了 23%，Canon 光刻机业务营收约为 20 亿美元，Nikon 光刻机业务营收约 15 亿 美元。ASML 市场份额占比 82.1%，占绝对龙头地位。
从产品出货类型来看，ASML 在超高端光刻机领域一家独大，如 EUV、ArFi 等类 型光刻机，产品众多；Canon 与 Nikon 产品部分光刻机用于面板业，部分用于 半导体，Canon 目前产品集中于特定工艺领域的 i-Line 和 KrF 设备，Nikon 拥 有除了 EUV 以外的所有类型光刻机产品，出货量少于前两家。
ASML 垄断高端 EUV 光刻机市场。ASML 占有 EUV 光刻机 100%的市场份额， 位于垄断地位，同时多种光刻机均有出售，并在高端光刻机上占有绝对优势地位。 EUV 光刻机在性能、功耗、生产成本、生产周期等方面优势突出，且由于 ASML 产能吃紧，在先进逻辑芯片等领域 EUV 光刻机供不应求。
Nikon、Canon 占据中低端市场。中低端光刻机由于较低的技术壁垒，竞争者数 量较多，Nikon 和 Canon 凭借价格优势占据中低端市场主导地位。Canon 在低 端光刻机市场占据优势地位，仅在 i-line，KrF 两类光刻机上有所出货,且主要集 中在 i-line 光刻机；Nikon 在光刻机产品类型覆盖较广，在除 EUV 之外的类型 均有涉及，其中以 ArF 和 i-line 光刻机领域较为突出，但在出货量上远少于 ASML 和 Canon。目前 Nikon 在 ArF immersio、ArF dry（干式 DUV）、KrF 领域已 有不少产品对标 ASML 的产品，但其生产效率与 ASML 相比仍存在差距。
2.1 ASML 龙头地位显著
ASML 龙头地位显著。ASML 是位于荷兰 Veldhoven 的全球最大的半导体设备制 造商之一，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备，产品覆盖 低端至超高端的全系列产品。ASML 无论是产品均价还是产品数量皆远高于其他 企业，龙头地位显著。随着下游集成电路需求持续复杂和精细，工艺制程愈加接 近极限，高端光刻机需求将持续扩张，整体光刻机营收也迎来上升。ASML 在 10 纳米节点以下有 100%的市占率，是全球唯一能够生产 EUV 光刻机（极紫外 光刻机）的公司。 ASML 提供的极紫外光刻系统，包括浸没式和干式光刻解决方案的深紫外光刻系 统，用于制造各种半导体节点和技术。ASML 还提供计量和检查系统，用于测量 晶圆上图案的质量，定位和分析单个芯片缺陷。 2023 财年 ASML 实现营收 298 亿美元，同比增长 34%；实现 GAAP 净利润 84.8 亿美元，同比增长 43%，实现毛利率 51%，同比持平；实现净利率 29%，同比 增长 2pct。营收构成方面，2023 财年 EUV 营收 98.68 亿美元，同比增长 33%； ArFi 营收 97.53 亿美元，同比增长 77%。
从产品销量看，2023 年 ASML 合计销售光刻机 450 台，其中 EUV、ArFi、ArF dry 的销量分别是 53 台、125 台和 32 台。EUV 作为光刻机中的最先进产品，销售 价格持续增长，2023 年平均售价为 1.91 亿美元，对比 2022 年的 1.88 亿美元， 同比增长 2%。ASML EUV 光刻机单价远超过其他类型的光刻机。
2.2ASML：24Q3 订单及 25 年指引低于预期
ASML 发布 2024 年三季报。ASML 2024Q3 总销售额为 75 亿欧元，超出公司指 引上限，其中设备系统相关销售额为 59 亿欧元（EUV 销售额为 21 亿欧元，非 EUV 销售额为 38 亿欧元），逻辑芯片相关销售额占比 64%，存储相关销售额占 比 36%。ASML 24Q3 毛利率为 50.8%，位于指引区间内；24Q3 净利润为 21 亿欧元，净利率为 27.8%。从销售区域看，24Q3 ASML 在中国区的销售额占比 为 47%，相较于 24Q2 的 49%环比下降 2pct。公司预期 2025 年中国区的销售 额占比将会降到约 20%。
24Q3 订单低于预期。ASML 24Q3 设备系统订单为 26 亿欧元（14 亿的 EUV 订 单和 12 亿的非 EUV 订单），而 24Q2 设备系统订单金额为 56 亿欧元。从终端 来看，24Q3 存储和逻辑订单金额占比为 54%和 46%。ASML 表示，在逻辑方面， 由于手机和 PC 等终端市场复苏缓慢，激烈的竞争导致部分晶圆厂新节点爬坡较 慢，进而影响投产进度，并导致光刻机特别是 EUV 的需求较弱；在存储方面， 当前重点仍是支持 HBM 和 DDR 5 等 AI 相关需求的支持过渡，整体产能增加有 限。截至 24Q3 末，公司在手订单超过 360 亿欧元。
ASML 指引 24Q4 总净销售收入为 88-92 亿欧元（包含 19 亿欧元的安装基础管 理销售收入），毛利率指引为 49%-50%。设备系统相关净销售额包含两套 High NA 系统的收入确认。尽管 24Q4 收入指引高于 24Q3，但毛利率预计将略低于 24Q3，因为预期两套 High NA 的收入确认将会降低整体毛利水平（其对 24Q4 毛利率的稀释效应约为 3.5%）。根据 24Q4 指引，预计 ASML 2024 年收入约为 280 亿欧元，毛利率约为 50.6%。 ASML EUV 新品进展良好。1）Low NA NXE:3800E 设备对比 NXE:3600D 设备吞 吐量提升 37%，可达每小时 220 片晶圆的全吞吐量。随着客户需求过渡到 NXE:3800E，ASML 24Q4 大部分发货将是 NXE:3800E 系统。ASML 计划 25 年 初进行全规格设备系统的升级和发货交付。2）第一套 High NA 设备已经在运送 给第二大客户的过程中，两套 High NA 有望在 24 年内确认收入。
ASML 下修 2025 年收入及毛利率指引。ASML 预期 2025 年收入在 300-350 亿 欧元之间（2022 年投资者日指引为 300-400 亿欧元），毛利率指引为 51%-53% （2022 年投资者日指引为 54%-56%）。ASML 预计 2025 年 Low NA 出货量显 著减少，出货量将会少于 50 套。此外预计 2025 年 ASML 中国地区销售额占比 为 20%，与积压订单份额一致。
3.1 芯片管制政策持续加码
美国对华芯片产业管制政策不断加码。2022 年 12 月 16 日，美国商务部下属的 工业与安全局（BIS）对实体清单进行了修订，增加 36 个实体，此次新增加的 中国实体有安徽寒武纪信息科技有限公司、长江存储科技有限责任公司等 35 家 中国实体。 2023 年 3 月 2 日，工业与安全局将 29 个中国实体和个人列入实体清单，此次 被列入实体清单的中国实体主要有第四范式（北京）技术有限公司, 浪潮集团有 限公司、龙芯中科技术股份有限公司等中国实体。同时，工业与安全局还对实体 清单中现有 10 个中国实体的相关内容进行了调整，包括给北京理工大学、北京 邮电大学、哈尔滨工程大学、哈尔滨工业大学等中国高校增加别名或地址；并对 北京航空航天大学的许可审查政策由“逐案审查”修改为“推定拒绝”，同时增 加了 10 个别名和 8 个地址。 2024 年 3 月 29 日，工业与安全局发布实施额外出口管制的规定，于 4 月 4 日 生效。这份 166 页的规定针对半导体项目出口，旨在使中国更难获取美国人工 智能芯片和芯片制造工具。新规规定，对向中国出口芯片的限制也适用于包含这 些芯片的笔记本电脑。
3.2 美国产业管制政策再次升级，涉及更多领域
2024 年 9 月 5 日，美国 BIS 在《联邦公报》上发布了一项临时最终规则（IFR）。 2024 年 9 月 6 日，荷兰政府发布有关浸润式 DUV 光刻设备出口的最新许可证 要求。该政策与美国的出口管制要求“对齐”，将于 2024 年 9 月 7 日生效。荷 兰政府更新出口许可要求后，ASML 将需要向荷兰政府而非美国政府申请 TWINSCAN NXT：1970i 和 1980i 型号浸润式 DUV 光刻系统的出口许可证。之 前，荷兰政府已经开始对更先进的 TWINSCAN NXT：2000i 及后续推出的浸润 式光刻系统实施出口许可证要求。ASML EUV 光刻系统的销售也受到出口许可证 要求的限制。
美国 BIS 发布的 IFR 升级了对量子计算、先进半导体制造、GAAFET 等相关技术 的出口管制，该 IFR 涵盖了：量子计算、相关组件和软件；先进的半导体制造；用于开发超级计算机和其他高端设备的高性能芯片的环绕栅极场效应晶体管 (GAAFET) 技术；以及用于制造金属或金属合金部件的增材制造领域。 1）量子计算领域。BIS 此次在管制清单中新增了针对在极低温度（≤4.5K）下 运行的 CMOS 集成电路和参数信号放大器的控制条目（ECCN 3A901.a 和 3A901.b）。这些技术对于量子计算中读取微弱信号、抑制噪声至关重要，因此 被严格限制出口，需获得对所有目的地的许可证。此外，低温晶圆探测设备 （ECCN 3B904）也被纳入管控范围。 2）GAAFET 技术。针对 3nm 及以下制程所必需的 GAAFET 技术，BIS 在通用许 可证中增加了两项授权，允许向与美国工业合作的特定实体出口相关技术和软 件，但严格限制了对国家组 A:5 或 A:6 中指定国家的出口。 3）半导体设备。BIS 对半导体制造设备的出口管制进行了详细划分，包括外延 生长设备、离子注入设备、蚀刻设备等，均依据其技术特性和用途进行了严格的 分类控制（ECCN 3B001）。特别是针对能够生产高精度、高性能半导体材料或 器件的设备，如分子束外延生长设备、高能量离子注入机等，加强出口审查力度。 4）增材制造设备。在增材制造领域，BIS 对与合金制造相关的增材制造设备及 其“技术”和“软件”实施了视同出口和再出口管制（ECCN 2B910）
3.3美国审查多家半导体设备巨头，要求提供中国客户名 单
美国众议院专门设立的中国问题特别委员会，已将审查焦点对准了多家与中国业 务往来密切的美国公司。该委员会向半导体设备制造商——KLA、LAM、应用材 料、TEL 以及 ASML 发出信函，要求他们提供对中国的销售细节。信中明确要求 这些公司在 2024 年 12 月 1 日前提交包括在华前 30 大客户的收入情况、对国家 安全或贸易限制名单上公司的销售记录，以及任何将生产业务转移海外的计划等 在内的详细信息。
4.1 中国逐步在光刻机产业链中实现部分突破，上海微电 子是大陆光刻机头部厂商
中国逐步在光刻机产业链中实现部分突破。在光刻机产业链上游，中国初步突破 了光刻机的双工作台、光源和光学镜头三大核心子系统。在中游，上海微电子是 大陆光刻机头部厂商；在下游，中芯国际是全球领先的集成电路晶圆代工企业之 一。 上海微电子是大陆光刻机头部厂商。上海微电子装备(集团)股份有限公司主要致 力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技 术服务。公司设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD 面板、MEMS、LED、 Power Devices 等制造领域。 上海微电子自主研发的 600 系列光刻机可批量生产 90nm 工艺的芯片。目前上 海微电子已实现 90nm 量产(600 系列光刻机)，600 系列 IC 前道投影光刻机， 采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减 振六自由度工件台掩模台技术，可满足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 关 键层和非关键层的光刻工艺需求。该设备可用于 8 寸线或 12 寸线的大规模工业生产。SSB500 系列步进投影光刻机主要应用于 200mm/300mm 集成电路先进 封装领域，包括 FlipChip、Fan-InWLP、Fan-OutWLP 和 2.5D/3D 等先进封装 形式，可满足 Bumping、RDL 和 TSV 等制程的晶圆级光刻工艺需求。 上海微电子的 IC 前道光刻机与国际先进水平差距仍较大。上海微电子装备有限 公司已量产的光刻机中性能最好的最高可实现 90nm 制程节点，ASML 的 EUV 3400B 制程节点可达到 5nm。这也使得在 IC 前道光刻机市场，国产化率较低， 国内的 IC 前道光刻机市场主要被 ASML、Nikon 和 Canon 瓜分。 目前，上海微电子封装光刻机已实现批量供货，成为长电科技、日月光、通富微 电等封测龙头的重要供应商，并出口海外市场，在国内市场占有率高达 80%， 全球市场占有率达 40%。同时公司 300 系列光刻机可以满足 HB-LED、MEMS 和 Power Devices 等领域单双面光刻工艺需求。
4.2 中国光刻机进口金额不断增长，ASML 为最大进口来 源
据集微咨询（JW Insights）统计，2015 年-2023 年，我国从荷兰进口光刻机总 额 217.38 亿美元，进口总数 915 台，平均每台超过 2300 万美元。在此期间， 进口金额每年持续增长，2018 年起同比大幅提升，2019 年和 2022 年有所回落， 2023 年大幅度增长。我国从荷兰进口的光刻机几乎完全来自 ASML。2015 年 -2023 年，ASML 中国大陆销售总额 232.42 亿美元，其中 2023 年销售额为 80.1 亿美元，同比增长 157.6%。
按国内分注册地进口情况看，2023 年，共有 13 个省市进口了光刻机，其中进口 量前五的是上海市（15.07 亿美元）、湖北省（14.24 亿美元）、北京市（12.25 亿美元）、广东省（10.2 亿美元）和安徽省（9.85 亿美元），占比分别为 20.84%、 19.7%、16.94%、14.11%和 13.62%，合计占比 85.22%。
从各月份来看，2023 年全年进口额从 6 月份起开始大幅增长，9 月份进口额最 高，12 月份次之。荷兰于 2023 年 6 月份宣布了出口管制禁令将于 9 月起实施， 根据相关出口法规，自 2024 年 1 月 1 日起，中国大陆的企业将很难获得出口许 可证，因此晶圆厂会突击进口光刻机以满足产能需求。
4.3 ASML 表示仍会在合规合法的情况下为中国客户提 供服务和支持
荷兰政府于 2023 年 6 月 30 日颁布了有关半导体设备出口管制的新条例。荷兰 光刻机巨头阿斯麦公司(ASML)在声明中表示，这些新的出口管制条例针对对象 为先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统，并非部分媒 体报道的所有浸润式 DUV 光刻系统。根据新出口管制条例规定，ASML 需要向 荷兰政府申请出口许可证才能发运最先进的浸润式 DUV 系统（即 TWINSCAN NXT：2000i 及后续推出的浸润式光刻系统）。荷兰政府将决定是否授予或拒发 出口许可证，并将向 ASML 提供许可证所附条件的细节。 2024 年 3 月 27 日，商务部部长王文涛在京会见来访的荷兰外贸与发展合作大 臣范吕文。双方重点就光刻机输华和加强半导体产业合作等议题深入交换意见。 范吕文表示，荷兰以贸易立国，主张自由贸易，高度重视对华经贸合作。中国是 荷兰最重要的经贸伙伴之一，荷兰愿继续做中国可靠的合作伙伴。荷兰出口管制 不针对任何国家，所做决定基于独立自主的评估，并在安全可控前提下尽可能降 低对全球半导体产业链供应链的影响。
2024 年第七届进博会上，ASML 着重介绍了具体产品，例如三款应用广泛的深 紫外光刻机（DUV）：NXT:1470、NXT:870 和 XT:260，以及量测设备 eScan 1100 等。NXT:1470 光刻机的照明波长为 193nm，分辨率为≤57nm，套刻精度 ≤4.5nm。中国工信部推广的国产氟化氩光刻机，照明波长为 193nm，分辨率 ≤65nm，套刻精度≤8nm。而在 ASML 所有 DUV 产品中，NXT:1470 并不是最 先进的，像最新的 NXT:2100i 的分辨率达到了 38nm，套刻精度 0.9-1.3nm，最 新的极紫外光刻机（EUV）的分辨率更低至 8nm。在极紫外光刻机（EUV）受 到出口管制后，ASML 比较先进的 DUV 机台 TWINSCAN NXT:2000i 及后续推出 的浸润式光刻系统，以及 TWINSCAN NXT:1970i 和 1980i 型号浸润式 DUV 光刻 系统等，也相继受到出口管制，需要向荷兰政府申请许可证才能向中国大陆出口。 ASML 表示目前中国是全球最大半导体消费国，长期来看对半导体产品的需求仍 将维持在高位，尤其是成熟制程芯片领域。同时中国在高度全球化的半导体行业 中起着重要作用，在合规合法的情况下，该公司持续为中国客户提供服务和支持。
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