碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其优异的物理特性和电学性能，广泛应用于电力电子、通信、新能源汽车等领域。与传统的硅材料相比，SiC具有更高的禁带宽度、饱和电子漂移率和热导率，能够在高温、高压和高频环境下稳定工作。近年来，随着新能源汽车和光伏产业的快速发展，SiC衬底的市场需求不断上升，推动了相关企业的技术创新和产能扩张。尤其是在中国，随着国家政策的支持和市场需求的增长，SiC产业链逐渐形成，涌现出一批具有国际竞争力的企业。
碳化硅衬底在电力电子器件中的应用日益广泛，主要得益于其优越的物理特性。SiC材料的禁带宽度约为3.26 eV，远高于硅（1.12 eV），这使得SiC器件能够承受更高的电压和温度。在高频应用中，SiC的饱和电子漂移率也显著高于硅，能够实现更高的开关频率和功率密度。这些特性使得SiC在新能源汽车的主驱逆变器、DC/DC转换器和光伏逆变器等领域具有明显的竞争优势。
根据SMM的预测，2028年汽车在SiC应用中的占比将从2023年的65%增长至86%。随着全球电动车销量的持续增长，SiC衬底的市场需求将进一步扩大。2023年，全球电车销量达到449万辆，同比增长20.2%，渗透率达到20.9%；而在中国，电车批售322.9万辆，同比增长36.2%，渗透率高达44.8%。这种强劲的市场需求为SiC企业提供了良好的发展机遇。
在技术层面，SiC衬底的制造工艺与传统硅材料存在显著差异。SiC衬底的生产过程复杂，涉及高温、高压等多种工艺条件，技术壁垒较高。公司在液相法长晶和大尺寸衬底的技术突破，使其在市场竞争中占据了有利位置。公司于2023年成功推出业内首款12英寸SiC衬底，进一步巩固了其行业领先地位。这一技术进步不仅提升了产品质量，还降低了生产成本，增强了公司的市场竞争力。
SiC衬底市场的竞争日益激烈，国内外企业纷纷加大投入，抢占市场份额。根据富士经济的统计，2023年全球导电型SiC衬底市场中，公司的市场占有率已超过Coherent，跃居全球第二。尽管Wolfspeed多年来保持市场份额第一，但面对国内企业的竞争压力，其市场份额持续下滑。
根据电子工程世界的数据，2023年中国大陆的6英寸SiC衬底产能占全球产能的42%，预计到2026年这一比例将提升至50%左右。国内企业在技术和产能上的快速提升，使得SiC衬底的价格逐渐下降，进一步加剧了市场竞争。2024年初，中国头部SiC衬底供应商的价格降幅超过30%，这对国际供应商造成了较大冲击。
在这种竞争环境下，企业的良率和交付能力成为关键因素。不同供应商之间的良率差异显著，部分企业难以稳定履行订单，导致终端客户在选择供应商时更加谨慎。公司与博世、英飞凌等国际客户建立了良好的合作基础，导电型产能持续提升，交付能力不断增强。这种稳定的客户关系为公司在激烈的市场竞争中提供了保障。
在SiC行业，技术创新是企业保持竞争优势的关键。公司始终将研发作为核心战略，持续加大对SiC衬底技术的投入。根据报告，2024年公司研发费用达到0.95亿元，研发费用率为7.42%，在国内行业中处于领先水平。通过不断的技术积累和创新，公司在液相法长晶和大尺寸衬底的制备技术上取得了显著进展。
公司在生产过程中采用的液相法长晶技术，能够有效控制SiC晶体的生长过程，提高晶体的质量和良率。这一技术的突破，不仅降低了生产成本，还提升了产品的市场竞争力。此外，公司还积极布局8英寸SiC衬底的生产，预计将于2024年实现量产。根据公司的规划，未来将进一步扩大导电型SiC衬底的生产规模，力争在行业内保持领先地位。
随着SiC衬底市场的快速发展，公司在技术创新和研发投入方面的持续努力，将为其未来的市场拓展和业绩增长提供强有力的支持。
碳化硅衬底行业正处于快速发展的阶段，技术优势、市场竞争格局和持续的研发投入是推动企业成长的关键因素。随着新能源汽车和光伏产业的蓬勃发展，SiC衬底的市场需求将持续增长。公司凭借其在技术和市场上的优势，未来有望在这一领域继续保持领先地位。
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