在全球半导体产业中，原子层沉积（ALD）技术以其独特的优势在先进制程中扮演着越来越重要的角色。ALD技术能够实现原子级别的薄膜沉积，为半导体器件的尺寸缩小和性能提升提供了关键支持。随着人工智能、5G通信、高性能计算等技术的发展，对半导体器件的性能要求不断提高，ALD技术因其在实现高精度、高均匀性和高可靠性薄膜沉积方面的优势，成为推动半导体制程技术进步的重要力量。ASM作为全球ALD设备领域的龙头企业，凭借其在技术创新和市场布局方面的领先地位，正从这一趋势中获得显著的增长动力。
ASM公司早期以化学气相沉积（CVD）技术起家，后通过收购发展成为全球ALD和碳化硅外延设备的巨头。自1990年代起，ASM开始专注于ALD设备的研发和商业化应用。1994年和2004年，ASM分别收购了ASM Microchemistry和ASM Genitech Korea，这两家公司分别专注于ALD设备和等离子体增强ALD（PEALD）设备的研发。2007年，ASM的Pulsar ALD设备成为全球首个用于大规模生产采用新型铪基High-K介电材料器件的系统，由此确立了其作为全球最大的ALD设备供应商的地位，市场占有率超过50%。
ASM在ALD技术方面的领先地位得益于其在设备研发和技术创新上的持续投入。根据ASM在2023年投资者日披露的信息，2022年全球ALD市场规模达到26亿美元，预计到2025年全球ALD市场规模将增长至31亿至37亿美元，到2027年市场规模将达到42亿至50亿美元，2022至2027年间的复合年增长率（CAGR）预计为10%至14%。ASM作为全球领先的ALD设备供应商，将从这一增长趋势中获益。
随着半导体行业向更先进的制程技术迈进，ALD技术的需求日益增长。在逻辑芯片领域，随着器件结构从FinFET向GAA（环绕栅极）技术的转变，ALD技术在提升钼等新金属的粘附性和稳定性方面发挥着关键作用。GAA技术采用钼金属取代传统的CVD钨和PVD铜以降低电阻，并提高芯片速度和整体性能。ASM的ALD技术能够提升钼等新金属的粘附性和稳定性，使其在微缩工艺下仍然保持优异的性能。
此外，3D DRAM和3D NAND存储芯片的发展也为ALD技术带来了新的增长机会。3D DRAM的发展需要进一步依赖ALD和EPI工艺，以支持更复杂的堆叠结构。这些工艺能够确保在高纵横比的结构中实现均匀沉积，并优化接触电阻，从而提升存储密度和性能。在3D NAND中，ALD技术的比重由2D NAND的18%上升至26%，显示出ALD在实现3D NAND堆叠结构中的关键作用。
ASM的产品主要围绕ALD和外延两大设备领域布局，并在两个市场皆处于领先地位。ASM的ALD沉积工艺可用于制造出材料质量优异、均匀性和一致性极佳的超薄薄膜。ALD沉积被认为是市场上最先进的沉积方法，也是近年来晶圆设备市场增长最快的领域之一。ASM作为全球第一大ALD设备供应商，拥有市场上最广泛的ALD产品和应用。
ASM的外延工艺通过硅或硅化合物的沉积在衬底上形成单晶薄膜，以改善硅片表面的电气特性。公司的外延技术包括硅外延和碳化硅外延两种，前者广泛应用于高度复杂的半导体处理器及存储器件，后者则主要应用于电车动力设备。ASM是全球第二大硅外延设备商，全球第一大碳化硅外延设备商。
ASM的技术创新不仅限于ALD设备，还包括其在碳化硅外延设备领域的突破。2022年，ASM通过收购意大利LPE公司，拓展了碳化硅外延设备的新业务线，这一领域已成为公司增长最快的业务之一。ASM提供包括Epsilon、Intreprid在内的硅外延设备，以及PE106/108和PE208等碳化硅外延设备，后者以其双腔室设计和全盒式操作提高了设备维护的便捷性。随着新能源汽车市场的快速增长，预计到2027年，新能源汽车导电型SiC功率器件市场规模将达到50亿美元。ASM凭借其在碳化硅外延设备领域的技术优势，有望在这一增长趋势中充分受益。
ASM作为全球ALD设备的龙头企业，其技术创新和市场布局使其在先进制程扩产中占据有利地位。随着全球ALD市场规模的持续增长，ASM的技术优势和产品布局将进一步巩固其在全球半导体设备市场中的领导地位。随着半导体行业对高性能、高精度制程技术的需求不断增加，ASM的ALD技术将在推动行业进步中发挥越来越重要的作用。
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