1.1 全产业链布局能力杰出，产品创新不断精进
一体化生产能力突出，下游客户多元化布局。 源杰科技成立 于 2013 年 1 月，距今已有十余年的发展历程。目前公司完成了从 晶体生长、晶圆工艺以及芯片测试与封装全产业链的开发，并形 成规模化生产能力，产品涵盖从 2.5G 到 50G 的 磷化铟激光器芯 片，并拥有完整独立的自主知识产权，其广泛应用于光纤到户、 数据中心与云计算、5G 移动通信网络、通信骨干网络和工业物联 网等核心应用场景。 双向成长战略驱动显著，研发&量产奠定公司基础。从历史宏 观角度来看，十年来源杰在产品升级&规模化生产两个维度上努力， 实现公司业绩的持续扩容。产品迭代方面，2013 年 12 月源杰推出 了第一款 2.5G DFB 产品，三年后 10G DFB 激光器应运而生，此 后公司加速研发进程，于 2020 年陆续推出硅光大功率 CW 激光器、 25G DFB 激光器等新型光芯片；规模化量产方面，源杰分别在 15 年、18 年完成 100 万颗、1000 万颗 DFB 激光器的出货任务，为 公司的业绩成长奠定有力支撑。
1.2 收入盈利短期承压，长期成长稳定向好
收入水平短期承压，长期成长趋势不变。2018-2022 年期间 源杰科技营收规模不断扩大，从 0.70 亿元快速提升至 2.83 亿元， 4 年间复合增长率高达 41.58%。值得注意的是，高复合增长主要来源于 20 年的收入翻倍，受到 5G 政策的推动，20 年公司 25G 激 光器芯片产品需求显著提升，然而伴随后续 5G 基站建设频段方案 的调整，成熟的 10G 产品取代 25G 产品成为出货主力，21 年公司 收入仅与 20 年持平。23 年公司业绩短期承压，电信市场客户库存 堆积、终端运营商建设节奏放缓、传统云计算领域需求下降等因 素构成了主要诱因。 利润增长锚定营收，长期增长稳健。公司归母净利润增长基 本与营收增长趋势一致。23 年由于国内部分产品价格竞争激烈以 及销售产品结构发生变化等因素影响，利润端承压明显。我们认 为，伴随着未来 AI 对 400G、800G 高速光模块的需求爆发，公司 利润水平有望摆脱低迷现状，迎来新发展期。
收入结构方面，2021 年以前公司营收集中于电信市场，主力 产品为 2.5G 和 10G 光芯片，21 年营收占比分别为 43%、42%。 然而近年来公司的应用场景逐步从 5G 基站建设向着数据中心建设 切换。2023 年，公司数通侧产品营收占比达到 3.26%，虽较电信 侧 92.14%的占比仍有较大差距，但其成长节奏以及成长速度有望 迅速扩大，中高端速率产品在其推进进程中将发挥巨大作用。
毛利率持续保持高水平，费用管控良好。根据 iFinD 数据，公 司 2021年2.5G、10G、25G光模块产品毛利率分别为 50%、74%、 85%左右。芯片行业产品历来具有逐年降价的趋势，但随着公司 出货量的规模效应增加，成本的边际递减依然明确，各类产品的 毛利率水平仍有望于未来逐步趋于稳定。展望未来，公司的毛利 率提升将表现在两个领域：1）产品速率升级不断持续，电信侧盈 利能力有望逐步增强；2）我们认为未来公司高速率产品将在数通 侧投放体现，或带动整体盈利能力稳健性的提升。
费用率波动仍处于合理区间，净利润有望继续扩大。公司销 售费用率整体稳定，管理及研发费用率略有波动。例如在 2020 年， 管理费用率于当年出现小规模上升，19 年研发费用率也出现前瞻 性放大。虽然三费费用率于 23 年显著提升，但长期来讲我们认为 费用率仍然有望趋于稳定，或将带来 24 年及以后净利润的稳步提 升。
1.3 股权架构稳定，并购突破发展束缚
董事长为实际控制人，高管研发履历丰厚。董事长、总经理 ZHANG XINGANG 为公司的创始人、实际控制人和第一大股东， 截止 2024Q3股份占比 12.36%，曾担任 Luminent 研发员、研发经 理，SourcePhotonics 研发总监等职，技术与管理经验并重。副总 经理潘彦廷曾担任国立台湾科技大学博士后研究员，并曾于索尔 思担任研发工程师一职。 产业资本入股助力企业长期发展。中际旭创通过宁波创泽云 （持股 4.43%）与先导光电（2.77%）持有公司股份，前十大无限 售条件股东哈勃投资的全资母公司为华为投资。中际旭创与华为 海思同为公司下游重要客户，其资本投资为公司的长期发展潜力 作出重要背书。
光芯片系实现光电信号转换的基础元件，其性能直接决定了 光通信系统的传输效率。光芯片工作过程可分为电信号输入、光 信号调制、光信号传输、光信号探测、光信号处理以及电信号输 出六大部分，分别对应物理载体为：信息源、光发射机、光纤光 缆、光接收机、放大器、信息源。
不同类型光芯片具备相异的功能及特性。激光器芯片可按出 光结构分为 FP、DFB、EML 和 VCSEL 四种。具体来看，FP 芯片 作为一种边发射激光器芯片，其主要用于中短距场景。DFB 芯片 则在原始 FP 激光器上加工出光栅，从而实现更精准的波长选择， 拥有较高的波长精度；同时由于 DFB 芯片的发光角小，可实现更 高效的光路耦合，因此用于中长距离传输。相比前两者，EML 芯 片由一颗发射芯片加外吸收调制器构成，成本最高，在工作时其 激光器芯片始终处于发光状态，以控制吸收芯片开关的方式控制 EML 激光器的信号输出。面发射芯片 VCSEL 发光角度较大，一般 配合较粗的多模光纤使用，成本较为低廉。
芯片生产极其复杂，制造环节涉及大量工艺。芯片制造则需 要在晶圆片上不断累加图案，进行数百个工艺流程，从设计到量 产需要花费近 4 个月的时间。制造环节具备 9 大关键工艺，分别为沉积、光刻胶涂覆、曝光、计算光刻、烘烤与显影、刻蚀、计量 和检验、离子注入、封装芯片。
产业链角度出发，光芯片上游企业较为分散，进口依赖严重， 或在产品议价、成本消耗方面存在承压现象。光芯片的上游采购 主要涉及原材料与设备两部分。原材料方面，目前国内材料供应 以化合物半导体材料（第二代半导体材料）为主，例如磷化铟、 砷化镓，砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温等特性，其主要代表 企业仍以国外厂商为主，诸如 Sumitomo、Freiberger 等。设备方 面，光刻机、刻蚀机等设备生产商集中于海外，诸如：ASML、佳 能、Lam、TEL 等。 下游直接面向电信、数据中心、消费电子等几大领域，广大 的消费市场助力芯片市场繁荣。根据中投产业研究院数据，2022 年我国光芯片市场规模约为 17.19 亿美元，2015-2022 年的 CAGR 达到 14.93%。同时根据测算，2023 年我国光芯片市场规模约 19.74 亿美元，预计 2026 年有望扩大至 29.97 亿美元。
国产替代逻辑为国产厂商成长的主要催化因子。目前国内光 芯片企业仅在 2.5G 和 10G 领域中实现核心技术掌握，但对于高端 光芯片的国产替代率仍较低：2.5G 及以下速率光芯片国产化率约 90%，但 25G 以上光芯片的国产化率仅 5%，仍以海外光芯片厂商 为主。
对于源杰科技而言，在 AI 的持续催化下，公司有望迎来以高 速数通侧产品放量为核心表征的时代，第二成长曲线顺利开启。 我们认为，其成长逻辑主要体现在以下几个方面：
3.1 要点一：研发流程规范，技术壁垒雄厚，分散化客户 服务推动公司稳步成长
源杰科技的研发模式呈现系统化、成熟化特点，助力技术优 势的形成。公司产品研发历经从立项至批量过程验证测试优化 （PVT）六大阶段，流程体系化明确，其主要特征如下： 1）立项阶段：市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项 目立项申请，项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性 分析； 2）设计输入输出阶段：制作设计开发阶段指导文件及流程， 包括产品技术参数、工艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、 环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。 3）工程验证测试阶段（EVT）：针对产品特性与工艺生产异 常关闭率进行评审； 4）设计验证测试阶段（DVT）：针对产品稳定性与异常关闭 率进行评审； 5）研发转生产培训考核阶段：研发部提供给生产与运营部相 关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参数对照表、质检标 准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相 应的人员进行培训与考核； 6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）：评估产线产能、管 理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力 后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行批量验证与测试。
三大平台集聚，多项技术实现突破。公司已形成了“掩埋型 激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造平台”“光放大 器集成芯片制造平台”三大平台，并在多年研发及产业化中积累 了“小发散角技术”“ 集成式光芯片高可靠性技术”“大功率激光 器高可靠性技术”“高速激光器芯片的封装技术”等相关技术。
由于 20年 4 月中际旭创收购储翰科技 67.19%的股权，储翰科 技、苏州旭创与成都旭创成为同一控制主体。在已明确客户的 2019-2021 年期间，我们判断源杰与中际旭创的合作体现在储翰科 技这个关键节点上。同时，从 23 年公司客户的分布来看，第一大 客户出货占比仅 17.77%，前五大客户仅合计为 55.91%。
3.2 要点二：产能供应持续充足，产销水平有望稳步向好
我们认为，公司业绩扩张的关键在于是否可维持高水平的产 能利用及产销水平。从公司的生产模式来看，产品线安排以市场 需求为根本，公司首先根据年度销售策略进行产能评估，生产与 运营部再根据客户订单协调相关部门的生产计划，以适时提前备 货应对需求高峰，并灵活调整产品结构。 回顾历史，公司产能利用率与产销率变动存在一定差异性。 2020 年，公司 10G、25G 产品生产规模扩大，而低速率 2.5G 产 品生产减小，库存周转随之加快，导致产销率提高，但由于生产 受到疫情影响，产能利用率显著降低；2021 年，公司加大对 2.5G 1490nm、10G 1270nm 等产品的生产备货，产销率同比下降，产 能利用水平回升；2022 年 H1，受到新厂房施工以及设备调试等因 素影响，公司整体产能利用率下降，而其产销率则因下游光纤接 入、IDC 客户采购节奏的放缓而受到一定负面影响。我们认为，伴 随未来高速数通侧光芯片放量的开启，公司于24-26年产销率有望 进一步攀升；并受益于公司合理的生产运营模式，产能利用水平 有望稳步改善。
生产建设逐步推进，研发投入日益显著。在 50G 光芯片产业 化建设项目中，源杰于 23 年投入约 521.14 万元，累计投入进度达 28.32%，预计 25 年 12 月达到预定可用状态。从 23 年产品经营来 看，源杰 50G 产品已小批量发货，100G 产品研发进展顺利，已处 于客户验证阶段，高速率产品放量未来可期。在研发中心建设项 目中，公司 23年投入约 1784.70万元，累计投入进度达 16.96%， 预计 26 年 12 月达到可使用状态，用于对高功率硅光激光器、激光 雷达光源等产品进行前瞻性研究并实现成果转化。
3.3 要点三：光通信需求旺盛，IDM 筑企业成长基石
1）短期来看，800G/1.6T 光模块将对光芯片提出较大要求。 800G 方面，中际旭创表示，23 年受到 800G 光模块需求 不断上修的影响，常规 DSP、EML 和 VCSEL 均出现供应 紧张的情况。由于 24-25 年新用户的不断出现，800G 光 模块需求有增无减，或继续催生光芯片的供应紧张问题； 1.6T 光模块方面，中际旭创预计将于 24 年 H2 开启小批 量生产，并于 25 年实现规模上量；新易盛也已于 23 年推 出 1.6T 光模块产品，积极推进客户送样测试，下游厂商 的扩产扩能为近 1-2 年内公司业绩提供有力支持。 2）长期来讲，数据互联互通提速成为光模块/光芯片稳定成 长的重要基石。Marvell 指出，ChatGPT 3.0 的 XPU 与光 模块需求比仅为 1:2；而 ChatGPT 4.0 中 XPU 与光模块 需求比则上升至 1:3，反映出数据处理与数据互联迭代能 力成长的显著差异性。随着未来更复杂的AI大模型推出， 可以预见的是，10 万甚至百万级规模的 XPU 集群有望成 为常态。Marvell 预计 10 万级 XPU 集群将需要五层交换 技术，共对应 50 万个光学互连，XPU 与光模块需求提升 至 1:5。配比量的显著提升揭示了公司产品长期放量的内 在逻辑演绎。
高速率光模块对光芯片需求助推显著。以 800G 光模块为例， 典型技术解决方案演进包括三代： 1）8 光 8 电：光接口 8x100Gbit/s，电接口 8x100Gbit/s；2）2 光 4 电——光接口 8x4Gbit/s ， 电接 口 200x8Gbit/s； 3 ）3 光 4 电 — —光 接口 4x4Gbit/s，电接口 200x8Gbit/s。未来 3 年内的维度来讲，单通道 200G 光电芯片组件和均衡技术尚未成熟，预计 50G/100G 为代表 的高速率光芯片依旧为业界首选；3-5 年内单通道 200G 光电技术 有望得到广泛采用。
产品升级逻辑直接催生单品价值量的成长。事实表明，光芯 片在光模块整体成本中占比随着传输速率的提升而增大，速率上 的提升对光芯片价值量的增长促进作用是巨大的，以德科立为例， 其采购的光芯片单价于 2018-2021H1 期间上涨近 7 倍。 光/电芯片存在显著差异，IDM 模式成为光芯片主流选择。与 电芯片在制造工艺上更侧重于光刻工艺追求先进制程不同，光芯 片性能的提升不完全依靠尺寸的减小，更注重外延结构设计与生 长，外延生长为技术壁垒最高的环节，对材料的理解、工程制造 能力、对光电特性的理解、对设备的理解构成了芯片工艺的核心 竞争壁垒。光芯片的生产工艺流程可以分为：芯片设计-外延生长晶圆制造-芯片加工与测试四大环节。由于光芯片在工艺层面标准 化程度较低，IDM 模式生产优势愈发突出，产业龙头仕佳光子、 长光华芯、源杰科技均选择该类模式进行生产。
多生产线全覆盖，制造链条经验丰富。经过多年研发与产业 化积累，源杰科技已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工 和测试的 IDM 全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、 光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测 试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。 同时，公司拥有自主知识产权的晶圆外延技术，通过将芯片设计 与外延工艺相结合，借助快速研发迭代缩短研发周期，完成了大 功率激光器芯片技术的开发。
3.4 要点四：硅光技术尚处蓝海，高速光芯片开启放量
硅 光 芯 片 有 望 迎 增 长 拐 点 ， 市 场 占 比 迅 速 攀 升 。 根据 Lightcounting 预测，硅光芯片销售额将从 2023 年 8 亿美元增长至 2029 年的约 30 亿美元，同时采用铌酸锂薄膜（TFLN）调制器的 PIC 销售额将从现在近 0 的市场规模增长至 2029 年预计的 7.5 亿 美元，而传统 DWDM 光模块所使用的块状 LiNbo3 调制器销售额 将持续下降。
相比于传统可插拔光学元件，CPO 封装技术更适应降本增效、 低能耗的新时代需求。材料方面，硅材料适合大规模集成，其工 作温度宽、散热性能好、性能稳定，有致密的氧化物钝化层；工 艺制作方面，硅集光电子集成芯片晶圆尺寸大、单颗芯片成本低， 其制程线宽小，直接进入 130nm/90nm/45nm，可利用成熟的硅半 导体代工供应链与 CMOS、SiGe 等产业共享产能；提质增效方面， 由于 CPO 封装技术将芯片更紧密的堆叠在一起，芯片间间隙大幅 减小，从而节约布线面积和印刷版面积，促进成本降低，同时 CPO 的高集成特征使得芯片间通信速度更迅速、更直接，系统速 度和响应时间有所提振；功率能耗方面，CPO 也同样受益于更高 的电路密度与更优良的热管理属性，可在同一区域内实现更高的 功率密度。
硅光技术尚未成熟，发展面临多重挑战。硅光子集成技术要 求将激光器芯片发射光源耦合到硅基材料波导中，但普遍存在不 同材料间光源的耦合效率低、光传输损耗较大的问题，开发难点 集中于有源区的量子阱设计、外延生长技术及芯片谐振腔几何结 构的设计等方面。 难点开发实现突破，CW 光源产品长期向好。公司通过在结构 设计与理论仿真、晶圆外延工艺和光波导设计、光栅设计、大功 率芯片测试与可靠性评估四大方面完成难点开发，成功研制出高 可靠性的 25/50/70mW 大功率激光器芯片，目前仅海外少数厂商能提供相关产品。目前公司CW光源客户端测试顺利，第二季度已 进入小批量生产出货阶段，预计 H2 会对公司业绩带来实质性增长。
高速光芯片产品推出，公司发展具备技术保障。公司已在电 吸收调制器集成技术方面实现重大突破，可分别设计发射光源区 与调制区的晶圆量子阱结构，并在光波导光路计算与仿真、异质 波导有源区外延工艺技术开发等方面完成技术提升。目前公司已 经设计定型 100G PAM4 EML 激光器芯片，并初步完成 200G PAM4 EML 的性能研发及厂内测试，为公司长期发展提供技术保 障。 国外厂商占据主导，国际市场竞争值得关注。目前公司潜在 面临的国际竞对有 II-VI、博通、Lumentum、Neophotonics、三菱 电机、住友电工等，国内竞对有云岭光电、武汉敏芯、中科光芯、 仕佳光子、长光华芯等。我们认为，随着未来公司光芯片在数通 侧的长期放量开启，国际市场舞台将尤为关键，应密切关注国外 厂商的产品动向。
4.1 PON 网络稳步成长，行业龙头受益于用户扩容
三大基础硬件构建 PON 网络核心，源杰产品下沉直面 H 端客 户。光接入网络以光替代铜为传输介质，常直接用于面向家庭单 元，其主要由光线路终端 OLT、光网络单元 ONU/ONT、光分配网 络 ODN 三部分组成。OLT 用于连接光纤干线的终端设备；在 OLT 上可以实现网元管理、安全管理、配置管理和带宽分配；ODN 是 基于 PON 设备的光缆网络，为 OLT 和 ONU 提供光传输通道； ONU 是光网络中的用户端设备，提供数据、IPTV（即交互式网络 电视），语音（Integrated Access Device 综合接入设备）等业务。 我们认为源杰科技的 PON 光芯片常用于 OLT、ONU 设备中，其 具有贴近 H 端（家庭端）客户的属性，直接受益于用户端网络的 扩容需求。
论证 PON 网络下光芯片市场规模增长是否有可持续性，可根 据以下两项指标进行分析： 1）用户端数量：互联网宽带接入端口数呈持续增长态势，光 纤接入端口占比同步扩大。截至 23 年底，互联网宽带接入端口数 达 11.4 亿个，同比增长 6.54%；光纤接入（FTTH/O）端口达 10.98 亿个，占比由 22 年底的 95.7%提升至 96.3%，同比增长达 7.21%。同时网速升级也同样加快推进，千兆网络服务能力的 10G PON 端口数达 2302 万个，比上年末新增 779.2 万个。
2）FTTx 光模块使用量：FTTx 光纤接入是光模块用量最多的 场景之一，其光模块使用量可一定程度下反映光芯片的用量规模。 根据 LightCounting 市场研究机构数据，预计 2020 年至 2025 年全 球 FTTx 光模块市场出货量从 6289 万只增长到 9208 万只，年复合 增速将达到 7.92%；市场规模从 4.73 亿美元增长至 6.31 亿美元， 年复合增速为 5.93%。预计 FTTx 从 24 年开启回暖步调，物联网 IoT 设备起步叠加先进网络战略兴起，有望实现光模块及光芯片在 电信侧增速的回升。
三大因素助力成长拐点有望形成，PON迎来发展第二春。1） 带宽容量增长、低延迟、降低抖动和改善体验质量（QoE）依然 是促进光纤接入的主要因子；2）企业、政府和垂直行业带宽需求 开启增长，医疗、银行、交通、能源和公用事业等领域开启放量， 我们认为下游应用场景呈现扩大化特点；3）云业务催生更为庞大 的数据互联带宽需求，直接催化对光纤接入的需求。 从公司-行业、由下至上角度来看，源杰科技市占率高，为行 业 Beta 扩容的主要受益方。根据 ICC 数据，在全球 21 年 2.5G 及 以下 DFB/FP 激光器芯片市场中，武汉敏芯、中科光芯、光隆科技 在全球市场占比均超过 10%，源杰科技则占据 7%的市场份额。 10G 光芯片方面，根据 ICC 统计，2021 年全球 10G DFB 激光器 芯片市场中，源杰科技市占率达 20%，而住友电工市场份额仅 15%。
4.2 5G-A 带动发展新潮，光通信重要性显著抬升
5G 时代下，基站结构显著改变，光通信确定性增加。当前的 无线通信网络中，除了“最后一公里”是“无线”形态，天线之 后的通信链路全为光纤网络。首先，5G 基站承载网将原有的 4G BBU、RRU 重新拆分为 AAU、DU、CU 三级结构， BBU 设备对 应分拆为 DU 与 CU 设备，AAU 与 DU 间协同构成前传，DU 与 CU 设备间构成中传，CU 与骨干网间构成回传。 5G 网络架构中，各层设备间依赖光纤与光模块进行互联，光 模块用量大大增强。5G 前传共有 4 种解决方案，不同解决方案对 应不同类型光模块需求。此外 5G 基站所采用的三级架构相比 4G 基站的二级架构增加了一层光传输环节，导致光端口数量显著增 加，光芯片/光模块用量显著提升。同时，为了满足 5G 更高的速率 与低时延指标，各级光传输节点之间的光端口速率提升明显，光 芯片传输速率同步跟进。
前传、回传聚焦 25G 光芯片生产。1）前传光模块用于基站末 端与发射天线间的信号处理，采用包括 25G 1310nm DFB 激光器 芯片；2020 年后运营商新采用多波长方案，主要使用 25G CWDM 6 波段、MWDM 12 波段、LWDM 12 波段 DFB 芯片，节省大量光 纤资源。2）回传网络对 50G PAM4 光模块产生新需求，基于 25G 光器件以及 PAM4 调制格式，50G 光模块可形成低成本的实现方 案，在 10km 传输距离的规格下，该种光模块可用 25G 波特率直 接调制激光器实现。主流供应 25G EML 激光器芯片的国外企业有 三菱电机、住友电工、朗美通（Lumentum）等。
5G 硬设备仍在扩展进程中，5G-A 助力又一新增量诞生。根 据国际标准组织 3GPP 的定义，从 5G 到 6G共存在 R15 到 R20 六 个技术标准。其中 R15 到 R17 作为 5G 标准的第一阶段，R18 到 R20 作为 5G 标准的第二阶段。2021 年 4 月，5G 国际标准制定组织 3GPP 已正式将 R18 协议版本定义为 5.5G，标志着 5G 演进的 需求已经成为业界共识。5G-A 新增 UCBC（上行超宽带）、RTBC （宽带实时交互）和 HCS（通信感知融合）三大应用特征，并带 来四大方面显著升级：1）5.5G 通过利用超大带宽频谱—— Sub100G 频谱，可实现 10Gbps 的下行速率。2）5.5G 可利用上 下行解耦、多频段融合技术实现上行 1Gbps。3）Redcap、NBIOT、无源物联三大类技术有望依托无线产业的规模效应实现商业 化落地。4）5.5G 内生智能可实现业务智营、网络智优、运维智简。
5G-A 应用新场景陆续推出，光硬件设备有望广泛受益。我们 可以通过如下案例对 5G-A 应用场景的扩展进行直观解释：在 mMTC 方面，万华化学集团使用基于 RedCap 的无线摄像头，省 去了传统有线摄像头所需的挖沟、放缆的工作，画面流畅度和清 晰度没有任何损失，综合成本降低了 60%以上；杭州奥朗作为从 事医疗信息化的企业，与华为合作广泛运用RedCap技术，对现有 的医院进行医疗专网建设，满足数据采集，视频回传，护理以及 后勤服务需求，节省了布线工作量和成本。另一新增应用场景 uRLLC 方面，长城精工开启“5G-A+工业互联网”的试点验证， 联合中国联通、华为、勃敖，一起探索在工厂的生产控制核心层， 引入 5G 通信，实现无线对有线的替代，对总线标准多样化导致的 信息孤岛、工厂设备排查故障难、施工周期长等痛点进行有效处 理。我们认为，相较于 5G，5G-A 在与智能制造、工业物联的联 结方面显现出更大的商业应用优势，这有望显著催化对光通信硬 件设备的需求。
我们认为除应用场景的扩展外，5G-A 对光芯片/光模块的正向 催化作用还集中体现于两大方向上：1）相比 4G，5G/5G-A 为了 增强数据传输功效通常使用高频段资源，而高频段电磁波穿透力 较差，导致信号覆盖范围明显缩窄，从而大大增加基站及光通信 器件使用量；2）5G-A 提出更高的上行/下行速率需要，推动光通 信传输性能同步提升。
4.3 激光器芯片升级加剧，研发优势铸就企业α
低端芯片高度国产化，产品差异巩固公司市占率。在电信市 场中，目前所需的 2.5G、10G 激光器芯片市场国产化程度较高， 但不同波段产品应用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期 技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异 化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低 成本的集成方案，实现差异化竞争。 小发散角技术实现差异化竞争。公司小发散角技术完成以下 难点开发：①光斑转换器（SSC）光波导设计与仿真；②光斑转 换器光波导工艺制作与开发。公司凭借该技术，以光在波导的传 输行为理论为基础，开发出于有源区以外的光斑转换器结构制作 技术，在不牺牲芯片性能前提下实现小发散角的功能。公司将该 技术应用于各类激光器芯片中，在同类产品实现了差异化竞争， 并降低模块厂商对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部 署的供应链安全及成本问题。 抗反射技术降低封装成本、减少进口依赖。公司抗反射技术 完成以下技术突破：①抗反射光损耗波导设计与仿真；②反射光 损耗波导外延工艺制作与开发；③芯片级反射光测评系统搭建与开发。公司凭借该技术，成功开发出有源区出光端集成反射光损 耗波导结构制作技术，将隔离器功能集成于芯片结构中，实现激 光器芯片对系统造成的反射光不再敏感。下游模块厂商在使用公 司这类芯片进行模块生产时，可以减少使用昂贵的进口隔离器， 降低了封装成本，以及对进口器件的依赖。 芯片速率演进加速，公司积极备战下一轮发展高峰。未来 25G/50G PON 接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、 低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司已 开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，适配高速接入网 的需求，使公司的 PON 光芯片产品具备更强的市场竞争力，进入 下一代高速需求的迭代过程。
电信侧产品矩阵现结构性变革，DFB 向高价值 EML 迈进。在 光纤接入领域，公司研发并向客户送测差异化方案的 10G DFB 产 品，对 10G EML 产品进行持续优化提升。面向下一代 25G/50G PON 光纤网络，公司研发并向客户送测相关的 ONU 及 OLT 端光 芯片产品。
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