1.1.国内半导体设计龙头，产品矩阵不断丰富，高端化趋势不变
兆易创新是中国存储芯片及 MCU 领军企业，业务持续扩张。自2005 年在国内成立以来，通过“存储+MCU+传感器”的全方位布局，构建了完善的半导体生态系统，公司产品广泛应用于工业、消费类电子、汽车、物联网、计算、移动应用以及网络和电信行业等领域。公司核心产品主要包括闪存芯片（Nor Flash 和 NAND Flash）、内存芯片（DRAM）、微控制器产品（MCU）以及传感器模块（SENSOR）。
1.2.存储芯片+MCU+传感器芯片构建公司产品矩阵
公司致力于成为具有全系列 NOR Flash 产品的领导厂商，持续扩大经营规模和市场占有率。根据 24 年半年报数据，公司是全球排名第二的 SPI NOR Flash 公司，可提供多达13种容量选择（覆盖 512Kb 到 2Gb）、4 种不同电压范围、20 多种产品系列、6 款温度规格以及20 多种不同的封装选项，可满足客户在不同应用领域多种产品应用中对容量、电压以及封装形式的需求。公司目前针对不同应用场景分别提供大容量、高性能、高可靠性、高安全性、低功耗及低电压、小封装等多个系列产品： （1）大容量：2020 年推出国内首款容量高达 2Gb、高性能的SPI NORFlash产品系列，是物联网设备代码存储应用的首选。（2）高性能：首款国产超高速 8 通道 SPI NOR Flash 产品，主要应用于5G基站、汽车、工业等领域。 （3）低功耗、低电压：该等产品能充分满足目前低功耗移动设备轻薄小、待机久的多维需求，为物联网、可穿戴、消费类以及健康监测等对电池寿命和紧凑型尺寸要求严苛的应用提供优异的选择。 （4）小封装：产品采用 WLCSP 封装，并推出了业界最小的USON6 封装，尺寸仅为1.2mmx1.2mm，为 IoT 设备、可穿戴应用和其他紧凑型应用提供产品准备。（5）高安全性：随着 IoT 设备的推广普及，以及在一些关键应用场景的布局，对安全性的要求愈发严格，公司内置 RPMC 功能系列产品，提供了卓越的安全性能，为PC应用的首选。 （6）高可靠性：公司 T/LT 系列以及 X/LX 系列广泛应用于对可靠性有严格要求的车载、工业等应用领域。 （7）汽车应用：GD25 产品全面满足车规级 AEC-Q100 认证，GD55 的2Gb大容量产品也通过认证。
2023 年，NOR Flash 产品全年出货量创新高，达到 25.33 亿颗，实现16.15%增长。至2023 年底公司 NOR Flash 产品累计出货已超 212 亿颗。 NAND Flash 产品覆盖度持续增强，广泛覆盖从消费电子至车规。根据24年半年报，公司38nm和24nm两种制程全面量产，并正在以24nm为主要工艺制程，容量覆盖1Gb~8Gb，其中 SPI NAND Flash 在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。公司38nm SLC NAND Flash 车规级产品容量覆盖 1Gb~4Gb，搭配车规级SPI NORFlash，为进入车用市场奠定基础。 重点拓展 DRAM 业务，产品品类持续拓展。2021 年公司拓展DRAM业务并推出DDR4产品。2023 年公司推出 DDR3L 4Gb、2Gb 产品，并持续进行客户导入和良率提升。到2023年底，DDR3 4Gb、2Gb 产品已实现大规模量产。2024 年，公司DDR3L、DDR4产品组合不断丰富，DDR3L 为市场提供通用的 1Gb、2Gb、4Gb 容量，DDR4 8Gb 产品成功流片并已为客户提供样片，以 4Gb、8G 容量为市场提供广泛应用选项。公司后续将会继续研发LPDDR4 产品，预计到 2025 年，公司 DRAM 产品或能覆盖主要利基市场需求。公司是国内领先的 MCU 产品厂商，产品、工艺制程覆盖全面。公司GD32MCU产品已成功量产 51 个产品系列、超过 600 款 MCU 产品，实现对高性能、主流性、入门级、低功耗、无线、车规、专用产品的全面覆盖。产品内核覆盖 ARM®Cortex®-M3、M4、M23、M33 及 M7，也是全球首个推出并量产基于 RISC-V 内核的32 位通用MCU产品的公司。公司车规级 GD32A 系列 MCU 目前提供 4 种封装共 10 个型号供市场选择，以均衡的处理性能、丰富的外设接口和增强的安全等级为多种电气化车用场景提供选择。在工艺制程上，目前公司 MCU 产品覆盖 110nm、55nm、40nm、22nm 工艺制程，可以为客户提供满足需求的多种解决方案。至 2023 年底，公司 MCU 产品累计出货已超过15 亿颗。
公司传感器业务涵盖触控芯片和指纹识别芯片，产品覆盖全面。公司触控芯片支持ITO大阻抗、单层多点、超窄边框功能，广泛应用于 OGS 触摸屏；产品通道数可包含从最小26通道到最大 72 通道，同时实现了从 1 英寸~20 英寸的屏幕尺寸全面覆盖。公司指纹识别芯片多年来已在多款旗舰/高/中阶智能手机商用前置/后置/侧边电容和光学方案，成为市场主流方案商。此外，公司指纹芯片为智能门锁提供 8*8mm 到更小面积的嵌入式电容方案，为笔记本提供与电源键集成的 Windows 电容方案。截至 2024 年 H1，公司是全国排名第二的指纹传感器供应商。
1.3.“存储+MCU+PMU+传感器”业务相互赋能，层层递进
1）Nor Flash→MCU、MCU→PMU：MCU 的基本结构可以分成CPU处理器内核、存储器（Nor Flash、SRAM）、总线和外设（模拟电路）四部分，涉及数字电路技术（即CPU、存储），还涉及外设的模拟电路，其对芯片公司的综合能力要求较高。2021 年公司开始尝试PMU，MCU 属于控制单元而 PMU 是电源管理单元，二者可以协同工作对MCU生态进行有效补充。 2）Nor Flash→NAND Flash、Flash→DRAM：NOR 和NAND 都是使用浮栅场效应管作为基本存储单元来存储数据的，从 Nor 延伸到 NAND 有一定协同性；闪存存储单元中只有一个晶体管，DRAM 的存储单元由一个晶体管、一个电容组成，DRAM难度比闪存高，公司存储向难度更高产品进行延伸。3）MCU→传感器：在 IoT 领域，传感器与 MCU 常配套使用，以指纹芯片产品为例，目前智能指纹锁产品不仅要配备指纹识别技术，同时还需搭载MCU、远程控制功能以及相关连接等功能，MCU 与传感器配套可以帮助客户加快产品研发周期，增加便利性与选择性的同时，显著降低成本。
1.4.股权结构清晰，管理团队经验丰富
公司创始人及董事长朱一明持股 6.87%，系公司最大股东。截至2024Q3，公司的大股东为朱一明先生，是公司的创始人及董事长，早期在美国从事存储器研发及设计工作，2005年回国创办北京兆易创新科技股份有限公司，2018 年出任长鑫存储董事长及CEO，截至2024年 Q3 朱一明总持有公司股份 6.87%。
1.5.产品扩张，穿越周期，业务再增长
阶段一（2011-2016）：NOR Flash 放量高增 。在这一阶段，全球 NOR Flash 行业面临功能机市场萎缩的挑战，行业内兼并收购频繁，如赛普拉斯和飞索的合并、三星的淡出等。然而，公司凭借深厚的技术积累，逐步在市场中崭露头角。标志性事件为 2011 年公司首款 1.8V 90nm 产品开始量产，成功切入手机产业链，根据芯谋咨询数据，2014 年公司在全球 NOR Flash 市占率约为6%，排名全球NORFlash厂商销售额第五位。从财务层面看，公司营收自 2011 年 3.22 亿元增长至2016年的14.89亿元，其中存储芯片销售收入从 2.7 亿元迅速上升至 12.92 亿元，归母净利润从0.18亿元上升至 1.76 亿元，业务规模迅速扩张。
阶段二（2017-2020）：NOR Flash 稳健增长，拓展 MCU 市场，公司 NOR Flash 业务已跻身行业前列，抗周期能力显著增强。2017 年受美光、赛普拉斯等国际巨头逐步退出市场的影响，全球 NOR Flash 芯片供需紧张，公司抓住机遇，2017年在存储业务上实现了 33%的增长，并进一步提升市占率至约10.5%。全年营收实现36.32%的增长，归母净利润同比暴涨 125.26%。得益于公司十余年持续的高研发投入，新品良率提升、产品结构优化以及成本管理能力的大幅提升，带动公司毛利率显著上扬至39.16%（+12.44pct）。尽管 2018 年存储行业进入下行周期，公司增速有所放缓，但在存储业务营收方面仍保持了 7.2%的正增长，展现了穿越周期的能力。
阶段三（2021-2022）：存储与 MCU 共舞，营收利润稳健高增长。受益于技术突破、行业供需紧张和国产替代趋势，公司各业务条线均实现了大幅增长。兆易创新在 32 位 MCU 领域已成为国产领军者，持续扩充产品料号，打造“MCU百货商店”，服务客户超过 2 万家。凭借技术、渠道和产能优势，并叠加下游缺货，公司MCU复制NORFlash 的成长路径，2022 年公司 MCU 业务收入增至 28.29 亿元，较2020 年7.55亿元翻近4 倍。2021-2022 年期间，公司总体营收利润实现迅速增长，收入突破80 亿元，毛利率显著增长，净利润维持 20 亿元量级以上。
阶段四（2023）：下行周期以市场占有率为核心坚守业务，DRAM业务孕育新机遇。2022 年下旬开始，存储行业迎来新一轮下行周期，2023 年终端市场需求疲弱，同行业竞争激烈，整个前三季度所有产品线单价都出现下滑态势，产品综合毛利率下滑明显，为公司的盈利带来压力。2023 年公司坚持以市占率为中心开拓市场，出货量达到31.22颗，同比增长了 12.98%。同期公司进一步拓展了 DRAM 业务，2023 年9 月新推出的DDR3L为客户提供 1/2/4 Gb 容量选择，不断扩展的产品种类为 DRAM 业绩的增长奠定了良好的基础。
阶段五（2024-至今）：周期复苏，量价齐升，老业务持续回暖，新业务腾飞。进入 2024 年，库存周期叠加 AI 需求推动，半导体周期出现显著复苏。2024年上半年，全球半导体销售额同比增长 16.9%至 2,877 亿美元，中国半导体销售额同比增长24.3%至877亿美元。2024 年 6 月，WSTS 上调了对全球半导体销售额的预测，预计2024年全球半导体市场规模同比增长 16%至 6,112 亿美元。公司传统业务包括Nor、NAND及MCU持续回暖，新产品 DRAM 业务在海外原厂利基 DRAM 产能供给持续收缩和消费电子领域需求持续回暖的情况下迎来显著增长。2024 年前三季度公司营收达到 56.5 亿元，较2023 年前三季度的43.94 亿元同比增长 28.56%。根据公司 2024 年业绩预告，公司2024 年预计实现73.49亿元营收，相比 2023 年增加约 15.88 亿元，同比增长 27.57%。同时据业绩预告推算，公司2024年 Q4 营收约 16.99 亿元，较 23 年同期 13.67 亿元同比上升24.29%。
1.6.2024 年 Q1-3 周期复苏，收入重回增长曲线，毛利率回暖，利润持续释放
2023 年受周期影响公司收入下滑明显，24 年上半年复苏明显。2023 年，受到下游消费疲软及行业库存影响，公司实现营业收入 57.61 亿元，同比减少29.14%，其主要影响因素是价格的大幅下跌，公司整体市占率保持稳定。其中存储芯片实现销售收入40.8亿元，同比下降 15.5%，营业收入占比 70.8%，贡献公司主要营收；MCU 业务实现营业收入13.2亿元，同比大幅下降 53.46%，收入占比 22.9%；传感器业务实现销售收入3.5 亿元，同比下降18.97 %，收入占比 6.1%。2024 年上半年，受益于市场的恢复以及客户补库推动的产品销售量价齐升，公司收入增至 36.1 亿元，较 23 年同期增长 21.7%，其中存储类产品较23H1的20.1 亿元收入增至 26.1 亿元，增长近 30%。
价格上涨推动 24 年毛利率改善，盈利性进一步增强。受到市场需求疲软和市场竞争加剧影响，2023年包括存储及MCU在内的公司核心业务产品价格均出现下滑，综合毛利率由2022年的 47.66%下降到 2023 年 34.42%。其中存储芯片毛利率为32.99%，毛利率同比2022年下降 7.1 Pct；MCU 业务毛利率为 43.1%，较 22 年同期下降21.8 Pct；传感器业务毛利率为16.00%，较 22 年同期下降 0.36 Pct。从季度来看，公司整体毛利率于2023年Q2触底（29.45%），并呈现上涨态势，至 2024 年前三季度，毛利率基本维持在38%以上，整体改善明显，产品盈利能力进一步增强。
销售/管理费用控制得当，研发费用持续增长，未来可期。公司整体费用控制得当，销售费率整体维持在 5%以下，管理费率整体维持在 5%~6%上下，其中2023 年由于营收下滑较明显，管理费率出现明显抬升，管理费用出现较为明显下滑，体现出公司在行业下行期优秀的费用管控能力。公司近年来研发费用持续增长，2023 年在尽量控制费用的情况下，研发费用进一步增至 9.9 亿元，研发费率进一步增长至 17.2%。2024 前三季度公司研发费用增长至8.46 亿，同比增长 11.78%，研发费率回落至 14.97%。我们认为，伴随公司在研发上的高强度投入，公司或将加速补齐在利基 DRAM、MCU 等板块的产品，进一步提升产品丰富度，推动收入持续增长。
市场需求回暖加速净利率回升，公司盈利能力提升。2024 年上半年消费以及网通市场需求逐步复苏，促进公司存储芯片的产品销量和营收增长，公司毛利率拉升带动净利率的同步增长。2023 年产品价格下降导致公司归母净利率降至 2.8%；2024 年上半年公司归母净利率拉升至 14.33%，归母净利润同比增长 53.88%，截至 2024 年Q3，公司归母净利润为8.32亿元，较 23 年同期增长 91.87%。受益于行业下游市场的需求回暖和公司产品矩阵的丰富，公司未来净利率预计重回高增长，公司 2024 年业绩预告归母净利润预计可达10.9亿元，同比增长 576.43%，全年归母净利率预计实现 14.83%，根据业绩预告推算，2024年四季度净利润预计实现 2.58 亿元，相较于 23 年 Q4 扭亏为盈，呈现稳步回升态势，盈利能力有望持续突破。
2.1.Nor Flash：周期服务，大容量占比持续提升
2.1.1.Nor Flash 是核心存储器种类之一
半导体存储器，简而言之，就是以“半导体集成电路”作为存储媒介的存储器。根据头豹数据显示，2022 年中国存储芯片市场规模达到 828.4 亿美元。半导体存储器也是一个大类，它还可以进一步划分，主要分为：易失性（VM）存储器与非易失性（NVM）存储器。
顾名思义，电路断电后，易失性存储器无法保留数据，非易失性存储器可以保留数据。
1）参考鲜枣课堂介绍，在过去几十年内，易失性存储器变化较小，主要分为DRAM（动态随机存取存储器，Dynamic RAM）和 SRAM（静态随机存取存储器，Static RAM）。动态随机存取存储器（DRAM）使用电容存储数据，需要定期刷新以保持数据不丢失，作为计算机的主存，DRAM 一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条（DDR）、显卡的显存（GDDR）、手机的运行内存（LPDDR），都是 DRAM 的一种。（DDR基本是指DDRSDRAM，双倍速率同步动态随机存储器）。静态随机存取存储器（SRAM）具有静态存取功能，不需要刷新电路即能保存数据，主要用于高速缓存，如CPU 的L1、L2 和L3缓存，此外还会用在 FPGA 内。 2）参考 CSDN 介绍，非易失性存储器产品的技术路线比较多，最早期的技术产品即为ROM。非易失性存储器（Non-Volatile Memory，简称 NVM）是指一种在电源关闭后仍然能够保持存储数据的存储器。这类存储器具有非易失性、高存储密度、低能耗以及读写性能接近 DRAM 等特点，但读写速度可能不对称，读通常远快于写，且其寿命有限，需要考虑磨损均衡。其包括 Flash、PROM、Mask ROM 等多种类型，广泛应用于SSD、移动设备等领域。
2.1.2.市场波动成长，竞争格局持续优化
市场规模与市场态势：根据历史数据，NOR Flash 市场在过去几年中经历了波动。例如，2018 年 NOR Flash 市场因需求疲软而增速放缓，随后在消费电子、物联网等领域的推动下逐渐恢复增长。到 2021 年，NOR Flash 设备的销售额增长显著，达到29 亿美元。根据ReportLinker，预计到 2028 年将达到 40.3 亿美元，在预测期间(2023-2028 年)，复合年均增长率为 5.3%。
主要厂商竞争格局：NOR Flash 的行业集中度较高。据思瀚产业研究院数据显示，在2018年，全球约 90%的市场份额被旺宏、华邦、美光、赛普拉斯和兆易创新这五大厂商占据。这些厂商在 NOR Flash 的设计、制造和封测等环节具有较强的实力，占据了较大的市场份额。随着市场的发展和竞争格局的变化，NOR Flash 市场开始呈现多元竞争格局。一方面，一些国际大厂如美光和赛普拉斯逐步调整了业务策略，缩减了 NOR Flash 业务或退出了部分市场，导致它们在 NOR Flash 市场中的份额逐渐降低。另一方面，中国本土厂商如兆易创新等抓住机遇，迅速崛起，在 NOR Flash 市场中占据了越来越大的份额。2021 年，兆易创新NORFlash销售规模同比 2020 年增长 100%，2021 年市场份额为 23.2%，位居全球第三。同时，随着其他中小厂商（如：普冉股份等）的崛起和市场份额的提升，NOR Flash 市场的竞争格局正逐渐呈现出多元化的态势。
2.1.3.消费电子+汽车全面推动Nor Flash 需求增长
NOR Flash 全球市场规模经历萎缩后持续增长。在功能机时代，由于其功能简单、对存储容量要求不高、擦写需求相对较少，因此使用 NOR Flash 来存储代码和数据，而随着智能手机持续取代功能机，其更多使用容量更大、成本更具优势的NAND Flash，因此NORFlash市场规模持续萎缩，直至 2017 年左右 TWS 耳机、AMOLED、物联网等新型应用逐渐拉动NOR Flash 需求，市场呈现稳中有升态势，根据华经产业研究院数据显示，2023年市场规模约为 22.54 亿美元，在 2028 年或将增长至 34.95 亿美元。NOR Flash 作为存储固件和程序代码的关键元件，其低功耗和小体积的特性非常适合TWS 耳机的需求。随着功能的增加，对 NOR Flash 的容量和性能也提出了更高的要求。随着苹果推出 AirPods 产品并取消有线耳机的插口，自 2019 年开始TWS耳机迎来了迅速增长。TWS 耳机摆脱了连接线的束缚，便携性大大提升，同时增加了各类功能（如主动降噪、手势控制等）。TWS 耳机一般采用 2Mb-256Mb 容量的 NOR Flash，中高端TWS耳机采用低功耗（主要为 1.8V）NOR Flash。 根据 Canalys 最新发布的报告，2024 年第一季度，全球TWS 耳机市场出货量达6500万，同比增长 6%，前五名分别为苹果、小米、三星、boAt（印度耳机厂商）和华为。
AMOLED 屏幕技术的快速发展和智能手机出货量的持续增长为NORFlash市场带来了广阔的发展空间。由于 AMOLED 屏幕存在亮度均匀性和残像等问题，外部补偿成为解决这些问题的重要手段。而外部补偿需要外挂 NOR Flash 来存储补偿数据和程序代码，这直接带动了 NOR Flash 的市场需求。为了应对 AMOLED 屏幕技术的不断升级和更高精度补偿的需求，NOR Flash 厂商也在不断进行技术升级和产品迭代，以满足市场需求。根据 CINNO Research 统计数据显示，2023 年全球市场AMOLED智能手机面板出货量约 6.9 亿片，同比增长 16.1%，其中第四季度出货量同比增长30.9%，环比增长35.1%。随着 AMOLED 在智能手机中渗透率的提高，AMOLED 出货量持续增长，进而带动NORFlash的需求量大幅增加。
汽车电子对 NOR Flash 的寿命和可靠性要求极高，这是确保车辆长期稳定运行的关键。汽车电子对产品 10 年以上的使用寿命周期要求 NOR Flash 能够承受长时间的持续工作和频繁的读写操作，而不出现性能下降或失效。NOR Flash 在汽车电子中的工作环境温度范围广泛，可达-40℃～125℃。这一温度范围涵盖了从寒冷的冬季到炎热的夏季，以及车辆在不同气候条件下的运行场景。随着车载娱乐系统和 ADAS 系统对高清图像、视频处理能力的需求提升，或将需要更大容量的 NOR Flash 来存储启动代码、操作系统、应用程序以及高清地图数据等。 根据中汽协、华经产业研究院数据显示，2020 年中国ADAS 市场规模突破844亿元人民币，到 2025 年，预计我国 ADAS 市场规模将达到 2250 亿元。根据CustomMarketInsights(CMI)的数据，2023 年全球高级驾驶员辅助系统 ADAS 市场规模预计为245亿美元，预计到 2032 年将达到约 811.7 亿美元，2023 至 2032 年的复合年增长率约为18.2%。在ADAS 系统渗透率方面，目前我国 ADAS 系统渗透率不高，市场成长空间广阔。关于 NOR Flash 在 5G 设备中的应用，特别是在 5G 基站初始响应和启动时的可靠性和低延时支持，以及针对 5G 基站运行环境的特殊要求： 高容量：随着 5G 技术的不断发展，基站需要处理的数据量显著增加。因此，应用在5G基站设备中的 NOR Flash 需要具备高容量，以满足基站对存储容量的需求。例如，基站AAU/BBU 需搭载 6-10 颗 512M-2GB NOR Flash。
高性能：NOR Flash 需要具有快速的数据传输能力和高效的读写性能，以确保基站能够迅速处理大量数据，提高整体运行效率。 高可靠性：鉴于 5G 基站对系统稳定性和可靠性的高要求，NOR Flash 必须具备高耐用性和数据保留能力，以确保数据的完整性和准确性。 随着 5G 基站建设量的不断增加，大容量 NOR Flash 的需求或将显著增长。根据工信部数据，截至 2025 年 2 月末，中国 5G 基站总数突破 432.5 万个，占移动基站的34.1%。随着三大运营商对 5G 基站建设的持续投入，NOR Flash 的市场需求或将更加旺盛。
2.1.4.Nor Flash 的独特性带来的不可替代性
NOR Flash 的独特优势，正是其不可替代性的核心所在，据中国存储网整理，以下这些优势深刻影响着它在特定应用领域的选择与应用。 高速读取能力：NOR Flash 以其卓越的读取速度著称，这一特性使得它在需要快速响应的应用场景中表现尤为出色。相较于 NAND Flash，NOR Flash 的读取延迟更低，数据访问速度更快，这对于要求即时响应的系统（如嵌入式控制系统、实时操作系统RTOS等）至关重要。 直接执行代码（XIP）：NOR Flash 的另一大亮点是其支持在芯片内部直接执行代码（XIP）。这意味着应用程序可以直接从 NOR Flash 中运行，无需先将数据加载到系统RAM中，从而减少了数据搬运的开销，提升了系统启动速度和运行效率。这对于资源受限的嵌入式系统而言，是极为宝贵的特性，因为它能够显著减少系统对 RAM 的依赖，降低整体系统成本。简单的外围电路设计：NOR Flash 的接口相对简单，与微控制器（MCU）等主设备的连接更为直接和高效。这种简单的外围电路设计不仅降低了系统设计的复杂度，还提高了系统的可靠性和稳定性。对于追求高效、稳定运行的嵌入式系统而言，NORFlash的这一优势尤为重要。 成本效益在中小容量段显著：在中小容量范围内，NOR Flash 具有较高的成本效益。尽管随着容量的增加，其单位容量成本会逐渐上升并超过 NAND Flash，但在许多中小容量的应用场景中（如特定的嵌入式设备、工业自动化控制单元等），NOR Flash 仍然是更为经济合理的选择。
2.1.5.大容量 Nor Flash 正逐渐成为市场主流
NOR Flash 的发力点： 1）制程优化：随着半导体技术的不断进步，NOR Flash 制造商正致力于制程技术的优化，以提高产品性能、降低功耗并增加存储容量。制程的升级不仅有助于提升产品的竞争力，还能更好地满足市场对高性能、低功耗存储解决方案的需求。2）大容量占比提升：256Mb 及以上的大容量 NOR Flash 正在逐渐成为市场主流，主要得益于车用及工控领域对大容量存储的强劲需求。随着自动驾驶、智能网联汽车以及工业4.0的快速发展，这些领域对存储容量的要求不断提高，为 NOR Flash 的大容量产品提供了广阔的市场空间。 3）发展车规级产品：汽车电子是 NOR Flash 的一个重要增长点。随着汽车智能化、网联化的推进，车载电子系统对存储的需求日益增加。NOR Flash 凭借其高速读取、直接执行代码等优势，在车载娱乐系统、自动驾驶控制单元等领域具有广泛应用前景。因此，发展符合车规级标准的产品，或将是 NOR Flash 制造商的重要发力方向。NOR Flash 的行业格局与驱动力： 1）竞争格局稳定：NOR Flash 市场集中度较高，有少数几家企业占据主导地位。兆易创新作为全球 NOR Flash 市场的领先企业之一，其市场份额持续稳定提升，显示出强大的竞争力和市场影响力。 2）新兴应用成为主要驱动力：物联网、TWS 耳机、AMOLED、TDDI、车载电子等新兴应用领域的快速发展，为 NOR Flash 市场注入了新的活力。这些领域对高性能、低功耗、高可靠性的存储解决方案有着迫切需求，为 NOR Flash 制造商提供了广阔的市场机遇。3）大容量趋势明确：随着技术的不断进步和应用场景的不断拓展，大容量NORFlash的需求或将持续增长。特别是在车用及工控领域，大容量存储已成为标配，这有望进一步推动 NOR Flash 市场向大容量方向发展。
2.2.NAND Flash 周期成长，公司SLC NAND 产品丰富
NAND 闪存颗粒根据存储原理分为 SLC、MLC、TLC 和QLC。根据联乐实业数据，SLC（Single-Level Cell）每单元可存储 1 比特数据(1bit/cell)，性能好、寿命长，只存在0和1两个充电值，可经受 10 万次编程/擦写循环，但容量低、成本高；MLC（Multi-Level Cell）每单元可存储 2 比特数据(2bits/cell)，性能、寿命、容量、成本各方面比较均衡，可经受1万次编程/擦写循环，现在只有在少数高端 SSD 中可以见到；TLC（Trinary-Level Cell）每单元可存储 3 比特数据(3bits/cell)，性能、寿命变差，只能经受3 千次编程/擦写循环，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是当前最普及的；QLC（Quad-Level Cell）每单元可存储 4 比特数据(4bits/cell)，性能、寿命进一步变差，只能经受1000 次编程/擦写循环，但是容量更容易提升，成本也继续降低。
NAND 全球市场高度集中、竞争加剧。根据 CFM 闪存、中商产业研究院信息，2023年NAND FLASH 全球市场份额前三企业分别为三星、海力士、铠侠，市场份额合计达69.1%，市场份额分别为 32.7%、18.4%、18.0%。西部数据和美光市场份额分别为14.9%、10.8%。2023 年 3 月，铠侠和西部数据宣布推出 218 层 3D NAND 闪存。2024 年4月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，有助于巩固其在NAND 闪存市场的卓越地位；美光宣布其 232 层 QLC NAND 已经量产，并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘（SSD）中出货。同年 5 月，SK 海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI 的移动端NAND闪存解决方案产品 ZUFS（Zoned UFS）4.0。此外，其他存储厂商也在持续发力探索。SLC NAND 具有硬性市场需求保障。SLC NAND 与其他的NAND Flash 相比，具有更高的可靠性、擦除性和带宽优势，在安防、工控等要求高可靠性、对成本相对不敏感的领域的使用范围较广泛。同时，就技术角度而言，SLC NAND 也是探索大容量NAND的必经之路。因此 SLC NAND 市场规模或将持续稳定发展。
系列涵盖1GB-8GB,料号数量稍降，2022年实现0车规突破。NANDFlash分为串行(SPI)和并行(Parallel)两种，串行即每次传输 1 bit，并行即每次传输多位。兆易NAND产品使用38nm 和 24nm 制程，容量涵盖 1Gb-8Gb，覆盖串行和并行两种接口，同时包含车规产品。非车规产品:容量覆盖上，SPI NAND 容量覆盖 1Gb/2Gb/4Gb，三种容量占比均衡。并口NAND 容量覆盖 1Gb、2Gb、4Gb、8Gb。车规产品:兆易创新2022 年发布车规NAND，容量 1Gb、2Gb、4Gb，2024 年产品手册中，车规级 1Gb/2Gb/4Gb 的料号数量均为2颗，2025年车规级各料号数量均上升 1 颗。
2.3.协同长鑫布局利基 DRAM，业务持续高增长
致力于自研 DRAM 产品组合的持续丰富，以满足不同市场的需求。兆易创新在DRAM领域取得了显著进展，其 DRAM 产品可广泛应用在智慧家庭、工业、车载影音系统等领域。公司在 DRAM 产品上，继续丰富产品线，积极拓展 DDR3、DDR4 系列。2023年公司推出DDR3 4Gb、2Gb 产品，并持续进行客户导入和良率提升。到2023 年底，DDR34Gb、2Gb产品已实现大规模量产，在 2024 年实现批量出货并贡献营收。2024 年，DDR48Gb产品已流片成功，并已为客户提供样片，以 4Gb/8Gb 容量为市场提供广泛的应用选择。后续公司会继续研发 LPDDR4 产品，预计到 2025 年，公司 DRAM 产品或能覆盖主要利基市场需求，并实现量产供应。
2.3.1.竞争格局：国际大厂垄断主流市场，国产厂商根植利基市场
海外企业垄断全球大容量存储芯片市场。国外厂商凭借先发优势以及在终端市场更有力的品牌效应，占据了大部分的市场份额，行业头部厂商三星电子、美光科技、海力士垄断了全球 95%以上的 DRAM 内存市场，已经在各自专注的大容量DRAM领域形成了寡头垄断的竞争格局。据 TrendForce 数据表明，2024 年四季度全球 DRAM 内存市场份额，三星的份额为 39.3%，SK 海力士的份额为 36.6%，美光的份额为 22.4%，这三大厂商合计份额为98.3%。中国台湾厂商成为利基型 DRAM 主体。公司所处的利基型DRAM市场主要企业为南亚科技和华邦电子，华邦电子计划在 2025 年下半年将其制造工艺从现有的20nm升级至16nm，主要用于生产 4Gb DDR3 和 DDR4 的产品，以面对成熟 DDR3 产品需求衰退。南亚科技增加 2025 年 DRAM 产能供给，持续提高 HBM 和 DDR5 占比，持续去化常规DRAM产品库存。
利基型市场竞争格局优化，国内厂商迎来洗牌机遇。总体来看，利基型市场竞争格局较为分散。在存储芯片周期性下行的市场大环境下，国际大厂有望缩减利基型产品的研发投入，减小利基型产品的生产规模，转为生产毛利更高、销量更大的大容量存储产品，各大厂商的生产重点逐渐转向 DDR5 和 HBM。SK 海力士于 2023 年年底停止供货DDR3，并于2024年第三季度将 DDR4 的生产比重降至 30%，第四季度降至 20%。三星于2024年第二季停产DDR3，并持续减少 DDR4 产能，转向 DDR5 与 LPDDR5 等高阶产品。中国台湾厂商有望出现转单效益，亟待抓住海外企业淡出利基舞台的替代性机遇，重新洗牌市场格局。同时，在贸易冲突和美国芯片制裁加剧的时代特色背景下，国产替代化日益成为国内存储芯片行业反制裁的成长必经之路，对供应链安全的日益重视或将使下游国内客户更多地选择与大陆厂商合作，国内利基型存储厂商的市场份额有望进一步提升，优化市场竞争格局。
2.3.2.与长鑫存储持续稳定合作，共同推进存储器业务领域发展
国内领军企业，向对标海外巨头推进。长鑫存储作为目前国内少有实现规模量产的DRAM 制造厂，已成功量产 DDR4 相关产品，面向服务器、PC 等主流应用，制程包括17nm及 19nm，同时长鑫存储也在有序研发更先进制程的产品，持续缩小与海外巨头水平的差距。
兆易创新与长鑫存储合作历程已久、关系极为密切： 2017 年 10 月与合肥产投签署合作协议，合作开展 19nm 的12 英寸存储器（含DRAM）研发，约定研发生产 DRAM 产品优先供兆易创新销售，优先承接公司DRAM代工需求；2019 年 4 月与合肥产投、长鑫集成（前述项目实施主体）签署协议，约定以可转债方式对项目投资 3 亿元； 2020 年 3 月与长鑫存储签署框架协议，进行采购 DRAM 产品、接受代工服务、产品联合开发平台合作三项关联交易； 2021 年 2 月继续签署框架协议，进行采购 DRAM 产品、产品联合开发平台合作；2022 年，与长鑫存储关联交易 8.7 亿元，其中代销 DRAM 采购产品6.1 亿元，自有品牌采购代工 2.6 亿元； 2023 年，与长鑫存储关联交易 7.7 亿元，其中经销 DRAM 采购产品4.05亿元，自有品牌采购代工 3.62 亿元，自有品牌采购代工金额同比增长 38.7%；预计 2024 年与长鑫存储关联交易自有品牌 DRAM 相关采购代工9.95 亿元，同比增174.9%。
2.3.3.DRAM 产品料号丰富，产品品类不断拓展
2021 年首款自有品牌 DRAM 产品 4Gb DDR4 GDQ2BFAA 正式发布，面向机顶盒、电视、监控、网络通信、平板电脑、智慧家庭、车载影音系统等诸多领域，充分满足消费电子产品的主流需求，标志着兆易创新成功将业务触角延伸到了DRAM这一主流存储市场。当前公司已出台 DDR3L 共 24 种型号，涵盖 1GB/2GB/4GB 存储容量，任选X8/X16数据接口，速率最高可达 2133Mbps；同时公司推出 24 款 DDR4 产品型号，容纳4Gb/8Gb存储容量需求，支持 x8/x16 数据接口，读写速率最高可达 3200Mbps；公司持续布局更大存储容量、更高速率的 LPDDR4X，覆盖 2Gb/3Gb/4Gb 容量，速率可高达4266Mbps，全方位产品助力开辟更多行业可能。
2.4.MCU：国产 32 位 MCU 龙头，国产替代空间广阔
2.4.1.MCU 市场稳步增长，工规、车规占比高
MCU 即 Micro Controller Uni（t 微控制器）的简称，又称单片机，是把CPU、RAM、ROM、计数器、串口等周边接口都集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机，为不同应用场合做不同控制功能，是各类电子设备的控制核心。
Yole 研究报告显示，2023 年 MCU 全球市场规模约 229 亿美元，预计2022-2028年年均复合增长率为 5.3%，2028 年市场规模达 320 亿美金。WSTS 预计全球MCU市场2024、2025 两年温和增长，增速分别为 1.6%、5.2%。 MCU 作为各类电子设备的控制核心，其下游应用广泛。根据观研天下数据，2023 年我国 MCU 下游应用最广为消费电子，占比27%；MCU 也同样广泛应用于汽车电子与工控，占比分别为 24%、23%。
2.4.2.32 位产品占据 MCU 市场主导
MCU 全球市场向好，32 位占主导地位。根据尚普咨询集团数据显示，2022年全球MCU市场规模突破 220 亿美元，增速达到 10%以上。32 位 MCU 仍然占据主导地位，占比超过60%。车用 MCU 是市场的亮点，根据群智咨询预测，2024 年全球汽车MCU市场规模约为109 亿美元，同比增长 8.3%。未来随着物联网发展及汽车电动化趋势深化，全球MCU市场规模有望伴随下游需求市场的不断扩大实现持续增长。根据前瞻产业研究院推算，2022年中国 MCU 市场规模约为 390 亿元，同比增长 6.8%，预计 2028 年将突破至585亿元。目前MCU 芯片正经历从 8 位、16 位向 32 位架构的转变，这一转变带来了性能的大幅提升和能耗的显著降低。32 位适用于计算量稍大的产品，如汽车电子及工业控制领域等。从全球范围内看，32 位 MCU 因其高效率、高精度、低功耗以及广泛的适用性，逐渐成为市场主流。根据Gartner 统计，2020 年，全球 32 位和 8 位 MCU 市场规模占比分别为59%和23%，其次为16 位 MCU（17%）。
汽车是 MCU 最大市场，在新型汽车领域扮演重要角色。从市场规模看，2022年汽车在MCU 占比攀升至近 40%，持续保持领先应用的地位，应用于诸如车体控制、仪表盘、车载信息娱乐系统（IVI）、通信系统、高级安全系统、ADAS 自动驾驶、车窗控制、电动座椅、倒车雷达和钥匙等。一辆电动汽车上的 MCU 数量目前可达几十颗，将来可能会有上百颗。Global Market Insights 数据显示，2020 年全球汽车电子市场规模超过2,400 亿美元，预计从 2021-2027 年 CAGR 将超过 6%。根据电子工程世界资料显示，全球汽车MCU市场在2027年或将达到 155.6 亿美元。 根据 Omdia 数据，从不同位数在 2021 年汽车 MCU 市场的收入占比看，8/16/32位分别占比 7%/22%/71%；从出货量占比看，8/16/32 位分别占比19%/36%/45%。32位收入占比71%，出货量占比 45%，由此推断 32 位 MCU 价值最高。
2.4.3.公司 MCU 产品布局全面，业务领先
公司拥有中国最大的 Arm MCU 产品家族，专注于 32 位MCU 产品的研发，产品线布局不断完善。经过多年的积累，兆易创新拥有极为丰富的 MCU 产品种类，实现了高性能、主流性、入门级、低功耗、无线、车规、专用产品的全面覆盖，公司截至2023 年底累计出货量超过 15 亿颗。这种全面的产品线布局使得兆易创新能够满足不同用户和应用场景的需求，拓展下游市场。MCU 产品领域，据 Omdia 统计全球 MCU 市场排名情况，2020年度公司排名第 13 位，2022 年度公司市场排名大幅提升至全球第 7 位。公司是中国品牌排名第一的32位 Arm 通用型 MCU 供应商。
GD32 MCU 家族规模不断扩大，业务持续扩展。根据公司公告，GD32 MCU家族已有51 个系列，600+款料号，覆盖了中高低端市场，产品线布局完善。GD32 系列MCU分为Arm内核和 RISC-V 内核两大类，其中 Arm 内核包括 M3、M4、M23、M33 等多种型号，高性能M7 产品也在研发中。这种多样化的内核选择满足了不同应用场景下的性能需求。根据2024年半年报，公司新推出基于 Arm® Cortex®-M33 内核的 GD32F5 系列高性能MCU，全面适配于能源电力、光伏储能、工业自动化、PLC、网络通讯设备、图形显示等应用场景。在工业、消费电子等领域，推出 GD32E235 系列超值型 MCU，进一步扩充Cortex®-M23内核产品阵容。在智能表计等低功耗需求领域，推出 GD32L235 系列低功耗MCU。在汽车领域，车规级产品和生态不断升级，与业界领先的嵌入式软件开发工具供应商TASKING达成战略合作，进一步丰富 GD32 车规 MCU 软件开发工具链。工控市场：工控成为兆易创新 MCU 的主要营收来源。兆易创新的MCU产品在工业控制领域得到了广泛应用，为智能制造和自动化的发展提供了有力支持。车规市场：兆易创新正有序布局车规市场，推出了多款符合车规级标准的MCU产品。这些产品具有主流型配置、优异特性和配套的产品级软件，为汽车电子电气化发展提供了可靠的解决方案。 其他领域：兆易创新的 MCU 产品还广泛应用于物联网、消费电子、医疗电子等多个领域，展现了其强大的市场适应性和竞争力。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
