（一）全球最大氮化镓功率半导体 IDM，全电压产品矩阵重塑三代半竞争格局
第三代半导体国产化标杆，全球氮化镓龙头地位稳固。英诺赛科自 2017 年 7 月成立以来 专注于氮化镓（GaN）相关产品，并在 2024 年 12 月成功于港股主板上市。公司是全球 唯一覆盖 15V-1200V 全电压谱系的氮化镓功率半导体供应商，其主要产品包括氮化镓晶 圆、分立器件、集成电路及模组三类，产品矩阵涵盖消费电子快充、数据中心电源、新能 源汽车电驱等核心场景，获得市场的广泛认可，与 OPPO、VIVO、安克创新、绿联、速 腾、禾赛等多家应用头部企业开展合作。凭借卓越的技术实力与市场表现，据弗若斯特 沙利文数据，2023 年公司以 33.7%的全球收入份额居氮化镓功率半导体行业首位。
五条核心产品线，全面覆盖高频高效、小型化等全场景。英诺赛科主要包括五条核心产品 线，包括 HV GaN HEMT（高压氮化镓高电子迁移率晶体管）、LV GaN HEMT（低压氮化镓 高电子迁移率晶体管）、VGaN（垂直氮化镓器件）、SolidGaN（集成化电源模块）以及驱动 芯片。
IDM 模式构筑核心壁垒，产能与成本优势全球领先。公司采用 IDM 模式，研发设计、制 造、封测等多个产业链环节均实现自主把控。依托苏州和珠海两大生产基地，截至 2024 年末公司氮化镓月产能已达 1.3 万片晶圆，良品率超 95%，且公司计划未来五年内将产 能提升至 7 万片。作为全球首家实现 8 英寸硅基氮化镓晶圆量产的 IDM 企业，其晶圆晶 粒产出数相较于 6 英寸晶圆提升了 80%，单颗芯片成本则降低 30%。稳定的供应能力和 优异的良率优势助力公司把握市场机遇，有望进一步提升市场份额，加速实现盈利拐点。
IPO 募资约 13.02 亿港元，资金用途聚焦第三代半导体氮化镓产业的规模化扩张与高端 化战略。公司于 2024 年 12 月完成港股 IPO，从募投规划看，资金主要将用于三方面。 （1）8 英寸硅基氮化镓晶圆产线升级及设备采购：60%资金计划投向 8 英寸硅基氮化镓 （GaN-on-Si）晶圆产线升级及设备采购，目标未来五年内将月产能从当前基数提升至 70,000 片，规模化生产有望摊薄成本、强化定价权。（2）产品矩阵及份额拓展：20%资金 用于产品矩阵拓展及渗透率提升，契合 AI 电源、车规级高压器件等高附加值领域需求机 会；10%资金用于海外分销网络扩张，加强全球市场空间突破。（3）流动资金：剩余 10% 补充流动资金。
（二）公司股权结构多元，核心团队产业积淀深厚
创始人控股+战略资本协同，员工激励绑定核心团队。股权结构相对多元化，包括了创始 人团队、风险投资机构以及战略投资者等多方参与。上市后，公司实控人为 WeiWei Luo 博士，直接持股 5.59%。核心股东包括招银系、苏州吴江产投、SK China 等战略投资者。 员工激励方面，公司通过英诺芯、芯生大鹏、Inno HK 三个持股平台覆盖研发及核心技术 人员，有效绑定人才，促进公司长期发展。
核心高管团队具有国际化技术背景及丰富产业经验，引领技术商业化落地。创始团队以 Weiwei Luo 博士为核心，其曾任美国 NASA 首席科学家，主导公司“GaN+8 英寸+IDM” 的战略决策规划。首席执行官吴金刚先生、负责研发的副总倪景华先生及负责制造的副 总经理李新华均曾就职于中芯国际，具有扎实的半导体行业相关经验。核心技术团队汇 聚加州伯克利分校 Jay Hyung Son，前英特尔首席工程师、广东晶科电子创始人陈正豪博 士、北大物理学博士汪灿等。管理层兼具学术创新与产业化落地能力及经营，推动公司 专利数 793 项（含 406 项已授权），并实现从实验室到量产的快速转化。
（三）营收高增&加速减亏，有望跨越 IDM 重资产模式盈利拐点考验
营收高增印证成长动能，规模效应显现有望迎来盈利拐点。据弗若斯特沙利文数据，自 2019 年至 2023 年，全球氮化镓功率半导体市场规模从 1.39 亿元迅速扩张至 17.60 亿元， 实现了 88.5%的年均复合增长率。受益于市场渗透率提升、下游应用场景多元化拓展及 客户黏性增强，公司业绩进入高增长轨道。2021-2024 年营收从 0.68 亿元跃升至 8.28 亿 元，CAGR 达 129.9%。
规模效应逐步释放，亏损收窄趋势明确。随着公司生产规模扩大带动的规模效应渐显， 以及降本增效措施带动 2024 年单位制造成本下降近 40%，公司毛利率持续大幅改善。公 司毛利率由 2023 年的-61.6%缩减至 2024 年-19.5%，提升 42.1pct。23 年亏损收窄显著， 净亏损 11.02 亿元，同比缩窄 50%，2024 年进一步降至 10.46 亿元。作为采用 IDM 模式 的企业，公司在发展初期面临较大的折旧摊销压力，同时需要持续投入研发资金及市场 拓展费用。近年来，随着产能持续扩张带来的规模经济效益显现，公司盈利能力得到显 著提升，有望快速迎来盈利拐点。
公司三大类产品结构，晶圆/分立器件业务系核心增长极。公司收入结构优化路径清晰， 2023 年模组业务作为技术协同突破口实现从“0 到 1”突破，全年贡献收入 1.90 亿元（占 比 32.1%），印证前期客户联合研发及场景化验证成效；2024 年业务重心加速向高壁垒环 节倾斜，模组/晶圆/分立器件及集成电路收入占比调整为 22.2%/33.9%/43.5%，晶圆与分 立器件合计占比 77.4%，奠定收入增长主引擎地位。
业务收入主要集中在中国内地地区，客户集中度高。公司营收高度依赖中国内地市场， 国际市场份额处于稳步渗透早期阶段。2021-2023 年及 2024 年上半年，中国内地收入占 比分别为 99.7%、95.4%、90.2%及 89.5%。公司客户集中度较高，2023 年前五大客户收 入占比达 56.3%，其中第一大客户贡献收入 32.1%，主要采购车规级氮化镓模组用于新能 源汽车电池管理系统。公司在努力拓展国际市场并减少对单一市场的依赖，但其短期内 的营收仍将显著受到中国内地市场及关键大客户表现的影响。
运营效率持续优化，期间费用率呈现显著改善趋势。2021-2024 年，公司运营开支（含研 发、销售、行政）占收入比重从 1274.3%降至 105.3%，核心驱动因素包括：1）收入规模 快速扩张（2021-2024 年 CAGR 达 129.9%）摊薄费用占比；2）销售费用率从 41.7%压缩 至 11.8%，反映渠道复用与客户黏性增强；3）行政费用率从 263%降至 54%，管理效率 提升明显。
高投入构建技术壁垒，国际化团队配置形成协同网络。截至 2024 年 6 月，研发人员达 304 人，占总员工 27.6%，其中超 40%拥有硕士及以上学历，平均从业经验 8 年。公司积 极布局国际研发资源，欧洲团队主攻器件研发及可靠性评估；北美团队致力于产品和驱 动芯片设计；亚洲团队分为两部分：韩国团队与北美团队协作，专注于驱动芯片设计； 中国团队主要负责新技术平台的规划与开发，制定研发标准并优化管理体系。全球研发 团队整合各地优势，助力加速技术创新和产品开发。
（一）第三代半导体氮化镓，高频高效特性突破技术临界点
1、三代材料对比：性能代际跃迁，场景分化明确
半导体材料历经三代跃迁，核心差异在于禁带宽度。第一代半导体材料发明并使用于 20 世纪 50 年代，以硅（Si）、锗（Ge）为代表，构成了一切逻辑器件的基础；第二代半导 体材料发明并使用于 20 世纪 80 年代，主要是指化合物半导体材料，以砷化镓（GaAs）、 磷化铟（InP）为主要代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌 （ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度 Eg>3.4eV）的半导体材料。 其中又以 SiC 和 GaN 为最核心的材料。 1） 第一代半导体（Si、Ge）：以硅为核心，禁带宽度 1.1eV，适用于逻辑芯片、存储器等 传统电子领域，成本优势显著但高频、高压性能受限。 2） 第二代半导体（GaAs、InP）：禁带宽度 1.4eV，高频特性优异，主导射频通信、光电 子市场，但耐高温、大功率能力不足。 3） 第三代半导体（SiC、GaN）：禁带宽度超 3.4eV，击穿电场强度达 3.3MV/cm，耐压、 高频、高温性能显著提升，其中氮化镓的带隙、击穿场强、饱和电子速率、电子迁移 率等指标高于碳化硅，主要用于消费电子产品、电动汽车、数据中心、储能、光伏、 5G 通信及其他工业等领域。
氮化镓和碳化硅同属第三代宽禁带半导体，但技术特性和应用方向各有侧重。性能维度 上，GaN 基于横向晶体管结构，从下到上分为衬底（substrate）、缓冲层（buffer）、GaN 外延层（epitaxy）与 AlGaN 势垒层（barrier）；主攻 80-650V 中低压领域，其高频开关特 性（可达 MHz 级）能显著降低损耗，在空间受限的场景（如数据中心电源）中实现高功 率密度；而 SiC 采用垂直晶体管架构，栅极可靠性更优，适配 650V 以上高压场景，高温 工况下性能尤为突出。应用场景方面，SiC 凭借高阻断电压能力主导光伏逆变器、电网传 输等高压高功率领域；GaN 则以高频优势领跑消费电子、服务器电源等高频高效市场。
传统硅基材料接近极限，宽禁带材料引领半导体代际革命。传统硅基半导体发展成熟， 几乎接近硅材料的工艺极限。随着第四次全球工业革命推动电子及人工智能驱动应用的 快速增长，各行业对高效、经济电力供应设备的需求持续上升。氮化镓（GaN）作为第三 代半导体材料，凭借高频操作、高电子迁移率、强辐射抗性、低导通电阻及无反向恢复 损耗等显著优势，得以有效降低能量损耗，提高能源转换效率，减少系统成本和器件尺 寸，成为功率半导体行业变革的关键力量。
2、非消费类 GaN 应用驱动规模高速增长，竞争格局高度集中
GaN 功率器件正从消费电子领域向高功率、高可靠性应用快速渗透。早期受限于外延材 料缺陷及成本瓶颈，GaN 主要应用于射频等利基市场。2018 年 Anker 首款 GaN 快充问 世，GaN 功率器件开始逐步应用于消费电子市场。随着 GaN 耐压能力突破 650V，其应 用场景逐步从消费电子扩展至数据中心、汽车等领域。据湾区芯谷援引集邦咨询《2024 全球 GaN Power Device 市场分析报告》，全球 GaN 功率元件市场非消费类应用比例预计 会从 2023 年的 23%上升至 2030 年的 48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心增 量市场。
GaN 功率半导体市场高速扩容，十年超二十倍成长赛道开启。2023 年全球 GaN 功率半 导体市场规模约 18 亿元，仅占功率半导体整体市场的 0.5%。随着车规级产品量产、光 伏储能降本需求迫切及 AI 算力基建升级，GaN 行业渗透率加速跳升。据弗若斯特沙利文预测，2024-2028 年 GaN 功率半导体市场规模年复合增速将达 98%，2028 年全球规模或 突破 500 亿元，占功率半导体份额跃升至 10.1%，十年内市场实现超二十倍扩容。
全球氮化镓功率半导体市场竞争格局高度集中，公司份额全球第一。据弗若斯特沙利文 数据，2023 年前五大氮化镓半导体厂商合计占据全球 92.8%的市场份额。尽管欧美厂商 具有技术先发优势，英诺赛科后来居上，截至 2023 年，以 33.7%的销售份额位居市场首 位。从中长期来看，随着市场应用的逐步扩展、一体化供应及成本诉求，英诺赛科、英飞 凌等 IDM 模式厂商的市场话语权将得到显著增强，有望占据主导地位。同时，中国本土 智能终端、新能源汽车及工业自动化等领域渗透率及国产化率逐步增强，或将进一步释 放本土氮化镓需求。
产业链涉及晶圆制备、设计、器件制造等多个环节，IDM 模式主导。从产业链来看，GaN 功率半导体上游参与者为原材料及设备供应商，包括衬底(Si、GaN 单晶衬底、SiC、蓝宝 石等)、设备及其他材料供应；中游制造主要主体为氮化镓功率半导体厂商，工序包括外 延生长、器件设计、器件制造、封测等，其中 IDM 为主要业务模式，以设计和流程整合实现协同效应，为客户提供定制解决方案并确保扩大规模后的产能及供应；下游为应用 场景，包括但不限于光伏及储能、消费电子、电动汽车、数据中心等。
氮化镓功率半导体成本竞争力凸显，有望持续渗透下游应用。硅作为第一代半导体材料， 虽具一定成本优势，但是能源效率方面不及氮化镓功率器件，在整体解决方案的尺寸、 能耗和生产成本方面不具优势，因此未来氮化镓功率器件与硅基功率器件之间的成本差 异有望逐渐缩小，其高可靠性和稳定性也能够降低产能的后续维护和更换成本。此外， 随着氮化镓功率半导体的技术迭代和产量扩大，单位制造成本有望持续下降（8 英寸生产 线的单颗芯片成本比 6 英寸低 30%）。
（二）氮化镓各领域需求爆发，数据中心&机器人&汽车接力成长
1、消费电子：端侧 AI 带动快充需求高增，氮化镓器件空间持续扩大
AI 手机渗透率迅速攀升，有望带动智能手机换机趋势。据赛迪顾问数据，2023 年全球新 型 AI 手机的出货量约 5000 万部，预计 2024 年 AI 手机的出货量或将达到 1.5 亿部，占 全球智能手机总出货量 13%，AI 手机渗透率持续提升。到 2027 年，全球 AI 手机销售量 将超过 5.9 亿部，占全球智能手机总出货量的比重超过 50%。在中国市场方面，据 IDC 数据，中国 AI 手机出货量预计在 2027 年达到 1.5 亿部，市场渗透率将超过 50%。
端侧 AI 需更高算力支撑，推动消费电子充电功率和电池容量提升。据 Counterpoint Research 统计，2023 年 Q1 全球智能手机快充 80%以上超过 10W，平均功率超 34W；中 国智能手机品牌平均快充超过 50W，65W 以上快充充电器成为国产高端手机绝对主流， 智能手机市场正快速普及快充技术来应对 AI 功能加入对手机充电功率的更高要求。在 电池容量方面，AI 手机运行大量复杂的程序和算法，为了缩短充电时间，提高充电效率， 更高的充电功率成为必然选择。 搭载 AI 功能的手机充电配置升级，未来 AI 手机渗透有望进一步驱动充电功率提升。以 华为 Mate 系列为例，Mate 系列各款机型的电池容量逐年增加，华为 Mate60（2023 年） 较上一代产品的电池容量最高有约 6.4%的提升。华为 Pro 款机型的充电功率在 2022- 2024 年间大幅提升，Mate60 Pro 的充电功率提升幅度为 33.3%，Mate70 Pro 的提升幅度 为 13.6%，充分体现端侧 AI 发展对智能手机电池容量和充电功率提升的推动作用。
智能手机快充技术持续迭代，行业正迎来材料革新拐点。据快科技，当前终端快充功率 已从 5W 跃升至 240W，realme 最新 300W 闪充方案进入测试阶段（5 分钟满电），核心 驱动逻辑在于：1）用户碎片化充电场景痛点；2）超大容量电池普及（如努比亚红魔 10 Pro+搭载 7000mAh+电池组）。传统硅基材料受制于开关损耗/体积等物理极限制约，难 以适配高压高流趋势。在相同成本的情况下，使用氮化镓解决方案可将 USB-PD 充电器 的体积和重量缩减约 70%，或将充电功率提高约 50%，显著提升充电速度。在智能手机 主板中，氮化镓解决方案能够将电路板面积减少 75%，并将峰值功率器件损耗降低 40% 至 50%。
叠加端侧 AI 对功率需求提升，氮化镓器件的成长空间持续扩大。受消费者偏好潮流及市 场竞争驱动，下游消费电子厂商日益青睐更加集成化、智能化、节能降本的功率芯片。 氮化镓器件作为消费电子核心场景的关键技术，受益于快充小型化、电源模块高密度化 趋势，叠加终端功率需求提升，行业成长空间持续拓宽。
2、数据中心：大模型迭代引领算力需求高涨，GaN 高效性能催化加速落地
大模型加速迭代，算力需求持续高涨。2023 年现象级应用 ChatGPT 引发新一轮 AI 浪潮， 大模型加速迭代，算力需求爆发。据中国信通院《中国算力发展指数白皮书（2023）》，以 GPT 大模型为例，GPT-3 的模型参数约为 1746 亿个，训练一次需要的总算力约为 3640 PF-days，即以每秒一千万亿次计算，需要运行 3640 天；而 GPT-4 参数量可能达到 1.8 万 亿个，训练算力需求上升至 GPT-3 的 68 倍，在 2.5 万个 A100 上需训练 90-100 天，训练 端对算力需求呈现指数型增长。在人工智能、云计算和加密货币等应用的强劲需求推动 下，弗若斯特沙利文预测全球算力规模将从 2023 年的 1,494.9EFlops 增长至 2028 年的 18,282.3EFlops，复合年增长率达 65%,其占全球电力需求的比例预计将从 2023 年的 1.4% 增至 2028 年的 9.4%。 数据中心算力需求逐年提高，催化氮化镓功率半导体在数据中心领域落地。据弗若斯特 沙利文数据，全球数据中心氮化镓功率半导体市场规模将从 2023 年的 0.7 亿元增长至 28 年的 14.62 亿元，CAGR 达 84%。
电源转换效率是数据中心电力消耗的核心限制因素，GaN 高效特性可大幅降低电力浪费。 在典型的数据中心内，必须由功率器件实现电力的多级转换，在初始阶段，在数据服务 器内由功率器件将高压交流电转换为中压直流电，然后由功率器件将中压直流电转换为 低压直流电向 GPU 供电。因此，功率器件对于数据中心的稳定、高效运行至关重要，更 高功率密度的功率器件，可以让 GPU 的计算更加高效。限制数据中心电力大幅增长的一 个关键因素是电源转换效率，传统的硅基电源转换效率较低，导致了高达 10%的功率损 耗。电源转换效率每提高 1%，就能节省数亿元人民币的电力消耗，GaN 基电源的更高 效率能够帮助消除这种浪费。
3、工业&机器人：可实现精准控制并减少开关损耗，有望主导机器人领域
储能装机高增叠加 5G 基建放量，GaN 功率器件迎增长窗口。随着全球储能渗透率提升 及 5G 基站建设加速，电力消耗需求显著增长。据弗若斯特沙利文预计，2028 年全球储 能电池年装机量将达 1,302.5 吉瓦时，2023-2028 年复合年增长率达 46.3%。GaN 技术以 效率重构储能系统经济性模型，推动替代进程加速。根据弗若斯特沙利文数据，全球可 再生能源及工业领域氮化镓功率半导体市场规模将从 2023 年的 0.89 亿元以 78%的年均 复合增速增长至 2028 年的 15.77 亿元。
机器人行业正迈入“AI 驱动+场景泛化”的爆发周期，技术迭代与商业应用共振推动全 球市场持续扩容。英伟达 GR00T N1 等 AI 大模型的规模化部署显著提升机器人感知与决 策能力，推动服务型机器人从单一功能向多场景自主协作升级。特斯拉 Optimus 人形机 器人已实现进厂打工，此外，据医疗器械创新网，截至 2022 年末达芬奇手术机器人累计 完成 1200 万例高精度微创手术。这些看似分散的里程碑事件共同佐证了智能机器人正从 “生产工具”升级为“社会生产力重构者”，其应用边界已从工业焊接、物流分拣等标准 化场景，向医疗手术、家庭陪护、核电站巡检等复杂领域全面渗透。据中商产业研究院 统计，2024 年全球人形机器人产业规模约为 34 亿美元，同比增长 57.41%。预测 2028 年 全球人形机器人产业规模将达到 206 亿美元。
氮化镓电机驱动技术有望主导市场，推动机器人设计向更高能效、更强稳定性和更优智 能化发展。近年来人形机器人应用展现出强劲增长势头，氮化镓器件的特性使其在人形 机器人应用中具有显著优势，能实现更精准的控制、减少开关损耗、尺寸更小，因此能 够满足机器人对高效能、高可靠性和小型化的需求。近期，中国"黑豹 2.0"四足机器人在 电机驱动系统上实现了革命性突破，其核心技术之一是采用了第三代氮化镓（GaN）功率 器件。据集邦化合物半导体，氮化镓器件的应用使得“黑豹 2.0”的电机驱动系统实现了 以下突破： 功率密度大幅提升：功率密度提升至 15kW/kg，达到行业新高，驱动系统更加紧凑 高效。 能效转换效率高达 95%：氮化镓器件的高频开关特性（可达 3MHz）和零反向恢复 损耗特性，有效降低了开关损耗，提升了系统效率。 控制响应延迟压缩至 2 毫秒以内：为机器人提供了更快的动态响应能力，支持其实 现 10 米/秒的极限奔跑速度。驱动系统小型化与轻量化：通过减小器件体积，氮化镓器件助力驱动系统实现了小 型化与轻量化设计。
4、汽车电子：汽车智能化大势所趋，车规功率器件持续高压/高频升级
新能源汽车持续渗透，汽车智能化大势所趋。目前，汽车行业正在经历从传统制造向科 技制造转型的过程中，新能源汽车正潜移默化淡化传统汽车的概念，也让“智能座舱”、 “第三空间”等词汇进入消费者眼球。据中国汽车工业协会数据，2015 年我国新能源汽 车销量为 33.11 万辆，2024 年新能源汽车销量为 1286.6 万辆，CAGR 达 50.18%。渗透率 方面，我国新能源汽车月度零售渗透率（当月新能源汽车销量/当月汽车销量）呈震荡提 升趋势，从 2015 年 1 月的 0.28%提升至 2025 年 2 月的 41.89%。
GaN 在汽车中应用领域广泛，主要集中在动力系统和激光雷达两个领域。（1）动力系统： 在汽车动力系统中，GaN 的应用主要集中在三个方面：更高的功率密度、更高的效率和 可能更低的系统成本。因此，车载 GaN 可应用于 DC/DC 转换器、牵引逆变器、车载充 电器 OBC、车内手机无线充电、无刷直流（BLDC）电机驱动、D 类放大器、辅助电源等 功能。（2）激光雷达方面，窄脉冲、大峰值电流、高功率的氮化镓方案的 Qg、Qoss 等参 数相比硅器件提升1.5~3倍，比早期激光雷达产品开关速度提升13倍，脉冲宽度减小1/5， 为未来 L2+/L3 辅助驾驶中远距离激光雷达识别提供高性能保障。
汽车电动化与高阶智驾渗透率提升，推动氮化镓上车进程加速。800V 电池系统落地，叠 加激光雷达、域控系统等高性能硬件需求爆发，碳化硅与氮化镓技术替代硅基方案趋势 明确，也带动全球汽车电子氮化镓市场规模逐步攀升。据弗若斯特沙利文数据，全球汽 车电子氮化镓市场规模有望从 2023 年的 0.69 亿元提升至 2028 年的 246.37 亿元，CAGR 达 224%。24 年 12 月，罗姆半导体与台积电在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙 伴关系，保障 GaN 产能问题；据 IT 之家，25 年四月罗姆再次宣布同日本车企马自达开 始联合开发采用氮化镓功率半导体的汽车零部件，争取于 2027 年度投用，有望加速 GaN 上车进程。
（一）消费电子：导入头部厂商，加强布局家电等领域构筑长期增长
公司氮化镓产品深度渗透消费电子核心场景，旗舰双向氮化镓芯片产品和技术处于国际 领先水平。氮化镓高频、高功效、开关速度快、低单位面积运作功率损耗（导通电阻）等 特性可显著提高各种消费电子产品的性能及效率、缩小尺寸。2024 年，公司 700V 氮化 镓合封芯片成功量产，集成自适应驱动电路与无损电流检测技术，显著提升了充电端的 性能表现。同时，公司将领先的产品拓展至超薄电视、空调、音频系统、厨房电器等细分 市场，应用场景不断丰富。
进入头部品牌供应链，加速市场放量+国产化进程。2019 年公司 650V 器件成功导入快充 市场即获得华硕、安克等头部品牌采用；2021 年公司双向导通产品 VGaN 率先导入 OPPO 手机，成为全球首款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片，一颗双向氮 化镓芯片可替代两颗硅 MOSFET；2022 年联合安克推出全球首款 65W 全氮化镓快充， 首次在 AC/DC 端同时采用 GaN 芯片。后续通过持续推出不同导通电阻的产品，完善产 品矩阵，公司产品进入 OPPO、Vivo、小米、安克、绿联等头部消费电子品牌供应链，其 InnoGaN 氮化镓开关管在终端产品中的规模化应用，成功打破英飞凌、纳微半导体等国 际厂商对高端氮化镓器件的长期垄断。
积极布局快充以外其他消费电子应用场景，进一步打开消费电子市场增量空间。（1）在 音频领域，公司聚焦 D 类音频功率放大器研发，通过氮化镓材料特性实现音质清晰度与 散热效率提升，同时缩减电路板，推动音频设备向高效、紧凑化演进，目前公司用于音 频系统的 100V 氮化镓产品已实现量产出货。（2）在无线充电场景，公司凭借氮化镓器件 对寄生电容与导通电阻的优化，提升开关频率并降低功率损耗，以扩大充电范围与效率， 在手机快充、智能家居及电动汽车无线充电领域形成技术壁垒。（3）针对家电领域，氮 化镓技术在空调电源中实现能效比与降噪表现的双重优化，而在电视电源中则通过散热 效率提升与开关频率增强，进一步缩小变压器体积，直接匹配超薄大屏电视的轻量化设 计趋势。
（二）数据中心：积极拓展数据中心布局，与多家厂商展开合作
公司氮化镓分立器件兼具效率及散热需求，针对 PSU 及主板提供矩阵式产品。（1）针对 数据中心前端输入侧——服务器电源 PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC 环节，公司布 局 15 款功率器件、驱动及合封芯片，据充电头网信息，英诺赛科 2KW PSU 采用图腾柱 无桥 PFC+LLC 架构，凭借低 Qg、低 Co(tr)及零 Qrr 等特性突破传统性能边界，实现开 关频率提升与励磁电流设计精简，系统效率达 80 Plus 钛金级能效标准（峰值效率 96.5%）， 功率密度优势显著。（2）在数据中心主板电源应用中，公司提供了 8 款分立和集成芯片， 满足 54V 至 12V 供电环节的高效率高功率密度需求。
英诺赛科推出 GaN 电源新方案，助力数据中心实现 48V—>12V 降压。随着服务器和人 工智能应用的发展，CPU/GPU 的功率越来越高，为了降低传输损耗，传统供电架构已经 从 12V 升级到 48V。受限于服务器内的空间尺寸，需要高功率密度的电源帮助实现从 48V 到 12V 的供电转换。公司 25 年推出两款 48V 四相交错降压电源方案，采用四相交错 Buck 拓扑，集成自研 INS2002FQ 驱动 IC 和 INN100EA035A 双面散热 GaN 器件，系统效率超98%，大幅提升效率，帮助实现低碳、节能发展。
与多家头部数据中心厂商展开合作，GaN 钛金级技术已导入长城电源。在应用端，英诺 赛科根据市场需求开发了多款应用方案，如符合钛金能效的 2KW-4.2KW PSU, 1KW8KW 的高效高功率密度的 48V 转 12V 的 DC-DC 电源解决方案等。在市场端，英语赛科 已经与多家数据中心厂商展开合作。目前，长城电源已在其面向 AI 数据中心的钛金级 电源中采用 Innoscience 氮化镓技术，实现 96%以上的超高电源转换效率，超越全球最 高 80PLUS 钛金级能效标准。
（三）工业&机器人：紧抓机器人产业机遇，关节电机驱动产品已实现量产
产品矩阵渗透锂离子电池化成分容设备、电池管理系统、LED 照明、光伏及储能系统以 及电机驱动器及控制器等场景，直击传统硅基方案能效与空间瓶颈。在锂电制造环节， 传统硅基电源模块因体积庞大，需通过长距离高损耗线缆连接电池，导致产线布局冗余、 能耗损失显著，制约客户扩产效率。公司通过“高/低压 GaN 分立器件+紧凑化电池工位布 局”方案，将电源模块直接部署于电池近端，消除线缆传输损耗，显著提升产线空间利用 率及能效水平，助力客户实现制造流程效率提升与用电成本节约。
人形机器人赛道突破，覆盖机器人关节驱动等场景。2024 年，公司紧抓人形机器人产业 爆发机遇，积极布局机器人应用，推出 100V/150V 全系列氮化镓产品，将广泛应用于机 器人的充电、电池电源管理、内部电源转换模块、关节以及灵巧手电机驱动。目前相关 产品已完成参考解决方案开发，正与行业客户合作进行项目开发，其中 100W 关节电机 驱动产品已顺利实现量产。
（四）汽车电子：导入国内外多个主机厂客户，晶圆交付数量同比大幅增长
公司产品主要应用于 48V 电源系统及 LiDAR 系统，车载 OBC 高压产品在研。氮化镓产 品具有优良的开关特性及高频率的能力，有助于开发更小更轻的变换器，还能同时通过 减少与电感相关的损耗使其更高效。2021 年获得 IATF 16949 车规级认证后，公司在自动 驾驶车辆 LiDAR 系统的应用进一步增强，其高功率和快速响应能力使得车辆能够实时检 测和识别周围环境中的对象和障碍物，增强行车安全性和自动驾驶体验。此外，公司正 在开发应用于车载充电器的高压氮化镓产品，可提升车载充电器的效率，使设计更加紧 凑且具成本效益。
24 年汽车业务取得重大突破，晶圆交付数量同比大幅增长。公司截止 24 年末拥有禾赛、 速腾等直销客户及其他经销商。2024 年公司新能源汽车业务取得重大突破，24 年完成国 内外多个主机厂客户导入并深化合作，24 年车规晶片交付数量同比增长 986.7%。随着自 动驾驶渗透率提升及车载 LiDAR 前装市场爆发，公司依托车规级认证先发卡位，预计在 智能驾驶硬件标配化进程中将实现份额突破，打开长期成长空间。
（五）IDM 护城河显著，技术壁垒&先发优势&客户粘性构筑坚实壁垒
功率半导体性能提升依赖各环节协同，IDM 模式实力优势显现。功率半导体芯片的性能 高度依赖半导体材料的固有特性。材料的带隙、载流子迁移率、电导率和热导率等特性 都将影响性能和应用差异。因此从设计、制造到测试，每个环节自主把控的 IDM 模式在 快速发展的氮化镓功率半导体行业中被证实最为有效，当前全球前五大功率半导体公司 均采用 IDM 模式。
初期即战略性采用 8 英寸晶圆，具备显著成本优势。晶圆尺寸历经 40 年迭代，从 6 英 寸、8 英寸演进至 12 英寸，核心逻辑始终是通过在晶圆上获得更多的器件，从而降低成 本。目前业内氮化镓厂商多停留在 4/6 英寸晶圆阶段，英诺赛科凭借前瞻性战略直接布 局 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆，其单片器件密度较 6 英寸提升 80%，形成显著成本优势。
公司自主保障供应链稳定性，产线专注氮化镓成本效益释放。从 6 英寸升级至 8 英寸需 要重新开发新量产工艺和技术，而公司在这方面具有明显的先发优势。作为全球首家实 现 8 英寸 GaN 晶圆量产的 IDM 厂商，公司珠海与苏州基地双基地布局形成产能护城河， 截至 2024 年末已突破每月 13,000 片晶圆产能，形成规模化交付能力，并计划在 5 年内 将产能提升至每月 7 万片。英诺赛科专注氮化镓单一技术路径，集中资本开支与研发资 源，深度优化 GaN 外延生长、器件设计及封装工艺，避免多技术路线并行导致的资源分 散与效率损耗。公司自主把控设计、制造全流程，晶圆良率超 95%，显著降低单位成本 并规避代工供应链波动风险。2024 年，公司推出 3.0 高低压工艺及车规/合封器件平台， 单位晶圆芯片（Chip/Wafer）产出量较上一代产品提升 30%以上，芯片关键性能指标进一 步提升。
除 8 英寸量产技术的先发优势外，英诺赛科在产品组合/封装技术/可靠性方面具备显著 优势。在产品组合方面，英诺赛科是全球唯一具备全电压谱系量产能力的硅基氮化镓半 导体公司，产品可用于各种低中高电压应用产品。在封装技术方面，公司针对氮化镓器 件特性，在全球率先开发出 TO252 等封装解决方案，其散热性和可靠性有助于氮化镓应 用领域向电源和汽车电子拓展，此外公司亦进行 WLCSP 等先进封装的开发。可靠性方 面，公司将可靠性测试时间从行业规定的 1000 小时延长至 3000 小时，晶圆良率超 95%。
先发优势与客户粘性，技术代差构筑长期壁垒。英诺赛科 8 英寸 GaN 技术领先形成强壁垒，新进入者或需 9 年实现全规模量产，且客户验证周期长、替换成本高，先发优势显 著。同时，6 英寸氮化镓功率半导体 IDM 模式企业若计划转向生产 8 英寸也需时数年及 大量资金的投入，才能实现产品良率 90%以上的规模化生产。截至 25 年，公司 GaN 器 件已导入多家服务器厂商及新能源车企，IDM 模式满足客户需求，叠加封装创新与成本 优势，构建“性能-可靠性-价格”三重护城河。客户粘性驱动份额巩固，在 AI 供电、汽车 电子等高壁垒市场，中长期增长潜力较为明确。
（六）合作 ST 意法彰显供应链韧性，产能利用率提升驱动盈利能力上行
与意法半导体签署氮化镓技术开发与制造协议，产能互换有望提升供应链韧性。技术层 面，双方联合开发计划加速高性能氮化镓功率技术的迭代，补足 ST 在硅基、碳化硅外的 第三代半导体布局，同时强化英诺赛科在高压、高可靠性场景的技术突破能力。同时， 与 ST 的海外产能形成互补，英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体 可借助英诺赛科在中国的制造产能。
Design-in 及 design-win 表现优异，有望带动收入可持续增长。在半导体领域，采用 IDM 模式的公司会在产能增加的同时，产生大额前期资本之处及研发开支，因此不可避免地 面临一定数额的前期亏损。公司有望随着氮化铝功率半导体在各下游应用的渗透实现业 绩增长，同时巩固在消费电子市场的稳健地位，并旨在电动汽车和数据中心及其他领域 获取更多客户，提高产品渗透率从而实现收入大幅增长。从 design-in 和 design-win 进程 来看，公司 design-in 及 design-win 数量持续增长，且公司预计 2024 年下半年至 2026 年 底可获得 185 个新的 design-in 项目。
产能提升带动规模效应，公司有望迎盈利拐点。随着 design-win 项目及客户增加，公司 预计产能利用率将在 25-26 年逐步上升至 85%-90%，且扩充产能的利用率将超过 90%。 产能规模和利用率的提高同时也将带动运营效率的提高，据公司销售成本拆分，工程及 维护、折旧摊销、封测、材料占据主要成本，其中工程维护和封测成本为相对刚性成本， 将随产量提升大幅降低，材料成本亦将随产量提升小幅降低。据公司招股说明书数据进 行测算，公司 24H1 的单位晶圆成本已随着产量提升有显著下降趋势。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
