1.1 发展历程：专注存储行业十余年，存储+封测布局
2010 年成立，构筑存储+封测一体化模式。佰维存储成立于2010年，以存储器产品起家，同步布局封测制造，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片IC 设计、先进封测、芯片测试设备研发等领域。
中长期战略“5+2+X”。其中“5”代表了公司聚焦五大应用市场（手机、PC、服务器、智能穿戴和工车规），其中在手机、PC、服务器等三大主要细分市场着力提升市场份额与核心竞争力，力争实现与更多一线客户的深度合作，在智能穿戴和工车规市场投入战略性资源，力争成为主要参与者。“2”代表了公司二次增长曲线的两个关键布局：芯片设计和晶圆级先进封测，芯片设计将为公司打造服务高性能存储器奠定坚实的技术基础，晶圆级先进封测将构建存算合封所需的封装技术基础，确保公司在AI 和后摩尔时代的行业竞争力。“X”代表了公司对存算一体、新接口、新介质和先进测试设备等创新领域的探索与开拓。
1.2 股权结构：国有资本入股，股权结构稳定
国家集成电路产投基金为第二大股东，控股子公司涉及存储和封测领域。截止 2025 年 5 月，公司实际控制人、董事长为孙成思先生，控股17.59%，大基金二期为第二大股东，控股 8.00%。控股子公司成都佰维存储、深圳佰维存储、武汉泰存科技、杭州芯势力主营存储器业务，广东芯成汉奇、泰来科技（惠州佰维存储）主营封测业务。
1.3 主营业务：存储+封测完整性布局，营收稳增，拓展国内外一线客户
公司领先布局存储器+先进封测，为客户提供一站式解决方案服务。存储器主要包含嵌入式存储、PC 存储、工车规存储、企业级存储、移动存储及先进封测服务，覆盖消费电子、工业电子、医疗电子、汽车电子和通信电子等多个下游重要领域，布局完善，应用广阔。特色先进封测服务以子公司泰来科技作为制造基地，封装工艺国内领先。
2018-2024 年收入 CAGR 32%、稳健成长。1）收入构成：公司嵌入式存储和消费级存储（PC 存储+移动存储）是公司主营业务收入的主要来源，2024 年嵌入式存储主营收入占比66%、消费级存储占比31%，工车规存储占比 1%，先进封装及测试占比2%。2）收入增速：2018-2024 年公司营收 CAGR 为32%，稳健成长，2024年营收67 亿元，yoy+86%，主要受益于存储行业复苏带来的量价齐升以及公司在智能穿戴领域的前瞻布局。
存储行业周期变化，公司盈利能力周期波动明显。1）毛利率&净利率：2018-2024 年毛利率 2%~18%，净利率-18%~4%，2023年达到最低毛利率 2%、最低净利率-18%，2024 年达到最高毛利率18%，2021 年达到最高净利率 4%。存储产品价格波动大，公司毛利率和净利率呈现周期波动。 2）分产品毛利率：2018-2024 年，先进封测及测试的毛利率达到30%~40%，在公司中是最高的。存储器产品方面，工车规存储产品毛利率最高，在20%左右波动，2024 年工车规毛利率达到 39.43%，创历史新高；嵌入式存储毛利率-8%~19%，波动比较大；消费级存储（PC 存储+移动存储）毛利率0%~18%，同样于 2024 年达到历史新高 17.85%。3）利润：2018-2024 年归母净利润-6.24~1.61 亿元，扣非净利润-6.42~0.67亿元，2023 年达到最低归母净利润-6.24 亿元,最低净扣非净利润-6.42亿元，受行业下行影响业绩承压。2024 年业绩扭亏为盈，归母净利润达到1.61亿元，扣非净利润达到 0.67 亿元，均为近年来最高水平。24 年股份支付费用为 3.38 亿元，剔除股份支付费用后归母净利润为4.99 亿元，yoy+201.18%。
季度盈利能力波动明显。 公司收入和利润周期波动较为显著，利润受库存结构影响较大。1）季度收入：公司收入自 23Q2 开始环增，连续环增4 个季度，24Q2持平，因 24Q3 行业旺季不旺，24Q3 收入环比-8%，24Q4 收入环比+5%，25Q1 进入淡季，环比-8%。2）季度利润：公司24Q1 扭亏为盈，创历史单季度利润高点，后续直至 25Q1 利润环比下滑。3）季度毛利率&净利率：公司 24Q2 毛利率、净利率达到历史最高点，24Q3 毛利率和净利率向历史中枢水平靠近，25Q1 毛利率 1.99%，周期性波动较为明显。4）存货：公司存货主要由原材料和库存商品构成，2023 年公司预期原材料价格处于低位，并采取了积极的备货策略，23Q1 存货量明显增长，24Q1公司转为按需采购，后续存货水平较为平稳，25Q1 存货账面价值38.11亿元。
内销市场占比超 50%，经销收入占比减少。1）内销市场占比超50%。公司外销收入以中国香港地区收入为主，近两年内销市场占比超越外销，内销收入主要集中于华南、华东等电子产业发达地区。2）经销占比减少。公司采用直销与经销相结合的销售模式，2019-2021 年，随着公司产品的市场知名度不断提升、销售网络逐步完善，经销模式收入占比不断提升。2022年公司经销/直销分别占比 77%/23%，2023 年公司经销/直销分别占比57%/43%，2024 年公司经销/直销分别占比50%/50%，公司经销占比逐年减少、直销比例逐年提升。
把握行业上行机遇，大力拓展国内外一线客户。2021 年至2024年，公司前五大客户的营收占比分别为 44.56%、39.61%、32.34%和46.71%，客户集中度相对较高。近年来，随着公司长期的技术积累与市场开拓，相关产品在在国内存储厂商中市场份额位居前列，并已进入各细分领域国内外一线客户供应体系。在手机、PC、智能穿戴、企业级SSD、车规等多个应用领域，公司已经进入了 OPPO、传音控股、联想、Acer、Google、小米等多家国内外一线知名厂商。
1.4 研发实力：管理层稳定，持续增加研发投入
高级管理人员长期合作，管理层稳定。孙成思先生于2015 年至今担任公司董事长，其他各位董事高管均于 2019-2021 年入职，至今公司高级管理人员长期合作，管理层人员稳定。公司已建立起一支完整的专业团队，覆盖存储解决方案开发、晶圆级先进封装技术研究与生产运营的完整专业团队。核心团队成员均拥有超过十年的行业经验，在存储技术的研发、量产、和创新应用方面具备深厚积累，尤其精通晶圆级先进封装的关键工艺及高效存储解决方案的设计优化能力，能够针对客户多样化需求提供定制化服务。这种团队实力为公司技术创新和市场竞争力提供了坚实保障。
持续加大研发投入，提升公司技术水平，保障未来核心竞争力。2023年公司投入研发费用 2.5 亿元，同比+98%，2024 年公司投入研发费用4.5亿元，同比+79%，公司通过持续增加的研发投入，加大芯片设计、存储解决方案研发、先进封测及芯片测试设备等领域的研发投入力度，并大力引进行业优秀人才，增强公司的核心竞争力。
数次股权激励计划，持续激励员工。公司于19 年、20 年、23年、24年先后实行股权激励计划，19 年股权激励覆盖员工12 人，20 年股权激励覆盖员工 23 人，23 年股权激励覆盖员工 230 人、24 年股权激励首次授予员工10 人、预留授予员工 353 人。
2.1 存储周期边际向上，有望开启涨价周期
存储市场是半导体 TOP2 细分市场，占比大叠加周期波动大，是成长性最优赛道。1）规模占比：2023/2022/2021 年全球存储市场规模分别达到923/1298/1534 亿美金，占半导体规模的比例为18%/23%/28%，是第二大细分品类。2）周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类，主要原因：供给集中、需求集中，产品是标准化的大宗品，价格波动幅度大。
现货价底部反弹，NAND Flash 厂商 3 月陆续发布涨价函，预计Q2开始涨价。 1）现货价：占市场 10%左右，每日更新，对市场供需变化十分灵敏，25年 3 月开始，DRAM、NAND 部分料号现货价开始底部反弹。2） 合约价：原厂季度报价，第三方数据是月度更新。3 月7 日NANDFlash闪存大厂闪迪发布涨价函，计划从 4 月 1 日起，对所有面向渠道和消费者客户的产品涨价，涨幅将超过 10%；3 月14 日消息，长江存储零售品牌致态也将于 4 月起面向渠道上调提货价格，幅度或将超过10%；美光、三星电子、SK 海力士等厂商均将从 4 月起提高NAND 报价，NAND价格回涨速度高于原先预期。
NAND Flash，海外大厂纷纷减产。2024 年末开始，由于市场面临需求疲软和供过于求的双重挑战，几大原厂通过降低稼动率、推迟制程升级以及调整产能等方式来减少市场供应。美光首先宣布降低资本支出并削减晶圆产量，三星将降低韩国及西安工厂的 NAND 产能，海力士预计25H1减产10%。减产有望稳定价格以缓解供应过剩的压力。
需求：消费电子存储需求边际向好，国内互联网厂加大资本开支、企业级存储需求旺盛。 1）国补：自 2024Q4 起，我国持续推出的以旧换新补贴政策有效地刺激智能手机和 PC 销量，加速厂商的去库存化，推动手机和PC消费的复苏，另外随着手机厂的存储库存去化，叠加下半年新机发布，预计手机存储需求将逐渐恢复到常态。 2）国内 AI 资本开支：国内互联网巨头如阿里巴巴、腾讯、字节跳动等纷纷加大 AI 资本开支，推动算力基础设施建设，拉动对企业级存储需求。
2.2 AI 拉动存储需求
智能手机+服务器+PC 三大需求驱动，大容量趋势明确。1）DRAM：目前 DRAM 下游市场中服务器占比36%，是第一大市场，手机占比 35%，是第二大市场，PC 占比 12%，萎缩较为明显。2）NAND：下游需求中，手机、PC、服务器占比分别为41%、31%、28%。3）手机、PC 出货量相对稳定，对存储需求更多是单机容量提升；AI 算力建设带来服务器出货量和服务器单机存储容量提升。
智能手机：技术迭代加速，DRAM、NAND 容量进一步提升。1）DRAM：近几年，手机中搭载的 DRAM 逐渐向LPDDR5迭代，主流安卓手机已普遍使用 LPDDR5，部分高端机型开始使用LPDDR5X，iPhone16系列采用 LPDDR5/5X。主流安卓手机经历了4GB→8GB→12GB+的发展，根据 IDC 的统计，2024 年 8GB 以上内存容量已占比超50%；相对而言苹果机容量增长略缓，目前 iPhone 16 系列是8GB 内存，预计iPhone17Pro将搭载 12GB 内存。
2）NAND：丰富的 AI 功能需求对于存储的读写速度提出更高要求，因此高性能的 NAND flash 成为高端机型的标配，ROM类型逐渐向UFS3.1、UFS4.0 迭代。同时，为满足更大的存储容量需求，苹果计划在2026年引入 QLC NAND 颗粒。安卓机与苹果机的最大NAND容量从2017年的256GB 增长到 2024 年的 1TB+，大容量存储的占比逐年提升，目前三星、小米、苹果的高端机型等均支持 1TB ROM 的存储。
AI 手机市场发展迅速，加速存储器容量提升。和普通手机相比，AI 手机配有专门的 AI 芯片，可以用于深度学习、智能图像识别、自然语言处理等，对于手机的硬件性能和存储容量提出了更高要求。AI 手机通常配备更高容量以及代际的 DRAM 和 NAND，这是由于AI 手机对于更高性能计算和更复杂数据处理的强烈需求。随着 AI 功能的不断升级，如生成式AI 的普及，手机需要更大的内存来支持更复杂的模型，目前市面上的生成式AI 手机内存容量均大于 8GB。以具体实例来看，谷歌Pixel 8 的运行内存只有8GB，而Pixel 8 Pro 的运行内存为 12GB，富余的4GB 可以让手机更好地处理谷歌较小的 AI 模型 Gemini Nano。
PC：单机容量提升是主要趋势。根据 IDC 的统计，全球PCDRAM容量和NAND容量均逐年增大，2024年已有约49%的PC配有8GB及以上DRAM，约 63%的PC 配有 128GB以上 NAND，在2017 年该比例分别为10%、26%。
AI PC 出货量大幅增加。AI PC 是指拥有专用于AI 功能的芯片（如NPU）的台式机和笔记本电脑。据 Canalys 统计，24Q4 AI PC的出货量达到1540万台，占该季度所有 PC 出货量的 23%。在所有出货的AI PC中，苹果占据了主要份额，为 45%，其次是联想和惠普各占15%、14%。同样在24Q4，支持 Windows 系统的 AI PC 总出货量环比+26%，占所有WindowsPC出货量的 15%，由于 Windows 10 将在 2025 年10 月后停止更新，渠道商预计大部分客户将在 2025H2 做出更新决策，有助于推动AI PC的进一步渗透。
AI PC 对存储容量和带宽提出了更高要求。AI PC 对内存容量的需求显著增加，目前 8GB 内存是 AI 和生成式 AI PC 的主流内存容量，12GB~16GB的内存占比逐年提升，未来将继续向 32GB+以上发展。NAND方面，256GB是目前主流，在生成式 AI 中也已经有约 13%的PC 配有2048GB容量。随着 AI PC 的渗透率不断提升，预计将成为存储市场增长的重要驱动力量。
服务器：AI 服务器出货量年增率高，所搭载存储器容量大。TrendForce预估 2024 年全球服务器整机出货量约 1365 万台，年增约2.05%；预估AI服务器全年出货量 167 万台，占比超 12%。AI 服务器的DRAM、NAND容量更高。
存储器在 AI 眼镜的制造成本中占据了相当大的比例，是其重点成本项之一。AI 眼镜需要处理大量的数据，包括图像、声音和传感器信息等，这就需要一个高性能且容量足够的存储器来保证数据的快速读写和存储。
根据维深发布的 BOM 成本拆解报告，以 RayBan Meta 和小米AI 眼镜为例，在综合硬件成本 160~180 美元的 AI 眼镜中，存储器（2GBRAM+32GBROM）价值约为 11 美元左右。1）存储器是主板第二大成本项，占主板成本约 13%，仅位于 Soc 芯片之后。2）存储器是整体AI 眼镜第五大成本项，位于主芯片、镜片镜架等结构件、充电盒、ODM/OEM之后，占整体成本约 6%。
作为智能穿戴领域的新兴产品，AI 眼镜的设计对芯片尺寸要求极为苛刻。由于 AI 眼镜产品空间有限，且对于轻薄有一定要求，因此需要在有限的眼镜框架内高度集成所有电子元件，且满足性能需求。传统的分立方案中，LPDDR 和 eMMC 需要分别占用 PCB 空间，这对于追求小而美的AI 眼镜来说是巨大挑战。eMCP/ePOP 方案是结合了eMMC和LPDDR封装而成的二合一存储产品，都能适用于高集成度的嵌入式存储应用环境，在智能穿戴领域广泛使用。
ePOP 是 AI 眼镜存储芯片主流封装方案。1）ePOP 方案的堆叠模式使得芯片尺寸更小。eMCP（EmbeddedMulti-ChipPackage），多芯片封装，在 eMMC（NAND Flash+主控）的基础上新增LPDDR，通过超薄 Die 和叠 Die 等封测工艺，将LPDDR和NAND两种存储芯片堆叠封装，减少存储器部分在 PCB 上的占用面积。ePOP（Embedded Package on Package）是指将多芯片封装的存储器垂直搭载在 SoC 上，相比 eMCP 平行贴片方式，可以节省约60%空间，适用于智能穿戴、教育电子等对小型化、低功耗有更高要求的终端应用。
2）ePOP 方案的封装技术权衡芯片尺寸和散热性能。eMCP/ePOP两种方案均采用 FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array，细间距球栅阵列）封装，区别在于焊球数量不同。焊球数量多的封装散热性能更好，但也使得芯片尺寸更大；焊球数量少的封装通常具有更小的尺寸，但散热性能会有所下降。因此在封装方式焊球数量的选择上需要对尺寸和散热性能进行权衡。2023年，公司推出专用于 AI 眼镜的 ePOP 芯片，LPDDR 升级为4X，FBGA焊球数量确定为 144，具有宽温工作环境，同时满足小尺寸、低功耗需求，目前已经在 RayBan Meta 等量产的 AI 眼镜上广泛使用。
目前 AI 眼镜上广泛使用佰维存储 2GB+32GB ePOP 方案。根据公开信息搜集目前 AI 眼镜产品的主要技术参数和价格信息：1）从容量上看，各产品的 DRAM 容量从512MB 到8GB不等，NAND容量则从 4GB 到 32GB 不等。最新发布的 AI 眼镜容量2GB+32GB是标配。2）从规格上看，DRAM 类型以及从 LPDDR3 升级为LPDDR4X，NAND大多采用 eMMC5.1。 3）在供应商方面，市面上大多数眼镜来自佰维存储的ePOP或者eMCP方案，RayBan 第一版 AI 智能眼镜采用金士顿方案，Xreal One采用江波龙eMMC 的方案。佰维存储提供的 2GB RAM+32GB ROM的ePOP方案，因其较高的集成度和性能，已成为目前市场上的主流选择。这种方案不仅优化了设备内部空间，还确保了数据处理的高效性。4）在价格方面，产品定价从 1388 元到 4999 元不等。随着存储容量的增加，产品的成本也随之上升，并直接反映于产品定价。
存储模组厂将充分受益 AI 眼镜放量。根据维深数据，2024 年全球AI 眼镜销量约 152 万部，其中拍摄类 AI 眼镜约143 万部，RaybanMeta以142万部销量占据绝对主导地位，音频 AI 眼镜和AI+AR 眼镜销量分别为3万部和 6 万部。当前 AI 眼镜处于 1 到 10 阶段，渗透空间广阔，受益于RaybanMeta 持续增长，多款 AI 眼镜发售贡献增量以及小米、三星等大厂入局，2025年全球 AI 眼镜销量有望增长至 350 万部，2030 年销量有望达9000万部，2025-30 年 CAGR 高 达 91.4% 。 同 时，2025 年2 月雷朋母公司EssilorLuxotica 表示，Ray-ban Meta 累计出货已超200 万台，26年底Ray-ban Meta 产能有望达 1000 万台，此外EssilorLuxottica将与Meta长期合作，推出更多品牌的 AI 眼镜/可穿戴产品。
2.3 迈向超越摩尔时代，先进封装大势所趋
摩尔定律带来的经济效应不断降低，制造先进制程升级速度逐渐放缓。“后摩尔时代”先进制程升级速度逐渐放缓。摩尔定律是指集成电路中可以容纳的晶体管数量在每 18-24 个月增长一倍。目前芯片工艺已经走向3nm以下的极致阶段，而当芯片制程逼近 1nm 时将进入量子物理世界，会产生显著的量子效应。例如晶体管数量的不断增加会产生短沟道效应，势垒将无法对电子穿透进行有效的阻隔，从而造成漏电，进一步使得晶体管的效应难以控制。除此之外，大量的晶体管工作时产生的热量也对芯片散热能力提出了更高要求。摩尔定律带来的经济效应不断降低。1）从制造成本来看：根据研究公司 IBS 发布的数据，芯片从 16nm 到10nm，每十亿个晶体管的成本下降了 30.7%，而从 5nm 到 3nm，成本仅下降了4.2%。2）从研发成本来看：推进先进制程芯片使得芯片制造商的研发成本与资本开支负担不断加重，同时芯片设计商的设计成本和流片成本也会不断加重，且技术上的不确定性会使新产品上市时间不断滞后。
先进封装技术是超越摩尔定律的重要赛道。目前对于集成电路的发展，行业内主要有两个主流方向。一是延续摩尔定律，以提升单个芯片性能为目标，在晶体管缩放技术上进行进一步探索，例如采用FinFET、GAA等工艺。二是超越摩尔定律，先进封装技术就为其中的一条重要赛道，以提升系统性能为目标，将多个不同性能的芯片集成在一个系统内，通过成本可控的系统级芯片系统来提升整体的性能和功能。
AI 时代数据峰值吞吐量增速高于峰值带宽增速，提高I/O密度迫在眉睫。随着大数据、AI 等新技术的发展，当前计算系统面临着带宽不足的问题。据台积电，计算系统需处理的数据峰值吞吐量平均每两年增长1.8倍，而峰值带宽每两年增长仅约 1.6 倍，峰值带宽较峰值吞吐量的差距愈发扩大，增加峰值带宽迫在眉睫，而增加峰值带宽最有效的方式是增加I/O数量。
先进封装可有效提升 I/O 密度，是 AI 大数据时代封装发展的必由之路。大数据、AI 时代，发展先进封装、提升 I/O 密度是应有之义。而提升I/O最直观的方式即制造更细的 I/O 间距（pitch）和更细线间距（L/S）。具体而言I/O 间距包括：1）混合键合（hybrid bonding，一种将介电键（SiOx）与嵌入金属（Cu）结合形成互连的工艺技术）时上下die 之间的键合间距，可以提高芯片间通信速度，2015 年时为 2μm 级别，到2023 年有望升级至1μm以下；2）Bumping 工艺中 Bump（通常称作“凸点”或“凸块”，为先进封装上下层连接的接触部分）间距，2015 年在200-150μm，2025年有望达到 50μm 级别；3）Ball（焊球）间距，2021 年之前在1200-350μm级别，2023 年有望达 300μm 级别。而线间距主要指RDL（重新布线层）的L/S（线间距），2015 年≥10μm，2023 年有望达2μm级别。
2.5D/3D 封装市场的 2021-2027 年复合增长率高达14.34%，是重要发展趋势。先进封装各细分类别中，2.5D/3D 封装市场的年复合增长率最大，高达14.34%，主要由 AI、HPC 等应用驱动；而WLCSP（晶圆级封装）主要用于手机、智能穿戴等主控芯片中，近年来随着手机总销量放缓，拖累了WLCSP 的复合增速预期；SiP（系统级封装）整体规模比较稳定。
晶圆级封装可以实现芯片封装后的小巧化。传统工艺先切割裸片再进行封装，而WLP技术先封装后切割。WLP技术又分为Fan-in（扇入式）和Fan-Out（扇出式），其中 Fan-in 指布线均在芯片尺寸内，适用于封装较少芯片，封装密度较低，通常使用金线或其他互连手段连接芯片和封装基板。Fan-out指布线可在芯片外，适用于封装多个芯片，封装密度较高，使用互连技术将芯片信号引出到基板上的多个引脚。晶圆级封装优点在于：1）减少了封装所需的额外材料和空间，有助于实现设备设计的小巧化；2）通过短距离电连接实现芯片之间的互连，提高了信号传输速度；3）提供更好的芯片热管理能力。WLP 技术为以手机为主的消费类移动设备提供了高密度内部空间的便利，同时提升了数据的传输速度及稳定性。
晶圆级封装是存储技术发展的必然趋势。复盘存储产品发展趋势，PC时代下存储芯片与逻辑芯片的物理距离在厘米级别，内存条、SSD等模组产品采用 SMT 工艺，可应用于 PC、工控等领域；移动互联网时代中，随着手机、智能穿戴等终端应用快速发展，存储芯片与逻辑芯片的物理距离缩短至毫米级别，eMMC、LPDDR、ePOP 等采用Pkg in/on Pkg、WB、Flip-chip等制造工艺的嵌入式存储产品得到广泛应用；进入AI 时代，存储芯片与逻辑芯片的物理距离要求缩短至微米级别，采用晶圆级先进封装的超薄LPDDR、存算合封芯片应运而生。先进 DRAM 存储器、先进NAND存储器、存储与计算整合等领域的发展均离不开晶圆级封装技术的支持，下游AI 行业的迅速发展和对于封测技术的需求提升孕育了庞大的市场成长空间。晶圆级封装技术先封装后切割的工序可以提供高密度、细间距的互联方案，减少互联路径，满足数据的传输高频和高速的要求，对于先进DRAM芯片、先进 NAND 控制器芯片等的性能提升均有益处。同时，目前“存储墙”、“功耗墙”对算力进一步提升和实现低功耗计算产生了严重制约，业界普遍探索将存储与计算进行整合，其中缩短存储与计算的物理互联是技术发展的一个重要方向。晶圆级封装也成为存储与计算的互联关系发展的领先路径之一，满足先进存储器发展需要。
大陆封测市场 25 年将达 3500 亿人民币，先进封装增长迅速。近些年，我国半导体产业在政策大力支持、技术水平持续进步的基础上，国产替代开始加速，相对半导体设计与制造而言，封测行业技术壁垒较低，实现了较高程度的国产化。根据 Frost & Sullivan 数据，中国大陆封测市场规模由2016年的 1564.3 亿元增长至 2020 年的 2509.5 亿元，年均复合增长率达12.54%，预测 2025 年中国大陆封测市场规模将达到3551.9 亿元。从封测业务收入结构上来看，中国大陆封测市场仍然以传统封装业务为主，但随着新一代信息技术领域快速发展，新兴应用场景对半导体产品的性能、功耗等要求提升，半导体产品纷纷从传统封装向先进封装转变，先进封装市场需求将维持较高速的增长。数据显示，中国先进封装行业市场规模由2016 年的187.7亿元增长至 2020 年的 351.3 亿元，年均复合增长率达16.96%，预测2025年中国大陆先进封装市场规模将达到 1136.6 亿元。
全球封装市场仍以海外厂商占主导，美国制裁倒逼先进封装加速国产化。据 Yole，2021 年大陆厂商长电科技份额居全球第四，全球封装厂商Top10中，大陆厂商有长电科技、通富微电、华天科技三家，大部分比例份额仍由中国台湾、美国、韩国、日本厂商占据，大陆厂商全球份额仍有较大提升空间。随着美国采取多种制裁措施限制大陆AI 芯片发展，先进封装也将加速国产化。
2.4 国内存储市场大但自给率偏低，国产替代加速
各国产业政策加码，推动半导体本土化市场建设。在当前复杂的国际环境下，地缘政治冲突和贸易保护主义使得各国更加注重产业链的安全性和自主性。欧盟、日本、印度等国家和地区纷纷出台产业政策，提供高额补贴扶持本土半导体产业芯片制造，推动产业链的多元化、近岸化和本土化。佰维已经进入印度的惠普 PC 市场，并于 2022 年获得印度“消费级存储领域杰出成就奖”。公司与惠普的品牌授权期已经延续至2025 年年底，许可的部分区域为中国、印度、墨西哥、智利、秘鲁，在发展中国家布局广阔。
美国芯片制裁大动作，中国半导体行业国产化替代加速。从2018年至今，美国对华制裁不断升级，从华为、中芯蔓延至更多半导体企业。2020年，美国将中芯国际列入实体清单，限制中芯国际14nm及以下制程的扩产。2024 年 12 月 2 日，美国对中国芯片再次采取了规模巨大的制裁行动，将140 家中国半导体行业相关企业纳入实体名单。我国在实施了一系列反制措施的基础上，也逐步制定了由面到点的半导体产业政策，加强自主创新发展，加大关键领域投入布局，通过自研科技减少对外部技术的依赖，形成国产供应链，推动国产化替代。
国内存储市场大，国产存储厂商有望充分受益国产替代。中国存储芯片市场规模在 2021-2022 年迅速扩张，根据 2019 年数据，中国是全球第一大NAND 市场，占据 37%的市场份额，也是全球第二大DRAM市场，占据34%的市场，仅次于美国的 39%。目前，全球存储市场仍由国际厂商占据较大份额，长鑫、长存等国内厂商将引领大陆存储市场发展。
1）DRAM：竞争格局历经洗牌，现阶段仍旧是韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势。合肥长鑫是大陆首家DRAM IDM 厂商，2019 年 19nm 8Gb DDR4 投产，2022 年量产17nm；2021 年中国大陆 DRAM 产能占全球 4%，长鑫产能占全球DRAM的3%。2）NAND：市场集中度不断提高。1996 年全球NAND大厂现已多半退出市场，新进厂商通过技术突破占领市场份额。如今全球NAND市场被6家海外厂商垄断，六家厂商合计市占率长期稳定在95%+，格局稳定，2023年三星、铠侠、海力士、美光、Solidigm、西部数据的市场份额分别是34%、15%、14%、12%、5%、16%，CR6 达到 96%。长江存储是大陆首家3DNANDIDM 厂商，2019 年 Q3 基于 Xtacking 架构的64 层3DNAND量产，2021年128 层 TLC和业界首款128 层QLC NAND量产；2021 年中国大陆NAND产能占全球 6%，长存 NAND 产能占全球6%。3）SSD：全球固态硬盘（SSD）市场竞争激烈，主要由三星、西部数据、铠侠等国际巨头主导，大陆各大厂商份额占比较小。4）嵌入式存储：近年来，随着国内存储品牌厂商的发力，在全球嵌入式存储市场上已占有不小的份额，佰维存储在2023 年全球eMMC&UFS供应市场上占据 3.7%的市场份额，相较 2021 年的2.4%提升了1.3pct，但主要市场主要还是海外原厂占据。 5）内存条：据 TrendForce 统计，2022 年全球前五大存储器模组厂占整体销售额 90%，其中金士顿市占达 78%，维持全球第一。中国品牌记忆科技市占率约为 3.78%，营收同比增加 90.38%。
2.5 存储解决方案商产品高端化，受益 AI 需求增长+国产替代
存储模组是将存储颗粒封装后形成的存储产品，存储模组由存储颗粒（DRAM/NAND 颗粒）、主控芯片或者内存接口芯片、固件、PCB等组成。分为 NAND 模组和 DRAM 模组，存储模组种类多样，NAND模组种类较DRAM 更多。
NAND flash 模组可分为：1）固态硬盘，取代HDD（机械硬盘），用于大容量场景，按照应用分为消费级 SSD、企业级SSD，按照接口协议又分为SATA SSD 和 PCIe SSD 等。2）嵌入式存储，应用于电子移动终端低功耗场景，按照接口协议可分为 UFS、eMMC 等。3）移动存储（U盘、移动盘等），应用于便携式存储场景。基本所有NAND Flash 模组除了NANDFlash 颗粒外，都需要主控芯片，部分高级SSD 还需要额外的DRAM缓存。
DRAM 模组主要是内存条，按照下游应用可分为PCDRAM（UDIMM、SODIMM）和服务器 DRAM（RDIMM、LRDIMM），主要构成包括DRAM颗粒、内存接口芯片（RCD、DB）、内存模组配套芯片（TS、SPD、PMIC等）。
存储解决方案厂商位于产业链中游位置。解决方案商向原厂采购晶圆，向第三方主控芯片或者内存接口芯片采购，将晶圆和主控芯片/内存接口芯片等封装在一起，做成产品，卖给下游客户。
存储解决方案厂商产品不断升级，逐步抢占原厂目标市场。存储器70%+市场由手机、PC 和服务器构成，这是原厂的目标客户群，该类市场客户结构集中、换机周期更长且价格相对不敏感，更追求量的稳定供应、产品性能与可靠性；而在智能穿戴领域、工车规领域、电竞领域及移动存储等市场客户结构分散，客户定制化需要较高，一般原厂参与程度较低，故解决方案商更容易覆盖该类长尾市场，另外近年来随着解决方案商的产品升级，也陆续进入手机、PC 等市场。
受益国产替代，存储解决方案厂商产品高端化趋势凸显，布局主控、封测等提升长期毛利率中枢水平。国内存储大市场、低自给，存储解决方案厂商充分受益国产替代，产品高端化趋势明显，产品向高端手机、PC、企业级存储方向发展，产品线布局越来越完善，同时为提升综合竞争力，向主控芯片、存储封测方向发展，有望提高长期毛利率中枢水平。
存储解决方案厂商位于存储产业链中游。上游晶圆和下游主要客户均由原厂把握，而解决方案厂商众多，同时存储产业周期特征明显，存储解决方案厂商需要：1）不断深化产业链布局，增强在产业链中话语权；2）与原厂加强合作，保证稳定供货渠道。
存储解决方案厂商需要与原厂紧密合作，有稳定获取晶圆的渠道。1）存储原厂数量少、寡头垄断：DRAM+NAND 晶圆基本被5 家原厂垄断，三星、海力士、美光、铠侠、西部数据，而模组厂众多，全球上市与非上市有上百家；2）存储晶圆成本占比高：存储晶圆占存储模组70%+成本，与大厂是否联系紧密直接影响是否有稳定的晶圆采购量和低晶圆价格；3）存储产品技术和规格由原厂垄断：存储器容量增加（特别是NAND层数增加），核心技术直接由存储原厂掌握，模组规格基本也由大厂决定，与存储原厂紧密合作，才能顺势进入大厂的供应链，获得晶圆保障和晶圆早期适配机会；4）通常一个厂商会与多个晶圆厂均建立采购关系，如佰维存储、德明利、江波龙均有 3 家以上晶圆厂采购，分散风险。
公司在先进存储和先进封测领域布局领先。凭借深厚的技术积累和创新能力，公司在存储解决方案研发、主控芯片设计、存储器封测/晶圆级先进封测等方面进行全产业链布局，以达成“成为全球一流的存储与先进封测厂商”的愿景。公司有望充分受益 AI 技术的爆发式增长以及国产替代进程的加速推进趋势，进一步提升市场份额，实现业绩的快速增长。
3.1 深耕先进存储，嵌入式+PC+工车规+企业级存储布局，产品高端化
嵌入式存储：产品类型丰富，应用领域广阔，在智能穿戴领域有优势。1）ePOP、eMCP、uMCP：均为 NAND Flash 与LPDDR集成的存储产品。其中，ePOP 因芯片尺寸小、功耗低等特点，被广泛应用于智能穿戴设备，如智能手表、手环、VR 眼镜等；而 eMCP 和uMCP 则主要应用于智能手机、平板电脑等智能终端设备。 2）eMMC、UFS：eMMC 是目前嵌入式终端设备中主流的闪存解决方案，其在尺寸和成本等方面表现优异；UFS 作为eMMC 的升级产品，具备更高的存储容量和传输速率，已成为中高端应用的首选，但目前技术成熟度相对较低。两者在全球嵌入式市场的出货量占比约为2：1。目前，公司推出的eMMC 和 UFS 系列产品已成功进入主流手机厂商的供应链。针对AI 手机市场，公司已推出 UFS 3.1、LPDDR5/5X、uMCP 等嵌入式存储产品。
3）BGA SSD：尺寸仅为传统 2.5 英寸 SSD 的1/50 左右，可搭配PCIe接口、NVMe 协议，具有低功耗、抗震、高可靠等优势，读写性能提升潜力巨大，是万物智联时代高性能移动智能设备的理想存储解决方案。目前公司 BGA SSD 已通过 Google 准入供应商名单认证，在AI 移动终端、云手机、高性能超薄笔记本、无人机、智能汽车等领域具有广泛的应用前景。4）LPDDR：面向低功耗内存而制定的通信标准，广泛应用于智能手机、平板电脑、超薄笔记本、智能穿戴等移动设备领域。目前公司LPDDR系列产品已进入多家消费电子龙头企业的供应链。针对AI 手机市场，公司已推出 LPDDR5/5X，并正在布局 12GB、16GB 等大容量LPDDR产品。
在嵌入式存储的众多应用场景中，智能穿戴设备是公司重点布局且具有显著优势的领域。2024 年公司智能穿戴存储产品收入约8 亿元，同比大幅增长，公司智能穿戴业务已形成一定收入规模，相关产品盈利能力较强。目前，公司的 ePOP 系列产品已被 Google、小米、小天才等知名企业应用于智能手表、VR 眼镜等设备，也成功进入 Meta、Rokid、雷鸟创新等国内外知名AI/AR 眼镜厂商的供应链，成为国内 AI 眼镜存储芯片的主要供应商。随着AI 智能眼镜市场的快速发展，公司将凭借其ePOP 系列产品的高性能和低功耗特性继续扩大市场份额，推动本业务营收体量持续增长。
PC 存储：To B、To C 两手抓，开拓海内外PC 市场。公司PC存储主要包含固态硬盘、内存条和移动存储等产品，在传输速率和功能支持上均处于行业领先，主要应用于电竞主机、台式机、笔记本电脑、一体机等领域。其中，公司面向 AIPC 已推出 DDR5、PCIe5.0 等高性能存储产品。1）在 To B 市场，公司已经进入联想、宏碁、惠普等PC行业龙头的供应链，并已陆续适配国产非 X86 市场重点公司操作系统。2）在 To C 市场，公司自主运营的品牌佰维（Biwin）在应用场景设计、容量和频率类型覆盖等有良好表现，授权运营的惠普（HP）、宏碁（Acer）的掠夺者（Predator）等系列产品在京东等平台历年销售额均处于领先地位，也获得了许多国内外奖项。公司具备从产品规划、设计开发到先进制造的全栈能力，产品线覆盖 NAND 和 DRAM 的各类产品。此外，公司还拥有覆盖全球主要市场的营销网络，以及本地化的产品和市场营销团队、经销商伙伴，具备面向全球市场推广和销售产品的能力。
工车规存储：面向工车规细分市场，解决方案满足众多应用场景。相关产品包括 SSD 模组、内存模组、储存卡等，主要面向工车规细分市场，应用于通信基站、智能汽车、智慧城市、工业互联网、高端医疗设备、智慧金融等领域。针对不同领域的应用，公司也已经开发出众多技术解决方案，分为工业标准级、工规级、车规级三个等级。同时，公司还通过自研算法和技术工艺的开发提升产品各项性能，满足适配性、功能性、可靠性和持续性需求的提升。
企业级存储：面向数据中心、AI 等前沿领域，产品获得广泛认可。产品包括固态硬盘 SATA SSD、PCIe SSD 和内存产品CXL 内存、RDIMM内存条，也是未来重点发展方向。公司企业级 2.5"SATA SSD 产品采用SATA6Gbps接口，拥有多容量规格，4K 随机写入最高可达45KIOPS。其他产品也均在数据中心、存储器、服务器等领域有广泛应用，功能丰富、性能良好。同时，公司成立了全资子公司北京佰维专注于企业级存储的研发与销售，为行业客户提供完整、领先的企业级存储解决方案。
3.2 晶圆级封测服务 AI 时代存算合封需求，主控芯片设计夯实产品竞争力
公司深耕先进封测业务，工艺国内领先。子公司泰来科技作为先进封测及存储器制造基地，专精于存储器封测及 SiP 封测，可提供HybridBGA、WB BGA、LGA、QFN、FC BGA、FC CSP 等封装形式的代工服务，封装工艺国内领先，应用场景广阔，技术特点优异。公司目前掌握16层叠Die、30-40μm 超薄 Die、多芯片异构集成等先进工艺量产能力，达到国际一流水平。随着全球 AI 智能化趋势加速，大数据和高性能算力成为智能时代的核心需求。公司自主开发的一系列存储芯片测试设备及算法配合完善的芯片封测生产模块工艺流程，已经形成了一站式存储芯片测试解决方案。未来，随着产能不断扩充，公司将利用富余产能向存储器厂商、IC设计公司、晶圆制造厂商提供代工服务，形成新的业务增长点。
原先进封测及存储器项目扩产+向晶圆级封测领域进军。2023年11月，公司于东莞松山湖落地晶圆级先进封装项目，由控股子公司广东芯成汉奇负责。2024 年，公司通过定增等方式筹资，以推动先进封测及存储器项目建设，拟投入 8.8 亿元资金用于惠州佰维（现用名：泰来科技）先进封测及存储器制造基地项目扩产以及 10.2 亿元用于晶圆级现金封测制造项目。筹集的资金将有约 83%和 66%用于购买新的机器设备。根据新购置设备的工作产能与效率，公司预计，扩产项目投产后，泰来科技的产能预计将由现有约30万片/年提升至 60 万片/年；晶圆级先进封测制造项目投产后，产能将达到25.55 万片/年。
公司是国内唯一具备存储+晶圆级先进封测能力的服务商。公司晶圆级先进封测业务与公司存储业务具有较强的协同性，一方面可以满足先进存储封装需求，为公司研发和生产先进存储产品构建技术基础，提供相关封装产能；另一方面可以与公司存储业务协同，服务公司客户对于存算合封业务的需求，为相关客户提供封测服务，一体化的解决方案亦能够提升公司产品的价值量，打开营收增长空间。
公司晶圆级封测布局与现有业务在生产方面存在较高的协同性。晶圆级先进封测是现有业务在生产工艺及技术路线上的迭代升级，存在较高的重叠度，均包括了晶圆减薄、切割、贴片、固化、键合、植球、注塑、切割成型等工艺，新的产线与公司现有供应链有相当的重合度，可以有效利用供应链资源降低制造和采购成本。两者的主要区别在于晶圆级封测增加了晶圆RDL电镀布线和晶圆凸块电镀等工序，主要是为了实现凸块（Bumping）、重布线层（RDL）等晶圆级先进封装工艺。
核心工艺促进公司高端存储产品迭代升级，为AI 端侧芯片提供高端封测、存算合封。在公司的晶圆级先进封装项目投产后，核心工艺将对公司高端存储产品进行升级，满足客户高端化需求。1）凸块工艺应用于带主控芯片的 NAND Flash 型存储器：通过在主控芯片上方制作凸块，再用倒装方式与基板链接，接口数量大幅提升，使得传输速率更高，且厚度降低。公司晶圆级先进封测制造项目投产后将具备加工凸块的能力，高速存储芯片中的主控芯片将更多地使用凸块倒装封装方式。2）RDL 工艺应用于超薄 LPDDR 型存储器：随着智能手机轻薄化发展趋势，以及算力提升对数据存储传输速率提升相关需求的快速增长，对LPDDR产品的封装厚度要求越来越薄，传统封装技术已难以满足高端产品的厚度需要，应用于 AI 手机等终端的超薄 LPDDR 产品需要使用晶圆级封装工艺。通过制作 RDL 重布线层替代 Substrate，从而使得LPDDR产品厚度从原有的710μm 降低到 500μm。 3）存储和计算芯片合封：随着算力的快速提升，数据搬运速度愈发无法跟上计算芯片需求，成为制约存算芯片整体性能的瓶颈。运用了凸块和RDL重布线等晶圆级先进封装工艺，存算芯片之间连接通道增加且距离缩短为微米级以此实现存储芯片之间多通道垂直互联，数据存储和读取速率大幅提升。
晶圆级先进封测项目的团队经验丰富，人员与技术储备充分。公司已组建完整的、国际化的专业晶圆级先进封测技术、运营团队。项目负责人拥有近20 年国际一流半导体公司运营管理经验，曾主持建立了国内首批12英寸晶圆级先进封装工厂并实现稳定量产。项目核心团队具备成熟研发和量产经验，熟练掌握晶圆级先进封测核心技术。团队的组建针对性地覆盖了从晶圆前道制造到后道封测的各个工艺环节所需，涉及的新增工序公司均有技术专家及其相关量产经验相对应。公司内部从事封测工艺的人数超过225人，富有经验、稳定的一线技术人员将成为晶圆级先进封测制造项目技术人员基础。
公司积极布局主控芯片，进一步强化产品竞争力，服务AI 端侧需求。公司还积极布局芯片研发与设计领域，目前公司第一款eMMC（SP1800）国产自研主控芯片已完成批量验证。作为先进存储系统中的核心组件之一，它支持 eMMC 5.1 协议，具备高速数据的传输能力。1）处理速度快：SP1800 芯片还采用了创新架构设计，以容量128GBeMMC为例，SP1800 实测顺序读取带宽可达327MB/s，顺序写入带宽可达297MB/s，随机读取 IOPS 36K，随机写入IOPS 更能达31K，领先于行业同类产品。 2）纠错能力强：结合 4K LDPC 算法和 SRAM ECC 纠错功能，芯片可以显著提升数据存储的可靠性和纠错能力。 3）存储容量大：支持 QLC 颗粒，这种高密度、大容量的闪存介质能够满足市场对大容量存储的需求。 4）场景定制优化：针对智能穿戴产品，公司在主控芯片的性能和功耗方面做了很多的定制和优化；同时，公司自研主控提供端到端数据保护，适合车规应用场景，从而提升产品的市场竞争力。通过这些技术优势和性能特性，SP1800 能够为终端用户带来更加高效、安全的存储体验，广泛应用于智能手机、平板电脑、机顶盒和 PC 等设备。同时，公司通过自研LDPC纠错算法、高性能架构设计以及低功耗技术的开发等丰富的技术积累成功打造了一个具备高度灵活性和可扩展性的主控芯片技术平台。与第三方主控芯片厂商对比，公司作为存储领域的龙头企业，布局自研主控芯片拥有更多优势，通过主控芯片与存储产品的协同创新，能快速响应市场需求并构建竞争壁垒，且直接面向终端客户，产品价值量也更高。
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