中科飞测科技股份有限公司成立于 2014 年，是国内领先的高端半导体质量控制整体解决 方案提供商，总部位于深圳。公司专注于先进制程与泛半导体领域，提供“检测设备 + 量 测设备 + 智能软件”服务，在良率提升、缺陷识别、参数量测、闭环反馈控制等环节实 现系统覆盖，持续推进高端装备国产化。2024 年，公司实现营业收入 13.80 亿元，同比 增长 54.94%；全年研发投入占营收比例达 36.07%，同比提升 10.45 个百分点，持续聚焦 核心产品的打磨与平台能力建设。
1.1 聚焦三大核心板块，质量控制全链布局
1.1.1 发展历程：从检测技术突破到质量控制全链布局
专注高端半导体质量控制设备研发，聚焦检测设备国产化突破。公司由中科院微电子所团 队及产业资本共同发起，2017 年无图形晶圆缺陷检测设备通过中芯国际产线验证，三维 形貌量测设备通过长电先进产线验证；2018 年图形晶圆缺陷检测设备通过长电科技验证 并承担国家科技重大专项任务，2019 年 3D 曲面玻璃量测设备通过蓝思科技产线验证。 进入规模化与质量控制体系构建阶段，持续推动检测、量测及软件产品的迭代与应用拓展。 2020 年启动良率管理软件研发，薄膜膜厚量测设备通过士兰集科产线验证；2021 年无图 形晶圆缺陷检测设备通过国家科技重大专项验收。2023 年登陆科创板，至 23 年底设备累 计交付 650 台；至 2024 年底交付量突破千台，产品覆盖 28nm 及以上制程，并布局电子 束关键尺寸量测设备等新产品，覆盖全球 66.6%的质量控制设备市场空间。公司量检测设 备已广泛应用在中芯国际、长江存储、士兰集科、长电科技、华天科技、通富微电等国内 主流集成电路制造产线。
1.1.2 产品体系：覆盖检测、量测、良率管理的三大核心板块
公司已形成"检测设备 + 量测设备 + 智能软件"协同发展的三大产品体系，涵盖 12 类关 键产品：
A. 缺陷检测类设备（4 类） 无图形晶圆缺陷检测设备：至 24 年底覆盖超 100 家客户，累计交付超 300 台，适配逻辑、 存储、功率、MEMS、3D 封装等产线，已完成新一代高灵敏度产品迭代。图形晶圆缺陷 检测设备：累计交付量超过 300 台，3D AOI 通过 HBM 等场景验证。明场纳米图形缺陷 检测设备：适用于关键节点明场缺陷检测，具备自动聚焦、多倍率切换功能，开展客户样片验证和产线开发验证。暗场纳米图形缺陷检测设备：采用深紫外激光暗场成像，用于识 别纳米级复杂图形缺陷，已覆盖多家头部客户。
B. 先进量测类设备（6 类） 三维形貌量测设备：交付约 200 台，覆盖近 50 家客户，具备亚纳米级精度，应用于减薄、 TSV 等结构检测。介质薄膜膜厚量测设备：取得广泛应用和批量销售，覆盖国内主流集成 电路客户产线，持续开展最前沿工艺产品研发。套刻精度量测设备：已实现批量销售，2024 年新一代产品出货验证客户覆盖广泛。光学关键尺寸量测设备：聚焦于前道制程中的关键 工艺尺寸测量，2024 年完成客户验证。
C. 良率管理软件（3 类） 良率管理系统（YMS）：用于芯片制造全流程的数据集中分析与管理，结合统计分析与人 工智能算法，助力客户提升工艺稳定性与产品良率。缺陷自动分类系统（ADC）：对不同 工艺环节的缺陷数据进行自动识别与统计分析，实现缺陷类型的智能分类和分布追踪，显 著提升检测效率并减少人工复判工作量。光刻套刻分析反馈系统：整合光刻机与量测设备 数据，建立高阶分析与建模反馈机制，实现对光刻工艺偏差的实时监控与修正，提升套刻 精度与光刻良率水平。
1.1.3 股权结构：科研与资本协同，控股权稳定可持续
公司股东结构兼具技术背景+财务投资+产业资源。截至 2025H1，公司创始人兼董事长通 过苏州翌流明间接持股 8.10%。此外，中科院微电子所、华为哈勃投资均在其股东之列。 公司同时引入多家产业资本和投资机构股东，包括国投基金、深创投等，前十大股东合计 持股比例超过 50%。2024 年，中科飞测对核心员工进行股权激励，确认了 8320.80 万元 的股份支付费用，是利润下滑的原因之一。
1.1.4 管理团队：深厚科研底蕴与产业经验并重
核心管理团队具有深厚的交叉学科背景和丰富的半导体装备产业经验。团队多数来自中科 院、清华大学、上海交通大学等科研院校，在光学系统设计、图像识别算法、精密机械控 制、软件平台搭建等方面形成互补，包括陈鲁在内的 3 名中科飞测核心技术人员都曾在中 科院微电子所任职。
1.1.5 技术团队：研发体系完善，激励绑定强化创新动力
公司技术团队持续扩张并形成跨学科、高密度的人才体系，成为推动核心技术突破与产品 迭代的关键驱动力。研发方向全面覆盖高分辨率光学成像、深紫外激光检测、AI 缺陷识别 算法、三维量测及工艺反馈系统等核心领域，研发人员规模从 24 年上半年的 465 人增至 2025 年上半年的 577 人。 公司贴近客户产线开展协同研发与快速验证，在深圳、上海、北京、厦门等多地设立研发 中心。核心技术团队在短期内实现从 90nm 向 14nm 工艺节点的跨越式突破，并在 7nm 节点取得关键技术进展，产品性能接近国际领先水平。公司同步完善薪酬与激励体系，通 过限制性股票激励计划绑定核心骨干，吸引并稳定高端人才。
随着全球半导体工艺向 7 nm 以下节点持续演进，检测与量测设备作为良率管理的核心支 撑环节，是实现制程精度与可靠性的重要保障。近年来，全球量检测设备市场规模稳步增 长，行业格局呈现“光学主流、多技术并行”的态势。中国大陆凭借晶圆厂扩产与政策扶 持，已成为全球增量需求核心区域，市场规模快速提升，国产化率稳步提高。
2.1 量检测设备：先进制程良率控制的核心支撑
2.1.1 从产业链视角看半导体制造环节，检测与量测构筑良率基础
集成电路是现代信息技术的核心基础产业之一，产业链环节复杂、分工精细、技术壁垒高。 半导体产品可分为四类：集成电路、分立器件、光电子器件和传感器。其中，集成电路是 半导体产业的核心，占行业规模的 80%以上。半导体产业链上游为材料与设备等支撑性行 业，中游包括芯片设计、晶圆制造与封装测试，下游则覆盖广泛的终端产品与应用场景， 构成了层次分明、协同紧密的全球化产业体系。
检测与量测设备是半导体制造环节中保障良率与生产效率的关键基础，随着结构复杂度与 精度要求的持续提高，行业对工艺控制和数据闭环能力的依赖日益增强。根据 YOLE 的 统计，制程中每缩小一代节点，工艺中产生的致命缺陷数将增加约 50%。在先进工艺节 点下，芯片制造对工艺窗口的容差几近“零缺陷”，检测与量测环节贯穿晶圆制造全过程， 承担着发现问题、量化偏差与维持工艺稳定的核心职能。
应用于前道制程和先进封装的质量控制根据工艺可细分为检测和量测两大环节。①检测： 指在晶圆表面上或电路结构中，检测其是否出现异质情况，如颗粒污染、表面划伤、开短 路等对芯片工艺性能具有不良影响的特征性结构缺陷；②量测：指对被观测的晶圆电路上 的结构尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、关键尺寸、刻蚀深度、表面形貌等 物理性参数的量。
三种量检测技术相辅相成，在不同工艺环节各展所长。按照技术原理，半导体量检测主要 可分为：光学检测技术、电子束检测技术、X 光量测技术与其他技术原理设备等。几种技 术原理的差异主要体现在检测精度、检测速度及应用场景上。目前，在所有半导体检测和 量测设备中，应用光学检测技术的设备占多数，公司所研发、生产的检测和量测设备主要 基于光学检测技术。
2.1.2 缺陷检测体系与关键技术，光学与电子束检测协同提升良率控制
半导体缺陷检测是保障晶圆制造良率与工艺稳定性的核心环节，可分为无图形晶圆检测、 图形晶圆检测和掩膜版检测三类。其中，无图形和图形晶圆检测广泛采用光学检测技术。 光学检测通过分析光信号反射或散射特征，实现对晶圆表面缺陷的识别与分类。随着制程 线宽进入亚百纳米级，信噪比与分辨率成为决定检测性能的关键因素，对光学系统的灵敏 度与数据算法提出更高要求。 无图形晶圆检测主要用于生产前的晶圆质量验证和工艺污染监控，是产线洁净度控制的重 要手段。该类检测对象通常为裸硅片或覆盖薄膜的测试片，目标缺陷包括颗粒、划痕、残 留及裂纹等，通过明场或暗场两种模式实现检测。暗场检测利用激光照射晶圆表面，当光 束遇到缺陷时产生散射信号，可高灵敏识别微小颗粒；明场检测更适用于较大缺陷或图案 异常的识别。
图形晶圆检测用于识别晶圆图案化后的随机或系统性缺陷，是先进制程良率控制的关键环 节。常见方法包括光学明场检测、暗场检测及电子束检测（EBI）。光学检测通过比对相邻 芯片图像实现随机缺陷识别，明场适合常规表面检测，暗场增强边缘与高反射区域的对比 度，更适用于复杂结构；电子束检测具备纳米级分辨率，可识别极微小物理或电性缺陷， 但速度较慢，多用于关键区域复检。 图形晶圆成像检测技术是当前晶圆缺陷检测中应用最广、发展最成熟的光学检测手段。 该技术通过从深紫外到可见光波段的宽光谱照明，或采用深紫外单波长高功率激光照明， 以高分辨率、大视野的光学明场或暗场成像方法获取晶圆表面电路图案图像。系统实时执 行电路图案的对准、降噪与分析，实现缺陷的识别与分类。其核心原理是通过比较相邻芯 片（裸片）的图案图像，利用差分算法识别缺陷区域：若两图像一致，则差分结果为零； 若存在异常，则缺陷信号保留在差分图像中。该方法可精确定位缺陷位置，实现对随机缺 陷的高效检测与统计。
电子束检测技术在分辨率与检测灵敏度上具有显著优势，是关键区域复检与电性缺陷分析 的重要手段。原理是利用电子束照射晶圆表面，检测二次电子与背向散射电子信号，从而 成像并识别微小结构差异。系统可根据布线导电性的不同，将二次电子数量转换为图像对 比度（电压对比度），用于识别断线、接触不良等电性缺陷。电子束检测还能在高深宽比 接触孔中检测极薄 SiO₂残留，实现对亚纳米级缺陷的表征。虽然检测速度较慢，但其精 度优势使其成为先进制程中关键节点验证与高端研发不可替代的检测手段。
光刻掩膜版成像检测技术是保障光刻精度与图形转移质量的关键环节。针对光刻工艺所使 用的掩膜版（光罩），通过宽光谱或深紫外激光照明，以高分辨率、大口径的光学成像方 法采集图案图像，从而识别掩膜版上的图形缺陷。系统能够以极高的捕获率检测掩膜上的 断线、桥接、污染与颗粒等异常，并通过自动分类算法进行判定与记录。
2.1.3 量测技术原理：结构参数量化与精度控制
量测环节是实现半导体制造工艺精度控制与结构一致性的关键过程。光学量测技术基于光 的波动性与相干性原理，能够在远小于波长的尺度上实现高精度测量，广泛应用于集成电 路制造与先进封装环节。主要量测项目包括三维形貌量测、薄膜膜厚量测、套刻精度量测 及关键尺寸量测等，用于表征晶圆在不同工艺阶段的几何尺寸、膜层厚度与层间对准精度， 为工艺控制与良率提升提供数据支撑。
光学套刻量测技术是多层电路制造中确保图形精准叠加的方法。该技术主要包括基于图像 的 IBO（Image Based Overlay）和基于衍射的 DBO（Diffraction Based Overlay）两类。 为满足更高的套刻精度要求，设备技术持续在光源强度与波长覆盖、光学子系统信号处理算法、标准图形设计及机械平台性能等方面迭代优化，从而在更复杂制程中实现纳米级对 准精度与高效量测能力。 IBO 与 DBO 分别代表当前光学套刻量测的两种核心技术路径。IBO 通过高分辨率显微成 像对前后层标记的相对位置差进行量化，直接计算 X、Y 方向的偏移量以反映套刻误差； 而 DBO 则通过分析前后层套刻标记衍射信号的强度与相位差异来推导偏移，当信号对称 时表示完美对准，非对称则代表位移误差。两者互为补充，IBO 具备直观与高灵活性优势， DBO 在亚纳米级精度与复杂结构工艺中表现更优。
薄膜量测是确保半导体器件性能与工艺一致性的关键环节。在芯片制造过程中，各层薄膜 的厚度、折射率及材料特性直接影响器件的功耗、开关速度和可靠性。随着制程节点向 3nm 及以下演进，膜厚或光学常数的微小偏差都可能导致电学或光学失效。在高 k/金属栅 极、Si/SiGe 异质结构、GaN 和 SiC 功率器件、硅光子器件等关键层中，对薄膜厚度和界 面质量的控制要求极为严苛，因此高精度的膜厚量测成为先进制程质量控制的基础。 光学膜厚量测技术凭借非接触、非破坏与高精度优势，成为膜厚测量的常见方法。该技术 基于光学干涉原理，通过测量反射光谱的干涉峰值或利用椭圆偏振法分析反射光的相位差 来计算薄膜厚度和折射率。在 90nm 至 28nm 制程中被广泛应用，用于氧化物、氮化物、 光刻胶及金属层等薄膜的厚度监控。光学量测具备高重复性与高灵敏度，但在超薄膜或表 面存在污染时，干涉信号减弱会影响精度，需要通过多波长光源与算法优化进行补偿。
关键尺寸量测是先进制程中确保器件性能与工艺稳定性的核心环节。随着器件尺寸持续缩 小、集成度不断提升，关键尺寸（Critical Dimension, CD）的精确控制直接影响芯片的电学特性与良率水平。光刻胶线宽、刻蚀深度或侧壁角的微小偏差，都会导致器件漏电、失 效或性能波动。 光学关键尺寸量测（Optical CD, OCD）凭借速度与精度兼备的优势，正逐步取代传统电 子显微量测成为主流方案。传统 CD-SEM 虽具亚纳米级分辨率，但速度慢、成本高且难 以适配高通量产线；OCD 基于衍射光学原理，通过分析光在周期性结构上的反射、衍射 与偏振特性，并结合光谱建模反演结构参数，可在非接触、非破坏条件下快速测量线宽、 侧壁角与高度等关键特征，能实现光刻、刻蚀、CMP 等多工艺节点在线量测与实时反馈。
2.1.4 全球半导体检测与量测设备市场规模稳步增长，前道制程是核心应用领域
全球半导体检测与量测设备市场规模稳步增长，检测设备占据主导地位。根据 VLSI 数 据统计，2023 年全球半导体量检测设备市场规模约为 128.3 亿美元，其中检测设备占比 约 67.9%，量测设备占比约 30.8%。随着制程越来越先进、工艺环节不断增加，制造过 程中检测设备与量测设备的技术要求及需求量持续提升。
前道制程是检测与量测设备核心应用领域，设备类型分工明确、功能互补。从应用分布看， 前道工艺环节占整体市场的 80% 以上。不同设备类型在光刻、刻蚀、薄膜沉积、CMP、 清洗、衬底/外延及掩膜版等环节承担各自的检测与参数控制任务。其中，关键尺寸量测与 套刻精度量测设备是实现先进制程尺寸控制的核心工具，明/暗场缺陷检测设备则在光刻与 刻蚀环节发挥良率监控的重要作用，共同构成先进制造过程的质量控制体系。
2.2 全球半导体设备景气回升，量检测赛道保持稳健发展
全球半导体设备行业景气度与产业周期密切相关，市场规模持续增长。作为支撑芯片制造 的关键上游环节，半导体设备行业的发展高度依赖下游晶圆厂的资本开支与技术迭代周期。 根据 SEMI 数据，2023 年全球半导体设备销售额达到 1,062.5 亿美元，较 2020 年增 长 49.3%。2024 年，随着晶圆厂资本开支回暖先进制程扩产，市场规模达 1,171.1 亿 美元，同比增长约 10.2%；2025 年预计进一步增至 1,210 亿美元，行业规模持续扩张。
检测与量测设备作为晶圆制造良率控制的关键环节，市场规模稳步提升。根据 MMR 数据， 2024–2029 年全球半导体检测与量测设备市场规模将由 173.1 亿美元增长至 233 亿美 元，复合增速约 6.1%，在整体半导体设备市场中的占比大致在 14%–16% 区间，位列 光刻、刻蚀、薄膜沉积之后，成为继三大核心设备之后的第四大赛道。
2.3 全球量检测设备技术演进与区域格局
2.3.1 检测与量测路线持续演化，AI 参与发展
过去四十年，半导体产业在制程、结构与材料层面实现了革命性跨越。器件设计节点从 3000 nm 缩小至 5 nm 以下，晶体管结构由平面型演进为三维垂直结构（FinFET、环绕 栅极 GAA）。光刻波长从 436 nm (G-line) 降至 13.5 nm (EUV)，存储器技术从平面 NAND 转向 3D 堆叠。与此同时，CMP、铜互连、高-K 金属栅极、应变硅、等新工艺 和新材料不断涌现，芯片封装亦从单芯片走向异构集成与 3D 封装，推动产业持续演进。 制程精度和良率控制成为先进制造的核心挑战，检测与量测设备的重要性显著提升。随着 器件尺寸不断缩小、结构复杂度大幅提升，工艺窗口日益收窄，任何微小偏差都可能导致 器件失效。检测与量测设备在光刻、蚀刻、沉积、CMP 及封装等关键环节中，通过识别 缺陷与反馈参数变化，构建实时工艺监控体系，是支撑良率与可靠性的基础设施，并构成 现代晶圆厂 SPC（统计过程控制）体系的技术核心。 KLA 是全球光学检测技术的开创者，1984 年发布的 KLA 2020 系统首次实现图案化晶 圆的自动化检测。90 年代推出的 21xx 系列将检测延伸至量产环节，2000 年代的 23xx 系列进入宽带紫外时代，2005 年的 28xx 系列首次引入深紫外光源，形成多波段融合的 检测体系。2010 年，29xx 利用可见光/紫外/深紫外波段，可在研发阶段发现设计和工艺 的系统性缺陷，并在大批量生产过程中捕捉关键层偏差。 进入 EUV 时代后，KLA 持续引领光学检测技术升级，并布局下一代 BBP 平台。自 2016 年起，KLA 推出 39xx 系列，采用超分辨率深紫外光源（SR-DUV）及 AI 算法，实现 EUV 制程下的高灵敏度与高吞吐检测。未来，KLA 正研发新一代 BBP 平台，融合多光学路径 与智能算法，面向 5 nm 及以下制程，在灵敏度、速度与覆盖率之间实现新平衡，继续引 领全球光学检测技术的发展方向。
电子束量检测技术凭借超高分辨率与电性缺陷识别优势，正成为先进制程良率控制的重要 增长领域。根据 MMR ，2022 年全球电子束量检测市场中 1 nm 以下应用已占过半， 随着工艺节点持续微缩、缺陷尺寸减小及密度提升，电子束检测在亚纳米级缺陷识别中的 作用愈发突出。2024 年全球电子束计量与检测设备市场规模约 31.26 亿美元，预计到 2031 年将达 49.6 亿美元，年均复合增长率约 6.8%；其中 2022–2029 年电子束晶圆 检测市场 CAGR 有望达 19.9%，10 nm 以上应用将成为未来主要增长动力。
2.3.2 亚太产能扩张、美欧创新引领，国产厂商加速突破
全球半导体量测与检测设备市场保持稳健增长，受先进制程推动需求持续上升，主要得益 于 FinFET、GAA 与 3D NAND 等先进工艺的持续推进，对高精度检测与量测方案的需 求显著提升。随着制程向 7 nm、3 nm 及以下演进，设备厂商正不断强化检测灵敏度与 算法性能，以支撑更高的工艺良率控制与结构一致性。 区域格局呈现“东扩产能 + 西端创新”的双极特征，亚太市场成为增长核心。亚太地区已 成为全球最大市场，2024 年市场份额预计达 54.7%，主要受中国大陆、韩国与中国台湾 晶圆厂扩产驱动；未来十年该地区仍将保持主导地位。美国与欧洲市场则依托 EUV 与 ≤7 nm 先进制程的持续投资，成为创新与高端制程的主要发源地。从产品结构看，检测设备 在 2024 年收入占比约 56.8%，量测设备占比 43.2%。
全球竞争格局由美日寡头主导，国内厂商正加速技术突破与国产替代。KLA 在高端光学 检测领域占据绝对领先地位，应用材料与日立高新在电子束与尺寸量测环节具有优势。国 产代表如中科飞测、精测电子、卓海科技等在不同市场正快速追赶。与国际厂商聚焦先进 逻辑制程不同，国内企业以光学检测为主，并逐步引入电子束检测与 AI 缺陷识别算法， 以提升检测精度与智能化水平。
2.4 量检测设备国产化率与替代节奏加速
2.4.1 中国市场持续扩容，成为全球量检测设备增量核心
中国已成为全球最大的集成电路生产与消费市场，是全球半导体增长的核心引擎。近年来， 受全球供应链紧张及国家政策与资本支持的推动，国内晶圆代工与封测龙头企业纷纷启动 扩产与技术升级计划，为国产设备厂商创造了前所未有的发展机遇。中国在全球产业链中 地位持续提升，正从制造环节的配套角色转向关键设备技术的自主突破与产业引领。
政策扶持与技术升级共振，推动本土化进程与产业结构优化。据未来半导体的统计数据， 2023 年中国大陆在全球量检测设备市场的规模约 58.2 亿美元，领先中国台湾与韩国， 2024 年预计占全球近 35%，并在 2025 年有望进一步提升至 76.4 亿美元。伴随“中国 制造 2025”“强芯工程”等政策推进，本土晶圆厂加速采用国产检测与量测设备以降低对海 外依赖，预计未来中国市场年复合增长率约 5.1%，将继续引领全球设备投资增长潮流。
半导体设备投资快速扩张，为检测与量测设备需求提供强劲支撑。根据 SEMI 数据预测， 2020–2024 年中国大陆半导体设备市场规模由 187.2 亿美元增至 490 亿美元，已经连 续 5 年成为全球第一大半导体设备市场。其中，2021 年增速最高（同比 +58.1%）， 2023–2024 年仍保持高位增长（分别 +29.7%、+35.2%）。 检测与量测设备市场保持高景气度，中国市场份额持续扩大。2020–2024 年中国大陆检 测与量测设备市场由 21 亿美元增至 55.9 亿美元，复合增长率达 33.2%。即便在 2023 年全球半导体投资放缓的背景下，大陆市场仍实现 +8.3% 的逆势增长，2024 年预计增 速达 28.2%，显著高于全球平均水平，显示出强劲的内需驱动与设备更新动力。
2.4.2 国产替代率稳步提升，本土厂商迎来结构性突破窗口
全球量检测设备市场高度集中，美日厂商长期垄断主导地位。根据 VLSI 数据统计，23 年全球半导体量检测设备行业 CR5 超过 84%，主要由 KLA、应用材料、日立高新等企业 占据，行业进入壁垒极高。随着先进工艺节点推进及良率管理要求提升，全球晶圆厂对高 性能检测与量测设备的依赖进一步加深。然而，伴随国内晶圆制造产线的快速扩张与设备 更新需求增长，国产厂商正迎来技术突破与国产替代的战略窗口期。 国产厂商加速追赶，已在关键节点实现突破并进入量产验证阶段。根据光刻人的世界公众 号统计，截至 2025 年 9 月，中国半导体量检测设备国产化率已达 16.4%，较 2023 年提 升 5.2 个百分点。国产设备已覆盖 28 nm 及以上制程主要工艺环节，并在部分细分领域 实现 14 nm 节点的技术突破。虽然与国际领先厂商在先进制程环节仍存在约 2–3 代差 距，但本土厂商正快速缩小差距。其中，中科飞测、精测电子等代表企业已具备 28–14 nm 节点及先进封装领域的批量交付能力，部分产品进入验证阶段，标志着国产设备正从“补 位”走向“并跑”。
中科飞测已在“产品—财务—研发—扩产”四个维度形成正向循环，持续夯实其在国内半 导体质量控制设备领域的领先地位。
3.1 产品体系：构建全流程良率管理解决方案
3.1.1 量检测设备：覆盖检测、量测与智能软件三大板块
中科飞测深耕高端半导体质量控制领域，品体系覆盖检测、量测与智能软件三大板块，构 建全流程良率控制生态。公司 2017 年获国家高新技术企业认定，2022 年入选“国家级专 精特新‘小巨人’企业”。目前公司七大系列设备已实现批量量产并应用于头部晶圆厂产线， 两大系列设备进入产业化验证阶段，三大智能软件系统在国内主流客户实现部署与应用， 形成较强的技术壁垒与客户粘性。
3.1.2 产能布局与研发体系：持续强化创新驱动力与产业化能力
公司持续构建以核心技术自主研发为基础的创新体系，形成覆盖全国与海外的研发生产布 局。截至 2024 年底，公司累计拥有专利 601 项，其中发明专利 178 项，承担多项国 家级、省市级重点专项研发任务。公司总部位于深圳，在深圳、北京设有研发中心，在深 圳、上海、广州布局生产基地，并在全国主要芯片产业集聚区设立应用中心，同时在香港 与新加坡设有海外分支机构，形成覆盖全国、辐射海外的研发与服务网络。
中科飞测持续保持高水平研发投入，稳步推进各系列设备的产业化进程。 2025 年前 3 季度，公司研发投入达 44,005.8 万元，同比增长 31.32%。截止 25 年 6 月份，公司研 发人员数量达 577 人，较 2024 年同期增加 112 人，占员工总数的 45.47%，其中博士 和硕士比例超过 50%。公司通过持续研发投入不断巩固在光学检测与量测领域的竞争力， 紧密跟随客户工艺技术迭代，提升产品先进性和客户粘性。
公司研发体系聚焦检测与量测核心领域，研发项目布局全面、技术方向前瞻。截至 2025 年上半年，公司在研项目共 8 项，预计总投资规模 14,101.43 万元，25 年已投入 2,062.75 万元，累计投入超过 1.06 亿元。研发方向主要聚焦半导体检测与量测两大核 心领域，项目整体技术水平处于国内领先，应用场景覆盖集成电路前道制程与先进封装环 节，为公司产品矩阵完善与技术纵深拓展奠定基础。
研发进展顺利，产业化验证稳步推进，形成从技术突破到量产落地的良性循环。目前 7 个 项目已进入产业化验证阶段，具备较高成熟度，正在客户产线进行工艺验证或小规模量产； 另有 1 个项目处于设计阶段，为面向先进工艺节点的电子束关键尺寸量测设备。整体来 看，公司已建立起以核心技术创新为驱动的研发体系，实现“技术突破—样机开发—量产 验证”的全流程闭环。
3.2 经营表现与财务分析：规模高增、结构稳健、盈利能力持续强化
3.2.1 营收情况经营规模快速增长，盈利能力长期向好
公司营收保持高速增长，核心技术突破与产品升级持续驱动业绩提升。2025 年前三季度， 公司实现营业收入 12.02 亿元，同比增长 47.92%，延续近年来的高增长态势。随着技 术能力、客户资源与产品矩阵竞争力的不断强化，公司市场认可度显著提升，订单规模持 续扩大，带动整体营收稳步增长。同期，公司实现归母净利润 -1,469.85 万元，亏损幅度 较前期明显收窄，主要受营收规模扩大及整体费率下降的影响。 短期盈利承压主要源于研发与激励投入增加，长期成长逻辑保持稳健。2024 年，公司实 现营业收入 13.80 亿元，同比增长 55%；归母净利润 -0.12 亿元，同比下降 108%。 利润下滑主要因公司加大研发与人才激励投入。全年研发支出 4.98 亿元，同比增长 118.17%，推动核心产品向更高制程升级；同时，公司实施《2024 年限制性股票激励计 划》，股份支付费用阶段性增加，对短期盈利造成一定压力，但有助于巩固长期竞争力。 公司已进入规模化成长阶段，盈利能力与经营韧性持续增强。整体来看，2018–2024 年 公司营业收入从 0.30 亿元提升至 13.80 亿元，年复合增长率超过 85%；毛利率由 24% 提升至 49%，盈利能力显著改善。尽管 2024 年净利润短期承压，但净利率整体呈上升 趋势，体现出公司在扩张与技术升级阶段的稳健经营基础。随着前道制程与先进封装新产品持续放量，公司有望在未来实现收入与利润的双重修复与增长。
公司收入保持高速增长，成长性显著领先行业平均水平。2023–2024 年，公司营业收入 同比增长率分别为 75% 与 54.9%，连续两年实现高增，显著高于可比公司平均水平。 可比厂商自 2021–2022 年高点后增速普遍回落，行业整体进入稳健扩张阶段，而中科 飞测仍处于快速放量期。公司收入增速与华海清科、盛美上海相当，展现出强劲的成长动 能，已稳居国产半导体设备核心成长梯队。 公司毛利率保持高位运行，产品结构与成本控制优势突出。2020–2024 年，可比公司1平 均毛利率由 40.55% 提升至 48.82%，整体呈上升趋势；中科飞测表现优于行业平均。公 司 2021 年毛利率为 48.96%，略高于平均水平；2022 年与 2024 年分别为 48.67% 和 48.90%；2023 年进一步升至 52.62%，高于行业平均 51.77%。持续的高毛利反映出公 司在高端产品布局、规模效应和制造成本控制方面的竞争优势。
公司主营业务结构稳健，检测设备保持核心优势，量测与服务业务增长潜力突出。公司主 营业务收入结构保持稳定，检测设备仍为主要收入来源，占比 68.35%，体现其在晶圆检 测领域的核心竞争力；量测设备收入占比 24.89%，随着产品产业化推进和客户验证落地， 贡献度持续提升；服务及其他业务占比 6.76%，主要包括系统服务与配套软件等。按区域划分，境内收入占比高达 99.86%，境外仅 0.14%，公司业务仍以国内市场为主，未来 有望伴随海外布局推进实现结构优化。
3.2.2 存货与产销规模：产能扩张良性匹配，订单储备充足
随着公司业务规模的扩大，存货余额稳步上升。公司主要根据订单与销售预测安排生产， 采购部门按生产计划及库存情况制定采购方案。2022–2024 年，公司营业收入复合增长 率 64.64%，存货复合增长率 42.11%，增长节奏匹配，体现出产销扩张的良性协调。2024 年末公司在手订单金额 93,729.39 万元，同比增长 57.8%，订单覆盖率仍处高位，显示 客户需求旺盛。
公司存货规模稳步上升，结构合理，为后续业绩释放奠定基础。截至 2024 年末，公司 存货余额 17.98 亿元，同比增长 57.1%，较 2022 年翻倍，存货占总资产 41.51%，整 体保持合理水平。结构上，原材料 5.68 亿元、在产品 4.49 亿元、发出商品 7.45 亿元， 分别同比增长 60.5%、48.3%、62.6%。发出商品的增加主要系部分设备已发货但尚未验 收。总体来看，公司存货结构健康、无异常积压。
检测设备产销规模持续扩张，市场需求旺盛，增长态势显著。2024 年，公司检测设备生 产量 245 台、销售量 176 台，分别同比增长 96.00% 和 53.04%，产销规模均实现翻 倍增长；2023 年生产量虽下降 11.35%，但销售量增长 40.24%，显示出公司库存消化 能力强、下游需求旺盛。检测设备产销波动主要受新品迭代与客户验收周期影响，但整体 趋势保持快速上升。 量测设备业务保持高增长，交付效率与客户验证能力同步增强。2024 年，公司量测设备 生产量 139 台、销售量 106 台，分别同比增长 93.06% 和 37.66%，产销规模显著提 升；2023 年生产量下降 20.88%，但销售量增长 37.5%，同样展现出公司出货节奏优化 与交付效率提升。随着前道制程及先进封装应用需求的扩大，公司量测设备业务有望保持 高位增长态势，成为未来营收增长的重要引擎。
公司销售费用保持合理增长，费用率稳定在健康区间。2024 年公司销售费用为 1.06 亿 元，同比增长 81.7%，主要系公司业务上升、销售及客户服务人员增加所致。尽管费用 增长明显，但受益于营收规模的大幅提升，销售费用率仅为 7.68%，较 2023 年的 6.53% 略有上升，整体仍处于合理区间，公司在扩大市场覆盖的同时保持了较好的成本控制能力。 销售费用率持续优化，投入效率稳步提升。从行业对比看，2024 年可比公司平均销售费用率为 5.98%，中科飞测略高于行业均值，但显著低于部分以直销为主、客户结构更分 散的企业，如华峰测控（14.14%）与盛美上海（7.51%）。结合三年趋势（2022–2024 年 分别为 10.57%、6.53%、7.68%），公司销售费用率整体呈下降趋稳态势，反映出其在业 务扩张中的销售效率持续提升，销售费用与收入增长相匹配，市场开拓能力与盈利质量兼 顾。
3.3 公司客户结构保持稳定，核心量检测设备保持领先
客户结构优质稳固，核心客户持续放量带动业务增长。据公司年报显示，2020–2022 年， 公司前五大客户销售额占比分别为 51.21%、44.32% 和 33.27%，客户集中度逐步下降， 体现出公司在维持核心客户稳定合作的同时，积极拓展新客户及新应用领域。主要客户包 括中芯国际、长江存储、士兰集科、华天昆山及芯恩（青岛）等，这些企业在晶圆制造及 先进封装环节具有较高市场份额，与公司检测、量测设备应用场景契合度高。 核心客户订单快速增长，产品导入与放量加速推进。据公司年报显示，2023–2024 年， 公司前五大客户销售额分别为 2.43 亿元（占比 27.32%）和 5.43 亿元（占比 39.31%）， 核心客户订单规模显著增长，反映出公司产品在主流客户产线的持续导入和放量应用。客 户集中度的阶段性上升主要源于公司在高端检测与量测设备领域的快速放量，重点客户批 量验证与新增产线扩张带动订单规模提升。
无图形晶圆缺陷检测设备保持领先，全面覆盖主流制程节点。公司无图形晶圆缺陷检测设 备凭借高灵敏度和高吞吐量优势，已能全面满足国内各制程节点客户的量产需求，累计交 付数量超过 300 台，覆盖超 100 家客户产线，广泛应用于国内所有主要集成电路制造 企业的生产线。2024 年，公司进一步推出灵敏度更高的新一代无图形晶圆缺陷检测设备， 通过多家国内头部逻辑及存储芯片厂商验证，并持续推进面向最前沿工艺节点的技术研发。 图形晶圆缺陷检测设备稳步突破，应用拓展至先进封装领域。公司图形晶圆缺陷检测设备 累计生产交付超过 300 台，覆盖 50 余家客户产线。公司开发的 3D AOI 图形晶圆缺陷 检测设备已在 HBM 等新兴封装应用中通过国内头部客户验证，具备向所有主流产线批量 供货的能力；设备可灵活配置不同工艺环节的缺陷检测参数，实现复杂结构的高精度检测， 公司还在持续研发灵敏度更高的下一代机型，以满足客户下一代制程的量产需求。 三维形貌量测设备加速渗透，支撑公司全流程布局完善。公司三维形貌量测设备在前道及 封装环节的应用快速拓展，累计交付约 200 台，覆盖近 50 家客户产线。该系列设备能 够支持不同制程工艺下的高精度三维形貌测量，重复性精度可满足不同客户需求，并在 HBM 等先进封装场景下通过多家国内头部客户验证。公司核心产品在逻辑芯片、存储芯 片及先进封装等关键环节均实现大规模应用，竞争力进一步增强。
3.4 募投项目与产能扩张：政策驱动与产业化并行推进
国家政策密集出台，检测与量测设备迎来重点扶持期。近年来，国家高度重视半导体装备 产业链的自主可控与技术突破能力，陆续出台多项政策支持检测与量测设备的研发与产业 化应用。从《智能检测装备产业发展行动计划（2023—2025 年）》到《首台（套）重大 技术装备推广目录（2024 年版）》，均将晶圆检测、量测设备及关键零部件列为重点支持 方向，为国内企业提供了清晰的政策导向、财政补贴与金融支持。
公司把握政策机遇，持续加码核心技术与产业化投入。在政策红利与产业升级的双重驱动 下，中科飞测作为国内高端半导体质量控制设备领域的领先企业，具备从核心技术突破到 产业化验证的系统能力。募集资金将重点支持公司在检测与量测设备的核心技术研发、产 品迭代升级及产业化扩产等方面的投入，顺应国家“补短板、强链条”的战略导向。通过强 化自主研发与产能布局，公司有望在晶圆检测与量测关键环节实现更高水平的国产替代。
募投项目稳步推进，核心产研一体化建设成效显著。公司 IPO 募集资金总额约 16.98 亿 元，截至 2025 年上半年累计投入 14.71 亿元，整体进度达 86.61%。其中，“高端半导 体质量控制设备产研一体化建设项目”仍在持续推进，是公司募投重点方向，建设内容包 括生产基地扩建、设备装配与调试线完善以及核心设备产业化产能提升。另两个项目已在 报告期内全部完成并达到预期使用状态，为公司后续规模化生产与技术创新提供了坚实支 撑。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
