1.1.从刻蚀与 MOCVD 起步的技术创新之路
中微公司立足中国、放眼全球，专注于半导体高端装备的自主研发与产业化，以持续创新引领国内微观加工技术的发展。中微公司自 2004 年创立以来，始终专注于半导体高端装备的研发与制造，立足中国、服务全球。公司深耕微观加工技术，凭借多年的技术积累与创新突破，逐步形成涵盖集成电路、泛半导体产业链的设备体系。公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 外延片生产、功率器件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。自 2017 年起，公司已经成为氮化镓基LED市场份额最大的 MOCVD 设备供应商，牢牢占据行业内的领先地位。依托持续的研发投入与自主创新精神，中微公司稳步提升产品竞争力与服务能力。
中微公司核心产品等离子体刻蚀设备与薄膜沉积设备持续获得市场认可，关键工艺环节的出货量与销售额显著增长，彰显其在先进制程中的核心地位。随着微观器件尺寸持续缩小，器件结构与制程工艺正经历深刻变革。存储器由 2D 向 3D 架构演进，使得刻蚀与薄膜工艺的重要性显著提升，对相关设备需求快速增长。公司始终坚持技术创新、产品差异化与知识产权保护，并保持高强度研发投入。截至 2025H1，公司在研项目涵盖六大类设备，合计超过二十款新产品，研发进展顺利。 公司持续瞄准全球半导体装备技术前沿，稳步推进“三维立体发展战略”，即深耕集成电路关键设备、拓展泛半导体关键设备领域应用并探索新兴产业机会。在刻蚀、薄膜、MOCVD等核心设备方向，公司研发和市场开拓均取得突破，新产品持续获得海内外客户认可，支撑业绩稳健增长。同时，公司积极开展外延式布局，旗下中微惠创、中微汇链、芯汇康及参投企业在细分赛道均实现实质进展，逐步形成多元化发展格局。产业化建设方面，南昌与上海临港研发生产基地已投产，总部大楼建设顺利推进，此外公司将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地，为未来十年研发与产能扩张提供保障。整体来看，公司持续践行三维立体发展战略，夯实行业龙头地位，为长期可持续发展奠定坚实基础。
1.2.团队、研发与股权激励并举，打造可持续发展引擎
公司核心技术团队在半导体设备领域积累了深厚的行业经验与技术优势，是推动中微持续创新与发展的关键力量。创始人、董事长兼总经理尹志尧博士拥有三十余年全球半导体芯片与装备产业经验，是等离子体刻蚀技术产业化的重要推动者之一。除创始人外，联合创始人及核心技术成员大多是在产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家，他们为公司带来了丰富的技术积累与管理经验。 公司股权结构较为分散，未形成单一控股股东格局，无实际控股人。截至2025H1，第一大股东上海创业投资有限公司由上海国资委控制，持股 14.93%，第二大股东巽鑫(上海)投资有限公司持股 12.94%。
公司持续完善长期激励机制，已多次推出限制性股票激励计划。2024 年，公司实施限制性股票激励计划，授予数量 880 万股，覆盖员工 1798 人，占比高达99.72%，显示出较强的覆盖广度与激励力度。同时公司预计 2025 年向激励对象授予不超过1200 万股限制性股票，首次授予部分合计 2470 人。公司通过大规模的股权激励，将核心管理层、研发骨干与公司长期成长深度绑定，增强了团队的凝聚力与稳定性，有助于保障公司在高强度研发投入下的持续创新能力和长期竞争优势。
1.3.公司高速成长延续，研发驱动未来
营收业绩保持高增长。2025 年上半年，公司实现营业收入49.61 亿元，同比增长43.88%，延续了自 2023 年以来的强劲增长态势。其中，刻蚀设备收入37.81 亿元，同比增长40.12%，继续构成营收主体；LPCVD 设备收入 1.99 亿元，同比大幅增长608.19%，新产品快速放量，成为拉动整体收入的重要力量。随着核心产品的不断迭代与客户认可度的提升，公司整体营收规模稳步扩大。 归母净利润稳中有升。2025年上半年，公司实现归母净利润7.06亿元，同比增长36.62%。利润增速略低于收入，主要系公司持续加大研发投入，截至2025H1，研发费用达到11.16亿元，同比大幅增长 96.65%；研发投入约 14.92 亿，占营收比例高达30.07%。在研发支出显著提升的背景下，公司净利率仍维持在约 14%的水平，整体盈利能力保持稳健，并为后续技术突破和市场拓展奠定基础。
高研发短暂压制净利率，高毛利凸显竞争实力。销售净利率方面，2024 年为17.81%，较 2023 年的 28.48%明显下滑，2025 年上半年进一步降至13.83%。净利率下降主要系公司持续加大研发投入，叠加期间费用率提升，对整体盈利能力造成一定挤压。整体来看，虽然高强度研发支出在短期内对净利率形成压力，但公司毛利率维持高位，表现出较高的盈利质量。
业务结构保持稳定，设备销售为主要来源。2024 年公司营业收入中，专用设备销售占比最高，达到 78.12 亿元，仍为收入的核心支撑；配套备品备件销售收入11.64 亿元，占比约13%，为公司收入提供稳定补充；服务收入 0.90 亿元，占比较低。现金储备持续提升，助力公司扩张。2024 年末公司期末现金及现金等价物余额达到56.55亿元，同比增长 59.84%，较 2023 年的 35.38 亿元显著提升。近年来公司经营现金流波动较大，但整体呈逐步改善趋势，叠加充裕的货币资金储备，使公司在研发投入持续加码、产能扩张以及市场开拓方面具备更强的资金保障能力。公司自 2022 年以来现金水平显著增长，充足的现金流为公司在高端设备领域持续加大研发投入、加快新品导入和提升国际市场份额提供了坚实支撑，也提升了公司抵御行业周期波动的能力，为后续业务扩张和战略落地奠定良好基础。
中微公司专注于高端半导体微观加工设备的研发、生产与销售，主营产品涵盖等离子体刻蚀设备、MOCVD 设备及薄膜沉积设备三大类。公司最早以刻蚀设备和MOCVD设备切入市场，并逐步拓展至 LPCVD、ALD 等多种薄膜沉积装备，广泛应用于集成电路先进制程、功率器件、LED、新型显示及 MEMS 等领域。凭借持续的技术创新和高强度研发投入，公司多款设备已在国内外一流客户实现装机与验证，逐步形成覆盖多核心工艺环节的产品体系。
2.1.CCP+ICP 协同发展，刻蚀产品线持续扩展
公司刻蚀设备产品体系完善，主要分为 CCP（电容耦合等离子体）刻蚀设备与ICP（感应耦合等离子体）刻蚀设备两大类。根据 2024 年报，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机 Primo SD-RIE 已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已经通过；ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 50 多个客户的生产线上量产，并继续验证更多 ICP 刻蚀工艺。两类产品协同发展，共同构成公司在刻蚀设备领域的核心竞争力。
公司在 CCP 刻蚀设备领域持续保持领先，产品线覆盖双反应台与单反应台多种型号。公司 CCP 刻蚀设备中双反应台机型 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e和单反应台机型 Primo HD-RIE 等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品 Primo HD-RIE e和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE持续获得客户订单，其中 Primo HD-RIE e在 2025 年上半年累计装机超过120 个反应台，PrimoUD-RIE 累计装机接近 200 个反应台。截至 2025 年上半年，CCP 刻蚀设备累计装机量超过4500 个反应台，较 2024 年同期增长超过 900 个反应台。其中，双反应台刻蚀产品凭借独特设计，为成熟和先进技术节点的客户提供了均衡的解决方案，持续获得批量订单，截至2025年上半年累计装机突破了 3300 个反应台。单反应台产品近年来在关键工艺取得持续突破，截至 2025 年上半年累计装机接近 1200 个反应台。
近年来，公司 ICP 刻蚀设备保持高速成长，2024 年累计装机量突破1025个反应台，近四年年均增速超过 100%，截至 2025 年上半年累计装机接近1200 个反应台。
2.2.MOCVD 设备：保持氮化镓基领先，积极拓展功率与显示应用
MOCVD 设备作为化合物半导体外延的核心装备，在光电器件、功率器件等薄膜材料制备中具有不可替代的地位。公司凭借多年技术积累，持续保持国际氮化镓基MOCVD市场领先。据 2025 年半年报，公司用于蓝光照明的 PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、以及用于 Mini-LED 显示的 PRISMO UniMax 等机型持续稳定服务客户，其中PRISMOUniMax 凭借高产量和波长均匀性优势，在高端显示外延片市场获得广泛认可并处于国际领先地位。 在新兴应用方面，公司积极跟进功率器件需求的快速增长，继2022 年推出面向氮化镓功率器件的 PRISMO PD5，截至 24 年报已交付客户生产验证，并取得重复订单后，公司正在开发新一代设备以进一步提升性能、降低成本，预计 2025 年进入客户验证。同时，公司已启动碳化硅功率器件外延设备研发，并实现阶段性技术突破，部分样机已交付国内领先客户验证。此外，公司也开展了红黄光 LED 用 MOCVD 设备的研发，实验室结果表现良好。
2.3.薄膜沉积设备：产品体系完善，全面覆盖存储与逻辑应用
公司已成功开发六款薄膜沉积设备并推向市场，涵盖 CVD 钨、HAR钨和ALD钨等钨系列产品，以及面向先进逻辑器件的 ALD 氮化钛、ALD 钛铝和ALD 氮化钽金属栅系列产品，可覆盖存储器件所有钨应用。其中，钨系列设备已通过关键存储客户验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用及三维存储字线等应用，并获得客户的重复量产订单；同时，该系列产品也适用于先进逻辑制程的钨接触孔工艺，部分机台已进入逻辑客户验证阶段。
3.1.全球半导体设备千亿美元市场，刻蚀占据重要份额
全球半导体设备市场快速发展，全球超千亿美元市场规模。SEMI 数据显示，2024年全球半导体设备销售额为 1090 亿美元，其中，2024 年前三季度全球半导体设备市场增长尤为强劲，销售额同比增长 18.7%。随着 AI 浪潮的兴起，以及下游消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域同步快速发展，中商产业研究院预测，2025 年全球半导体设备销售额将达1231 亿美元。 中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据 Yole Group 的报告，中国大陆有望在 2030 年成为全球最大的半导体晶圆代工中心，预计占全球总装机产能比例将由 2024 年的 21%提升至 30%。
在 AI、5G 与物联网等长期利好因素及工艺复杂性提升的推动下，全球半导体刻蚀设备市场正保持强劲增长势头。Lam Research 研究显示，在多种因素拉动下，蚀刻和其他晶圆厂设备的需求强劲，首先是人工智能、5G 和物联网等长期有利因素的增强。此外，由于制造先进半导体器件的复杂性继续快速增加，导致所有细分市场的设备产能增加。MordorIntelligence 数据显示，2024 年全球半导体刻蚀设备市场规模预计为256.1 亿美元，预计到2029 年将达到 369.4 亿美元，在预测期内（2024-2029 年）复合年增长率为7.60%。
先进制程迭代与新技术应用驱动刻蚀工艺复杂度及设备研发投入显著提升。据MordorIntelligence 研究表示在半导体设备市场中，刻蚀设备占据较强地位，预计2024年其市场份额达到约 44%，之所以保持突出地位，主要源于其在半导体器件不同部件所需电活性材料成型过程中的关键作用。其中，多晶硅刻蚀正逐渐成为增长最快的细分领域，预计在2024至 2029 年期间的增速约为 5%。这种强劲增长的背后，是多晶硅在多种应用中的广泛使用，包括栅极电极、金属氧化物半导体电路互连以及存储单元浮栅。同时，高性能存储系统需求的持续提升，以及半导体存储器 IP 日益复杂的发展，也进一步推动了该领域的扩张。中国刻蚀设备国产化率快速提升，空间广阔。近年来，中国半导体制造设备国产化率加速提升，尤其在刻蚀设备领域进展显著。华海清科、北方华创、中微电子等企业在CMP、干法蚀刻和沉积环节持续突破，带动国产设备市场份额稳步扩大。相比之下，光刻等高端领域仍受制约，但随着美国出口管制加快晶圆厂对本土设备的依赖，叠加政策和资本支持，国产刻蚀设备发展空间广阔，未来有望进一步实现替代。
3.2.3D NAND：高深宽比刻蚀设备成为突破物理极限的关键瓶颈
3D NAND 技术已成为满足数据高速增长需求的核心存储方案。智能手机、数据中心及AI 训练对高密度存储的迫切需求，驱动行业从 2D 平面结构转向3D 垂直堆叠架构。近年来，存储芯片企业通过增加存储单元层数及每个单元存储的位数，实现Gb/mm²级密度突破。其中电荷捕获单元替代浮栅晶体管成为关键技术拐点——电荷存储在绝缘氮化硅层中，显著减少单元间静电耦合，为微缩化奠定基础。全环绕栅极（GAA）垂直沟道结构成为行业标准：制造时需交替堆叠导体层与绝缘层，再通过高精度干法刻蚀工具钻孔形成深孔，最终沉积ONO 栅介质形成"通心粉沟道"。这一过程对刻蚀设备的深孔加工能力提出首道严苛门槛。
堆叠层数向千层迈进重塑制造工艺极限。当前主流厂商已推出具有300 多层氧化层/字线堆叠的 3D NAND 闪存芯片。据 TechSugar，这一数字预计到2030 年将达到1000层，对应的存储密度约为 100Gbit/mm²。其挑战在于，在 30 微米厚的堆叠层中保持垂直串的直径基本不变。但在如此狭小的空间内保持所有结构的均匀性，会导致工艺复杂度和成本的急剧上升，这对高堆叠层沉积和高深宽比刻蚀步骤构成了严峻挑战。层级堆叠技术（如将4个250层单元键合成千层结构）虽可缓解单次工艺压力，但需在多层堆叠上重复进行深孔刻蚀与填充，任何孔洞形变都会导致存储单元失效。这种在超高深宽比结构中保持孔径一致性的需求，使得刻蚀设备的等离子体控制精度成为量产成败的关键分水岭。
3.3.持续加码研发，驱动核心技术突破
公司坚持自主研发模式。公司研发流程包含概念与可行性、Alpha、Beta 及量产阶段，并按刻蚀、薄膜、MOCVD 等不同产品组建独立研发团队，在机械设计、工艺开发、产品管理方面保持独立，在电气工程、平台工程、软件工程等领域实行共享，形成矩阵式管理机制。这一模式提高了研发资源配置效率，强化了与客户联合验证和工艺开发的能力。截至2025H1，公司多款新设备研发进展顺利，客户端验证表现良好。
自 2020 年以来，公司研发团队人数持续增长，研发力量不断增强。到2024年，研发人员已增至 1,190 人，较 2023 年增加 402 人，同比增长逾五成，占员工总数的47.98%。得益于高强度研发投入与国际化人才队伍，公司在刻蚀设备、薄膜沉积及MOCVD设备等核心产品领域不断取得突破，并积累了丰富的专利和产业化经验。这一研发体系不仅保障了公司产品的持续迭代升级，也巩固了其在高端半导体设备领域的竞争优势。
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