1.1 发行人的行业分类
发行人主营业务为射频、模拟芯片的研发、设计和销售，核心产品包括射频前端芯片及射频 SoC 芯片两大 类。根据《中华人民共和国国民经济行业分类（GB/T 4754-2017）》，发行人所处行业为“C39 计算机、通信 和其他电子设备制造业”。
1.2 发行人所处行业的政策分析
为了鼓励半导体及集成电路行业发展、规范行业秩序，2010 年以来，我国各级政府先后出台了一系列针对 半导体和集成电路行业的法律法规和产业政策，为行业提供了宏观政策、财政税收、人才与技术等多方面的支 持，为业内企业创造了良好的经营环境，能够有效促进企业的不断成长。在集成电路产业政策基础上，各政府 部门和主管单位针对射频前端及射频 SoC 细分行业及其所处领域出台了多项支持政策，官方媒体亦指出射频器 件的重要意义。
1.3 发行人与主要竞争者的比较及其在行业中的地位以及行业竞争格局分析
1.3.1 射频前端行业竞争格局
射频前端领域设计及制造工艺复杂、门槛较高，因此现阶段市场份额主要被 Broadcom、Qualcomm、Skyworks、 Qorvo 等国外企业长期占据，全球射频前端芯片市场集中度较高。根据 Yole 发布的研究报告，2024 年全球射频 前端市场中 Broadcom 市场份额排名第一，占比 16%；Skyworks 市场份额排名第二，占比 15%；Qualcomm 市 场份额排名第三，占比 14%；Qorvo 市场份额排名第四，占比 12%；NXP 与 Murata 市场份额排名分列第五和第 六，占比 6%和 5%。
国内集成电路设计行业虽然实现了快速发展，技术水平和产业规模都有所提升，但由于基础薄弱，在研发 资金投入和技术积累方面与美国、日本、欧洲等厂商仍存在较大差距。目前，我国射频前端厂商市场占有率仍相对较低、合计约 20%（以金额计），尤其在 5G 高集成度模组为代表的高端市场占有率更是不足 10%（以金 额计），在关键技术领域仍有很大的国产化替代空间。射频前端行业，尤其是高集成度射频前端模组系“硬科 技”、围绕高精尖技术领域重点产业链、推动进口替代的重点行业，未来将有望迎来国产化的关键发展期。 截至 2025H1，发行人拥有 5G 终端产品的全套解决方案，包括 L-PAMiD、L-PAMiF、L-DiFEM、L-FEM、 MMMB PA、高功率 GSM PA、LNA Bank、射频开关、天线调谐开关、滤波器/双工器以及卫星通信功率放大器 等数十款产品，在行业内建立起品牌知名度与影响力，客户涵盖荣耀、三星、vivo、小米、客户 A、OPPO、联 想（moto）、传音、realme 等均为知名智能终端厂商。展望未来，随着我国持续的政策利好以及技术发展，以 发行人为代表的国内头部射频前端企业在 4G、5G 射频前端领域的市场份额有望得到进一步提升。 根据 Yole 数据测算，2024 年全球射频前端市场规模约为 244.37 亿美元（折合人民币 1740.33 亿元），其 中 PA 及 PA 模组市场规模为 115.06 亿美元（折合人民币 819.42 亿元）。结合发行人 2024 年射频前端芯片收入 17.90 亿元人民币，测算得发行人 2024 年射频前端产品市场占有率为 1.03%；结合发行人 2024 年 PA 及 PA 模 组收入 14.91 亿元人民币，测算得发行人 2024 年 PA 产品市场占有率为 1.82%。 根据《8-1 发行人及中介机构回复意见》中披露的测算，发行人在 3G 及以下/4G/5G 各细分市场的市场占有 率及排名情况如下： 2G-3G市场：目前 2G-3G 领域整体进入存量市场，部分特定场景、用户群体仍存在需求，发行人占有率超 过 50%，在市场中具有较强的影响力。 4G市场：目前全球 4G 网络仍保持较高渗透率，4G 智能手机需求将持续存在；发行人 4G PA 及模组的市 场份额约 20%-30%，目前 4G PA 及模组的国产化进展已处于较高水平，发行人是主要的国产供应商之一。 5G市场：发行人占有率相对较低，在 5G PA 及模组市场的份额约 5%-7%，主要系高端产品主要仍由国际 厂商提供。
1.3.2 射频 SoC 行业竞争格局
射频 SoC 芯片是实现万物互联的核心环节，利用丰富的无线连接技术可以实现各种不同场景的连接需求。 其中，蓝牙无线连接芯片在物联网消费电子领域占据了重要的市场地位，并凭借低功耗、低延迟、多连接等技 术优势，逐步渗透到对功能和性能要求更为严苛的工控、医疗等领域，其市场应用范围越来越广泛。在这些领 域，国际厂商布局较早，占据全球主要市场份额，而国内厂商依靠电子产业链优势正逐步崛起。根据 2024 年低功耗蓝牙产品认证数量统计结果，低功耗蓝牙一线梯队的厂商主要为 Nordic、Silicon Labs、泰凌微、TI、Dialog。
根据国际蓝牙技术联盟统计数据，2024 年全球低功耗蓝牙设备出货量约为 18 亿台，由于单台蓝牙设备一 般搭载单颗射频蓝牙类 SoC 芯片，结合发行人 2024 年低功耗蓝牙类 SoC 芯片出货量 0.98 亿颗，测算得到发行 人 2024 年低功耗物联网无线连接芯片领域的全球市场份额约为 5.4%。 目前，发行人射频 SoC 芯片产品已经导入阿里、拼多多、小米、联想、客户 C、客户 D、比亚迪、九号、 台铃、汉朔、三诺医疗、凯迪仕、华立科技、惠普、客户 G、Remote Solution 等知名客户，在无线键鼠、智能 家居、健康医疗、智慧物流等领域占据重要市场地位。
1.4 发行人所处行业的发展前景分析
1.4.1 射频前端行业发展现状分析
1.4.1.1 射频前端芯片市场分析
射频前端是无线通信设备的核心组件，主要处理射频信号，其功能决定了移动终端可以支持的通信模式、 接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标，直接影响终端用户体验。射频前端芯片属于集成电路 中的模拟芯片，在模拟芯片中属于进入门槛较高、设计难度较大的细分领域。 随着通信制式的不断演进，智能手机需同时兼容 2G、3G、4G 和 5G，手机需要支持的通信频段增多，可同 时通信的信道增多，带宽变大，手机射频器件用量大幅提升。根据 Yole 数据，全球射频前端市场规模从 2020 年的 192 亿美元增长到 2024 年的 255 亿美元，年均复合增长率达 7.3%。伴随全球 5G 网络的进一步推进和普及， 射频前端模组化趋势不断凸显，单机射频前端价值量进一步提升，为射频前端行业带来巨大的发展机遇。根据 Yole 预测，到 2030 年，全球射频前端市场规模将进一步增长到 308 亿美元，2024 年至 2030 年预计年均复合增 长率为 3.2%。 其中射频功率放大器及射频功率放大器模组在射频前端中价值占比高。2024 年，射频功率放大器及射频功 率放大器模组的市场规模为 115 亿美元，为射频前端市场规模最大的细分产品领域。
目前，智能手机市场属于存量竞争市场，产品增长速度逐年放缓，然而，5G 通信网络的加速推广为手机带 来更新换代热潮。即使消费市场呈现波动的趋势，5G 技术对射频前端各部件的数量需求提升仍然为射频集成电 路行业带来巨大的市场前景，射频集成电路作为手机、平板电脑等移动设备不可或缺的元器件，迎来高速发展 期。同时，随着物联网、人工智能、AR/VR 等技术的发展，下游应用领域不断探索新的边界，新技术与传统行 业融合加深，智能汽车、智能穿戴、智能家居等市场规模持续扩大，进一步推动射频集成电路行业的升级和扩 张。 根据 Omdia 数据，2024 年全球前十大智能手机终端厂商中，中国大陆厂商占据八个席位，占总市场份额的 63.3%。随着国内终端品牌厂商市场份额的不断提高，以及对独立、安全、成本可控的供应链需求不断增加，我 国射频前端行业迎来了更广阔的发展空间。 从供给端来看，目前，全球射频前端市场中，美国、日本等国际头部厂商占据该市场的绝大部分份额，国 内射频前端厂商市场占有率仍处低位，尤其在 5G 高集成度模组关键技术领域短板问题突出。在国际贸易摩擦 不断的背景下，国内射频前端行业迎来关键发展期。根据华经产业研究院数据，2023 年，中国射频前端芯片市 场规模约为 1006 亿元。未来，伴随国内射频前端模组关键技术的不断突破，国内射频前端芯片总体规模有望持 续增长。
1.4.1.2 射频前端模组市场分析
随着移动设备的功能变得越来越丰富，需要支持更多的通信标准，使得射频前端模块中需要包含更多的器 件，如功率放大器、滤波器、开关、LNA 等。由于移动设备体积的限制，只有将所有这些器件集成在一个模组 上，才能使设备体积尽可能的小，从而满足用户对小型、轻便的需求。5G 时代下，对射频器件需求的增加导致 手机内 PCB 空间紧张，工艺难度提升。随着终端设备对轻便性的要求越高，其体积越来越小，这就要求厂商使 用模块化技术减小射频器件所占用的空间，射频集成电路必然要向集成化方向发展。根据 Yole 数据，2024 年 全球射频前端模组市场规模约为 146 亿美元，预计到 2030 年全球射频前端模组市场规模将达到 171 亿美元。 目前模组化程度最高的是应用于 5G Sub 3GHz 频段的 L-PAMiD 及 Sub 6GHz 频段的 L-PAMiF 收发模组。 根据 Yole 数据，2024 年高集成度收发模组 L-PAMiD 及 L-PAMiF 市场规模约为 80 亿美元，预计到 2030 年该 市场规模将达到 88 亿美元。其中，L-PAMiD 收发模组支持的 Sub 3GHz 频段承载较多通信频段，且还包含了 GPS、Wi-Fi 和蓝牙等非蜂窝通信频段，频段间的通信干扰较强，需采用高性能双工器、多工器等，技术难度较 大；此外，该频段需支持载波聚合技术，同时该类模组需要集成器件数量多，导致射频前端模组的集成化设计 难度也相对较高。截至目前，全球及国内 L-PAMiD 收发模组市场仍由国际一线厂商主导，国产化率较低。
1.4.2 射频 SoC 行业发展现状分析
射频信号凭借其无线传输能力在蓝牙通信、蜂窝通信等无线通信领域取得广泛应用。SoC 芯片即系统级芯 片，是指将嵌入式中央处理器、数字信号处理器、音视频编解码器、电源和时钟管理系统、存储器、输入输出 子系统等关键功能模块或组件进行集成的一种芯片。射频 SoC 芯片在 SoC 芯片的基础上进一步集成射频收发电 路和基带通信电路，为设备无线通信提供了单芯片解决方案。 针对不同场景的无线连接需求，无线通信芯片分为广域网无线通信芯片和局域网无线通信芯片两类。局域 网无线通信主要通过基于非授权频谱的无线技术，如 Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、星闪等进行连接，网络覆盖范围一 般不超过 100 米，终端典型应用场景包括智能家居、智能穿戴、健康医疗等智能产业应用场景；广域网无线通 信主要通过基于授权频谱的蜂窝通信技术，以及基于非授权频谱的 Sigfox 和 LoRa 等低功耗技术进行连接，终 端典型应用场景包括工业、仪表等智能产业应用场景。 从支持的通信协议维度分类，发行人射频 SoC 芯片业务主要涉及低功耗蓝牙 SoC 芯片及 2.4G SoC 芯片：
1.4.2.1 低功耗蓝牙 SoC 市场分析
蓝牙是一类发展较为成熟的低功耗、短距离、跨设备无线通信技术，蓝牙 1.0 技术标准于 1999 年推出， 至蓝牙 6.0 技术标准于 2024 年推出经历十余次版本迭代。其中，2010 年蓝牙 4.0 推出之前的协议版本通常被行 业认为属于经典蓝牙协议，蓝牙 4.0 及之后的版本正式推出低功耗蓝牙协议。从所支持协议的角度，蓝牙 SoC 芯片可分为低功耗蓝牙芯片、经典蓝牙芯片和双模蓝牙芯片三类。根据国际蓝牙技术联盟统计，当前市场上的 蓝牙设备主要采用双模蓝牙和低功耗蓝牙模式（占比合计在 90%以上），其中采用低功耗蓝牙模式的设备数量 快速增长。
1.4.2.2 2.4G私有协议类 SoC 市场分析
2.4G 私有协议产品是一种根据用户特定需求开发设计工作在 2.4GHz 频段的私有协议芯片产品。此类芯片 不需要满足通用标准协议的互联互通性，主要用于单品控制要求高、对性能有特殊优化、对成本较敏感的领域， 例如无线外设、智能家居、无线玩具、智能零售等领域。但由于 2.4G 私有协议类 SoC 芯片具有高度定制化的 技术特点，各家公司之间差异较大，因此目前公开市场对于该类芯片产品的市场数据没有进行相关统计。根据《8-1 发行人及中介机构回复意见》中的披露，发行人基于下游物联设备出货量，估计 2.4G 私有协议类 SoC 芯 片的市场规模在数十亿元人民币。
1.5 发行人所处行业的发展趋势与需求展望
1.5.1 5G 基础设施建设和应用落地带动终端设备更新迭代
随着 5G 技术成熟，5G 应用正在快速落地，5G 网络建设将带动产业链上下游及各行业应用投资加速，目前 车联网、工业控制、虚拟现实、可穿戴设备等应用正在加速落地。伴随智能手机的普及和全球 5G 商用，未来 全球 5G 手机的渗透率有望进一步提升。从 4G 发展到 5G，智能手机支持频段的提升将推动射频前端需求快速 增长。 5G 技术正在快速普及，广泛应用在大数据、云计算、物联网、人工智能等各个领域，带动了智能手机、平 板电脑、笔记本电脑等设备的迭代和升级。作为 5G 产业链的上游，集成电路为 5G 终端产品的升级提供了不可 或缺的底层基础硬件支持，5G 终端产品的更新也将持续为半导体产业提供强劲的市场需求，从而带动半导体企 业的快速发展。 手机出货增长放缓、5G 占比上升。根据 Canalys 报告，2024 年全球智能手机出货量达 12.2 亿部，较 2023 年同比增长 7%，在连续两年下滑后出现反弹（2022 年、2023 年较前年分别同比下滑 12%和 4%）。同时，根 据中国信通院数据，2024 年中国国内市场手机出货量 3.14 亿部，同比增长 8.7%，在 2023 年同比增长 6.5%的基 础上实现了持续增长。然而，2025 年智能手机出货增长可能出现放缓，根据 Canalys 预测，全球市场增长将在 2025 年放缓至 1.5%。 从全球看，5G 手机在智能手机中的占比持续提升。根据 IDC 报告，2024 年全球智能手机出货量达 12.4 亿 台，其中 5G 手机出货量近 8 亿台，占比超过 60%。根据 Yole Development 预计，到 2028 年，在手机出货量继 续保持稳定的基础上，5G手机占比将进一步提升至 80%左右。伴随全球 5G 网络的进一步推进和普及，射频前 端模组化趋势不断凸显，单机射频前端价值量进一步提升，为射频前端行业带来巨大的发展机遇。 通信制式升级带来手机支持频段数提升。以 iPhone 各代手机为例，随着蜂窝通讯方式的升级，其支持频段 数不断提升，从初代 iPhone 的个位数支持频段到 iPhone16 的 60 个可支持频段数，单机射频前端芯片使用数 量持续上升，极大地推动了射频前端的发展。
1.5.2 日益多样的通信场景，带来智能汽车与卫星通信等射频前端产业新机遇
近年来，随着技术演进和新应用需求不断涌现，在传统智能手机、物联网以外，逐步诞生了一些新的产品 类型，为半导体行业带来了新的机遇。从射频前端角度来看，日益多样的通信场景需要更加丰富的产品来满足 应用需求。例如，增强现实（AR）/虚拟现实（VR）等智能穿戴产品正逐步推出并被市场逐渐接受，其短距、 大数据量、高时效性及低功耗的特点，需要在头戴设备中增加支持 WiFi/5G 功能的射频前端模组；汽车智能驾 驶水平的提高，防碰撞等安全功能的实现，需要智能交通技术（V2X）和生态的支持，因此在车上、路侧均需 要布局带有智能交通技术（V2X）射频前端模组的设备；卫星通信发展迅速，据中投产业研究院预计，我国通 信卫星建设即将迎来高峰，到 2025 年我国卫星通信产业市场总规模有望达到 2,327 亿元人民币，2023 年至 2025 年年均复合增长率达 37.6%。相应地，支持卫星通信的地面终端即将迎来快速增长，作为硬件基础的卫星通信 射频前端模组已逐步进入智能手机等移动终端。
（1）智能汽车领域射频前端产品的应用空间分析
射频前端技术在智能驾驶领域的应用非常广泛，其主要作用是实现车辆与外界环境之间的无线通信和数据 交换。智能汽车通信系统将交通参与者、交通工具及其环境有机结合，提高了交通系统的安全和效率。随着汽 车行业向智能化、网联化、无人化的方向发展，自动驾驶正值风口，对车载通信的速度、延时性等指标提出了 更高的要求，5G技术由于其适配性在智能汽车通信领域加速推广，5G 智能汽车通信市场迎来爆发性增长。 智能汽车领域射频前端产品主要包括车规级功率放大器（PA）、开关、低噪声放大器（LNA）、滤波器及 射频前端模组等，可应用于智能网联/T-Box 中的 NAD 模块、车载 WiFi、e-Call 开关、V2X 等智驾通信等领域。 根据 Yole 分析，2024 年全球射频前端用在智能汽车领域的市场规模约 4 亿美元，预计到 2030 年成长至 9 亿美 元，2024 年至 2030 年复合增长率达 14.5%。
（2）卫星通信发展带来射频前端增量市场需求
近年来，随着卫星通信技术的不断发展，其市场潜力也在不断被挖掘，卫星通信的应用领域正在不断扩大。 除了金融、证券、邮电、气象、地震等部门外，远程教育、远程医疗、应急救灾、应急通信、应急电视广播、 海陆空导航、智能手机终端、智能汽车、电视等也将会广泛应用卫星通信。 当前，卫星通信功能主要应用于智能手机终端（主要于旗舰机型上搭载），同时呈现出搭载机型持续普及、 功能应用不断丰富的趋势。智能手机终端产业链正不断探索卫星通信，2022 年 9 月，华为旗舰手机 Mate50 系 列依托于北斗卫星导航系统，支持短报文通信功能，用户能够在荒漠无人区、近海遇险、地震救援等无地面网 络信号覆盖的极端情况下，通过畅连 App 发送文字和位置信息，使救援人员知悉用户的位置信息并生成轨迹地 图，为用户本人及救援人员清晰指引方向；2023 年 8 月，华为新发布的 Mate60 系列手机增加了对天通一号高 轨卫星系统的支持，成为全球首款支持卫星通话功能的消费级智能手机。卫星通信实现了对 5G 通讯的进一步 补充，有望成为智能手机应急通信、航海、航空等特殊活动时的重要通信手段和更新亮点。随后，华为 Pura 70/Mate X5、荣耀 Magic6 Pro/V3、小米 MIX Fold4/15 Ultra、vivo X100 Ultra、三星 S25 Ultra 等机型的部分版本也开始 支持卫星通信相关功能，卫星通信由旗舰机型进一步向高、中端机型渗透。 卫星通信功能渗透率提升有望带动射频前端市场规模持续增长。根据第三方市场机构统计，2024 年中国市 场中非苹果品牌的高端机型（售价在 600 美元及以上）的销售量约 0.37 亿台，假设高端机型中有一半搭载了卫 星通信功能，则 2024 年中国市场搭载卫星通信功能的手机出货量约 2000 万台，目前卫星通信功能的市场渗透 率已超过 5%，随着卫星通信功能搭载至更多机型，2025 年市场渗透率有望增长至 10%左右。参考当前产品的 市场价格，假设单机价值为 1 美元，预计 2024 年市场规模约 2000 万美元，2025 年市场规模增长至超过 3000 万美元。此外，随着卫星通信的应用领域拓展至智能汽车等其他应用终端（如某知名高端品牌车型中已开始搭 载卫星通信功能），未来卫星通信产品的市场空间有望进一步增长。
1.5.3 低功耗蓝牙技术与标准发展，促进射频 SoC 拓展新应用方向
从射频 SoC 角度来看，低功耗蓝牙技术与标准持续演进，应用逐步扩展至更多方向。蓝牙 5.0 及以上标准 支持在更新兴的市场应用，从最早期的个人音频，扩展到医疗健康（如连续动态血糖监测等）、智能电表、商 超楼宇等的数据传输、组网和位置服务中，功能更丰富、市场应用更广泛。其中，蓝牙 5.4 标准引入支持带响 应的周期性广播（PAwR）功能，其典型应用电子货架价签具有极大的市场需求量；蓝牙 6.0 标准采用了基于相 位和往返时间的测距技术，可以实现蓝牙互联设备之间厘米级的高精度测距和定位，显著提高定位系统的精准 度和防攻击安全特性，广泛应用于智能汽车、智能仓储、智慧物流产业，为蓝牙芯片带来更为广阔的产业机遇； 蓝牙 6.1 标准重点推出了蓝牙随机可解析私有地址更新，有效提升了蓝牙设备的隐私保护能力和能效表现，促 进其在货物追踪、库存管理和物流优化等领域的应用发展。
1.6 发行人所处行业进入壁垒分析
1.6.1 技术壁垒
无线通信系统主要包含射频前端、射频收发机及基带三部分。其中，射频前端芯片产品具有信号频率高、 功率高、集成度高和方案复杂的特点，属于模拟芯片中的高门槛领域。特别是当前主流 5G 终端产品的全套解 决方案包括 L-PAMiD、L-PAMiF、DiFEM/L-DiFEM、L-FEM、MMMB PA、高功率 GSM PA、LNA Bank、射 频开关、天线调谐开关、滤波器/双工器、WiFi FEM 以及卫星通信功率放大器等数十款产品。射频前端企业需 同时具备满足不同功率、频率、制式要求的 5G/4G/3G/2G 功率放大器、LNA、射频开关、控制器等电路设计能 力和基于 CMOS/GaAs/SOI 工艺设计射频电路能力，同时需要能够解决小尺寸、高集成度、球栅阵列封装、栅 格阵列封装及倒装封装等复杂模组封装技术。除此之外，射频前端企业所开发的射频前端芯片产品需要经过大 批量、长时间的市场验证，通过不断迭代产品设计，提高可靠性与一致性，优化产品成本结构，才能满足客户 对产品的全面要求。 射频 SoC 芯片应用领域繁多，需要芯片在各种应用中都能够提供稳定、可靠和高性能的连接，这对芯片企 业的设计能力提出了较高的要求。尤其在一些创新型应用场景中，如远距离、超长续航的连接应用，需要在保 证信号连接质量的同时保证设备能在低功耗状态下持续运行，这就对射频收发机电路设计、系统级低功耗设计 和无线通信收发技术提出更为严苛的要求；此外，在以小型化为技术特征的物联网产品应用中，对小型化封装、 天线设计、基板设计都有较高的技术要求。射频 SoC 芯片需要在产品的迭代过程中反复验证和持续优化，并不 断丰富产品的功能，这种长期的技术经验积累过程，对于新进入市场的企业形成了较大的技术障碍；此外，数 字基带、MCU 设计、固件协议栈和嵌入式软件等技术，以及在支持客户过程中积累的各种硬件和软件开发调试 经验，也对新进入者构成了重要的硬件及软件研发壁垒。
1.6.2 人才壁垒
芯片设计行业是人才密集型行业，高端技术人才的聚集与储备是企业得以快速发展的核心。射频前端芯片 及射频 SoC 芯片的设计研发需要射频电路设计、模拟电路设计、通信应用算法、数字信号处理、国际国内行业 标准分析、应用软件开发等多学科集成电路以及软件专业人才，随着行业的高速发展，行业中的专业人才已越 来越供不应求，且较多集中在少数已处在行业领先地位的企业，因而对于新的行业进入者产生壁垒。
1.6.3 客户壁垒
芯片作为整个电子器件的核心，其可靠性和稳定性对电子产品而言意义重大。因此，下游终端客户对上游 芯片供应商的选择极为谨慎。客户在实现产品量产时，势必将对市场上的芯片供应商进行严格的筛选与评测， 从中选择符合自己产品要求的芯片供应商。这一过程会消耗客户大量宝贵的战略资源，因此，通常战略客户仅 会在某一领域选择 3-5 家供应商进入其核心资源池并进行深度合作，而未进入客户核心资源池的供应商将较难 获得合作机会。一旦客户产品选定的芯片量产后，通常不会再进行更换，因此芯片本身具有一定的排他性，设 计发行人核心芯片在获得客户认可后整体销售情况将趋于稳定，从而对后进者形成壁垒。
1.6.4 规模壁垒
一方面，射频前端及射频 SoC 行业通常采用砷化镓、硅等晶圆材料，该等材料的规模效应较为明显，采购 成本与采购规模密切相关，初期进入行业的厂商通常采购规模较小，初期的规模壁垒较难突破。另一方面，规 模较大的芯片厂商在内部研发资源分摊、产品良率、日常运营等方面具备规模化优势，在行业发展到更为成熟 的阶段，能够将规模化优势转换为成本优势，从而对规模较小的企业形成一定壁垒。
2.1 发行人商业模式分析
发行人采用 Fabless 的经营模式，专注于射频前端芯片、射频 SoC 芯片以及其他模拟芯片的研发、设计及 销售，涉及晶圆制造、芯片封装测试等生产环节委托第三方完成。
2.1.1 研发模式
产品的设计及研发是发行人的核心环节。发行人的研发模式可分为立项、开发和工程三个阶段。立项阶段 主要由市场部和销售部根据客户反馈或市场调研形成新产品的构思；开发阶段主要由研发部门形成具体的芯片 设计方案；而工程阶段是产品规模量产前加工、测试、验证评估的过程。 立项阶段：市场部和销售部根据客户反馈或市场调研，结合新技术发展趋势、市场信息等情况，形成新产 品构思，并与研发部和其他相关部门进行项目可行性分析、费用及成本评估与审核。经过分析调研后，具有市 场前景的新产品进入立项程序。 开发阶段：进入开发阶段后，研发部门根据项目需求，制定产品总体架构，然后逐步分析各项指标，按顺 序完成各项设计流程，包括硬件（电路）设计和软件设计等，最后通过仿真及验证后形成芯片设计方案。 工程阶段：工程阶段是一系列产品加工、测试、验证评估的过程。芯片设计完成后，发行人将晶圆流片方 案设计、产品封装及测试方案设计提交至外包生产厂商，开始样品制作。样品制作完成后，研发人员和应用工 程人员进行样品验证；通过验证后，初期用户试用评估样品。随后，根据小批量试产、应用开发及初期客户试 用评估过程中发现的产品缺陷和客户的进一步需求，结合具体情况进行芯片设计改版，然后进入下轮加工、测 试、验证直至通过评估审核。
2.1.2 采购模式
在 Fabless 模式下，发行人专注于集成电路的设计、研发和销售，不直接参与芯片生产，芯片的晶圆制造和 封装测试通过委外方式完成。发行人建立了供应商管理制度和合格供应商名录，对供应商进行严格的筛选与管 理，发行人各项原材料均通过合格供应商进行采购。发行人根据客户的采购计划、发行人的库存水平和市场行 情等信息，有针对性地制定生产计划，并适当提前备货，以满足下游终端市场的需求。在客户正式下达订单后， 发行人根据订单要求向客户发货。发行人采购的内容主要包括晶圆、基板、无源器件（滤波器、电容、电感和 电阻）、存储芯片等原材料，以及封装测试服务。 在质量控制环节，发行人建立了严格的质量管理体系，保证产品的品质和性能，产品经过可靠性测试验证 后方可进行量产。在生产的过程中，发行人通过加工协议与主要供应商约定生产质量要求，并定期向主要供应 商获取晶圆和封测服务的产品质量信息，实现对产品质量的持续监控。
2.1.3 生产模式
发行人主要进行芯片产品的研发、销售与质量管控，而产品的生产则采用委外加工的模式完成。具体而言， 发行人将研发设计的集成电路版图提供给晶圆代工厂，由其定制加工晶圆，形成晶圆片后将其发至发行人指定 的芯片封测企业，芯片封测企业按照发行人要求，对晶圆片进行测试及切割等加工成为裸片，或进行进一步封 装、测试、包装工序，使之成为一个包含外壳和管脚的可直接使用的封装片。
2.1.4 销售模式
发行人采用直销和经销两种模式进行产品销售。在直销模式下，发行人通过自身的销售渠道直接面向终端 客户，双方签订产品购销合同或订单，明确合同标的、技术条件、交货期限等，并根据每期的订单组织生产、 发货、结算、回款；在经销模式下，经销商通过买断的方式采购发行人的产品，终端客户则与经销商对接并通 过其采购发行人的产品。 直销模式：发行人的直销客户主要包括荣耀、三星、小米、汇春科技等厂商，由厂商向发行人直接下订单， 发行人直接向厂商提供产品及售后服务。为保证销售渠道的顺畅，发行人给予了部分客户信用期及信用额度。 在直销模式下，发行人打通了终端客户，实现产销精准对接，直接向行业内知名客户提供产品及技术服务，可 以确保产品和品牌推广的有效性，并通过与该等客户保持沟通，提高对客户需求的响应速度并加深对行业变化 和趋势的理解，为发行人持续打造更贴近市场需求的优质产品打下牢固的基础。 经销模式：除直销模式外，发行人通过建立经销商渠道，利用经销商的客户资源，开拓新客户和产品市场。 在合作对象的选择上，发行人通过对经销商的资金实力、历史采购数量、销售网络、合作意愿、风险管控能力 等方面进行综合评估，从中挑出可靠的合作对象并与其签署产品经销协议。在经销模式下，经销商通过预付货 款向发行人买断产品，并向终端客户提供产品，降低了发行人应收账款回款风险，提高了发行人的运作效率和 推广效率，同时也分担了发行人的运营和管理压力。
2.2 发行人经营状况分析
2022~2025H1，发行人分别实现营业收入 9.23/16.95/21.01/8.44 亿元，同期实现归母净利润-2.90/-4.50/-0.65/ -0.40 亿元。受益于 5G 高端模组产品实现突破等因素影响，发行人整体业绩持续向好，2022-2024 年收入呈现逐 年上涨趋势，复合增长率为 50.88%，扣除非经常性损益后的净利润亏损金额逐年收窄。2025 年 1-6 月因个别客 户阶段性减少采购规模及发行人战略性放弃部分低毛利订单，导致营业收入同比下滑。 根据招股说明书（注册稿）披露的 2025 年前三季度经审阅的财务数据，2025 年 1-9 月，发行人营业收入为 133,480.53 万元，同比减少 20.69%，主要系终端客户 A 减少采购所致。由于营业收入规模下降，发行人 2025 年 1-9 月营业利润、利润总额、归属于母公司股东的净利润和扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润 均出现一定程度下滑，且由于去年同期绝对额较小，同比下降幅度较大。2025 年 7-9 月，发行人营业收入为 49,121.41 万元，同比增加 11.84%，主要系三星、vivo 等品牌客户采购金额同比大幅增长。由于当期收入同比增 加，发行人当期亏损同比收窄。
整体来看，2022-2024 年发行人营业收入金额逐年增长，主要来自以下三方面原因推动：
（1）通信制式升级带来射频前端器件增量
伴随通信制式由 2G向 5G演进，4G和 5G手机渗透率不断提高。射频前端是无线通信设备的核心组成部分， 直接决定了信号的强弱和稳定性。通信制式的不断升级推动射频前端芯片产品快速迭代，为射频前端企业带来 了巨大的发展空间。通信制式升级带来手机支持频段数提升，使得单机射频前端芯片使用数量持续上升，极大 地推动了射频前端的发展。同时，相比 4G 通信，5G 通信要求更快的传输速率、更高的通信频率、更大的发射 功率、更低的延时和更多的信息接入能力。技术难度的提升，促使射频前端器件的使用数量和单机价值不断提 高，为射频前端企业带来了巨大的增长空间。
（2）下游厂商国产供应链导入进程加速
在国际贸易摩擦不断升级且国内芯片设计企业愈发成熟的背景下，国内主要智能终端厂商从供应链安全和成本控制等角度考虑，逐渐接受国内射频前端和射频 SoC 芯片设计企业。发行人抓住国产供应链导入的良好市 场机遇，近年来陆续导入多家智能终端品牌厂商和主流 ODM 厂商。特别是发行人 5G 高端模组实现突破，成为 率先在国产终端旗舰机型大规模出货的本土射频前端厂商，助力发行人营业收入大幅增长。
（3）物联网市场空间广阔，发行人不断拓展物联网业务
以低功耗蓝牙和私有协议类产品为代表的射频 SoC 芯片在无线通信技术中扮演重要角色，且伴随技术升级 不断拓宽产品应用场景，从最早期的消费电子设备，扩展到工业、医疗、汽车、商超、楼宇等场景的数据传输、 组网和位置服务，增量市场空间较大。根据 IoT Analytics 数据，2023 年，全球物联网连接设备数量达 166 亿台。 2023-2030 年，全球物联网设备连接数的复合增长率为 13.8%，预计 2030 年将达到 411 亿台，未来发展前景广 阔，作为物联网终端设备主控芯片的射频 SoC 芯片需求潜力巨大。
2.3 发行人盈利能力及财务状况分析
2022~2025H1，发行人的毛利金额分别为 15,750.85 万元、34,037.17 万元、42,496.23 万元和 19,079.13 万元， 对应的综合毛利率分别为 17.06%/20.08%/20.22%/22.62%。发行人的毛利金额和毛利率均呈现逐年上涨趋势，主 要原因为发行人收入规模不断提高，产品结构不断优化，多款产品的毛利率整体稳步提高。具体来看： （1）5G PA 及模组：发行人 5G PA 及模组产品复杂程度高，市场竞争力强，是主营产品中毛利率较高的 品类。2022~2025H1，发行人 5G PA 及模组的毛利率分别为 13.61%、20.65%、19.86%和 25.12%。2023 年 5G PA 及模组的毛利率同比上涨 7.04%，主要原因为毛利率相对较高的产品在 5G PA 及模组中的占比进一步提高。2024 年，发行人 5G PA 及模组的毛利率同比基本保持稳定。2025 年 1-6 月，发行人聚焦高质量发展策略效果进一步显现，高价值量产品占比提高从而使毛利率进一步上涨。 （2）4G PA 及模组：2022~2025H1，发行人 4G PA 及模组的毛利率分别为 12.65%、7.42%、10.97%和 10.86%， 存在一定波动；同期剔除跌价转销后的毛利率分别为-0.15%、1.78%、4.23%和 6.96%。2023 年，发行人 4G PA 及模组的毛利率同比下滑 5.23%，主要原因为当期 4G PA 及模组中，毛利率相对较低的产品的销售比例相对较 高。2024 年，由于单位封测费成本下降、保证金减少等因素叠加影响，当期 4G PA 及模组的毛利率有所提高。 2025 年 1-6 月，发行人 4G PA 及模组的毛利率基本保持稳定。 （3）2G/3G PA 及模组：2022~2025H1，发行人 2G/3G PA 及模组的毛利率分别为 28.76%、28.39%、19.73% 和 19.00%，存在一定波动，主要由产品构成变化所致。2022-2023 年，发行人 2G/3G PA 及模组的毛利率基本保 持稳定。2024 年，发行人 2G/3G PA 及模组的毛利率同比下降 8.66%，主要原因为发行人对部分产品下调单位 售价所致。2025 年 1-6 月，发行人 2G/3G PA 及模组的毛利率基本保持稳定。 （4）射频开关：2022~2025H1，发行人射频开关的毛利率分别为 19.28%、19.22%、22.91%和 23.93%。 2022-2023 年，发行人射频开关的毛利率基本保持稳定。2024 年，发行人射频开关的毛利率同比上涨 3.69%，主 要原因为性能更好且毛利率更高的天线调谐开关出货量占比提高。2025 年 1-6 月，随着毛利率较高的天线调谐 开关产品的销售占比进一步增长，发行人射频开关的毛利率进一步提升。 （5）射频SoC芯片：2022~2025H1，发行人射频SoC 芯片的毛利率分别为15.86%、24.79%、29.20%和 31.49%， 呈现逐年上涨趋势。2023-2024 年，发行人射频 SoC 芯片的毛利率同比分别上涨 8.93%和 4.41%，主要原因为发 行人毛利率相对较高的品类的销量占比有所提高，且 2023 年市场开始回暖，蓝牙产品毛利率逐渐回归正常水平， 使得当期射频 SoC 芯片产品的毛利率同比上涨。2025 年 1-6 月，发行人毛利率较高的专业领域产品出货进一步 提高，毛利率进一步上涨。
2022~2025H1，发行人期间费用合计分别为 45,579.75 万元、76,789.93 万元、49,486.30 万元和 22,661.51 万 元，占营业收入的比例分别为 49.38%、45.31%、23.55%和 26.86%，发行人期间费用总额存在一定波动。2023 年度，发行人期间费用总额明显高于其他年份，主要原因是发行人员工持股计划服务期取消，导致当年一次性 确认的股份支付金额较大，2024 年起，发行人不再确认股份支付。
拆分来看，2022~2025H1，发行人销售费用分别为 6,033.44 万元、8,231.26 万元、6,020.06 万元和 3,265.42 万元，销售费用率分别为 6.54%、4.86%、2.86%和 3.87%。同期发行人管理费用分别为 13,615.68 万元、29,301.11 万元、11,184.85 万元和 5,370.28 万元，管理费用率分别为 14.75%、17.29%、5.32%和 6.37%。同期发行人的研 发费用分别为 26,999.86 万元、39,632.84 万元、31,384.40 万元和 13,835.77 万元，研发费用率分别为 29.25%、 23.38%、14.94%和 16.40%；剔除股份支付费用后发行人的研发费用分别为 25,717.19 万元、33,448.77 万元、 31,384.40 万元和 13,835.77 万元，研发费用率分别为 27.86%、19.74%、14.94%和 16.40%。2022~2025H1，发行 人的财务费用分别为-1,069.24 万元、-375.29 万元、896.98 万元和 190.04 万元。
2.4 发行人发展前景分析
2.4.1 发行人 5G L-PAMiD 高集成度模组等产品打破国际垄断，助力实现国产化突破
5G 时代智能手机、智能汽车等终端在通信频率、频段数量、信道带宽、载波聚合等方面对射频前端器件提 出了更高的要求。发行人拥有的 5G 终端产品全套解决方案包括 L-PAMiD、L-PAMiF、DiFEM/L-DiFEM、L-FEM、 MMMB PA、高功率 GSM PA、LNA Bank、射频开关、天线调谐开关、滤波器/双工器、WiFi FEM、卫星通信 功率放大器以及高可靠性车载通信射频前端模组等数十款产品。 其中，在智能手机领域通信制式升级和移动智能终端小型化的趋势下，射频前端芯片产品朝模组化方向发 展。2G/3G/4G 通信和 5G Sub 3GHz 频段通信射频前端的分立器件方案技术较为成熟，已实现较高的国产化率。 而5G射频前端高集成度模组以应用于 Sub 3GHz 频段的 L-PAMiD 和应用于Sub 6GHz频段的 L-PAMiF 为代表， 技术难度较高，其中又以 L-PAMiD 模组集成度更高，技术难度最大，目前基本为国际厂商垄断，是影响射频前 端产业国产化的核心器件。发行人作为国内射频前端全产品线布局的厂商，具备多工艺平台设计能力，依托长 期以来积累形成的高集成度模组化能力，在国内率先实现 L-PAMiD 产品对主流品牌客户大规模量产出货，打破 了国际厂商垄断，解决 5G 射频前端的技术瓶颈问题。
除在 5G L-PAMiD 高集成度模组方案领域取得先发优势外，发行人在车载通信及卫星通信等领域的射频前 端芯片产品亦取得突破： （1）在车载通信领域，自动驾驶和车联网等应用都需要最新一代 5G 通信协议的支持，以满足车用的低延 时、高速率、低功耗、多连接的要求。截至目前，发行人可提供从 PA、开关到模组的多系列车载射频前端芯片 产品，具有宽温、高可靠等特点，可以在极端环境下保持高性能和低失效比例，满足-40℃至 105℃的宽温要求， 相关产品已通过 AEC-Q100 车规级认证，并在知名车企中量产应用。 （2）在卫星通信领域，发行人于 2017 年即推出了手持天通卫星 PA 产品，通过射频功率放大器功率合成 技术，将功率放大器的输出功率从 31dBm 提升到 37dBm，功率提高到 4 倍的同时保持 50%的高效率，满足了 卫星通信的要求，并通过自有的射频功率放大器可靠性提高技术，保证产品在高功率输出状态下，仍保持良好 的抗烧毁能力，降低了失效比例。2021 年，发行人以深度定制的方式快速响应用户需求，及时推出北斗卫星通 信产品。2024 年，发行人通过技术提升，使用功率合成技术和倒扣封装技术，将卫星通信产品尺寸从 5*5mm 大幅下降到 3.5*3.5mm，面积降低 50%，同时支持北斗、天通和低轨三种卫星通信系统，极大降低了射频方案 复杂度、面积、成本，支持手机终端等小型化。截至 2025H1，发行人卫星通信产品出货量已超过 2,000 万颗， 在客户 A、三星、vivo、荣耀、小米等高端旗舰机型均实现应用。
2.4.2 发行人坚定采取大客户战略，客户优势显著
经过多年的积累，凭借过硬的产品质量和优秀的服务，发行人与众多境内外主流手机品牌终端客户建立了 稳定的合作关系。发行人射频前端芯片产品已在荣耀、三星、vivo、小米、OPPO、联想（moto）、传音、realme 等知名品牌终端客户实现规模销售。同时，发行人射频 SoC 芯片产品已经导入阿里、拼多多、小米、联想、客 户 C、客户 D、比亚迪、九号、台铃、汉朔、三诺医疗、凯迪仕、华立科技、惠普、客户 G、Remote Solution等知名客户，覆盖无线键鼠、智能家居、健康医疗、智慧物流等多元物联网应用场景。 发行人深耕“大客户战略”，具备为下游大客户提供综合服务的能力，协同紧密合作和快速响应服务优势 持续凸显。除提供产品和服务外，品牌客户通常采用定制化和联合开发的产品模式，发行人与上述品牌客户深 度合作并提供定制化开发服务，在产品定义阶段，即和客户深入合作，在产品定义、研发设计、开发优化等环 节与终端客户紧密协同，形成了客户合作的高壁垒。深度合作及定制化开发满足客户多方面的需求同时也帮助 发行人在第一时间掌握行业前沿技术的动向和产业最新规划，优先获得客户需求信息及验证支持，并率先实现 量产。
2.4.3 发行人积极推动供应链国产化，形成了供应链优势
发行人与龙头代工封测厂商建立紧密联系。发行人注重产品质量的前端把控，产品的晶圆制造和封装测试 等生产环节均由境内外领先的晶圆制造和封装测试厂商完成。在晶圆代工方面，发行人已与稳懋、Tower、供应 商 A、台积电、立昂微、供应商 F 等品控优秀、业内知名的国际领先晶圆代工厂建立了良好的长期合作关系； 在封装测试方面，发行人供应商长电科技、甬矽电子、华天科技等均为国内知名的芯片封装测试企业。 发行人积极推动供应链国产化。发行人射频领域的供应曾一度被境外供应商把控，为保障供应链的自主创 新和助力国产供应链的成熟，发行人在与国际供应商合作的同时，积极承担起本土供应商的合作培养责任，成 为多家本土供应商的首批射频类产品验证客户。在晶圆代工领域，发行人与供应商 A、供应商 F、立昂微等供 应商共同进行工艺平台开发验证，利用自身技术能力和品牌优势，共同对国产工艺平台进行改进和验证，同时 进行更上游的国产 SOI 衬底、GaAs 外延片材料的导入，帮助培育全国产供应链；在封装测试领域，发行人联合 长电科技、甬矽电子、华天科技、伟测科技、安测科技等供应商导入倒装工艺、复杂模组封装工艺等，并积极 牵引供应商验证国产耗材，如环氧树脂、锡膏、金线等封测材料，共同将高性能、高集成度封装技术改进成熟 并批量出货验证。发行人在发展 5G 的过程中，完成了全国产化的设计，在关键复杂的模组产品中，实现了完 全国产化供应链，带动了更多、更广泛的国产相关产业链发展，为射频领域国产供应链的全面成熟做出贡献。
2.5 发行人主营业务分析
发行人主要从事射频前端芯片、射频 SoC 芯片及其他模拟芯片的研发、设计与销售，是国家级专精特新 重点“小巨人”企业。发行人核心产品线主要包括面向智能移动终端的 5G/4G/3G/2G 全系列射频前端芯片产 品（包括射频前端模组及功率放大器、开关、LNA 等）以及面向物联网的射频 SoC 芯片产品（包括低功耗蓝牙 类及 2.4GHz 私有协议类无线通信芯片）。 在射频前端领域，发行人具备基于多种工艺芯片设计能力，覆盖 GaAs/CMOS/SiGe 工艺功率放大器、CMOS 工艺控制器、SOI 工艺开关及 LNA 等射频前端芯片产品。截至目前，发行人已量产出货 L-PAMiD、L-PAMiF、 DiFEM / L-DiFEM、L-FEM、MMMB PA 等模组，覆盖 5G/4G/3G/2G、NB-IoT 等通信标准下多种网络制式通信。 在高门槛、高技术难度的模组产品领域，发行人打破国际厂商垄断，5G L-PAMiD 产品率先实现对主流手机品 牌客户旗舰机型大规模量产出货，成功解决 5G 射频前端模组的技术瓶颈问题，标志着发行人在 5G 射频前端模 组能力方面已处于行业先进水平；此外，发行人自主研发的 CMOS 射频功率放大器技术具有高集成度、低成本 等特点，可广泛用于 5G/4G/3G/2G 射频方案，其突破性成果荣获北京市科学技术三等奖及“中国芯”优秀技 术创新产品奖；在卫星通信领域，发行人推出的北斗和天通多款卫星通信产品已于品牌手机终端客户高端机型实现量产出货；在智能汽车领域，发行人可提供从 PA、开关到模组的多系列车载射频前端芯片产品，相关产 品已通过 AEC-Q100 车规级认证，并在知名车企中量产应用。凭借优异的技术实力、产品性能和客户服务能力， 发行人射频前端芯片产品已在荣耀、三星、vivo、小米、客户 A、OPPO、联想（moto）、传音、realme 等品牌 终端客户实现规模销售。 在射频 SoC 领域，发行人专注于研发高性能、低功耗的射频 SoC 芯片产品，主要产品包括低功耗蓝牙类 SoC 芯片和 2.4GHz 私有协议类 SoC 芯片。发行人低功耗蓝牙类产品采用系统级低功耗设计技术，并利用 CMOS 超低漏电工艺设计，减小芯片面积的同时有效降低系统功耗，提升电池的续航能力，满足物联网应用领域对续 航时间的苛刻要求；此外，低功耗蓝牙类产品采用具有自主知识产权的低功耗射频收发机电路技术和高性能无 线通信收发技术，有效提升了产品在复杂的电磁干扰环境中的适应能力，使得芯片性能处于行业先进水平。发 行人在提供高质量射频 SoC 芯片产品的同时，向下游客户配套提供了自研的固件协议栈和用于二次开发的软件 开发套件，极大地提高了客户开发产品的便捷度，缩短了客户产品的上市时间。发行人射频 SoC 芯片产品凭 借高性能、低功耗、高集成度、高性价比的特点，已导入阿里、拼多多、小米、联想、客户 C、客户 D、比亚 迪、九号、台铃、汉朔、三诺医疗、凯迪仕、华立科技、惠普、客户 G、Remote Solution 等知名工业、医疗、 物联网客户，覆盖无线键鼠、智能家居、健康医疗、智慧物流等多元物联网应用场景，获得了下游客户的高度 认可，其中，蓝牙产品 HS6621 系列荣获了“中国芯”优秀技术创新产品奖。
2.5.1 射频前端芯片：无线通信系统的核心组件
手机等移动终端的无线通信系统主要包含射频前端、射频收发机及基带三部分，用于信号发射、信号接收 及信号收发过程中二进制信号与无线电磁波信号的相互转换。其中，射频前端连接天线模组和射频收发机，主 要负责射频信号的接收和发射，是无线通信系统的核心组件。通常来说，一个射频前端主要由功率放大器（PA）、 滤波器（Filter）、射频开关/天线调谐开关（Switch/Tuner）、低噪声放大器（LNA）四类器件组成： 功率放大器（PA）：位于发射通路上，将经过调制的功率较小的射频信号功率进行放大，使信号获得足够 高的功率，实现更高通信质量、更远通信距离。
滤波器（Filter）：包含滤波器、双工器和多工器三类器件，其中狭义的滤波器指位于接收或发射通路上， 对特定频率以外的频率进行滤除、提高接收信号抗干扰性，进而实现降低发射信号带外的噪声干扰性的器件。 双工器由两个不同频率的带通滤波器组成、多工器由多个不同频率的带通滤波器组成，二者均用于实现射频收 发通道的隔离和对特定频率以外频率的滤除。 射频开关（Switch）：位于接收或发射通路，主要用于对不同频率或不同通信制式下的信号进行切换。 天线调谐开关（Tuner）：位于天线端口，通过调整天线的电气特性，能够更好地在特定频率下发射或者 接收电磁波，提高发射效率和接收灵敏度。 低噪声放大器（LNA）：位于接收通路上，将从天线接收到的信号放大、提高信噪比，便于后级信号处理。
射频前端整体向小型化、集成化方向发展。一个典型的射频前端方案需由若干颗射频前端芯片产品来实现 相应的功能，根据模组化程度的不同，射频前端方案具体可分为模组方案及分立器件方案。随着射频前端支持 的通信频段不断增加，通信频率不断上升，射频前端的复杂度和对可靠性的要求不断提升，同时为满足移动智 能终端小型化的要求，射频前端芯片产品也向小型化、集成化方向发展，逐渐从分立芯片走向集成化模组，从 低集成模组向高集成模组演进。 2G-4G 以分立器件方案为主，5G 对模组化方案存在较高需求。回顾通信频段发展，2G/3G 方案使用射频 器件数量较少，以分立器件为主；4G 通信时代，根据集成度不同，同时存在分立器件方案和模组方案，但基于 性价比方面的考虑，目前模组方案应用较少。进入5G时代后，按照通信频率高低，5G频段分为新频段（Sub 6GHz） 和重耕频段（Sub 3GHz）；其中 Sub 6GHz 频率相对较高，主要应用 L-PAMiF 和 L-FEM 模组方案；Sub 3GHz 同时存在分立器件方案和模组方案，分立器件方案包括 MMMB PA 模组和高功率 GSM PA、LNA Bank 等器件， 模组方案则由低频 L-PAMiD、中高频 L-PAMiD 和 DiFEM/L-DiFEM 组成。5G Sub3GHz 频率相对较低，主要 系重耕原有 2G/3G/4G 频段形成，承载的通信频段多且拥挤，还包含 GPS、Wi-Fi 和蓝牙等非蜂窝通信频段，频 段间的通信干扰较强，且需要支持载波聚合技术，因此对射频前端芯片产品性能要求很高，特别是应用于中高 端机型的模组方案，需要集成的器件数量多，在 5G 射频前端芯片产品中设计难度最高，国产化率也最低。具 体来看：
2.5.1.1 5G PA 及模组
发行人的 5G PA 及模组产品主要由 L-PAMiD、L-PAMiF 两类收发模组，MMMB PA 模组、高功率 GSM PA 两类发射模组和 L-DiFEM/ DiFEM、L-FEM、LNA Bank 三类接收模组组成：
（1）收发模组： L-PAMiD：集成功率放大器、LNA、天线开关、控制器、双工器、多工器和滤波器，可实现信号发射和接 收功能，覆盖 4G LTE 频段向 5G NR 的重耕频段，同时支持 B1/2/3/26/8/12/20/28A/7/34/39/40/41 频段的 5G NR/4G LTE 等制式及 2G/3G 功能。该产品是中高端手机的 Sub 3GHz 主流射频方案，采用高密度封装和电磁干扰屏蔽 技术，具有高集成度、高性能等特点。发行人的 L-PAMiD 模组于 2023 年 5 月，与唯捷创芯共同实现国内率先 量产出货。
L-PAMiF：集成功率放大器、LNA、天线开关、控制器和滤波器，可实现信号发射和接收功能，覆盖 N77/78/79 等频段，支持功率等级 PC2 的高功率应用。该产品包含一路发射及两路接收，是新一代 Sub 6GHz 主流射频方 案，具有低成本、高性能等特点。
（2）发射模组： MMMB PA 模组：集成功率放大器、控制器和射频开关，可实现信号发射功能，频率覆盖低频 663MHz-915 MHz/中频 1,710MHz-2,025 MHz/高频 2,300MHz-2,700MHz，支持功率等级 PC2/PC3 的应用，并支持多射频口输 出功能。该产品是主流 5G 射频方案，具有高功率、方案灵活等特点。
（3）接收模组： L-DiFEM 模组：L-DiFEM 集成射频开关、LNA、接收滤波器等器件，DiFEM 集成射频开关、接收滤波器 等器件，实现 4G/5G 信号的分集接收和 MIMO 接收功能，提高下行速率。 该产品和 L-PAMiD 产品组合，成为 中高端手机的 Sub 3GHz 主流射频方案，采用高密度封装和电磁干扰屏蔽技术，具有高集成度、高性能等特点。
L-FEM 模组：集成射频天线开关、LNA 和滤波器，可实现信号接收功能，频率覆盖 N77 和 N79 频段。该 产品是 5G 高集成接收模组的主流方案，搭配 L-PAMiF 可组合成为一路发射及四路接收方案，具有体积小、能 耗低等特点。 LNA Bank 模组：集成 Sub 3GHz 的高中低频多路 LNA 和射频开关，可实现信号接收功能，频率覆盖 617MHz -2,700MHz。该产品用于 5G 移动终端中主集和分集接收部分，具有宽支持频率跨度等特点。
2.5.1.2 4G PA 及模组
发行人的 4G PA 产品主要包括 MMMB PA 模组和 TxM PA 模组两类主流 4G射频方案： MMMB PA 模组：集成功率放大器、控制器和射频开关，可实现信号发射功能，频率覆盖 663MHz-915MHz 低频/1,710MHz-2,025MHz 中频/2,300MHz- 2,700MHz 高频，支持 WCDMA/CDMA/TDD-LTE/FDD-LTE 等多种 制式。 TxM PA 模组：集成功率放大器、控制器和射频开关，可实现信号发射功能，采用 CMOS 技术架构，可满 足 GSM/EDGE 输出功率和效率要求。
2.5.1.3 2G/3G PA 及模组
发行人的 3G PA 及模组主要集成功率放大器和控制器，支持 WCDMA/ TD-SCDMA/CDMA2000 通信制式， 支持 B1/2/4/5/8/34/39 频段，具有高性能、低成本等特点。 发行人的 2G PA 及模组主要集成功率放大器和控制器，支持 GSM 通信制式，支持四频发射，采用 CMOS技术架构，具有高性能、高可靠性、低成本等特点。
2.5.1.4 射频开关产品
发行人的射频开关产品主要包括 5G 射频开关和天线调谐开关，其中 5G 射频开关主要用于 5G 天线切换， 切换时间小于 2us，具有高隔离度、低插损、支持 MIPI 控制等特点。天线调谐开关用于优化天线性能，具有高 耐压、低导通状态电阻、低断开状态电容、支持 MIPI 控制等特点。发行人的其他射频开关产品主要用于射频发 射和接收通路上切换通路，具有耐高功率、低插损、切换速度快，可支持 GPIO 和 MIPI 控制等特点。
2.5.1.5 其他射频前端芯片产品
除移动智能终端外，发行人射频前端产品还广泛应用于车载通信、卫星通信和 NB-IoT 等领域。 车载通信是 5G 移动通信的重要应用，具有高可靠性要求，相较于常规通信产品，需要在极端环境下保持 高性能和低失效比例，满足-40℃至 105℃的宽温要求，相关产品需要通过车规级认证。 卫星通信 PA 产品可实现地面终端与卫星的直接通信，减少地面站转接、中继的需求，有效解决地面通信 在偏远地区建设成本和建设难度较高的问题，是对现有地面通信的重要补充，特别是在海洋、高原等无人区或 自然灾害等应急场景下有着重要应用。发行人卫星通信 PA 输出功率达 37dBm，可以有效克服地面到卫星远距 离间距带来的功率衰减，提高终端与卫星连接的可靠性与稳定性；此外，该产品具有高效率特性，发射效率达 50%，减少发热的同时提高了可靠性和通话时间。目前发行人卫星通信 PA 已在国内旗舰智能手机中量产出货。 NB-IoT 产品支持低压和低中频段，主要针对各种物联网低功耗应用，包括智能家居、智慧出行、智慧农业 等场景。
2.5.2 射频 SoC 芯片：满足多样化通信需求的定制解决方案
按照通信标准分类，发行人射频 SoC 芯片产品分为低功耗蓝牙类 SoC 芯片及 2.4G 私有协议类 SoC 芯片， 可以满足客户对功耗、成本、性能和通信协议的多样化需求，有助于发行人针对不同应用场景提供更优化的解 决方案。低功耗蓝牙类 SoC 芯片使用蓝牙协议标准，具有广泛的兼容性和通用性，适用于需要蓝牙通信的设备, 如智能家居、健康医疗、智慧物流等。而 2.4G 私有协议类 SoC 芯片则更具灵活性和定制性，能够满足特定场 景下的通信需求，如无线键鼠、遥控玩具、智能零售等。
（1）低功耗蓝牙类 SoC 芯片：蓝牙技术是一种无线传输数据和语音通信的全球规范，它是基于低功耗的 近距离无线连接，为固定和移动设备建立通信环境的一种特殊的近距离无线连接技术。针对 2.4GHz 频段容易受 到其他无线设备干扰的问题，蓝牙技术采用了快速确认和跳频的方案，与其他无线连接技术相比，稳定性更强。 低功耗蓝牙类 SoC 芯片由处理器模块、基带模块、射频/模拟模块、电源时钟模块和外设组成，拥有丰富的接口， 能满足不同领域客户的需求，具有低功耗、低成本、小体积等优势。
发行人的低功耗蓝牙 SoC 芯片集成高性能 32-bit 处理器、存储单元、射频单元、数字基带以及丰富的外设 接口，如高速率 QSPI 显示驱动接口，可外接高分辨率显示屏；支持 16-bit ADC 接口，可外接数字和模拟麦克 风。该类芯片主要采用 CMOS 40nm 工艺，支持 BLE5.4 协议以及 2.4GHz 私有协议双模通信，支持蓝牙高速模 式及长距离模式。
（2）2.4G 私有协议类 SoC 芯片：2.4G 私有协议类 SoC 芯片工作于 2.4GHz ISM（即工业、科学、医疗） 频段，运行私有通信协议。与支持标准协议的芯片不同，运行私有协议的芯片可以针对特定指标，例如功耗、 距离和稳定性等，在通信协议中进行针对性优化，以实现更高的性能，满足客户的定制化需求。2.4G 私有协议 类 SoC 芯片集成了处理器模块、电源和时钟模块、基带模块、射频/模拟模块，内置了 MCU、存储器和丰富的 外设资源，可以实现数据处理、数据存储和射频信号收发等全部功能。 发行人的 2.4G 私有协议类 SoC 芯片集成了射频单元、MCU、存储单元、数字基带，以及各种外设接口。 该 类芯片主要采用 CMOS 110nm 工艺，支持通用 2.4GHz 私有协议，采用 GFSK/FSK 调制方式，最高数据传输速 率达 2Mbps；支持具有自主知识产权的 2.4GHz 组网协议，并可根据客户需求定制不同的私有协议。产品具有高 性能、低成本等特点。
2.6 发行人治理分析
自股份公司设立以来，发行人依据《公司法》《证券法》等相关法律、法规和规范性文件的要求，制定了 《公司章程》，建立了由股东会、董事会、监事会和高级管理人员组成的公司治理架构，形成了权力机构、决 策机构、监督机构和管理层之间权责明确、运作规范的相互协调和相互制衡机制，为发行人高效、稳健经营提 供了组织保证。发行人公司股东会、董事会、监事会及高级管理人员均根据《公司法》《公司章程》行使职权 和履行义务。 发行人根据相关法律、法规、规范性文件和《公司章程》制定了《股东会议事规则》《董事会议事规则》 《监事会议事规则》《独立董事工作制度》《关联交易管理制度》等相关制度，为发行人公司法人治理的规范 化运行提供了制度保证。 目前，发行人严格按照各项规章制度规范运行，相关机构和人员均履行相应职责，通过上述组织机构的建立和相关制度的实施，发行人已经逐步建立健全了符合上市要求的公司治理结构。
2.7 发行人经营战略分析
发行人将持续在射频、模拟芯片市场深耕细作，从发行人的优势产品射频前端芯片出发，充分发挥产品间 协同作用，持续完善射频前端、射频 SoC 等产品线。此外，发行人将积极结合智能手机、智能汽车、卫星通信、 智能家居、健康医疗、工业控制、AR/VR 辅助等领域产品迭代及不断更新的应用需求，发挥发行人在芯片设计 领域的技术优势，拓展发行人各产品线的广度和深度，提供多样化的国产射频、模拟芯片产品与系统级解决方 案，不断扩展终端应用领域与客户覆盖范围，让射频、模拟技术应用走进千家万户的日常生活，并持续提升发 行人在射频、模拟芯片领域的竞争力与市场地位。 发行人将围绕“打造具有持续竞争力的射频、模拟领域的世界级芯片发行人”的战略目标，持续进行产品布 局及研发，从积累基础技术、增强人才储备、开拓销售渠道等方面着手，解决国家战略发展的重点领域和薄弱 环节所涉及的芯片研发和技术迭代关键问题，实现从射频、模拟领域芯片国产供应商到全面参与全球射频、模 拟芯片市场竞争者的转变，完成从国内细分领域领先企业到国际知名射频、模拟芯片企业的跨越。
（1）持续投入科技研发，推动技术与产品升级
自成立以来，发行人通过持续的研发投入和技术积累，不断进行产品高效迭代和产品类别拓展，为客户提 供高性能、高可靠性、低功耗、高集成度的射频、模拟芯片产品。未来发行人将聚焦射频、模拟芯片产品，从 发行人的优势产品射频前端芯片出发，充分发挥产品间协同作用，持续推动射频前端芯片的技术与产品升级， 不断完善 L-PAMiD 等高集成度射频前端芯片产品的布局。在射频 SoC 领域将不断深化低功耗、高性能和软硬 件协同优势，在产品上实现更优性价比、更高集成度的特点。
（2）深耕移动智能终端市场，拓展下游覆盖领域
发行人下游应用范围主要为移动智能终端及无线键鼠、智能家居、健康医疗、智慧物流等物联网场景。未 来发行人将持续深耕移动智能终端市场，进一步拓展客户群体、提升在移动智能终端领域的市场占有率；此外， 发行人亦将结合行业发展趋势，优化技术、升级产品，持续巩固发行人在卫星通信市场地位，并重点拓展包括 车载通信、小基站等新兴应用场景。
（3）推动国产化供应链，提升自主创新性
发行人采用 Fabless 经营模式，在重点聚焦技术突破与产品设计创新的同时，积极推动供应链的国产化建设。 发行人为长电科技、甬矽电子、立昂微、伟测科技、深南电路等供应商的首批射频类产品验证战略客户，不断 助力国产供应链的发展，致力于保障供应安全。发行人重视对供应链的品质管控，并在此基础上积极牵引供应 商验证国产耗材，持续提升供应链全国产化水平，在降低产品成本的同时，实现供应链的可控性和安全性。
（4）聚焦大客户战略，实现长期合作共赢
目前发行人已经与行业内数个大客户建立策略供应与合作关系，并在与大客户配合的过程中不断提升自身 组织体系的完整性，打磨出高性价比的产品。此外，发行人在此策略供应与合作的过程中所积累的产品和技术已逐步转化为自身的竞争优势，并通过第一时间获取大客户最前沿的需求来保持产品的领先。因此，发行人将 持续强化与大客户的合作，确保大客户的长期战略合作共赢。
（5）加强人才队伍建设，打造完善的人才体系
发行人产品具有技术密集型特点，人才队伍建设关系到发行人核心竞争力与长期可持续发展能力。因此发 行人将继续完善人才梯队建设，打造稳定的核心研发团队，不断吸引外部优秀人才，通过各种激励手段，打造 完善的研发、生产、销售、品质、交付的人才体系。
（6）拓展海外市场，具备国际化竞争能力
随着自身管理和产品、技术水平的提升，发行人将逐步拓展海外高质量客户。从产品性能、服务支持等维 度与行业领先的国际发行人竞争和学习，逐步提高自身综合管理效能，提升对国际化竞争水平的适应能力。
2.8 发行人研发技术分析
射频前端芯片产品具有信号频率高、功率高、集成度高和方案复杂的特点，属于模拟芯片中的高门槛领域。 特别是当前主流 5G 终端产品的全套解决方案包括 L-PAMiD、L-PAMiF、DiFEM/L-DiFEM、L-FEM、MMMB PA、 高功率 GSM PA、LNA Bank、射频开关、天线调谐开关、滤波器/双工器、WiFi FEM 以及卫星通信功率放大器 等数十款产品。射频前端企业需同时具备满足不同功率、频率、制式要求的 5G/4G/3G/2G 功率放大器、LNA、 射频开关、控制器等电路设计能力和基于 CMOS/GaAs/SOI 工艺设计射频电路能力，同时需要能够解决小尺寸、 高集成度、球栅阵列封装、栅格阵列封装及倒装封装等复杂模组封装技术。 发行人以自主创新为驱动，形成了完善的研发体系。经过多年的研发创新积累，在射频前端芯片、射频 SoC 芯片等领域积累了多项核心技术，承担了多项国家重大科研项目，获得了多项重要奖项及业界荣誉，获得了业 界广泛的认可。 在射频前端领域，发行人已具备 GaAs、CMOS 和 SOI全工艺平台设计能力，相关产品均已从技术研发阶 段进入到规模化量产出货阶段。发行人具备基于多种工艺芯片设计能力，覆盖 GaAs/CMOS/SiGe 工艺功率放大 器、CMOS 工艺控制器、SOI 工艺开关及 LNA 等射频前端芯片产品。发行人射频 SoC 芯片可分为 2.4G私有协 议类 SoC 芯片及低功耗蓝牙类 SoC 芯片，两类产品均使用 CMOS 工艺。
发行人已覆盖射频前端主要技术路线。PA 芯片裸片主要工艺有 CMOS 工艺和 GaAs 工艺两种，其中 GaAs 工艺更容易实现高性能目标但成本较高，而 CMOS 工艺实现高性能目标较难但成本较低、集成度更高。随着移 动通信技术从 2G 发展至 5G，对射频功率放大器的线性度、频率、效率等性能指标的要求也逐渐提升，采用 CMOS 工艺制造出满足使用要求的射频功率放大器的难度也逐渐提升。因此，当前 4/5G 智能手机的 PA 芯片裸片主要 使用 GaAs 工艺，而在对价格更为敏感的 2/3G 市场中 CMOS 工艺更受欢迎。由于 PA 芯片控制器需采用 CMOS 工艺，PA 芯片裸片也采用 CMOS 工艺的情况下，单颗芯片可集成 PA、控制器等功能，具有高集成度、面积小 等优势。发行人充分发挥 CMOS 工艺领域的深厚技术积累，除 2/3G 手机市场外，现已实现将 CMOS 工艺应用 于 4/5G 手机，同测试性能情况下，单颗 4G 产品成本相较于 GaAs 工艺有较大幅度的下降。此外，发行人兼顾 GaAs 工艺优势，相关产品在效率和线性度等指标表现良好，满足行业主流技术要求。
具体来看，发行人自主研发的 CMOS 射频功率放大器技术具有高集成度、低成本等特点，单颗芯片可集成 双频 PA、偏置电路、数字接口控制器等功能，有效减小芯片面积、提高集成度，更加适应射频前端模组化的 发展趋势。利用发行人自主开发的 CMOS 射频功率放大器技术，通过使用功率分配和电压分配技术、过温过压 过流保护技术，以及非线性补偿技术，解决了 CMOS 工艺线性和耐压能力低于 GaAs 工艺的问题；利用发行人 自主研发的电流功率控制技术，使得功率放大器效率得到很大提升；同时基于 CMOS 工艺的良好供应能力和较 低的价格，成本相较于 GaAs 工艺下降 30%以上。发行人是体硅 CMOS 射频功率放大器技术的引领者，自成立 以来持续研发投入，历经多代技术升级，相关产品已全面应用于 5G/4G/3G/2G 通信终端，其突破性成果荣获北 京市科学技术三等奖，并在国际知名亚洲固态电路研讨会（A-SSCC）上发表相关技术内容。 射频 SoC 领域，发行人具备高度自主研发的能力，在射频模拟电路设计、无线通信调制解调技术、通信协 议栈和芯片的封装测试方面积累了丰富的技术经验。发行人射频SoC芯片采用先进的CMOS 超低漏电工艺设计， 通过优化设计能够大幅提升芯片集成度，提升 CPU 性能，降低芯片面积。利用发行人低功耗射频收发机技术， 无需采用传统的平衡-不平衡转换器（Balun），进一步优化了芯片面积，降低了芯片成本。此外，发行人射频 SoC 芯片在系统级低功耗设计技术、低功耗射频收发机电路技术和高性能无线通信收发技术方面具有独特的技 术创新能力，能够显著降低芯片在不同工作状态下的电流消耗，提升物联网及其他应用设备的电池续航能力及 射频收发机的整体性能，例如，发行人产品在电子价签应用场景中可以达到约 10 年的续航能力。发行人在射频 SoC 领域已积累形成 20 余项发明专利，针对日益复杂多变的市场需求，依赖深厚的技术积累，发行人可以迅速 开发出与之相适应的芯片产品，获得先发优势。
3.1 募集资金运用概况
根据招股说明书（注册稿），发行人本次拟发行不超过 2,488.2922 万股（占发行后总股本比例不低于 25%）， 发行募集资金扣除发行费用后，拟用于投资 5G射频前端芯片及模组研发和产业化升级项目、射频 SoC 研发及 产业化升级项目、总部基地及研发中心建设项目三个项目。
上述项目投资方向均属于科技创新领域，是响应《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划 和 2035 年远景目标纲要》中对集成电路产业发展的战略规划，积极提升产品性能，持续向高端领域拓展的重要 举措。其中，5G 射频前端芯片及模组研发和产业化升级项目运用发行人当前在射频前端领域的产品和技术储备， 进一步开发升级用于手机及可穿戴设备的高集成度、高技术难度射频前端模组及相关分立器件、高可靠性车载 通信射频前端模组等；射频 SoC 研发及产业化升级项目基于发行人当前在射频 SoC 领域的产品和技术储备，根 据协议标准的更新要求，升级研发低功耗蓝牙芯片、高性能蓝牙音频芯片和支持包括蓝牙、Zigbee、Matter、Thread、 HomeKit、星闪等物联网协议标准的无线物联网多协议芯片产品；总部基地及研发中心建设项目在打造产品研 发、日常办公等功能于一体的总部基地及研发中心的同时，在发行人现有射频技术与产品的积累上，进行涵盖 卫星通信射频前端芯片、WiFi 射频前端模组及基站射频前端芯片等前沿射频前端技术研发。
3.2 募集资金投资项目分析
3.2.1 5G 射频前端芯片及模组研发和产业化升级项目
5G 射频前端芯片及模组研发和产业化升级项目预计建设期为 4 年，预计项目总投资 109,612.25 万元，其中 设备购置费用 6,484.12 万元，研发投入 80,417.13 万元，基本预备费 1,738.03 万元，铺底流动资金 20,972.97 万 元。项目拟以发行人当前在射频前端模组、PA、LNA、开关、滤波器领域的产品及技术为基础，进一步开发升 级用于手机及可穿戴设备的高集成度、高技术难度射频前端模组及相关分立器件、高可靠性车载通信射频前端 模组等，更好地满足客户对不同射频功率等级、频段、工作制式和应用场景的使用需求。本项目建设将有效提 高发行人产品技术水平，为下游客户提升终端产品的集成度、降低终端功耗和成本提供支持。 发行人自成立起始终专注于射频技术的研发，已经形成了包括射频功率放大器高低功率合成电路、功率放 大器功率切换电路等在内的多项技术专利积累。在产品开发工艺上，发行人已经积累了基于 CMOS、GaAs、SOI、 SiGe 等工艺的集成电路设计和大规模量产经验，为本项目产品性能的进一步提升和成本优化做出了充足准备。 现阶段，发行人已经形成了覆盖 2G/3G/4G/5G 全频段的射频前端模组及分立器件的产品和技术布局。发行人丰富的产品及技术积累为本项目的开发提供了坚实的技术基础。
3.2.2 射频 SoC 研发及产业化升级项目
射频 SoC 研发及产业化升级项目预计建设期为 4 年，项目总投资 40,800.82 万元，其中设备购置费用 4,102.67 万元，研发投入 31,314.49 万元，基本预备费 708.34 万元，铺底流动资金 4,675.32 万元。本项目拟根据协议标 准的更新要求，对现有射频 SoC 芯片产品的配置、性能、安全以及工艺等各个方面进行优化升级，研发低功耗 蓝牙芯片、高性能蓝牙音频芯片和支持包括蓝牙、Zigbee、Matter、Thread、HomeKit、星闪等物联网协议标准 的无线物联网多协议芯片产品。
本项目拟顺应当前物联网发展的趋势，进一步夯实发行人在 2.4GHz 和蓝牙射频 SoC 领域的产品和技术优 势，并针对新一代蓝牙标准引入提升定位精度、传输效率及可靠性等指标的新功能后，相关应用场景面临的升 级需求，进行兼容新通讯标准协议的射频 SoC 芯片产品的开发。项目建成后，发行人在射频 SoC 的布局将顺应 蓝牙技术的发展和应用趋势，逐步从手机、电脑、玩具市场向更多样化的健康医疗、工业控制、智慧物流、智 慧商超等场景进一步拓展。同时本项目将在发行人现有射频 SoC 技术储备基础上，对蓝牙射频 SoC 芯片进行进 一步的迭代升级，在满足新一代无线通信协议的同时，持续丰富支持的通讯协议种类，降低芯片开发成本，提 升产品的综合性能，巩固和提升发行人射频 SoC 芯片产品的竞争优势，助力发行人寻找新的利润增长点。
3.2.3 总部基地及研发中心建设项目
总部基地及研发中心建设项目预计建设期为 4 年，项目总投资 56,317.07 万元，其中场地投资 27,447.00 万 元，设备购置费用 3,508.40 万元，研发投入 24,257.41 万元，基本预备费 1,104.26 万元。发行人将通过本项目在 北京市海淀区购置办公场地，打造集产品研发、日常办公、商务洽谈等功能于一体的总部基地及研发中心。研 发中心将在现有研发部门的基础上，通过购入软硬件设备和引进技术人才等手段，提升现有研发部门在新品实 验、功能和性能测试等方面的能力。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
